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1 MC30P6070 用户手册 SinoMCU 8 位单片机 2016/5/31 上海晟矽微电子股份有限公司 Shanghai SinoMCU Microelectronics Co., Ltd. 本公司保留对产品在可靠性 功能和设计方面的改进作进一步说明的权利 用户手册的更改, 恕不另行通知

2 目录 1 产品简介 产品特性 订购信息 系统框图 引脚排列 引脚说明 中央处理器 指令集 程序存储器 (OTP) 数据存储器 堆栈 烧录配置选项 系统控制寄存器 系统时钟 外接晶体振荡器 内置高频 RC 振荡器 内置低频 RC 振荡器 工作模式 休眠模式 复位 复位条件 上电复位 外部复位 低电压复位 看门狗复位 IO 口 IO 工作模式 上拉 下拉电阻和开漏控制 定时器 定时器 T 定时器 T WDT 定时器 中断 外中断 定时器中断 键盘中断 中断相关寄存器 电气参数 极限参数 直流电气参数 交流电气参数 特性曲线图 上海晟矽微电子股份有限公司 2/67

3 9.1 IO 输出高电平驱动电流 VS 输出电平 IO 输出低电平驱动电流 VS 输出电平 输入高低电平 VS 电源电压 上拉电阻 VS 电源电压 下拉电阻 VS 电源电压 内部 16MHz 动态功耗 VS 电源电压 内部 8MHz 动态功耗 VS 电源电压 内部 4MHz 动态功耗 VS 电源电压 内部 2MHz 动态功耗 VS 电源电压 内部 1MHz 动态功耗 VS 电源电压 内部 455KHz 动态功耗 VS 电源电压 外部 16MHz 晶振动态功耗 VS 温度 外部 16MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 外部 8MHz 晶振动态功耗 VS 温度 外部 8MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 外部 4MHz 晶振动态功耗 VS 温度 外部 4MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 外部 2MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 外部 1MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 外部 455KHz 晶振动态功耗 VS 温度 外部 455KHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 LIRC 动态功耗 VS 电源电压 LIRC 动态功耗 VS 温度 Hz 晶体动态功耗 VS 电源电压 RTC 模式 (32768Hz 晶体 ) 功耗 VS 温度 RTC 模式 (32768Hz 晶体 ) 功耗 VS 电源电压 STOP 功耗 VS 温度 STOP 功耗 VS 电源电压 WDT 功耗 VS 温度 WDT 功耗 VS 电源电压 LVD 电压 VS 温度 HIRC=16MHz 频率 HIRC=18MHz 频率 HIRC=14MHz 频率 HIRC=455KHz 频率 POR 电压 VS 温度 外部 16MHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部 8MHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部 4MHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部 455KHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 LIRC=32KHz 频率 最低工作电压 VS 系统时钟 FCPU 关系图 封装外形尺寸 版本修订记录 上海晟矽微电子股份有限公司 3/67

4 1 产品简介 1.1 产品特性 8 位 RISC CPU 内核程序存储器空间 (OTP) 5 级深度硬件堆栈 1K*14bits 程序存储器空间 (OTP), 烧写 1 次 0.5K*14bits 程序存储器空间 (OTP), 烧写 2 次数据存储器空间 (SRAM) 50 字节通用数据寄存器空间 5 个 IO+1 开漏 IO 6 位 P1 端口, 其中 P13 为开漏 ( 与编程高压 VPP 复用 ), 可程序选择上拉 3 种工作模式 高频运行模式 : 系统在高频时钟下运行 低频运行模式 : 系统在低频时钟下运行 (5uA@FLIRC=32KHz,15uA@ 外接 32768Hz 晶体 ) 休眠模式 :CPU 停止运行, 高频振荡器停止工作定时器 内部自振式看门狗计数器 (WDT) 1 个带有 RTC 功能 8 位定时器 0 1 个带有蜂鸣器和 PWM 功能的 8 位定时器 1 中断 定时器 0 中断 定时器 1 中断 外部中断 键盘中断时钟振荡模式 内嵌高频振荡器 (16MHz) 内嵌低频振荡器 (32KHz) 外接高频晶体振荡器 外接低频振荡器模式 (32768Hz) 外部复位引脚 RSTB(P13) 1.2V 上电复位电压 (POR) 7 级低电压复位 LVR(1.5V 1.8V 2.0V 2.3V 2.7V 3.0V 3.6V) 7 级内部低电压检测 LVD(1.8V 2.4V 3.0V 3.3V 3.6V 3.8V 4.0V) 工作电压 2.7V-5.5V(Fcpu=0~8MHz) 2.4V-5.5V(Fcpu=0~4MHz) 2.0V-5.5V(Fcpu=0~2MHz) 2.0V-5.5V(Fcpu=0~1MHz) 2.0V-5.5V(Fcpu=0~500KHz) 1.8V-5.5V(Fcpu=0~32KHz/2) 封装形式 :DIP8 SOP8 SOT23-6 上海晟矽微电子股份有限公司 4/67

