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鹤贺
5 years ago
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1 1. 概述 HS2303-PT 产品说明书 Ver 1.0 HS2303-PT 是一款低成本高速度高抗干扰, 带射频传输的 8 位 CMOS 制造的单片机工作电压在 2.0~3.6V 之间, 电池供电时, 能保证绝大多数电池在电量完全耗尽前仍能正常使用 ; 正常工作温度范围在 -20 ~70 之间单片机基于 RISC 架构, 仅有 35 条指令除程序跳转需要两个周期外, 其余所有的指令都是单周期指令内部集成有 1K*13-bit 的一次性可编程只读电存储器 (OTP-ROM) 上电复位 (POR) 欠压复位 (BOR) 看门狗定时器 SRAM 等电路, 具有睡眠模式工作模式等无线射频芯片应用带宽在 300M~450MHz 之间, 在传输功率工作电压和工作温度方面有着显著的优点当外接 50Ω 负载时, 输出强度最高可达 +10dBm, 可满足很多小型传输系统的要求采用 ASK/OOK( 幅移键控 / 开关键控 ) 的方式调制数据, 最高传输速率达 10kbps 仅需外加晶振及少量外围器件即可实现发射功能本芯片主要适用于在工业消费领域中要求结构简单规模较小的无线遥控系统 2. 特征可编写任意码型工作电压范围 :2.0V~3.6V 1K*13 位片内 ROM 内置 RC 4MHz±2% 最多可构成 21 个按键 SOP16 封装 2.1 RF 芯片特征完整的超高频传输频率范围 300MHz 到 450MHz 比特率最高达 10kbps 输出功率最高达 10dBm ASK/OOK 调制极少的外围器件符合 ETSI_EN_300_220-1_V2.3.1 标准石英或陶瓷振荡器 3. 应用车辆防盗系统家庭防盗系统多媒体远程控制其他工业遥控 4. 封装信息 4.1 管脚图第 1 页共 7 页 Ver.1.0

2 4.2 管脚说明管脚序号管脚名称输入 / 输出功能描述 1 PVSS 输入信号地 2 PAOUT 输出功放输出 3 PB3 准双向 I/O 1 扫描端口 2 一般 I/O 口, 可读写 4 GND 输入地 5 VDD 输入电源 6 VPP 输入单片机烧写引脚 7 PA0 8 PA1 9 PA2 1 扫描端口准双向 I/O 10 PA3 2 一般 I/O 口, 可读写 11 PA4 12 PB0 13 GND 输入地 14 XTLIN 输入晶振输入 15 XTLOUT 输入晶振输出 16 VCC 输入电源 5. 电路框图 VPP VDD GND XTLOUT XTLIN PA0 PA1 PA2 PA3 PA4 PB0 PB3 键盘扫描输入输出电路内置 RC 电路 OTP ROM RC_sel 译码电路 WDT 电路控制电路振荡电路输出控制电路锁相环低压检测功率放大器逻辑控制 PAOUT 6. 极限参数 (Ta=25 ) 参数符号范围单位电源电压 Vcc -0.3 ~ 5 V 输入电压 Vi -0.3 ~ Vcc+0.3 V 输出电压 Vo -0.3 ~ Vcc+0.3 V 最大功耗 (Vcc=3V) Pa 10 mw 工作温度 Topr -20 ~ +70 储存温度 Tstg -40 ~ +125 传输频率范围 ASK 300~450 MHz 第 2 页共 7 页 Ver.1.0

3 7. 电气参数 ( 除非特殊说明 :Tamb=25,,Freq(REFOSC)=13.56MHz, 不做特殊说明默认数据传输速度 2kbps, 接 50Ω 负载 ) 参数测试条件最小值典型值最大值单位电源电压 V 静态电流振荡器停振,DATA= µa 工作满载电流 315MHz,POUT=+10dBm 20 DATA= MHz,POUT=+10dBm 20 ma PA0~PB3 输入高电压 1.4 V PA0~PB3 输入低电压 1.3 V PA 低驱动电流 VOL=0.2VDD 11 ma PA 高驱动电流 VOH=0.8VDD 50 ua PB 低驱动电流 VOL=0.2VDD 11 ma VOH=0.8VDD 50 ua PB 高驱动电流 TRISB = 0 VOH=0.8VDD 3 ma TRISB = 1 工作频率 2~3.8V 455K Hz 上电复位时间 Tp ms 看门狗复位时间 2*Tp ms 端口由低到高上升时间 VDD>2.3V 10 ms 端口由高到低下降时间 VDD>2.3V 100 us 输出延时 VDD 从低到高 500 us 上电 / 掉电复位 1.56 V RF 输出和调制限制输出功率级别 315MHz MHz 10 dbm 315MHz 谐波 630MHz 2nd harm MHz 3rd harm -53 dbc MHz 谐波 867MHz 2nd harm MHz 3rd harm -52 dbc ASK 调制编码比特率 10 kbps 占用带宽 OBW 315MHz < MHz <900 khz VCO 315MHz 单边带相位距载波 100kHz -71 噪声距载波 1000kHz -84 dbc/hz MHz 单边带相距载波 100kHz -73 位噪声距载波 1000kHz -82 dbc/hz 基准振荡器 XTLIN,XTLOUT 管脚电容 2 pf 第 3 页共 7 页 Ver.1.0

4 外部电容每个晶振脚到地 18 pf 起振时间晶振 300 us 注 :Tp 为静态下管脚扫描周期,3V 情况下通常为 16~18ms 8. 功能说明 HS2303-PT 是通过烧写器录入程序后, 再通过外部晶振产生一个信号输入到内部振荡电路, 通过锁相环倍频到相应的发射频率与此同时, 按键相对应的数据通过内部逻辑控制电路传入到功率放大器与相应的发射频率经功率放大器混频放大后由 PAOUT 输出, 此输出的高频数据信号经外部发射电路发射出去后可通过相应的接收电路接收并还原第 4 页共 7 页 Ver.1.0

5 9. 应用说明以下提供一种典型的应用电路, 在实际应用中根据发射频率的不同可以微调相应的器件参数 : 频率 (MHz) L1(nH) C6(pF) L2(nH) C10(pF) L3(nH) Y1(MHz) 注 :1 其中 L1 C6 L2 的值需根据 PCB 布局做出相应的调整 2 C10 和 L3 可根据实际情况进行调整 2 PB3 接 LED 指示灯可以接到电源或地第 5 页共 7 页 Ver.1.0

6 10. 封装外型图 10.1 SOP16 封装封装图尺寸 Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A A A b c D E E e 1.270(BSC) 0.050(BSC) L θ 第 6 页共 7 页 Ver.1.0

7 Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, HuaXin Micro-electronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. The actual parts delivered may not completely agree with the description written here and it is user s responsibility to make wise judgment on the performance. HuaXin Micro-electronics assumes no responsibility for the mismatch occurred. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of HuaXin Micro-electronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. HuaXin Micro-electronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of HuaXin Micro-electronics. 第 7 页共 7 页 Ver.1.0

T stg -40 to 125 C V cc 3.8V V dc RH 0 to 100 %RH T a -40 to +125 C -0.3 to 3.6V V -0.3 to VDD+0.3 V -10 to +10 ma = 25 = 3V) VDD

1/16 T stg -40 to 125 C V cc 3.8V V dc RH 0 to 100 %RH T a -40 to +125 C -0.3 to 3.6V V -0.3 to VDD+0.3 V -10 to +10 ma (@T = 25 C, @Vdd = 3V) VDD 1.8 3.0 3.6 V (1) 0.08 0.3 µa Idd 300 450 500 µa 0.25