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1 MC32P5213 用户手册 ( 原产品名 MC33P78) SinoMCU 8 位单片机 2014/03/10 上海晟矽微电子股份有限公司 Shanghai SinoMCU Microelectronics Co., Ltd. 本公司保留对产品在可靠性 功能和设计方面的改进作进一步说明的权利 用户手册的更改, 恕不另行通知

2 目录 1 产品简介 产品特性 系统框图 引脚排列 引脚说明 管脚结构 中央处理器 指令集 程序存储器 数据存储器 堆栈 烧录配置选项 控制寄存器 系统时钟 外接晶体振荡器 内置高频 RC 振荡器 内置低频 RC 振荡器 工作模式 低功耗模式 复位 复位条件 上电复位 外部复位 低电压复位 看门狗复位 I/O 口 IO 工作模式 上拉电阻控制 端口模式控制 定时器 看门狗定时器 WDT 定时器 T 定时器 T 键盘扫描模块 键盘扫描介绍 键盘扫描操作步骤 键盘扫描相关寄存器 OPA OPA 模块介绍 OPA 操作步骤 OPA 相关寄存器 RAM 电源 上海晟矽微电子股份有限公司 2/69

3 9.1 RAM 电源外置 RAM 电源内置 中断 外中断 定时器中断 中断相关寄存器 电气参数 极限参数 直流特性参数 交流电气参数 特性曲线图 IROUT 驱动电流 VS 输出电压 LED 驱动电流 VS 输出电压 IO 输出低电平驱动电流 VS 输出电压 IO 输出高电平驱动电流 VS 输出电压 IO 口上拉电阻 VS 电源电压 IO 口输入高电平 VS 电源电压 IO 口输入低电平 VS 电源电压 WDT 溢出时间 VS 电源电压 键盘扫描时间 VS 电源电压 键盘扫描静态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS 电源电压 HOLD 模式 1 功耗 VS 电源电压 HOLD 模式 2 功耗 VS 电源电压 休眠模式功耗 VS 电源电压 常温高频振荡频率 VS 电源电压 常压高频振荡频率 VS 温度 高频振荡频率 VS 电源电压 VS 温度 低电压复位电压 VS 温度 最低工作电压 VS 系统时钟 FCPU 关系图 封装外形尺寸 版本修订记录 上海晟矽微电子股份有限公司 3/69

4 用户手册 MC32P 产品简介 MC32P5213 是一款 OTP 型 MCU 产品, 其红外信号学习功能可以为学习型遥控器产品提供良好的 解决方案 1.1 产品特性 8 位 CPU 内核 精简指令集 高频模式下 2T/4T/8T/16T/32T/64T/128T/256T 可设 ; 低频工作模式下为 2T 存储器 8K*16 程序存储器空间,8 级深度硬件堆栈, 通过 INDF3 可读取 ROM 区内容 944 字节 RAM 16 个 IO 口 (RAM 和 VPP 管脚开漏 ) 8 位 P1 端口, 其中 P11 复用 RAM 供电,P17 复用 IROUT 8 位 P2 端口, 其中 P27 复用 VPP,P25/P26 复用晶振口,P20/P23 可设置不同上拉电阻, P21/P22 可设置低电平输出限流功能 5 种工作模式 高速运行模式 : 系统在高频时钟下运行 低速运行模式 : 系统在低频时钟下运行 休眠模式 : 所有振荡器停止运行 HOLD 模式 1:CPU 停止运行, 高频振荡器工作 HOLD 模式 2:CPU 停止运行, 高频振荡器停止工作, 低频振荡器工作 定时器 内部自振式看门狗计数器 (WDT) 1 个带捕捉功能的 16 位定时器 T0, 可设置溢出中断 1 个带 PWM 功能的 8 位定时器 T1, 可设置溢出中断 (PWM 最小可调制脉宽宽度 62.5ns) 内置灵敏度可调的 OPA, 实现红外信号放大作用 内置驱动电流可变的大电流输出管脚 IROUT(125mA 250mA 375mA 500mA) 中断 两路外部中断源 (INT0 INT1) 定时器 T0 中断 定时器 T1 中断 时钟振荡模式 外接高频晶体振荡器 HOSC(432KHz-16MHz)+ 内置低频振荡器 LIRC(8KHz) 内置高频振荡器 HIRC(16.12MHz)+ 内置低频振荡器 LIRC(8KHz) 8 级低电压复位 LVR 工作电压 内置高频振荡器 ) 内置高频振荡器 ) 内置高频振荡器 ) 上海晟矽微电子股份有限公司 4/69

5 封装形式 :SOP18 SOP 系统框图 OTP ROM 8K*16bits 程序计数器 PC 8 级堆栈 指令译码器 ALU P17 P16 P15 系统控制信号 工作寄存器 A P14 P13 中断逻辑 中断控制 数据存储器 RAM 944bytes IO 控制 P12 P11 P10 上电复位看门狗复位 系统复位 TMR0/TMR1 P27 P26 低电压复位 P25 P24 内部高频 RC 内部低频 RC 外部晶振 系统时钟 DKW P23 P22 P21 P20 OPA 上海晟矽微电子股份有限公司 5/69

6 MC32P5213A0K MC32P5213A1K MC32P5213A0L MC32P5213 用户手册 V 引脚排列 GND RAM/P11 INT1/P10 VPP/RST/P27 OSCI/P26 OSC0/P25 P24 P VDD P17/IROUT P16/INT0 P15 P14 P13 P12 P21 SOP16( 内含 24C08) GND RAM/P11 INT1/P10 VPP/RST/P27 P26/OSCI P25/OSC0 P23 P VDD P17/IROUT P16/INT0 P15 P14 P13 P20 P21 SOP16 GND 1 RAM/P11 2 LNT1/P10 3 VPP/RST/P27 4 OSCI/P26 5 OSC0/P P24 P23 P VDD P17/IROUT P16/INT0 P15 P14 P13 P12 P20 P21 SOP18 注 : 中间 SOP16 内部集成 24C08, 使用方法详见 MC32P5213 内置 EEPROM 使用说明 文件 上海晟矽微电子股份有限公司 6/69

7 1.4 引脚说明 编号 引脚名 方向 功能描述 1 VDD SOURCE 电源 2 P11 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚,RAM 供电管脚, 开漏输出 3 P10/P16 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚, 外部中断管脚 4 P27 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 外部复位脚 RST, 编程高压输入 VPP, 开漏输出 5 P26 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚, 晶振管脚 OSCO 6 P25 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚, 晶振管脚 OSCI 7 P24 P15-P12 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚 8 P23/P20 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚,10K 上拉可选择 9 P22/P21 I/O 双向 IO 口, 可上拉, 键盘扫描管脚, 低电平驱动可选择 10 P17 I/O 双向 IO 口, 可上拉,IROUT 管脚,OPA 输入管脚 11 GND SOURCE 地 1.5 管脚结构 P10,P12-P16,P20,P23-P24 VDD VDD VDD 输出使能 输出数据 上拉使能 电阻值选择 PAD GND GND 输入数据 上海晟矽微电子股份有限公司 7/69

8 P21,P22 VDD VDD VDD 输出使能 输出数据 上拉使能 电阻值选择 驱动选择 PAD 驱动控制 GND GND 输入数据 P25,P26 VDD VDD VDD 输出使能 输出数据 上拉使能 电阻值选择 PAD 输入数据 GND 输入使能 GND 模拟信号输入 上海晟矽微电子股份有限公司 8/69

9 P27 VDD VPP 上拉使能 开关选择 开关控制 电阻值选择 输出数据 PAD 输出使能 GND GND 输入数据 P11 RAM 电源 RAM 电源 上拉使能 开关选择 开关控制 电阻值选择 输出数据 PAD 输出使能 GND GND 输入数据 上海晟矽微电子股份有限公司 9/69

10 P17 VDD VDD VDD 输出使能 输出数据 上拉使能 电阻值选择 驱动选择 PAD 驱动控制 GND GND 模拟信号输入 上海晟矽微电子股份有限公司 10/69

11 2 中央处理器 2.1 指令集 MC32P5213 的指令是精简指令集 下表是指令汇总表 助记符 说明 操作 周期数 影响 ADDAR R 寄存器 R 内容和 ACC 相加, 结果存到 ACC R+ACC ACC 1 C,DC,Z ADDRA R 寄存器 R 内容和 ACC 相加, 结果存到 R R+ACC R 1 C,DC,Z ADCAR R 带 C 标志的加法, 结果存到 ACC R+ACC+C ACC 1 C,DC,Z ADCRA R 带 C 标志的加法, 结果存到 R R+ACC+C R 1 C,DC,Z RSUBAR R 寄存器 R 内容和 ACC 相减, 结果存到 ACC R-ACC ACC 1 C,DC,Z RSUBRA R 寄存器 R 内容和 ACC 相减, 结果存到 R R-ACC R 1 C,DC,Z RSBCAR R 寄存器 R 内容和 ACC 相减 ( 带 C 标志 ), 结果存 到 ACC R-ACC-/C ACC 1 C,DC,Z RSBCRA R 寄存器 R 内容和 ACC 相减 ( 带 C 标志 ), 结果存 R-ACC-/C R 1 C,DC,Z 到 R ASUBAR R ACC 和寄存器 R 内容相减, 结果存到 ACC ACC-R ACC 1 C,DC,Z ASUBRA R ACC 和寄存器 R 内容相减, 结果存到 R ACC-R R 1 C,DC,Z ASBCAR R ACC 和寄存器 R 内容相减 ( 带 C 标志 ), 结果存 到 ACC ACC-R-/C ACC 1 C,DC,Z ASBCRA R ACC 和寄存器 R 内容相减 ( 带 C 标志 ), 结果存 ACC-R-/C R 1 C,DC,Z 到 R ANDAR R 寄存器 R 内容和 ACC 与操作, 结果存到 ACC R and ACC ACC 1 Z ANDRA R 寄存器 R 内容和 ACC 与操作, 结果存到 R R and ACC R 1 Z ORAR R 寄存器 R 内容和 ACC 或操作, 结果存到 ACC R or ACC ACC 1 Z ORRA R 寄存器 R 内容和 ACC 或操作, 结果存到 R R or ACC R 1 Z XORAR R 寄存器 R 内容和 ACC 异或操作, 结果存到 ACC R xor ACC ACC 1 Z XORRA R 寄存器 R 内容和 ACC 异或操作, 结果存到 R R xor ACC R 1 Z COMAR R 对 R 取反, 结果存到 ACC R 取反 ACC 1 Z COMR R 对 R 取反, 结果存到 R R 取反 R 1 Z CLRA 对 ACC 清零 0 ACC 1 Z CLRR R 对 R 清零 0 R 1 Z RLA ACC 循环左移 ( 带 C 标志 ) ACC[7] C ACC[6:0] ACC[7:1] C ACC[0] 1 C R[7] C RLAR R 寄存器 R 循环左移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC R[6:0] ACC[7:1] 1 C C ACC[0] R[7] C RLR R 寄存器 R 循环左移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 R R[6:0] R[7:1] 1 C C R[0] 上海晟矽微电子股份有限公司 11/69