5 1.2 订购信息 产品名称封装形式其他 MC30P6070A0A MC30P6070A0H MC30P6070A0T MC30P6070A1T DIP8 SOP8 SOT23-6 SOT 系统框图 OTP ROM 1K*14bits 程序计数器 PC 5 级堆栈 指令译码器 系统控制信号 ALU 工作寄存器 ACC IO 控制 P10 P11 P12 P13 P14 P15 LVD 中断逻辑 中断控制 数据存储器 RAM 50bytes 上电复位看门狗复位低电压复位引脚复位 系统复位 T0/T1 上海晟矽微电子股份有限公司 5/67

6 上海晟矽微电子股份有限公司 6/67 MC30P6070A1T P11/[SDI] 6 1 [VPP]/RSTB/P VDD GND 3 P10/INT0/TCC1/[SDO] 2 [SCK]/PWM/BUZ/TCC0/P12 SOT 引脚排列 MC30P6070A0A/H GND 8 1 VDD P12/TCC0/BUZ/PWM/[SCK] [SDO]/OSCO/P14 P11/[SDI] 4 [VPP]/RSTB/P13 3 P10/INT0/TCC1/[SDO] 2 OSCI/P15 DIP8/SOP8 MC30P6070A0T P12/TCC0/BUZ/PWM/[SCK] 6 1 [SDI]/P [SDO]/P14 P13/RSTB/[VPP] 3 VDD 2 GND SOT23-6

7 1.5 引脚说明 引脚名 I/O 描述 IO IO, 上下拉, 开漏 I 外部中断输入 P10/INT0/TCC1/[SDO] I T1 时钟输入 O 编程数据输出 IO IO, 上下拉, 开漏 P11/[SDI] I 编程数据输入 IO IO, 上下拉, 开漏 I T0 时钟输入 P12/TCC0/BUZ/PWM/[SCK] O 蜂鸣器输出 O PWM 输出 I 编程时钟输入 IO IO, 上拉, 开漏 P13/RSTB/[VPP] I 外部复位端口 P 编程高压输入 IO IO, 上拉, 开漏 P14/OSCO/[SDO] O 振荡器输出 O 编程数据输出 IO IO, 上拉, 开漏 P15/OSCI I 振荡器输入 VDD P VDD GND P GND 上海晟矽微电子股份有限公司 7/67

8 2 中央处理器 2.1 指令集 MC30P6070 的指令是精简指令集 下表是指令汇总表 助记符 说明 操作 周期数 影响 ADDAR R 寄存器 R 内容和 ACC 相加, 结果存到 ACC R+ACC ACC 1 C,DC,Z ADDRA R 寄存器 R 内容和 ACC 相加, 结果存到 R R+ACC R 1 C,DC,Z ADCAR R 带 C 标志的加法, 结果存到 ACC R+ACC+C ACC 1 C,DC,Z ADCRA R 带 C 标志的加法, 结果存到 R R+ACC+C R 1 C,DC,Z RSUBAR R 寄存器 R 内容和 ACC 相减, 结果存到 ACC R-ACC ACC 1 C,DC,Z RSUBRA R 寄存器 R 内容和 ACC 相减, 结果存到 R R-ACC R 1 C,DC,Z RSBCAR R 寄存器 R 内容和 ACC 相减 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC R-ACC-/C ACC 1 C,DC,Z RSBCRA R 寄存器 R 内容和 ACC 相减 ( 带 C 标志 ), 结果存到 R R-ACC-/C R 1 C,DC,Z ANDAR R 寄存器 R 内容和 ACC 与操作, 结果存到 ACC R and ACC ACC 1 Z ANDRA R 寄存器 R 内容和 ACC 与操作, 结果存到 R R and ACC R 1 Z ORAR R 寄存器 R 内容和 ACC 或操作, 结果存到 ACC R or ACC ACC 1 Z ORRA R 寄存器 R 内容和 ACC 或操作, 结果存到 R R or ACC R 1 Z XORAR R 寄存器 R 内容和 ACC 异或操作, 结果存到 ACC R xor ACC ACC 1 Z XORRA R 寄存器 R 内容和 ACC 异或操作, 结果存到 R R xor ACC R 1 Z COMAR R 对 R 取反, 结果存到 ACC R 取反 ACC 1 Z COMR R 对 R 取反, 结果存到 R R 取反 R 1 Z CLRA 对 ACC 清零 0 ACC 1 Z CLRR R 对 R 清零 0 R 1 Z RLAR R 寄存器 R 循环左移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC R[7] C R[6:0] ACC[7:1] 1 C C ACC[0] RLR R 寄存器 R 循环左移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 R R[7] C R[6:0] R[7:1] 1 C C R[0] RRAR R 寄存器 R 循环右移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 ACC C ACC[7] R[7:1] ACC[6:0] 1 C R[0] C RRR R 寄存器 R 循环右移 ( 带 C 标志 ), 结果存到 R C R[7] R[7:1] R[6:0] 1 C R[0] C SWAPAR R 交换 R 的高低字节, 结果存到 ACC R[7:4] ACC[3:0] R[3:0] ACC[7:4] 1 - SWAPR R 交换 R 的高低字节, 结果存到 R R[7:4] R[3:0] R[3:0] R[7:4] 1 - MOVAR R 将 R 存到 ACC R ACC 1 Z MOVR R 将 R 存到 R R R 1 Z MOVRA R 将 ACC 存到 R ACC R 1 - INCAR R R 加 1, 结果存到 ACC R+1 ACC 1 Z INCR R R 加 1, 结果存到 R R+1 R 1 Z 上海晟矽微电子股份有限公司 8/67

9 DECAR R R 减 1, 结果存到 ACC R-1 ACC 1 Z DECR R R 减 1, 结果存到 R R-1 R 1 Z JZAR R R 加 1, 结果存到 ACC; 结果为 0, 则跳过下一条指令 R 加 1, 结果存到 R; 结果为 0, 则跳过下一条 JZR R 指令 DJZAR R R 减 1, 结果存到 ACC; 结果为 0, 则跳过下一条指令 DJZR R R 减 1, 结果存到 R; 结果为 0, 则跳过下一条指令 R+1 ACC, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - R+1 R, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - R-1 ACC, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - R-1 R, 结果为 0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - BCLR R,b 对 R 的第 b 位清零 0 R[b] 1 - BSET R,b 对 R 的第 b 位置 1 1 R[b] 1 - JBCLR R,b 如 R 的第 b 位为 0, 则跳过下一条指令 如 R[b]=0, 则 PC+2 PC 1 或 2 - JBSET R,b 如 R 的第 b 位为 1, 则跳过下一条指令 如 R[b]=1, 则 PC+2 PC 1 或 2 - ADDAI K 立即数 K 和 ACC 相加, 结果存到 ACC K+ACC ACC 1 C,DC,Z ISUBAI K 立即数和 ACC 相减, 结果存到 ACC K-ACC ACC 1 C,DC,Z ANDAI K 立即数 K 和 ACC 与操作, 结果存到 ACC K and ACC ACC 1 Z ORAI K 立即数 K 和 ACC 或操作, 结果存到 ACC K or ACC ACC 1 Z XORAI K 立即数和 ACC 异或, 结果存到 ACC K xor ACC ACC 1 Z MOVAI K 将立即数存到 ACC K ACC 1 - RETAI K 从子程序返回, 并将立即数存到 ACC TOS PC K ACC 2 - RETURN 从子程序返回 TOS PC 2 - RETIE 从中断返回 TOS PC 1 GIE 2 - CALL K 子程序调用 PC+1 TOS K PC 2 - GOTO K 无条件跳转 K PC 2 - NOP 空操作 空操作 1 - DAA 加法后, 将 ACC 的值调整到十进制 ACC( 十六进制 ) ACC( 十进制 ) 1 C DSA 减法后, 将 ACC 的值调整到十进制 ACC( 十六进制 ) ACC( 十进制 ) 1 - CLRWDT 清看门狗定时器 0 WDT 1 TO,PD STOP 进入休眠模式 0 WDT 进入休眠模式 1 TO,PD 上海晟矽微电子股份有限公司 9/67