12 RRA ACC 循环右移 ( 带 C 标志 ) C ACC[7] ACC[7:1] ACC[6:0] ACC[0] C 1 C C ACC[7] RRAR R 寄存器 R 循环右移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC R[7:1] ACC[6:0] 1 C R[0] C C R[7] RRR R 寄存器 R 循环右移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 R R[7:1] R[6:0] 1 C R[0] C SWAPAR R 交换 R 的高低字节, 结果存到 ACC R[7:4] ACC[3:0] R[3:0] ACC[7:4] 1 - SWAPR R 交换 R 的高低字节, 结果存到 R R[7:4] R[3:0] 1 - R[3:0] R[7:4] MOVAR R 将 R 存到 ACC R ACC 1 Z MOVR R 将 R 存到 R R R 1 Z MOVRA R 将 ACC 存到 R ACC R 1 - INCA ACC 自加 1 ACC+1 ACC 1 - INCAR R R 加 1, 结果存到 ACC R+1 ACC 1 Z INCR R R 加 1, 结果存到 R R+1 R 1 Z DECA ACC 自减 1 ACC-1 ACC 1 - DECAR R R 减 1, 结果存到 ACC R-1 ACC 1 Z DECR R R 减 1, 结果存到 R R-1 R 1 Z JZA ACC 自加 1; 结果为 0, 则跳过下一条指令 ACC+1 ACC, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - JZAR R R 加 1, 结果存到 ACC; 结果为 0, 则跳过下一条指令 R+1 ACC, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - JZR R R 加 1, 结果存到 R; 结果为 0, 则跳过下一条指令 R+1 R, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - DJZA ACC 自减 1; 结果为 0, 则跳过下一条指令 ACC-1 ACC, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - DJZAR R R 减 1, 结果存到 ACC; 结果为 0, 则跳过下一条指令 R-1 ACC, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - DJZR R R 减 1, 结果存到 R; 结果为 0, 则跳过下一条 R-1 R, 结果为 0, 则 1 或 2 - 指令 PC+2 PC BCLR R,b 对 R 的第 b 位清零 0 R[b] 1 - BSET R,b 对 R 的第 b 位置 1 1 R[b] 1 - JBCLR R,b 如 R 的第 b 位为 0, 则跳过下一条指令 如 R[b]=0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - JBSET R,b 如 R 的第 b 位为 1, 则跳过下一条指令 如 R[b]=1, 则 PC+2 1 或 2 - PC ADDAI K 立即数 K 和 ACC 相加, 结果存到 ACC K+ACC ACC 1 C,DC,Z ISUBAI K 立即数和 ACC 相减, 结果存到 ACC K-ACC ACC 1 C,DC,Z ISBCAI K 立即数和 ACC 相减 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC K-ACC-/C ACC 1 C,DC,Z 上海晟矽微电子股份有限公司 12/69

13 ASUBAI K ACC 和立即数相减, 结果存到 ACC ACC-K ACC 1 C,DC,Z ASBCAI K ACC 和立即数相减 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC ACC-K-/C ACC 1 C,DC,Z ANDAI K 立即数 K 和 ACC 与操作, 结果存到 ACC K and ACC ACC 1 Z ORAI K 立即数 K 和 ACC 或操作, 结果存到 ACC K or ACC ACC 1 Z XORAI K 立即数和 ACC 异或, 结果存到 ACC K xor ACC ACC 1 Z MOVAI K 将立即数存到 ACC K ACC 1 - RETAI K 从子程序返回, 并将立即数存到 ACC TOS PC 2 - K ACC RETURN 从子程序返回 TOS PC 2 - RETIE 从中断返回 TOS PC 1 GIE 2 - CALL K 子程序调用 PC+1 TOS 2 - K PC GOTO K 无条件跳转 K PC 2 - NOP 空操作 空操作 1 - DAA 加法后, 将 ACC 的值调整到十进制 ACC( 十六进制 ) ACC( 十进制 ) 1 C DSA 减法后, 将 ACC 的值调整到十进制 ACC( 十六进制 ) 1 - ACC( 十进制 ) CLRWDT 清看门狗定时器 0 WDT 1 TO,PD STOP 进入休眠模式 0 WDT 进入休眠模式 1 TO,PD 上海晟矽微电子股份有限公司 13/69

14 2.2 程序存储器 8K*16BIT 的程序存储器空间, 程序存储器空间 (0000H 1FFFH) 可通过 INDF3 间接访问复位向量 (0000H) 通用程序区 (0001H 0007H) 中断向量 (0008H) 通用程序区 (0009H 1FFFH) 厂商保留区 (2000H - 7FFFH) OPBIT0(8000H) OPBIT1(8001H) 注 :1FF0-H1FFFH 只能存放表格, 通过 INDF3 读出, 无法填写程序 例 : 通过 INDF3 访问 FSR1*256+FSR0 指向的程序存储器中内容, 高 8 位存放在数据寄存器区 11H, 低 8 位存放在数据寄存器区 10H MOVAI 55H MOVRA FSR0 ; 将 55H 写入 FSR0 MOVAI 01H MOVRA FSR1 ; 将 01H 写入 FSR1 MOVAR INDF3 ; 读取 FSR1*256+FSR0 指向 (0155H) 程序存储器 ; 的内容, 其中高 8 位放在 HIBYTE 寄存器, 低 8 ; 位放在 A 寄存器 MOVRA 10H ; 低 8 位放到数据寄存器 10H 地址 MOVAR HIBYTE ; 从 HIBYTE 读取高 8 位 MOVRA 11H ; 高 8 位放到数据寄存器 11H 地址 上海晟矽微电子股份有限公司 14/69

15 2.3 数据存储器 数据寄存器分为三个区, 快速通用寄存器区 GPR(256 字节空间 ) 和特殊功能寄存器区 SFR, 扩展寄 存器区必须使用间接寻址模式 2 进行寻址, 具体地址分配参照下表 数据存储器区地址映射表 : 地址 0/8 1/9 2/A 3/B 4/C 5/D 6/E 7/F 数据存储区, 直接寻址,INDF0,INDF1,INDF2 间接寻址 000H - 0FFH 通用数据区 (INDF0/INDF2) 100H - 1AFH 通用数据区 (INDF1/INDF2) 1B0H - 1B7H INDF0 INDF1 INDF2 HIBYTE FSR0 FSR1 PCL PFALG 1B8H - 1BFH MCR INDF3 INTE0 INTF0 OSCM 1C0H - 1C7H 1C8H - 1CFH IOP1 OEP1 PUP1 DKWP1 1D0H - 1D7H IOP2 OEP2 PUP2 DKWP2 1D8H - 1DFH T0CR T0LOADH T0LOADL T0LATRH T0LATRL T0LATFH T0LATFL 1E0H - 1E7H T1CR T1DATA T1LOAD OPCR0 OPCR1 DWK0 DWK1 1E8H - 1EFH 1F0H - 1F7H 1F8H - 1FFH 200H-3FFH 数据区 (INDF2) 注 : 上表中灰色部分数据存储区地址未用, 读出数据为 0 数据寄存器地址组成 寻址方式 来自指令的 9 位地址 直接寻址模式 FSR0 间接寻址模式 FSR1 间接寻址模式 1 FSR1 FSR0 间接寻址模式 2 上海晟矽微电子股份有限公司 15/69

16 直接寻址模式 : 以指令的低 9 位作为数据存储器地址 例 : 通过直接寻址模式把 55H 数据写入 10H 地址 MOVAI 55H MOVRA 10H ; 把数据 55H 写入 10H 地址数据存储器中 间接寻址模式 0: 当访问 INDF0 时,FSR0 作为数据存储器地址 例 : 通过间接寻址模式 0 把 55H 数据写入 10H 地址 MOVAI 10H MOVRA FSR0 MOVAI 55H MOVRA INDF0 ; 把数据 55H 写入 FSR0 指向数据存储器中 间接寻址模式 1: 当访问 INDF1 时,FSR1 作为数据存储器地址 例 : 通过间接寻址模式 1 把 55H 数据写入 110H 地址 MOVAI 10H MOVRA FSR1 MOVAI 55H MOVRA INDF1 ; 把数据 55H 写入 FSR1 指向数据存储器中 间接寻址模式 2: 当访问 INDF2 时,FSR1*256+FSR0 作为数据存储器地址 例 : 通过间接寻址模式 2 把 55H 数据写入 0110H 地址数据存储器 MOVAI MOVRA MOVAI MOVRA MOVAI MOVRA 10H FSR0 01H FSR1 55H INDF2 ; 把数据 55H 写入 FSR1*256+FSR0 指向数据存储器中 2.4 堆栈 8 级堆栈深度, 当程序响应中断或执行子程序调用指令时 CPU 会将 PC 自动压栈 ; 当运行子程序返回 指令时, 栈顶数据赋予 PC 上海晟矽微电子股份有限公司 16/69

17 2.5 烧录配置选项 用户配置字简称 OPBIT 是 OTP 中的 3 个特殊字, 用于对系统功能进行配置 OPBIT 在烧写用户程序时 通过专用烧写器来设置 MC32P5213 的 OPBIT 定义如下 OPBIT0: 位 符号 功能说明 BIT[1:0] WDTC WDT 工作模式控制位 00: 始终关闭看门狗 01: 休眠模式下关闭看门狗 1X: 始终开启看门狗 BIT13 BIT[3:2] WDTT WDT 溢出时间选择位 000: 上电延时 =WDT 溢出时间 =16mS 001: 上电延时 =WDT 溢出时间 =64mS 010: 上电延时 =WDT 溢出时间 =256mS 011: 上电延时 =WDT 溢出时间 =1024mS 100: 上电延时 =16mS,WDT 溢出时间 =2048mS 101: 上电延时 =64mS,WDT 溢出时间 =4096mS 110: 上电延时 =256mS,WDT 溢出时间 =8192mS 111: 上电延时 =1024mS,WDT 溢出时间 =16384mS BIT[6:4] FCPU 高速模式 FCPU 速度选择 000: 机器周期 FCPU 为 2 个高速时钟周期 FHOSC 001: 机器周期 FCPU 为 4 个高速时钟周期 FHOSC 010: 机器周期 FCPU 为 8 个高速时钟周期 FHOSC 011: 机器周期 FCPU 为 16 个高速时钟周期 FHOSC 100: 机器周期 FCPU 为 32 个高速时钟周期 FHOSC 101: 机器周期 FCPU 为 64 个高速时钟周期 FHOSC 110: 机器周期 FCPU 为 128 个高速时钟周期 FHOSC 111: 机器周期 FCPU 为 256 个高速时钟周期 FHOSC BIT[7] MCLRE 外部复位使能位 0: 不使能外部复位,P27 作为 IO 1: 使能外部复位,P27 作为复位引脚 BIT[8] 未用 - BIT[9] FOSCS 时钟选择位 0: 内部 16.12MHz 振荡器作为高频时钟 FHIRC 1: 外部高频晶体振荡器作为高频时钟 FHXT 上海晟矽微电子股份有限公司 17/69

18 BIT[12:10] VLVRS 低电压复位电压选择位 000:LVR 电压 =2.9V( 参考值 ) 001:LVR 电压 =2.7V( 参考值 ) 010:LVR 电压 =2.5V( 参考值 ) 011:LVR 电压 =2.3V( 参考值 ) 100:LVR 电压 =2.1V( 参考值 ) 101:LVR 电压 =1.9V( 参考值 ) 110:LVR 电压 =1.7V( 参考值 ) 111:LVR 电压 =1.5V( 参考值 ) BIT[14] RAMS RAM 电源选择 0:RAM 电源外接 1:RAM 电源内置 BIT[15] ENCR 代码加密选项 0: 使能代码加密 1: 不使能代码加密 OPBIT1: 位 符号 功能说明 BIT[15:0] 保留 - OPBIT2: 位 符号 功能说明 BIT[0] 保留 - BIT[1] HMSEL 晶振模式选择位 0:455KHz 1:4MHz-16MHz BIT[15:2] 保留 - 上海晟矽微电子股份有限公司 18/69

19 2.6 控制寄存器 MC32P5213 全部控制寄存器列在下表中, 具体功能详见各功能模块的说明 地址 助记符 BIT 7 BIT 6 BIT 5 BIT 4 BIT 3 BIT 2 BIT 1 BIT 0 初始值 1B0H INDF0 INDF07 INDF06 INDF05 INDF04 INDF03 INDF02 INDF01 INDF00 XXXX XXXX 1B1H INDF1 INDF17 INDF16 INDF15 INDF14 INDF13 INDF12 INDF11 INDF10 XXXX XXXX 1B2H INDF2 INDF27 INDF26 INDF25 INDF24 INDF23 INDF22 INDF21 INDF20 XXXX XXXX 1B3H HIBYTE HIBYTE7 HIBYTE6 HIBYTE5 HIBYTE4 HIBYTE3 HIBYTE2 HIBYTE1 HIBYTE0 XXXX XXXX 1B4H FSR0 FSR07 FSR06 FSR05 FSR04 FSR03 FSR02 FSR01 FSR00 XXXX XXXX 1B5H FSR1 FSR17 FSR16 FSR15 FSR14 FSR13 FSR12 FSR11 FSR10 XXXX XXXX 1B6H PCL PC7 PC6 PC5 PC4 PC3 PC2 PC1 PC B7H PFLAG Z DC C XXX 1B8H MCR GIE - TO PD MINT11 MINT10 MINT01 MINT B9H INDF3 INDF37 INDF36 INDF35 INDF34 INDF33 INDF32 INDF31 INDF30 XXXX XXXX 1BAH INTE INT1IE INT0IE T1IE T0IE BBH INTF - T0RF - - INT1IF INT0IF T1IF T0IF X0-- XX00 1BCH OSCM - - STBL STBH - CLKS LFEN HFEN --X C8H IOP1 P17D P16D P15D P14D P13D P12D P11D P10D XXXX XXXX 1C9H OEP1 P17OE P16OE P15OE P14OE P13OE P12OE P11OE P10OE CAH PUP1 P17PU P16PU P15PU P14PU P13PU P12PU P11PU P10PU CEH DKWP1 - P16DKW P15DKW P14DKW P13DKW P12DKW P11DKW P10DKW D0H IOP2 P27D P26D P25D P24D P23D P22D P21D P20D XXXX XXXX 1D1H OEP2 P27OE P26OE P25OE P24OE P23OE P22OE P21OE P20OE D2H PUP2 P27PU P26PU P25PU P24PU P23PU P22PU P21PU P20PU D6H DKWP2 P27DKW P26DKW P25DKW P24DKW P23DKW P22DKW P21DKW P20DKW D8H T0CR TC0EN T0MOD1 T0MOD0 T0PTS1 T0PTS0 T0PR2 T0PR1 T0PR D9H T0LOADH T0LOADH7 T0LOADH6 T0LOADH5 T0LOADH4 T0LOADH3 T0LOADH2 T0LOADH1 T0LOADH DAH T0LOADL T0LOADL7 T0LOADL6 T0LOADL5 T0LOADL4 T0LOADL3 T0LOADL2 T0LOADL1 T0LOADL DBH T0LATFL T0LATFL7 T0LATFL6 T0LATFL5 T0LATFL4 T0LATFL3 T0LATFL2 T0LATFL1 T0LATFL DCH T0LATFH T0LATFH7 T0LATFH6 T0LATFH5 T0LATFH4 T0LATFH3 T0LATFH2 T0LATFH1 T0LATFH DDH T0LATRL T0LATRL7 T0LATRL6 T0LATRL5 T0LATRL4 T0LATRL3 T0LATRL2 T0LATRL1 T0LATRL DEH T0LATRH T0LATRH7 T0LATRH6 T0LATRH5 T0LATRH4 T0LATRH3 T0LATRH2 T0LATRH1 T0LATRH E0H T1CR TC1EN T1MOD1 T1MOD0 T1PTS1 T1PTS0 T1PR2 T1PR1 T1PR E1H T1DATA T1DATA7 T1DATA6 T1DATA5 T1DATA4 T1DATA3 T1DATA2 T1DATA1 T1DATA E2H T1LOAD T1LOAD7 T1LOAD6 T1LOAD5 T1LOAD4 T1LOAD3 T1LOAD2 T1LOAD1 T1LOAD E4H OPCR0 OPAE OPAM OPFC5 OPFC4 OPFC3 OPFC2 OPFC1 OPFC E5H OPCR1 IRIN VSEL - - FSEL1 FSEL0 CSEL1 CSEL E6H DKW0 DKWE IROS IROT WSEL1 WSEL0 RSEL ISEL1 ISEL E7H DKW1 - - IRES1 IRES0 LSEL11 LSEL10 LSEL01 LSEL 上海晟矽微电子股份有限公司 19/69

20 间接寻址寄存器 0 INDF0 INDF07 INDF06 INDF05 INDF04 INDF03 INDF02 INDF01 INDF00 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] INDF0n 间接寻址寄存器 0 间接寻址寄存器 1 INDF0: INDF0 不是物理寄存器, 对 INDF0 寻址时间上是对 FSR0 指向的数据存储器地址进 行访问, 从而实现间接寻址模式 INDF1 INDF17 INDF16 INDF15 INDF14 INDF13 INDF12 INDF11 INDF10 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] INDF1n 间接寻址寄存器 1 间接寻址寄存器 2 INDF1: INDF1 不是物理寄存器, 对 INDF1 的寻址时间上是对 FSR1+256 指向的数据存储器 地址进行访问, 从而实现间接寻址模式 INDF2 INDF27 INDF26 INDF25 INDF24 INDF23 INDF22 INDF21 INDF20 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] INDF2n 间接寻址寄存器 2 间接寻址寄存器 3 INDF2: INDF2 不是物理寄存器, 对 INDF2 的寻址时间上是对 FSR1*256+FSR0 指向的数据存 储器地址进行访问, 从而实现间接寻址模式 INDF3 INDF37 INDF36 INDF35 INDF34 INDF33 INDF32 INDF31 INDF30 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] INDF3n 间接寻址寄存器 3 INDF3: INDF3 不是物理寄存器, 对 INDF3 的寻址时间上是对 FSR1*256+FSR0 指向的程序存 储器地址进行访问, 从而实现间接寻址模式 注 : 对 INDF3 仅可进行使用读取指令 (MOVAR INDF3) 进行读取访问, 读取内容高 8 位存放在 HIBYTE, 低 8 位存放在 A 寄存器 上海晟矽微电子股份有限公司 20/69

21 字操作高 8 位缓存器 HIBYTE HIBYTE7 HIBYTE6 HIBYTE5 HIBYTE4 HIBYTE3 HIBYTE2 HIBYTE1 HIBYTE0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] HIBYTEn 字操作高字节缓冲器 HIBYTE: 对 INDF3 读取操作, 用于存放 FSR1*256+FSR0 指向的程序存储器内容高 8 位数据 数据指针寄存器 0 FSR0 FSR07 FSR06 FSR05 FSR04 FSR03 FSR02 FSR01 FSR00 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] FSR0n 数据指针寄存器 0 数据指针寄存器 1 FSR0: 间接寻址模式 0 指针或间接寻址模式 2 3 指针低 8 位 FSR1 FSR17 FSR16 FSR15 FSR14 FSR13 FSR12 FSR11 FSR10 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] FSR1n 数据指针寄存器 1 程序指针计数器低位 FSR1: 间接寻址模式 1 指针或间接寻址模式 2 3 指针高位 PCL PC7 PC6 PC5 PC4 PC3 PC2 PC1 PC0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] PCn 程序指针计数器低 8 位 程序指针计数器 (PC) 有以下几种操作模式 顺序运行指令 :PC=PC+1 分支指令 GOTO/CALL:PC= 指令码低 10 位 子程序返回指令 RETIE/RETURN/RETAI:PC= 堆栈栈顶对 PCL 操作指令 :PC = (PC[9:0]+A[7:0]) ( 对 PCL 操作的加法指令 ) PC = {PC[9:8],ALU[7:0](ALU 运算结果 )}( 对 PCL 操作的其它指令 ) 上海晟矽微电子股份有限公司 21/69

22 CPU 状态寄存器 PFLAG Z DC C R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X BIT[7:3] 未用 BIT[2] Z 零标志 0: 算术或逻辑运算的结果不为零 1: 算术或逻辑运算的结果为零 BIT[1] DC 半进位标志 0: 加法运算时低四位没有进位 / 减法运算时有向高四位借位 1: 加法运算时低四位有进位 / 减法运算时没有向高四位借位 BIT[0] C 进位标志 0: 加法运算时没有进位 / 减法运算时有借位发生 / 移位后移出逻辑 0 1: 加法运算时有进位 / 减法运算时没有借位发生 / 移位后移出逻辑 1 杂用寄存器 MCR GIE - TO PD MINT11 MINT10 MINT01 MINT00 R/W R/W - R R R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] BIT[6] BIT[5] BIT[4] BIT[3:2] BIT[1:0] GIE 总中断使能 0: 屏蔽所有中断 1: 中断源是否产生中断有相应的控制位决定未用 TO 看门狗溢出标志 0: 上电复位, 执行 CLRWDT 或 STOP 指令 1: 发生 WDT 溢出 PD 进入低功耗休眠模式标志 0: 上电复位, 执行 CLRWDT 1: 执行 STOP 指令 MINT1 外部中断 1 模式寄存器 00:INT1 上升沿触发 01:INT1 下降沿触发 1x:INT1 电平变化触发 MINT0 外部中断 0 模式寄存器 00:INT0 上升沿触发 01:INT0 下降沿触发 1x:INT0 电平变化触发 上海晟矽微电子股份有限公司 22/69