10 2.2 程序存储器 (OTP) 1K*14bits 的程序存储器空间, 程序存储器空间支持 2 种烧录模式,1K 字烧录的程序存储器空间为 0000H 03FFH;0.5K 字两次烧录的程序空间为 0000H 01FFH 2.3 数据存储器 数据寄存器分为三个区, 快速通用寄存器区 GPR(48Byte 空间 ) 和特殊功能寄存器区 SFR 和 IOS 区, 具体地址分配参照下表 SFR 区中 GPR0 和 GPR1 可作通用寄存器使用 数据存储器区地址映射表 : 地址 描述 00H INDF 01H T0CNT 02H PCL 03H STATUS 04H FSR 05H GPR0 06H P1 SFR 07H GPR1 08H MCR 09H KBIM 0AH PCLATH 0BH PDCON 0CH ODCON 0DH PUCON 0EH INTECON 0FH INTFLAG GPR 10H-3FH 通用数据区 SFR 地址 41H 42H 43H 44H 45H 46H 47H 48H 49H 4AH 4BH 4CH IOS 区 T0CR 保留保留保留保留 DDR1 保留保留保留保留 TM0CR T1CR 上海晟矽微电子股份有限公司 10/67

11 4DH 4EH 4FH T1CNT T1LOAD T1DATA 数据寄存器地址组成 HSB LSB 来自指令的 7 位地址 直接寻址模式 FSR 间接寻址模式 直接寻址模式 : 以指令的低 7 位作为数据存储器地址 例 : 通过直接寻址模式把 55H 数据写入 10H 地址 MOVAI 55H MOVRA 10H ; 把数据 55H 写入 10H 地址数据存储器中 间接寻址模式 : 当访问 INDF 时,FSR 作为数据存储器地址 例 : 通过间接寻址模式把 55H 数据写入 10H 地址 MOVAI 10H MOVRA FSR MOVAI 55H MOVRA INDF ; 把数据 55H 写入 FSR 指向数据存储器中 2.4 堆栈 5 级堆栈深度, 当程序响应中断或执行子程序调用指令时 CPU 会将 PC 自动压栈 ; 当运行子程序返回 指令时, 栈顶数据赋予 PC 上海晟矽微电子股份有限公司 11/67

12 2.5 烧录配置选项 用户配置字简称 OPBIT 是 OTP 中的几个特殊字, 用于对系统功能进行配置 OPBIT 在烧写用户程序时通过专用烧写器来设置 MC30P6070 的 OPBIT 定义如下 名称符号说明 OTP 容量选择 MODE 1K 字 OTP 模式 0.5K 字 MTP 模式, 第一次烧录 0.5K 字 MTP 模式, 第二次烧录 系统复位电压选择位 VLVRS 1.2V( 关闭, 实际 POR=1.2V) 外部复位使能内部高频振荡 HIRC 频率选择指令周期选择看门狗溢出时间及上电复位时间选择 MCLRE FHIRCS FCPUS TWDT 1.5V 1.8V 2.0V 2.3V 2.7V 3.0V 3.6V 屏蔽外部复位功能 使能外部复位功能 Fsys=HIRC/1(16MHz, 烧写器可调整频点范围为 14MHz~18MHz, 解释见表后注释 ) Fsys=HIRC/2 Fsys=HIRC/4 Fsys=HIRC/8 Fsys=HIRC/16 Fsys=HIRC/32( 烧写器调整至 455KHz) Fsys=HIRC/64 Fsys=HIRC/128 1 个指令周期为 2 个机器周期 1 个指令周期为 4 个机器周期 PWRT = TWDT( 无预分频 )= 18ms PWRT = TWDT( 无预分频 )= 4.5ms PWRT = TWDT( 无预分频 )= 288ms PWRT = TWDT( 无预分频 )= 72ms PWRT = 140us;TWDT( 无预分频 )= 18ms PWRT = 140us;TWDT( 无预分频 )= 4.5ms PWRT = 140us;TWDT( 无预分频 )= 288ms 上海晟矽微电子股份有限公司 12/67

13 PWRT = 140us;TWDT( 无预分频 )= 72ms WDT 使能代码保护使能 OTP 低功耗模式选择 IO 输出开启速度选择 IO 作为输出口时, 读端口方式端口施密特使能芯片兼容选择端口施密特阈值选择时钟滤波选择位 P13 端口模式选择振荡器模式选择上拉电阻选择位 LVR 休眠模式选择位 TMR1 自动重载选择位 WDTE ENCR ROTP SPDS RDPORT SMTEN MCUSEL SMTSEL FILS ODSEL OSCM RESSEL LVRPD LOADS 关闭 WDT 使能 WDT 使能代码保护功能 屏蔽代码保护功能 OTP 低功耗模式关闭 OTP 低功耗模式打开 快 慢功能说明见表后面注释 从寄存器读 从端口读 屏蔽端口施密特功能 使能端口施密特功能 义隆 菲林功能差异表见表后面注释 1.77V/1.1V 0.7VDD/0.3VDD 有滤波 无滤波 P13 为输入 / 开漏输出口 P13 为输入口 外部 32768Hz 低频晶体振荡器模式 外部 1MHz 高频晶体振荡器模式 外部 2MHz 高频晶体振荡器模式 外部 4MHz 高频晶体振荡器模式 外部 8M/16MHz 高频晶体振荡器模式 内部低频 RC 振荡器 32KHz 内部高频 RC 振荡器 + 外部 32768Hz 低频晶体振荡器模式 外部 455KHz 高频晶体振荡器模式 内部高频 RC 振荡器 80KΩ 20KΩ 休眠模式下不关闭 LVR 休眠模式下关闭 LVR 写 T1LOAD 溢出后重载 写 T1LOAD 立即重载 注 : 上海晟矽微电子股份有限公司 13/67

14 1 IO 输出开启速度选择位 (SPDS) 说明 MC30P6070 用户手册 V1.0 正常开启表示 VDD=5V 时,IO 空载时翻转速度 3ns, 优点 IO 可输出高速翻转的方波, 缺点输出高低转换时会产生较大的过充尖峰, 容易干扰 VDD 低速开启表示 VDD=5V 时,IO 空载时翻转速度 25ns, 优点输出高低转换时会产生较小的过充尖峰, 不容易干扰 VDD, 缺点 IO 无法高速翻转的方波, 最高频率为 25MHz 2 内部高频振荡 HIRC 频率选择 内部高频振荡器频率范围为 14MHz~18MHz, 调整步长非线性, 以中心频率 16MHz 为基准, 低频段步长约为 0.6%, 中频段步长约为 0.3%, 高频段步长约为 0.15% 频率从低至高, 步长先疏后密 通用烧写器选择的内部高频振荡 HIRC 为 16MHz 若要选择从 14MHz 到 18MHz 内其它频率点 ( 包括 14MHz 和 18MHz 两个频点 ), 需申请特制烧写器, 通用烧写器不支持 3 义隆和菲林差异表功能 义隆 菲林 复位地址 000H 1K 模式对应地址为 3FFH; 0.5K 模式对应地址为 1FFH 键盘中断允许位 (KBIM) 无 有 外部中断触发沿 下降沿 上升沿或下降沿 指令操作 GIE 只能用 BSET 或 BCLR 指令操作 无指令操作限制 无 PCLATH 寄存器 程序指针计数器 操作指令 : ADDRA PCL 指令 PC={PCL[9:8],PCL[7:0]}+ALU[7:0] 其它指令 PC={PCL[9:8],{PCL[7:0]+ALU[7:0]}} 有 PCLATH 寄存器 操作指令 :PC={PCLATH[1:0],ALU[7:0] (ALU 运算结果 )} 上海晟矽微电子股份有限公司 14/67

15 2.6 系统控制寄存器 间接寻址寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 INDF INDF7 INDF6 INDF5 INDF4 INDF3 INDF2 INDF1 INDF0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] INDFn 间接寻址寄存器 0 INDF: INDF 不是物理寄存器, 对 INDF 寻址时间上是对 FSR 指向的数据存储器地址进行 访问, 从而实现间接寻址模式 数据指针寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 FSR - - FSR5 FSR4 FSR3 FSR2 FSR1 FSR0 R/W R R R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] FSRn 数据指针寄存器 FSR: 间接寻址模式指针 程序指针计数器低位 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 PCL PC7 PC6 PC5 PC4 PC3 PC2 PC1 PC0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] PCn 程序指针计数器低 8 位 程序指针计数器高位 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 PCLATH PCH1 PCH0 R/W R/W R/W 初始值 BIT[1:0] PCHn 程序指针计数器高 2 位缓冲器 n=1-0 程序指针计数器 (PC) 有以下几种操作模式 顺序运行指令 :PC=PC+1 分支指令 GOTO/CALL:PC=INST[9:0]( 指令码低 10 位 ) 子程序返回指令 RETIE/RETURN/RETAI:PC=TOS( 堆栈栈顶 ) 对 PCL 操作指令 :PC = {PCLATH[1:0],ALU[7:0](ALU 运算结果 )} 上海晟矽微电子股份有限公司 15/67