23 3 系统时钟 MC32P5213 为双时钟系统, 可根据需要通过软件在高速时钟和低速时钟之间任意切换 高速时钟可选择外接高频晶体振荡器或内置 16.12MHz 的高精度 RC 振荡器 ; 低速时钟为内置低频 RC 振荡器 系统选用高速时钟时 CPU 的机器周期 FCPU 由 OPBIT 的 FCPU 配置, 选用低速时钟时 CPU 的机器周期 FCPU 为 2 个低频 RC 振荡周期 3.1 外接晶体振荡器 Cx Cx 外部晶体振荡器连接方式见下图 高频晶体可选用 432KHz~16MHz, 通常 Cx 是必须的 在实际使用中, 用户应使晶体离 OSCI OSCO 引脚的距离尽可能短, 这样有助于振荡器的起振和振荡的稳定性 下表列出几种典型频率晶振选用电容 Cx 的推荐值 晶体频率 电容 Cx(F) 最低起振电压 (V) 16MHz 10p 2.5 8MHz 15p 1.8 4MHz 15p/30p KHz 100p/220p 1.8 注 : 因为晶体的品牌很多, 电容值仅为推荐值, 起振电压仅供参考, 具体参数请根据实际使用的晶振性能而定 3.2 内置高频 RC 振荡器 MC32P5213 内置一个高精度高频 RC 振荡器 HIRC, 振荡频率典型值 16.12MHz, 该振荡器可用于 系统高速时钟 3.3 内置低频 RC 振荡器 MC32P5213 内置一个低频 RC 振荡器 LIRC, 振荡频率典型值 8KHz 该振荡器可用于系统低频时 钟, 同时用于上电延时 WDT, 键盘扫描 上海晟矽微电子股份有限公司 23/69

24 3.4 工作模式 MC32P5213 支持高速工作模式 低速工作模式 休眠模式 HOLD 模式 1 和 HOLD 模式 2 共有 5 种工 作模式 工作模式 进入条件 高速工作模式 系统时钟切换到高频振荡器 (CLKS=0) 低速工作模式 系统时钟切换到低频振荡器 (CLKS=1) 休眠模式 执行 STOP 指令,HFEN=0,LFEN=0 HOLD 模式 1 执行 STOP 指令,HFEN=1,LFEN=X( 定时器可在高速时钟模式下继续工作, 溢出可唤醒 ) HOLD 模式 2 执行 STOP 指令,HFEN=0,LFEN=1( 定时器可在低速时钟模式下继续工作, 溢出可唤醒 ) 工作模式间的切换 STOP 指令 CLKS=1 STOP 指令 休眠模式 /HOLD 模式 唤醒事件 高速工作模式 CLKS=0 低速工作模式 唤醒事件 休眠模式 /HOLD 模式 系统时钟选择 /256 HIRC(16.12M) FHIRC 0 OSCI FHOSC 分频器 /16 /8 0 OSCO 高频振荡器 (432K-16M) FHXT 1 /4 /2 FOSCS FCPUS FCPU LIRC(8K) FLIRC(FLOSC) 分频器 /2 1 CLKS 上海晟矽微电子股份有限公司 24/69

25 高速工作模式 低速工作模式 休眠模式 /HOLD 模式 高频振荡器 工作 HFEN 决定 HFEN 决定 低频振荡器 工作 工作 LFEN 决定 WDT 振荡器 工作 工作 WDTC 决定 注 : 当低速时钟选择为内部低频 RC 振荡器, 则低频振荡器和 WDT 振荡器共用同一振荡器, 低频振荡 器工作或 WDT 振荡器工作都会使内部低频 RC 振荡器工作 工作模式寄存器 OSCM - - STBL STBH - CLKS LFEN HFEN R/W - - R R - R/W R/W R/W 初始值 - - X BIT[7:6] 未用 BIT[5] STBL 低频振荡器稳定标志 0: 低频振荡器停振或未稳定 1: 低频振荡器已稳定运行 BIT[4] STBH 高频振荡器稳定标志 0: 高频振荡器停振或未稳定 1: 高频振荡器已稳定运行 BIT[3] 未用 BIT[2] CLKS 系统工作时钟选择位 0: 高频时钟作为系统时钟 1: 低频时钟作为系统时钟 BIT[1] LFEN 低频振荡器使能 0: 在休眠 /HOLD 模式下, 低频振荡器停止工作 1: 低频振荡器始终工作 BIT[0] HFEN 高频频振荡器使能 0: 在低速 / 休眠 /HOLD 模式下, 高频振荡器停止工作 1: 高频振荡器始终工作 上海晟矽微电子股份有限公司 25/69

26 高低速时钟切换时序图 停振时间 稳定时间 高频时钟 低频时钟 HFEN CLKS STBH CPU 工作状态 工作于高频工作于低频工作于高频工作于低频工作于高频 上海晟矽微电子股份有限公司 26/69

27 3.5 低功耗模式 低功耗模式包括休眠模式 HOLD 模式 1 HOLD 模式 2 STOP 指令可使 MCU 进入低功耗模式, 同时对 MCU 会产生以下影响 根据不同模式停止相应振荡器振荡 RAM 内容保持不变 所有的输入输出端口保持不变 定时器 T0 定时器 T1 根据其工作模式, 可以保持继续工作以下情况可使 MCU 退出低功耗模式 有外部中断请求发生 定时器 T0 定时器 T1 计数溢出中断请求发生 有 WDT 溢出 复位 MCU 退出低功耗模式后先经过 4 个低频周期和振荡等待 ( 外部高频晶振等待 1024 个周期, 内部高频等待 16 个周期, 内部低频等待 16 个周期 ) 然后开始工作 上海晟矽微电子股份有限公司 27/69

28 4 复位 4.1 复位条件 MC32P5213 有四种复位方式 上电复位 POR 外部复位 低电压复位 LVR 看门狗复位任何一种复位发生时, 系统将会重新从 0000H 地址处开始执行指令 ; 另外系统还会将所有的特殊功能寄存器重置为默认初始值 上电复位和低电压复位会关闭系统主时钟的振荡器, 复位解除后才重新打开振荡器, 系统会在上电延时后经过振荡等待 ( 外部高 / 低频晶振等待 1024 个周期, 内部高频等待 16 个周期, 内部低频等待 16 个周期 ) 然后开始工作 外部复位和看门狗复位不会关闭系统主时钟振荡器, 系统会在复位延时 ( 约 12ms) 后经过振荡等待 ( 外部高 / 低频晶振等待 1024 个周期, 内部高频等待 16 个周期, 内部低频等待 16 个周期 ) 然后开始工作 下图是复位产生和系统工作状态之间的关系示意图 电源电压 VLVR VPOR 外部复位 看门狗复位 系统状态 系统复位 上振电荡系统延等运行时待 系统复位 复振位荡延等时待 复位系统运行系统复位延时 振荡系统复系统运行等位待 上电延时 振荡等待 系统运行 系统时钟 上海晟矽微电子股份有限公司 28/69

29 4.2 上电复位 MC32P5213 的上电复位电路可以适应快速 慢速上电的情况, 并且当芯片上电过程中出现电源电压抖动时都能保证系统可靠的复位 上电复位过程系统工作步骤 : 等待电压高于 VPOR 并保持稳定 开启内部低频振荡器加载 OPBIT, 并根据 OPBIT 设置开启相应振荡器和进行相应时间的上电延时 如果外部复位功能开启, 则需等待复位引脚电压高于 VIH 才开始上电延时计数 等待电压高于 VLVR 才开始上电延时计数 上电延时结束, 振荡等待结束后系统开始执行指令 4.3 外部复位 外部复位功能是否开启可以通过 OPBIT 的 MCLRE 配置, 选择外部复位功能后复位引脚的内部上 拉电阻自动有效 外部复位引脚 RST 是施密特结构的, 低电平有效 当外复位引脚为高电平时, 系统 正常运行 ; 为低电平时, 系统产生复位 4.4 低电压复位 MC32P5213 的 LVR 电压有八级 ( 详见烧录配置选项 ), 通过 OPBIT 的 VLVRS 进行配置 电压检 测电路有一定的回滞特性, 通常回滞电压为 0.02V 左右, 则当电源电压下降到 LVR 电压时 LVR 复位有 效, 而电压需要上升到 LVR 电压 +0.02V 时 LVR 复位才会解除 4.5 看门狗复位 看门狗复位是一种对程序正常运行的保护机制 正常情况下, 用户软件需要按时对 WDT 定时器进 行清零操作, 保证 WDT 不溢出 若出现异常状况, 程序未按时对 WDT 定时器清零,WDT 会溢出从而 产生看门狗复位, 系统重新初始化, 返回受控状态 上海晟矽微电子股份有限公司 29/69

30 5 I/O 口 5.1 IO 工作模式 一组 8 位端口 P1 和一组 8 位端口 P2 P16 和外部中断 INT0 复用,P17 和 IROUT 复用 ;P10 和外部中 断 INT1 复用,P11 和 RAM 复用 ;INT0 和 INT1 分别作为定时器 T0 和定时器 T1 的外部时钟输入使用 端口数据寄存器 IOP1 P17D P16D P15D P14D P13D P12D P11D P10D R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] P1nD P1 口数据位 (n=7-0) IOP2 P27D P26D P25D P24D P23D P22D P21D P20D R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] P2nD P2 口数据位 (n=7-0) 端口方向寄存器 OEP1 P17OE P16OE P15OE P14OE P13OE P12OE P11OE P10OE R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] P1nOE P1 口输出使能寄存器 (n=7-0) 1: 作为输出口, 读 P1 口读取 P1 口数据寄存器值 0: 作为输入口, 读 P1 口读取端口状态 OEP2 P26OE P26OE P25OE P24OE P23OE P22OE P21OE P20OE R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] P2nOE P2 口输出使能寄存器 (n=7-0) 1: 作为输出口, 读 P2 口读取 P2 口数据寄存器值 0: 作为输入口, 读 P2 口读取端口状态 注 1:P11 配置为 RAM 电源管脚时相应控制位无效 注 2:P11 作为 IO 输出时为开漏输出 注 3:P17 低电平驱动电流可通过 DKW 寄存器的 ISEL 设置 注 4:P17 在休眠和 HOLD 模式时必须设置为输入上拉状态, 否则会产生静态功耗 注 5:P17 在 OPA 打开后自动转换为 OPA 模拟输入端, 相应控制位无效 注 6:P27 作为 IO 输出时为开漏输出 配置为复位口时相应控制位无效 上海晟矽微电子股份有限公司 30/69

31 注 7:OPA 开启时,P16 和 P10 的外部中断功能失效,INT0 和 INT1 的信号源将被 IRINS(IRIN 系统同 步信号 ) 和 IRINT(IRIN 包络信号 ) 分别占用 5.2 上拉电阻控制 P1 和 P2 口每位都有独立的上拉控制寄存器位, 控制其上拉电阻在端口作为输入状态时是否有效, 端口处于输出状态时, 上拉电阻控制位无效 PUP1 P17PU P16PU P15PU P14PU P13PU P12PU P11PU P10PU R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] P1nPU P1 口上拉电阻选择 (n=7-0) 0:P1n 上拉电阻无效 1:P1n 上拉电阻有效 PUP2 P27PU P26PU P25PU P24PU P23PU P22PU P21PU P20PU R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] P2nPU P2 口上拉电阻选择 (n=7-0) 0:P2n 上拉电阻无效 1:P2n 上拉电阻有效 5.3 端口模式控制 P1 和 P2 口可以作为通用 IO 口, 也可以复用为 T 型键盘口, 通过设置使在休眠模式下可以键盘扫描 DKWP1 - P16DKW P15DKW P14DKW P13DKW P12DKW P11DKW P10DKW R/W - R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[6:0] P1nDKW P1 口模式选择 (n=6-0) 0:P1n 端口作为通用 IO 口 1:P1n 端口作为键盘口 DKWP2 P27DKW P26DKW P25DKW P24DKW P23DKW P22DKW P21DKW P20DKW R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] P2nDKW P2 口模式选择 (n=7-0) 0:P2n 端口作为通用 IO 口 1:P2n 端口作为键盘口 上海晟矽微电子股份有限公司 31/69

32 6 定时器 6.1 看门狗定时器 WDT 看门狗定时器的时钟为内置低频 RC 振荡输出, 由 OPBIT 的 WDTC 设置看门狗定时器的工作状态 若选择始终开启看门狗功能, 在休眠模式下 WDT 依然运行,WDT 溢出时将唤醒休眠,CPU 继续运行 ; 若 CPU 在运行时产生 WDT 溢出,WDT 溢出时复位芯片 若选择休眠模式下关闭看门狗功能, 在休眠模式下 WDT 被硬件自动关闭 执行 CLRWDT 指令清 WDT WDT 溢出时间可通过 OPTION 配置设置为 16ms 64ms 256ms 1024ms 2048ms 4096ms 8192ms 和 16384ms 6.2 定时器 T0 定时 / 计数器 T0 包含 1 个可编程预分频器, 控制寄存器 重载寄存器及 2 个捕捉寄存器 可通过预分频比设置计数频率 通过重载寄存器控制计数周期 通过捕捉寄存器获得上升 / 下降沿时间 可上升 / 下降沿触发数据重载 溢出中断功能 溢出唤醒功能 T1MOD[1] T1MOD[0] T0LATR T0LATF IRINC IRINT D Q FCPU R FHOSC FLOSC T0CNT INT0 T0PR[2:0] TC0EN D Q R T0RF 溢出 T0PTS[1:0] 清 T0RF T0LOAD 上海晟矽微电子股份有限公司 32/69

33 注 1: FHOSC 指系统高频时钟系统时钟 ;FLOSC 指系统低频时钟源 注 2: 当定时器选择高频时钟源 FHOSC 且时钟控制模块 OSCM 寄存器的 HFEN=1 时, 定时器在低频工作模式或休眠模式时可继续工作, 溢出中断可唤醒休眠模式 ; 若 HFEN=0 时, 定时器在低频或休眠模式下将停止工作 注 3: 当定时器选择低频时钟源 FLOSC 且时钟控制模块 OSCM 寄存器的 LFEN=1 时, 定时器在休眠模式时可继续工作, 溢出中断可唤醒休眠模式 ; 若 LFEN=0 时, 定时器在休眠模式下将停止工作 与定时器 T0 相关的寄存器说明如下 T0CR TC0EN T0MOD1 T0MOD0 T0PTS1 T0PTS0 T0PR2 T0PR1 T0PR0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] BIT[6:5] TC0EN T0 使能控制 0: 关闭 T0 1: 启动 T0 T0MOD[1:0] TLATF/TLADR 触发模式选择 T0MOD1 T0MOD0 触发信号源触发沿口 0 0 IRINC TLATR 采样为上升沿,TLATF 时钟为下降沿 0 1 IRINC TLATR 采样为下降沿,TLATF 时钟为上升沿 1 0 IRINT TLATR 采样为上升沿,TLATF 时钟为下降沿 1 1 IRINT TLATR 采样为下降沿,TLATF 时钟为上升沿 BIT[4:3] T0PTS[1:0] T0 时钟源选择 T0PTS[1:0] T0 时钟源 00 FCPU 01 FHOSC 10 FLOSC 11 INT0 BIT[2:0] T0PR[2:0] T0 预分频倍数选择 T0PR2 T0PR1 T0PR0 T0CNT 上海晟矽微电子股份有限公司 33/69

34 T0LATRH T0LATRH7 T0LATRH6 T0LATRH5 T0LATRH4 T0LATRH3 T0LATRH2 T0LATRH1 T0LATRH0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T0LATRH[7:0] T0CNT 的高 8 位值, 这是一个只读寄存器, 在有效沿口 (T0MOD 选择 ) T0LATRL T0LATRL7 T0LATRL6 T0LATRL5 T0LATRL4 T0LATRL3 T0LATRL2 T0LATRL1 T0LATRL0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T0LATRL[7:0] T0CNT 的低 8 位值, 这是一个只读寄存器 注 : 在有效沿口 (T0MOD 选择 ) 将当前 T0CNT 的值存储到 T0LATR 中 T0LATFH T0LATFH7 T0LATFH6 T0LATFH5 T0LATFH4 T0LATFH3 T0LATFH2 T0LATFH1 T0LATFH0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T0LATFH[7:0] T0CNT 的高 8 位值, 这是一个只读寄存器 T0LATFL T0LATFL7 T0LATFL6 T0LATFL5 T0LATFL4 T0LATFL3 T0LATFL2 T0LATFL1 T0LATFL0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T0LATFL[7:0] T0CNT 的低 8 位值, 这是一个只读寄存器 注 : 当 T0RF=0 时在有效沿口 (T0MOD 选择 ) 将当前 T0CNT 的值存储到 T0LATF 中, 存储后 T0RF 自动置 1 并停止存储, 必须软件清除 T0RF 才能再使能存储功能, 清除 T0RF 的同时将清零 T0LATF T0LOADH T0LOADH7 T0LOADH6 T0LOADH5 T0LOADH4 T0LOADH3 T0LOADH2 T0LOADH1 T0LOADH0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T0LOADH[7:0] T0LOAD 的高 8 位值, 这是一个读写寄存器, 用于设置 T0 高 8 位重载值 注 :T0LOADH 有缓冲寄存器, 当写 T0LOADL 寄存器后,T0LOADH 寄存器将写入到 T0LOADH 缓冲寄存器, 当 T0 溢出时,T0LOADH 缓冲寄存器的值自动装入 T0CNTH 中 T0LOADL T0LOADL7 T0LOADL6 T0LOADL5 T0LOADL4 T0LOADL3 T0LOADL2 T0LOADL1 T0LOADL0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T0LOADL[7:0] T0LO 低高 8 位值, 这是一个读写寄存器, 用于设置 T0 低 8 位重载值 注 : 当 TC0EN=0 时, 写 T0LOADL 将自动加载到 T0CNT; 当 TC0EN=1 时, 写 T0LOADL 时不自动加载到 T0CNT, 在 T0 溢出时自动加载到 T0CNT 上海晟矽微电子股份有限公司 34/69

35 6.3 定时器 T1 定时 / 计数器 T1 包含 1 个可编程预分频器, 控制寄存器 重载寄存器及比较寄存器 可通过预分频比设置计数频率 通过重载寄存器控制计数周期 通过比较寄存器设置 PWM 占空比 溢出中断功能 溢出唤醒功能 TC1EN T1DATA T1IF Q TFFR 溢出 T1IF S SET Q IRINT R CLR Q T1MOD T1DATABUFFER FCPU FHOSC T1PR[2:0] 比较器 IRINT P17 FLOSC T1CNT INT1 IROS IRINC 溢出 IRINC OPAE T1PTS[1:0] T1MOD T1LOAD 注 1: FHOSC 指系统高频时钟系统时钟 ;FLOSC 指系统低频时钟源 ; 注 2: 当定时器选择高频时钟源 FHOSC 且时钟控制模块 OSCM 寄存器的 HFEN=1 时, 定时器在低频工作模式或休眠模式时可继续工作, 溢出中断可唤醒休眠模式 ; 若 HFEN=0 时, 定时器在低频或休眠模式下将停止工作 注 3: 当定时器选择低频时钟源 FLOSC 且时钟控制模块 OSCM 寄存器的 LFEN=1 时, 定时器在休眠模式时可继续工作, 溢出中断可唤醒休眠模式 ; 若 LFEN=0 时, 定时器在休眠模式下将停止工作 T1PTS 可选择 T1 的时钟源,T1PR 可选择 T1 的预分频比, 所选中的时钟源通过预分频器后产生 T1CNT 的计数时钟 当 T1CNT 递减到 0 时, 此时产生 T1 溢出中断请求标志 T1IF 置 1, 重载寄存器值自动置入 T1CNT, T1DATA 的值写入缓冲器 T1DATABUFER 用于新的占空比波形生成 通过 T1PR 可选择时钟源的分频比, 可选择范围为 分频, 对 T0CNT 的写操作将使预分频器清零, 分频比保持不变 当 T1CNT 计数到与 T1DATA 相等时,PWM 输出置 1; 当 T1CNT 计数溢出时,PWM 输出清 0,PWM 占空比 的计算如下 : PWM 高电平时间 = (T1DATA)* T1CNT 计数时钟周期 PWM 周期 (T1 的溢出周期 ) = (T1LOAD+1)*T1CNT 的计数周期 PWM 占空比 = (T1DATA/(T1LOAD+1)) 上海晟矽微电子股份有限公司 35/69