16 CPU 状态寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 STATUS RST - - TO PD Z DC C R/W R/W - - R R R/W R/W R/W 初始值 X X X BIT[7] RST 唤醒源标志 0: 芯片通过其它唤醒源唤醒 1: 芯片通过 P1 电平变换唤醒 BIT[6:5] 未用 BIT[4] TO 看门狗溢出标志 0: 发生 WDT 溢出 1: 上电复位, 执行 CLRWDT 或 STOP 指令 BIT[3] PD 休眠模式标志 0: 执行 STOP 指令 1: 上电复位, 执行 CLRWDT BIT[2] Z 零标志 0: 算术或逻辑运算的结果不为零 1: 算术或逻辑运算的结果为零 BIT[1] DC 半进位标志 0: 加法运算时低四位没有进位 / 减法运算时有向高四位借位 1: 加法运算时低四位有进位 / 减法运算时没有向高四位借位 BIT[0] C 进位标志 0: 加法运算时没有进位 / 减法运算时有借位发生 / 移位后移出逻辑 0 1: 加法运算时有进位 / 减法运算时没有借位发生 / 移位后移出逻辑 1 上海晟矽微电子股份有限公司 16/67

17 3 系统时钟 MC30P6070 系统时钟通过 OPBIT 中 OSCM 选择高频 RC 振荡器 低频 RC 振荡器 高频晶体振荡器或低频晶体振荡器 指令周期 Fcpu 由 OPBIT 的 FCPUS 配置为 2 个或 4 个振荡周期 3.1 外接晶体振荡器 MC30P6070 可外接 32768Hz/455KHz/4M-16MHz 晶体振荡器, 该振荡器可用于系统低 / 高频时钟 在实际使用中, 用户应使晶体离 OSCI OSCO 引脚的距离尽可能短, 这样有助于振荡器的起振和振荡 的稳定性 下表列出几种频率的晶振选用电容 Cx 的推荐值 晶体频率 电容 Cx 最低起振电压 (V) 16MHz 10pF 2 8MHz 10pF/20pF 1.8 4MHz 10pF/20pF KHz 100pF/220pF Hz 10pF/20pF 1.6 注 : 以上电容值仅供参考 根据不同型号晶振, 添加电容值的大小应以实测为准 3.2 内置高频 RC 振荡器 MC30P6070 的内置高频 RC 振荡器有 250KHz 455KHz 1MHz 2MHz 4MHz 8MHz 16MHz 七种可选 3.3 内置低频 RC 振荡器 MC30P6070 的内置低频 RC 振荡器频率为 32KHz, 低速 RC 振荡器提供 WDT 时钟 3.4 工作模式 MC30P6070 支持高速工作模式 低速工作模式 休眠模式共有 3 种工作模式 工作模式高速工作模式低速工作模式休眠模式 进入条件系统时钟为高频振荡器系统时钟为低频振荡器执行 STOP 指令 系统时钟选择 高速工作模式 低速工作模式 休眠模式 高频振荡器 工作 停止 停止 低频振荡器 工作 工作 停止 上海晟矽微电子股份有限公司 17/67

18 3.5 休眠模式 STOP 指令可使 MCU 进入休眠模式, 同时对 MCU 会产生以下影响 : (1) 系统主时钟的振荡器停止振荡 (2)RAM 内容保持不变 (3) 所有的输入输出端口保持原态不变 (4) 所有的内部操作全部停止 (WDT 不受影响 ) 以下情况使 MCU 退出休眠模式 : (1) 有外部中断请求发生 (2) 有键盘中断请求发生 (3) 有 WDT 溢出发生 (4) 定时器 0 计数溢出发生 (RTC 模式开启 ) (5) 任何形式的系统复位发生 休眠模式下, 系统停止了几乎所有的操作, 所以整体功耗水平非常低 注 1: 进入休眠模式并不会自动打开总中断, 但只要有中断请求发生就唤醒系统, 如果总中断未打开系统继续执行下一条指令, 否则响应中断服务 注 2:MCU 退出休眠模式后, 经过振荡等待 ( 内部高 / 低频等待 16 个周期, 外部高 / 低频等待 1024 个周 期 ) 然后开始工作 上海晟矽微电子股份有限公司 18/67