36 T1 有 4 种工作模式, 分别为定时 / 计数 /PWM 模式, 触发模式, 包络模式和单次触发模式 当设置为触发模式时, 当 TC1EN=1 时 T1 由 T0 的溢出触发在开与关之间来回切换, 当 TC1EN=0 时不触发, 保存当前状态 设置为包络模式时, 当 IRINC 为低电平时 T1CNT 清零, 并清零 IRINT, 当 IRINC 为高电平时 T1CNT 重载并运行, 当 T1CNT 溢出时置位 IRINT 当设置为单次触发模式时, 当 TC1EN=1 时 T1 由 T0 的溢出触发开启, 当 T1 溢出时自动关闭, 当 TC1EN=0 时不触发, 保存当前状态 与定时器 T1 相关的寄存器说明如下 T1CR TC1EN T1MOD1 T1MOD0 T1PTS1 T1PTS0 T1PR2 T1PR1 T1PR0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] TC1EN T1 使能控制 0: 关闭 T1 1: 启动 T1 BIT[6:5] T1MOD[1:0] 模式选择 T1MOD1 T1MOD0 模式 描述 BIT[4:3] 0 0 定时 / 计数 /PWM 模式 开关由 TC1EN 决定 0 1 触发模式 由 T0IF 触发交替开关 1 0 包络模式 IRINC 低电平清零 T1CNT 1 1 单次触发模式 由 T0IF 触发开, 溢出触发关 T1PTS[1:0] T1 时钟源选择 T1PTS[1:0] T1 时钟源 (OPAE=1) T1 时钟源 (OPAE=0) 00 FCPU FCPU 01 FHOSC FHOSC 10 FLOSC FLOSC BIT[2:0] 11 IRINS INT1 T1PR[2:0] T1 预分频倍数选择 T1PR2 T1PR1 T1PR0 T1CNT 上海晟矽微电子股份有限公司 36/69

37 T1LOAD T1LOAD7 T1LOAD6 T1LOAD5 T1LOAD4 T1LOAD3 T1LOAD2 T1LOAD1 T1LOAD0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T1LOAD[7:0] T1LOAD 的值, 这是一个读写寄存器, 用于设置 T1 重载值 T1DATA T1DATA7 T1DATA6 T1DATA5 T1DATA4 T1DATA3 T1DATA2 T1DATA1 T1DATA0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T1DATA[7:0] 这是一个读写寄存器, 用于设置 PWM1 高电平时间 注 : 当 TC1EN=0 时, 写 T1LOAD 将自动加载到 T1CNT; 当 TC1EN=1 时, 写 T1LOAD 时不自动加载到 T1CNT, 在 T1 溢出时自动加载到 T1CNT 上海晟矽微电子股份有限公司 37/69

38 7 键盘扫描模块 7.1 键盘扫描介绍 MC32P5213 的 P16-P10 和 P27-P20 可设置为键盘扫描模式, 当系统进入休眠 /HOLD 模式时, 硬件 自动按照下图设置相应端口为输出低电平或者输入上拉状态 键盘扫描时钟使用低频 RC 振荡器, 扫描 周期由 WSEL 设置, 可选择 16ms 32ms 48ms 和 64ms 四种, 未设置为键盘扫描模式的端口不会输出 波形但不会影响下图的时序 P05 P04 P03 P02 P01 P00 P10 P11 P12 P13 P14 P15 P16 250us 250us 16ms/32ms/48ms/64ms 7.2 键盘扫描操作步骤 S1: 设置 DKWP1 和 DKWP2 将相应的端口设置为键盘口 S2: 设置 PUP1 和 PUP2 开启相应的端口的上拉电阻 S3: 设置 DKWE 位使能键盘扫描功能 S4: 关闭总中断 GIE 位 S5: 执行 STOP 指令 S6: 等待端口唤醒后, 系统将执行 STOP 后指令 S7: 设置 DKWP1 和 DKWP2 将相应的端口设置为通用 IO 口 注 : 上述操作步骤中 S3 如果不使能 DKWE 位, 芯片将只能由端口 ( 设置为键盘口 ) 的下降沿触发唤醒, 此方法可使芯片支持矩形键盘 上海晟矽微电子股份有限公司 38/69

39 7.3 键盘扫描相关寄存器 MC32P5213 用户手册 V1.0 DKW0 DKWE IROS IROT WSEL1 WSEL0 RSEL ISEL1 ISEL0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] DKWE 键盘唤醒选择 0: 矩形键盘唤醒 1:T 型键盘唤醒 注 :T 型键盘同时设置 OSCM 的 LFEN 位为 1; 矩形键盘同时设置 OSCM 的 LFEN 位为 0 BIT[6] BIT[5] BIT[4:3] BIT[2] BIT[1:0] IROS IROUT 输出选择 0:P17 1:PWM IROT IRIN 输出选择 0:P14 1:IRIN WSEL[1:0] 扫描周期选择 00:16ms 01:32ms 10:48ms 11:64ms RSEL 上拉电阻选择 0: 上拉电阻 40K 1: 上拉电阻 100K ISEL[1:0] IROUT 驱动电流选择位 00:125mA 01:250mA 10:375mA 11:500mA 上海晟矽微电子股份有限公司 39/69

40 DKW1 - - IRES1 IRES0 LSEL11 LSEL10 LSEL01 LSEL00 R/W - - R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[5] BIT[4] BIT[3:2] BIT[1:0] IRES1 P23 口 I2C 上拉电阻选择 0: 上拉电阻为 10K 1: 上拉电阻由 RSEL 选择 IRES0 P20 口 I2C 上拉电阻选择 0: 上拉电阻为 10K 1: 上拉电阻由 RSEL 选择 LSEL1[1:0] P22 口低电平驱动电流选择 00:2mA 01:4mA 10:8mA 11:12mA LSEL0[1:0] P21 口低电平驱动电流选择 00:2mA 01:4mA 10:8mA 11:12mA 上海晟矽微电子股份有限公司 40/69

41 8 OPA 8.1 OPA 模块介绍 MC32P5213 的 OPA 模块可实现 IROUT 管脚输入小信号的放大, 从而实现红外信号的学习功能 可设置灵敏度 可设置不同滤波能力 可设置电压基准的模式 ( 二极管模式和电阻模式 ) IROUT OPAM - OPA + 滤波 IRIN OPFC 电阻分压 1 CSEL FSEL BSEL 二极管压降 0 VSEL 8.2 OPA 操作步骤 S1: 设置 FSEL 和 CSEL S2: 设置 VSEL 位选择不同电压基准模式 S3: 置位 OPAE 使能 OPA S4: 置位 OPAM 进入 OPA 校准模式 S5: 根据不同的 VSEL, 设置调整 OPFC 或 BSEL 从最大值以步长为 1 递减直到 IRIN 为 1, 此时 OPFC 或 BSEL 的值即为校准值 ; 每步读取 IRIN 需等待 100us 值, 判断次数不少于 3 次 S6: 清零 OPAM 进入正常工作模式 注 :OPA 打开后,IROUT 管脚自动转换为 OPA 输入端, 要保证其他端口始终处于输入上拉状态, 避免 干扰 OPA 工作 上海晟矽微电子股份有限公司 41/69

42 8.3 OPA 相关寄存器 OPCR0 OPAE OPAM OPFC5 OPFC4 OPFC3 OPFC2 OPFC1 OPFC0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] OPAE OPA 使能控制 0: 关闭 OPA 1: 启动 OPA BIT[6] OPAM OPA 模式控制 0:OPA 工作模式 1:OPA 校准模式 BIT[5:0] OPFC[5:0] 电压基准校准位 VSEL 位置 描述 0 BIT[5:3] 无效 BIT[2:0] 二极管压降调节位 BSEL[2:0] 1 BIT[5:0] 电阻分压调节位 OPFC[5:0] OPCR1 IRIN VSEL - - FSEL1 FSEL0 CSEL1 CSEL0 R/W R R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] IRIN OPA 输出位 0:OPA 输出低 1:OPA 输出高 BIT[6] VSEL 电压基准模式选择 0: 二极管模式 1: 电阻分压模式 BIT[4:3] FSEL[1:0] 滤波能力选择 00:1.5us( 最弱 ) 推荐 01:3us 10:4.5us 11:6us( 最强 ) BIT[4:3] CSEL[1:0] 灵敏度选择 00:5mV( 最高 ) 推荐 01:36mV 10:65mV 11:135mV( 最低 ) 上海晟矽微电子股份有限公司 42/69

43 9 RAM 电源 9.1 RAM 电源外置 设置烧录配置选项的 RAMS 位为 0,RAM 电源为 P11/RAM 引脚 当芯片 VDD 高于 LVR 电压,P11/RAM 引脚与芯片 VDD 相连接, 当芯片 VDD 低于 LVR 电压, P11/RAM 引脚与芯片 VDD 完全断开 当 P11/RAM 引脚外接电容,VDD 电压降至 LVR 电压之后,RAM 模块电源与 VDD 完全断开,RAM 模块供电仅靠 P11/RAM 引脚外接电容供电,P11/RAM 引脚电压维持 VLVR 电压 芯片进入 STOP 之后,RAM 进入静态保持,RAM 模块仅为半导体漏电, 此时功耗极低 ( 小于 50nA) 如果 P11/RAM 引脚外接 47uF 电容,LVR 电压选择 1.5V, 芯片 VDD 为 1.8V, 此时将 VDD 电压瞬间降为 0V, 而 P11/RAM 引脚因为外接 47uF 电容, 仍会保持 1.8V RAM 电源供电也为 1.8V, 由于 RAM 模块功耗极低, 至少经过 24 小时,P11/RAM 引脚上电容可降至 RAM 保持最低电压 0.9V 在这种情况下 RAM 数据保持时间大于 24 小时 VDD GND=0V VDD P11/RAM VLVR VLVR-0.6V VDD RAM 电源 VLVR VLVR-0.6V VPORr VPORf POR VLVRr VLVRf LVR RAMS=0 时,RAM 电源为 P11/RAM 引脚 上海晟矽微电子股份有限公司 43/69

44 9.2 RAM 电源内置 设置烧录配置选项的 RAMS 位为 1,RAM 电源在内部与芯片 VDD 相连接 当芯片 VDD 高于 POR 电压,RAM 电源与芯片 VDD 相连接, 当芯片 VDD 低于 POR 电压,RAM 电源与芯片 P11/RAM 引脚相连接 当 RAM 电源选择芯片内部 VDD 时, 芯片电压降至 POR 电压之后, 内部 RAM 模块电源与 VDD 引脚完全断开,RAM 电源同 P11/RAM 引脚相连接,RAM 无保持功能 要实现 RAM 保持, 则必须保证 VDD 电压高于 POR 电压 芯片进入 STOP 之后, 整个芯片功耗有所降低, 如果 VDD 外接 47uF 电容, 芯片 VDD 为 1.8V, 此时将 VDD 瞬间降为 0V, 而 VDD 引脚因为外接 47uF 电容, 仍会保持 1.8V, 此时整个芯片功耗最大值为 1uA, 经过 2 分钟后,VDD 引脚上电容可降至 RAM 保持最低电压 1.5V 在这种情况下 RAM 数据保持时间大于 2 分钟 VDD GND=0V P11/RAM VDD RAM 电源 VPORr VPORf POR VPORr VPORf VLVRr VLVRf LVR RAMS=1 时,RAM 电源为芯片 VDD,P11/RAM 作为 IO 上海晟矽微电子股份有限公司 44/69

45 10 中断 MC32P5213 的中断有外中断 (INT0,INT1) 定时器中断(T0,T1) 外部中断 定时器中断可被 CPU 状态寄存器 MCR 的 GIE 位屏蔽 中断响应过程如下 : 当发生中断请求时,CPU 将相关下一条要执行的指令的地址压栈保存 ( 累加器 A 和状态寄存器需要软件保护 ), 对中断屏蔽位 GIE 清 0, 禁止中断响应 与复位不同, 硬件中断不停止当前指令的执行, 而是暂时挂起中断直到当前指令执行完成 CPU 执行中断时, 程序跳到中断向量 0008H 地址开始执行中断代码, 中断代码应该先保存累加器 A 和状态寄存器, 然后判断是哪一个中断响应 执行中断内容后应该恢复累加器 A 和状态寄存器, 然后执行 RETIE 返回主程序 这时, 从堆栈取出 PC 的值, 然后从中断发生时的那条指令的后一条指令继续执行 MC32P5213 的中断向量地址是 0008H 10.1 外中断 MC32P5213 有 2 路外部中断源, 两路中断源可以设置为上升沿触发 下降沿触发和电平变化触发三 种模式, 当外部中断触发时, 外部中断标志 (INT0IF INT1IF) 将被置 1, 若中断总使能位 GIE 为 1 且外部中断使能位 (INT0IE INT1IE) 为 1, 则产生外部中断 注 :OPA 开启时,INT0 和 INT1 的信号源将被 IRINS(IRIN 同步信号 ) 和 IRINT(IRIN 包络信号 ) 分别占用, 外部端口信号将不起作用 10.2 定时器中断 定时器 T0 T1 在计数溢出时会置位中断标志 T0IF T1IF, 若中断总使能位 GIE 为 1 且定时器中断 使能位 (T0IE T1IE) 为 1, 则产生定时器中断 上海晟矽微电子股份有限公司 45/69

46 10.3 中断相关寄存器 MCR GIE - TO PD MINT11 MINT10 MINT01 MINT00 R/W R/W - R R R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] BIT[6] BIT[5] BIT[4] BIT[3:2] BIT[1:0] GIE 总中断使能 0: 屏蔽所有中断 1: 中断源是否产生中断有相应的控制位决定未用 TO 看门狗溢出标志 0: 上电复位, 执行 CLRWDT 或 STOP 指令 1: 发生 WDT 溢出 PD 进入低功耗休眠模式标志 0: 上电复位, 执行 CLRWDT 1: 执行 STOP 指令 MINT1 外部中断 1 模式寄存器 00:INT1 上升沿触发 01:INT1 下降沿触发 1x:INT1 电平变化触发 MINT0 外部中断 0 模式寄存器 00:INT0 上升沿触发 01:INT0 下降沿触发 1x:INT0 电平变化触发 中断使能寄存器 INTE INT1IE INT0IE T1IE T0IE R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[3] BIT[2] BIT[1] BIT[0] INT1IE 外部中断 1 使能 0: 屏蔽外部 1 中断 1: 使能外部 1 中断 INT0IE 外部中断 0 使能 0: 屏蔽外部 0 中断 1: 使能外部 0 中断 T1IE 定时器 T1 使能 0: 屏蔽定时器 T1 中断 1: 使能定时器 T1 中断 T0IE 定时器 T0 使能 0: 屏蔽定时器 T0 中断 1: 使能定时器 T0 中断 上海晟矽微电子股份有限公司 46/69

47 中断标志寄存器 INTF - T0RF - - INT1IF INT0IF T1IF T0IF R/W - R/W - - R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[6] T0RF 定时器 T0 重载标志 0: 未发生定时器 T0 重载 1: 发生定时器 T0 重载, 需软件清零 BIT[3] INT1IF 外部中断 1 标志 0: 未发生外部 1 中断 1: 发生外部 1 中断, 需软件清零 BIT[2] INT0IF 外部中断 0 标志 0: 未发生外部 0 中断 1: 发生外部 0 中断, 需软件清零 BIT[1] T1IF 定时器 T1 标志 0: 未发生屏蔽定时器 T1 中断 1: 发生定时器 T1 中断, 需软件清零 BIT[0] T0IF 定时器 T0 标志 0: 未发生屏蔽定时器 T0 中断 1: 发生定时器 T0 中断, 需软件清零 上海晟矽微电子股份有限公司 47/69

48 11 电气参数 11.1 极限参数 参数 符号 值 单位 工作电压 VDD -0.3~4.0 V 输入电压 VIN VSS-0.3~VDD+0.3 V 工作温度 TA -20~70 储存温度 Tstg -65~150 焊接温度及时间 Tsld 260 持续 10 秒 流过 VDD 最大电流 IVDDmax 50 ma 流过 GND 最大电流 1( 除 P17 外 ) IGNDmax1 50 ma 流过 GND 最大电流 2(P17 引脚 ) IGNDmax2 持续驱动 200 ma 流过 GND 最大电流 3(P17 引脚 ) IGNDmax3 间歇性驱动 600( 如 :1 秒钟有 50ms 驱动 ) ma 11.2 直流特性参数 所有参数均为 T=25,VDD=3V, 除非特殊说明 特性 符号 引脚 条件 最小典型最大 单位 FCPU=8.06MHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=4.03MHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=2.015MHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=1.0075MHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=503.75KHz@ 内部高频 16.12MHz V 工作电压 VDD VDD FCPU= KHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=125.94KHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=62.97KHz@ 内部高频 16.12MHz V FCPU=FILRC/2@ 内部低频 32KHz V FCPU=8MHz@ 外部晶体 16MHz V FCPU=4MHz@ 外部晶体 16MHz V 上海晟矽微电子股份有限公司 48/69

49 外部晶体 16MHz V FCPU=1MHz@ 外部晶体 16MHz V FCPU=500KHz@ 外部晶体 16MHz V FCPU=250KHz@ 外部晶体 16MHz V FCPU=125KHz@ 外部晶体 16MHz V FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 16MHz V FCPU=4MHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=2MHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=1MHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=500KHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=250KHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=125KHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 8MHz V FCPU=2MHz@ 外部晶体 4MHz V FCPU=1MHz@ 外部晶体 4MHz V FCPU=500KHz@ 外部晶体 4MHz V FCPU=250KHz@ 外部晶体 4MHz V FCPU=125KHz@ 外部晶体 4MHz V FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 4MHz V FCPU=500KHz@ 外部晶体 1MHz V FCPU=250KHz@ 外部晶体 1MHz V FCPU=125KHz@ 外部晶体 1MHz V FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 1MHz V FCPU=227.5KHz@ 外部晶体 455KHz V RAM 保持电压 1 VRAM1 RAM/P11 RAMS=0(RAM 电源外接 ), VDD=0V 0.9 V RAM 保持时间 1 TRAM1 RAMS=0(RAM 外接 47uF 电容 ), VDD=1.8V 瞬间降至 0V 后 24 HRs RAM 保持电压 2 VRAM2 VDD RAMS=1(RAM 电源内置 ) 1.5 V 上海晟矽微电子股份有限公司 49/69

50 RAM 保持时间 2 TRAM2 RAMS=1(RAM 电源为 VDD) VDD 外接 47uF 电容,VDD=1.8V, 拿掉电池 2 MINs 输入漏电 VLEAK 所有输入引脚 -1 1 ua 输入高电平 VIH 所有输入引脚 0.8VDD V 输入低电平 VIL 所有输入引脚 0.2VDD V 上拉电阻 1 RPU1 P1 P2 ( 除 P23/P20 /P17) 上拉电阻 2 RPU2 P23 上拉电阻 3 RPU3 P20 Vin=0.9V, RSEL= Vin=0.9V, RSEL= Vin=0.9V, IRES1=1, RSEL= Vin=0.9V, IRES1=1, RSEL= Vin=0.9V, IRES1= Vin=0.9V, IRES0=1, RSEL= Vin=0.9V, IRES0=1, RSEL= Vin=0.9V, IRES0= Kohm Kohm Kohm 上拉电阻 4 RPU4 P17 Vin=0.9V Kohm 输出高电平 P1 P2 IOH1 驱动电流 1 ( 除 P11/P27) 输出低电平 P0 P1 IOL1 驱动电流 1 ( 除 P22/P21/P17) 输出低电平驱动电流 2 IOL2 P17 输出低电平驱动能力 2 IOL3 P22 输出低电平驱动能力 3 IOL4 P21 动态功耗 IDDC VDD Voh=2.4V ma Vol=0.6V ma Vol=0.6V, ISEL= Vol=0.6V, ISEL= Vol=0.6V, ISEL= ma Vol=0.6V, ISEL= Vol=0.6V,LSEL1= Vol=0.6V,LSEL1= Vol=0.6V,LSEL1= ma Vol=0.6V,LSEL1= Vol=0.6V,LSEL0= Vol=0.6V,LSEL0= Vol=0.6V,LSEL0= ma Vol=0.6V,LSEL0= FCPU=8.06MHz@ 内部高频 16.12MHz 5 ma FCPU=4.03MHz@ 内部高频 16.12MHz 2.5 ma FCPU=2.015MHz@ 内部高频 16.12MHz 1.6 ma FCPU=1.0075MHz@ 内部高频 16.12MHz 1.2 ma 上海晟矽微电子股份有限公司 50/69

51 HOLD 模式 1 功耗 IHOLD1 VDD FCPU=503.75KHz@ 内部高频 16.12MHz 0.9 ma FCPU= KHz@ 内部高频 16.12MHz 0.8 ma FCPU=125.94KHz@ 内部高频 16.12MHz 0.75 ma FCPU=62.97KHz@ 内部高频 16.12MHz 0.7 ma FCPU=FILRC/2@ 内部低频 0.2 ma FCPU=8MHz@ 外部晶体 16MHz 5 ma FCPU=4MHz@ 外部晶体 16MHz 2.5 ma FCPU=2MHz@ 外部晶体 16MHz 1.6 ma FCPU=1MHz@ 外部晶体 16MHz 1.1 ma FCPU=500KHz@ 外部晶体 16MHz 0.75 ma FCPU=250KHz@ 外部晶体 16MHz 0.65 ma FCPU=125KHz@ 外部晶体 16MHz 0.55 ma FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 16MHz 0.5 ma FCPU=4MHz@ 外部晶体 8MHz 2.6 ma FCPU=2MHz@ 外部晶体 8MHz 1.4 ma FCPU=1MHz@ 外部晶体 8MHz 0.95 ma FCPU=500KHz@ 外部晶体 8MHz 0.7 ma FCPU=250KHz@ 外部晶体 8MHz 0.55 ma FCPU=125KHz@ 外部晶体 8MHz 0.5 ma FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 8MHz 0.45 ma FCPU=2MHz@ 外部晶体 4MHz 1.5 ma FCPU=1MHz@ 外部晶体 4MHz 0.9 ma FCPU=500KHz@ 外部晶体 4MHz 0.65 ma FCPU=250KHz@ 外部晶体 4MHz 0.5 ma FCPU=125KHz@ 外部晶体 4MHz 0.45 ma FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 4MHz 0.4 ma FCPU=500KHz@ 外部晶体 1MHz 0.55 ma FCPU=250KHz@ 外部晶体 1MHz 0.45 ma FCPU=125KHz@ 外部晶体 1MHz 0.4 ma FCPU=62.5KHz@ 外部晶体 1MHz 0.35 ma FCPU=227.5KHz@ 外部晶体 455KHz 0.45 ma 高频振荡开启, 执行 STOP 指令 内部高频 16.12MHz 500 ua 外部晶体 16MHz 350 ua 外部晶体 8MHz 250 ua 外部晶体 4MHz 200 ua 外部晶体 1MHz 150 ua 上海晟矽微电子股份有限公司 51/69