19 4 复位 4.1 复位条件 MC30P6070 有四种复位方式 上电复位 POR 外部复位 RSTB 低电压复位 LVR 看门狗复位 WDT 任何一种复位发生时, 系统将会重新从 0000H 地址处开始执行指令 ; 另外系统还会将所有的特殊功能寄存器重置为默认初始值 上电复位和低电压复位会关闭系统主时钟的振荡器, 复位解除后才重新打开振荡器, 系统会在上电延时 (PWRT 设置 ) 后经过振荡等待 ( 内部高 / 低频等待 16 个周期, 外部高 / 低频等待 1024 个周期 ) 然后开始工作 外部复位和看门狗复位不会关闭系统主时钟振荡器, 系统会在复位延时 ( 约 0.25ms) 后经过振荡等待 ( 内部高 / 低频等待 16 个周期, 外部高 / 低频等待 1024 个周期 ) 然后开始工作 下图是复位产生和系统工作状态之间的关系示图 电源电压 VLVR VPOR 外部复位 看门狗复位 系统状态 系统复位 上电延时 振荡等待 系统运行 系统复位 复位延时 振荡等待 系统运行系统复位 复位延时 振荡等待 系统运行 系统复位 上电延时 振荡等待 系统运行 系统时钟 上海晟矽微电子股份有限公司 19/67

20 4.2 上电复位 MC30P6070 的上电复位电路可以适应快速 慢速上电的情况, 并且当芯片上电过程中出现电源电压抖动时都能保证系统可靠的复位 上电复位过程系统工作步骤 : 等待电压高于 VPOR 并保持稳定 开启内部低频振荡器加载 OPBIT, 并根据 OPBIT 设置开启相应振荡器和进行相应时间的上电延时 如果外部复位功能开启, 则需等待复位引脚电压高于 VIH 才开始上电延时计数 等待电压高于 VLVR 才开始上电延时计数 上电延时结束, 振荡等待结束后系统开始执行指令 4.3 外部复位 外部复位功能是否开启可以通过 OPBIT 的 MCLRE 配置, 选择外部复位功能后复位引脚的内部上 拉电阻自动有效 外部复位引脚 RSTB 是施密特结构的, 低电平有效 当外复位引脚为高电平时, 系统 正常运行 ; 为低电平时, 系统产生复位 4.4 低电压复位 MC30P6070 的 LVR 电压有 7 级 ( 详见烧录配置选项 ), 通过 OPBIT 的 VLVRS 进行配置 电压检 测电路有一定的回滞特性, 通常回滞电压为 0.1V 左右, 则当电源电压下降到 LVR 电压时 LVR 复位有效, 而电压需要上升到 LVR 电压 +0.1V 时 LVR 复位才会解除 4.5 看门狗复位 看门狗复位是一种对程序正常运行的保护机制 正常情况下, 用户软件需要按时对 WDT 定时器进 行清零操作, 保证 WDT 不溢出 若出现异常状况, 程序未按时对 WDT 定时器清零,WDT 会溢出从而 产生看门狗复位, 系统重新初始化, 返回受控状态 上海晟矽微电子股份有限公司 20/67

21 5 IO 口 5.1 IO 工作模式 MC30P6070 有 5 个通用双向 IO 口 (P15-P14 P12-P10) 和 1 个开漏 IO 口 (P13) 每一个 IO 口都 有相应的数据寄存器 (P1) 和方向寄存器 (DDR1) 控制, 功能如下表所示 R/W DDR 功能 W 1 IO 口处于输入状态 ; 数据写到数据寄存器中, 端口状态不受影响 W 0 IO 口处于输出状态 ; 数据写到数据寄存器中, 端口状态与数据寄存器同时改变 当 IO 处于输出时, 读 IO 时可以通过 OPBIT 的 RDPORT 选读输出寄存器还是读端口状态 端口数据寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 P1 - - P15D P14D P13D P12D P11D P10D R/W - - R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 - - X X X X X X BIT[5:0] P1n P1 口数据位 (n=5-0) 端口方向寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 DDR1 - - DDR15 DDR14 DDR13 DDR12 DDR11 DDR10 R/W - - R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[5:0] DDR1n P1 口方向寄存器 (n=5-0) 1: 作为输入口 0: 作为输出口 注 1:P13 可通过 OPBIT 的 MCLRE 设置为外部复位管脚, 此时端口施密特有效, 并且上拉电阻有效 注 2:P13 可通过 OPBIT 的 ODSEL 设置为输入 / 开漏输出, 端口方向由 DDR13 设置, 作输入时上拉电阻可通过 PUCON 中 P13PU 设置 5.2 上拉 下拉电阻和开漏控制 P1 口可通过 PUCON 选择是否接上拉电阻, 上拉电阻在端口置为输入状态时有效, 置为输出状态时 无效 P12-P10 口可通过 PDCON 选择是否接下拉电阻, 下拉电阻在端口置为输入状态时有效, 置为输 出状态时无效 P1 口可通过 ODCON 控制 P1 端口是否使能开漏输出 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 PDCON - P12PD P11PD P10PD R/W - R/W R/W R/W 初始值 BIT[6:4] P1Npd P1 口下拉电阻选择 (n=2-0) 上海晟矽微电子股份有限公司 21/67