52 外部晶体 455KHz 120 ua HOLD 模式 2 功耗 IHOLD2 VDD 高频振荡关闭, 低频振荡开启, 执行 STOP 指令 ua 休眠模式功耗 ISTOP VDD WDT 关闭, 高频振荡器关闭, 低频振荡器关闭, 执行 STOP 指令 ua VLVRS= V VLVRS= V VLVRS= V 低电压复位电压 VLVR VDD VLVRS= V VLVRS= V VLVRS= V VLVRS= V VLVRS= V 系统时钟 FCPU 与 FCPU=8MHz 2.5 V OPTION 配置时选择相低电压复位电压匹 FCPU=4MHz 1.7 V 应的 LVR 电压配 FCPU 低于 2MHz 1.5 V 11.3 交流电气参数 VDD=3V,T=25 特性符号条件最小典型最大单位 T=25 FHIRC1-1% % MHz VDD=1.8~3.6V 内部高频 RC 振荡频率 T=-20 ~70 FHIRC2-2% % MHz VDD=1.8~3.6V T=25 内部低频 RC 振荡频率 FLIRC -20% 8 +20% KHz VDD=3V 上海晟矽微电子股份有限公司 52/69

53 LED 驱动电流 (ma) IROUT 驱动电流 (ma) MC32P5213 用户手册 V 特性曲线图 注 : 本节列出的特性曲线图仅作为设计参考, 部分数据可能超出芯片额定的工作条件范围, 为保证芯片 能正常工作, 请严格按照电气特性说明 12.1 IROUT 驱动电流 VS 输出电压 VDD=3V IROUT 驱动电流 VS 输出电压 mA 375mA 250mA 125mA IROUT 输出电压 (V) 12.2 LED 驱动电流 VS 输出电压 25 VDD=3V P21/P22 驱动电流 VS 输出电压 P21/P22 输出电压 (V) 2mA 4mA 8mA 12mA 上海晟矽微电子股份有限公司 53/69

54 IOH 驱动电流 (ma) IO 驱动电流值 (ma) MC32P5213 用户手册 V IO 输出低电平驱动电流 VS 输出电压 20 VDD=3V IO 低电压驱动电流 VS 输出电压 P27/VPP P IO 口输出电压 (V) 12.4 IO 输出高电平驱动电流 VS 输出电压 VDD=3V IO 高电平驱动电流 VS 输出电压 IO 口输出电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 54/69

55 上拉电阻值 (KΩ) 上拉电阻值 (KΩ) 12.5 IO 口上拉电阻 VS 电源电压 MC32P5213 用户手册 V1.0 IO 输出电压 0.3VDD,RSEL=0 上拉电阻 (100KΩ)VS 电源电压 电源电压 (V) P11 P27/VPP IO 输出电压 0.3VDD,RSEL=1 上拉电阻 (40K) VS 电源电压 电源电压 (V) P11 P27/VPP 上海晟矽微电子股份有限公司 55/69

56 VIH(V) 上拉电阻值 (KΩ) MC32P5213 用户手册 V1.0 IO 输出电压 0.3VDD 上拉电阻 (10K)VS 电源电压 电源电压 (V) 12.6 IO 口输入高电平 VS 电源电压 IO 输入高电平 VS 电源电压 电源电压 (V) P11 VIH P27/VPP VIH 上海晟矽微电子股份有限公司 56/69

57 WDT 溢出时间 (ms) VIL(V) 12.7 IO 口输入低电平 VS 电源电压 MC32P5213 用户手册 V1.0 IO 口输入低电平 VS 电源电压 P11 VIL P27/VPP VIL 电源电压 (V) 12.8 WDT 溢出时间 VS 电源电压 WDT 溢出时间 VS 溢出时间 256ms 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 57/69

58 功耗电流 (ua) T 扫时间 (ms) 12.9 键盘扫描时间 VS 电源电压 MC32P5213 用户手册 V 键盘扫描时间 VS 电源电压 电源电压 (V) 00(16ms) 01(32ms) 10(48ms) 11(64ms) 键盘扫描静态功耗 VS 电源电压 键盘扫描静态功耗 VS 电源电压 电源电压 (V) 16ms 32ms 48ms 64ms 上海晟矽微电子股份有限公司 58/69

59 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 VS 电源电压 MC32P5213 用户手册 V 动态功耗 VS 内部 HRC16.12M/2T 外部晶体 16M/2T(10pF) 电源电压 (V) 动态功耗 VS 内部 HRC16.12M/4T 外部晶体 16M/4T(10pF) 外部晶体 8M/2T(10pF) 电源电压 (V) 动态功耗 VS 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M/8T 外部晶体 16M/8T(10pF) 外部晶体 8M/4T(10pF) 外部晶体 4M/2T(10pF) 上海晟矽微电子股份有限公司 59/69

60 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 IDD(mA) MC32P5213 用户手册 V1.0 动态功耗 VS 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M/16T 外部晶体 16M/16T(10pF) 外部晶体 8M/8T(10pF) 外部晶体 4M/4T(10pF) 动态功耗 VS 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M/32T 外部晶体 16M/32T(10pF) 外部晶体 8M/16T(10pF) 外部晶体 4M/8T(10pF) 外部晶体 外部晶体 动态功耗 VS 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M/64T 外部晶体 16M/64T(10pF) 外部晶体 8M/32T(10pF) 外部晶体 4M/16T(10pF) 外部晶体 外部晶体 上海晟矽微电子股份有限公司 60/69

61 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 IDD(mA) 动态功耗 IDD(mA) MC32P5213 用户手册 V1.0 动态功耗 VS 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M/128T 外部晶体 16M/128T(10pF) 外部晶体 8M/64T(10pF) 外部晶体 4M/32T(10pF) 外部晶体 外部晶体 动态功耗 VS 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M/256T 外部晶体 16M/256T(10pF) 外部晶体 8M/128T(10pF) 外部晶体 4M/64T(10pF) 外部晶体 外部晶体 动态功耗 VS 外接 220pF 电容 外接 30pF 电容 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 61/69

62 动态功耗 IDD(uA) MC32P5213 用户手册 V1.0 动态功耗 VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 62/69

63 IHOLD1(uA) IHOLD1(uA) HOLD 模式 1 功耗 VS 电源电压 MC32P5213 用户手册 V HOLD 模式 1 功耗 VS 电源电压 电源电压 (V) 内部 HRC16.12M 外部晶体 16M(10pF) 外部晶体 8M(10pF) 外部晶体 4M(10pF) 外部晶体 1M(30pF)@HMSEL=1 外部晶体 1M(30pF)@HMSEL=0 HOLD 模式 1 功耗 VS 外部晶体 455KHz 外接 220pF 电容 外接 30pF 电容 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 63/69

64 ISTOP(uA) IHOLD2(uA) HOLD 模式 2 功耗 VS 电源电压 MC32P5213 用户手册 V1.0 HOLD 模式 2 功耗 VS 电源电压 电源电压 (V) 休眠模式功耗 VS 电源电压 休眠模式功耗 VS 电源电压 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 64/69

65 HIRC 频率 (MHz) HIRC 频率 (MHz) MC32P5213 用户手册 V 常温高频振荡频率 VS 电源电压 常温 HIRC 频率 VS 电源电压 电源电压 (V) 常压高频振荡频率 VS 温度 VDD=3V HIRC 频率 VS 温度 温度 ( ) 上海晟矽微电子股份有限公司 65/69

66 VLVR 电压 (V) HIRC 频率 (MHz) MC32P5213 用户手册 V 高频振荡频率 VS 电源电压 VS 温度 HIRC 频率 VS 电源电压 VS 温度 温度 ( ) 1.6(V) 2.0(V) 2.5(V) 3.0(V) 3.5(V) 4.0(V) 低电压复位电压 VS 温度 3.5 低电压复位电压 VS 温度 温度 ( ) VLVRS=111(1.5V) VLVRS=110(1.7V) VLVRS=101(1.9V) VLVRS=100(2.1V) VLVRS=011(2.3V) VLVRS=010(2.5V) VLVRS=001(2.7V) VLVRS=000(2.9V) 上海晟矽微电子股份有限公司 66/69

67 电源电压 (V) MC32P5213 用户手册 V 最低工作电压 VS 系统时钟 FCPU 关系图 注 : 系统最低工作电压和系统工作频率 FCPU 有关, 不同的工作频率 FCPU 最低工作电压不同 如下图所示, 当工作频率提高时系统正常工作电压也随之提高, 但由于 POR 电压固定 (1.5V@25 ), 在系统最低工作电压和 POR 电压之间就会出现一个电压区域, 系统不能正常工作也不会产生 POR 复位, 称之为死区, 必须根据不同的工作频率设置合适的 LVR 电压避免出现死区 最低工作电压 VS 系统时钟 FCPU 频率 死区 K 125K 250K 500K 1M 2M 4M 8M FCPU 频率 (Hz) 上海晟矽微电子股份有限公司 67/69

68 13 封装外形尺寸 SOP16 D A3 A2 A1 A c θ L L1 MILLIMETER SYMBOL MIN NOM MAX A A A A b b E1 E BASE METAL b b1 c1 c c c D E WITH PLATING SECTION B-B E e 1.27BSC L b e B B L1 1.05BSC θ 0-8 SOP18 D MILLIMETER SYMBOL MIN NOM MAX A A3 A2 A1 A c θ L L1 A A A b b c E1 E BASE METAL b b1 c1 c c D E WITH PLATING SECTION B-B E e 1.27BSC L b e B B L1 1.40BSC θ 0-8 上海晟矽微电子股份有限公司 68/69

69 14 版本修订记录 版本号修订日期修订内容 V 新建 上海晟矽微电子股份有限公司 69/69