22 1:P1n 端口下拉电阻无效 0:P1n 端口下拉电阻有效 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 PUCON - - P15PU P14PU P13PU P12PU P11PU P10PU R/W - - R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[5:0] P1Npu P1 口上拉电阻选择 (n=5-0) 1:P1n 上拉电阻无效 0:P1n 上拉电阻有效 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 ODCON - - P15OD P14OD - P12OD P11OD P10OD R/W - - R/W R/W - R/W R/W R/W 初始值 BIT[5:0] P1Nod P1 口开漏输出选择 (n= ) 1:P1n 端口使能开漏输出 0:P1n 端口为普通推挽输出口 上海晟矽微电子股份有限公司 22/67

23 6 定时器 6.1 定时器 T0 芯片配置及运行状态 OSCI RTC 模式使能 OSCO TCC0 振荡电路 Fcpu 0 1 MUX 1 1 MUX 0 MUX 0 数据总线 8 T0CNT 寄存器 溢出时将 T0IF 标志位置 1 TBS PTA T0SE T0CS 看门狗定时器 0 1 MUX 8 位预分频器 PR[2:0] 1 0 MUX WDT 溢出 WDT 配置字 &WDTEN PTA MC30P6070 的定时器 T0 由 8 位计数器 T0CNT, 控制寄存器 T0CR 组成 T0CNT 的时钟 T0CK 来自系统主时钟 Fcpu 或外部管脚 TCC0 预分频器为定时器 T0 与 WDT 定时 器共用, 当 T0PTA=0 时, 预分频器分配给 T0 使用 ;T0PTA=1 时, 预分频器分配给 WDT 使用 分频系 数由 T0PR[2:0] 决定 T0CNT 是一个递增计数器, 它的值可以读写, 当计数到从 FFH 溢出到 0 时, 产生 T0 溢出信号, 将 中断标志位 T0IF 置 1 T0 计数周期公式 :T T0 = 分频数 /Fcpu 芯片配置为 RTC 模式, 当 TM0CR 的 TBS 位置 1 时,TIMER0 进入 RTC 模式, 此时将自动外部 32768Hz 晶体振荡器作为 T0 的时鈡 在 RTC 模式下,T0 在 STOP 状态下继续工作, 计数溢出可唤醒 CPU PTA 上海晟矽微电子股份有限公司 23/67

24 与定时器 T0 相关的寄存器说明 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T0CR - INTOM T0PTS T0SE T0PTA T0PR2 T0PR1 T0PR0 R/W - R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] 保留 BIT[6] INTOM 外部中断触发方式 0: 外部中断源下降沿触发中断 1: 外部中断源上升沿触发中断 BIT[5] T0PTS T0 时钟源选择 0: T0 时钟源为 CPU 运行时钟 1: T0 时钟源为 TCC0 BIT[4] T0SE TCC0 计数方式 0:TCC0 上升沿计数 1:TCC0 下降沿计数 BIT[3] T0PTA 预分频器分配 0: 预分频器分配给 T0 1: 预分频器分配给 WDT BIT[2:0] T0PR[2:0] T0 预分频倍数选择 T0 和 WDT 共用预分频器的分频率的选择位, 系统复位时被置为 111B T0PR[2:0] 的值和 分频倍数的对应关系见下表 T0PR[2] T0PR [1] T0PR [0] T0 WDT Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TM0CR TBS T1IE T1IF R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] TBS T0 时钟选择 0:T0 计数时钟由 T0PTS 决定 1:T0 以外部低频振荡器作为计数时钟 BIT[1] T1IE 定时器 1 中断使能 0: 屏蔽定时器 1 中断 1: 使能定时器 1 中断 BIT[0] T1IF 定时器 1 中断标志 0: 未发生定时器 1 中断 上海晟矽微电子股份有限公司 24/67

25 1: 发生定时器 0 中断 ( 需软件清零 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T0CNT T0C7 T0C6 T0C5 T0C4 T0C3 T0C2 T0C1 T0C0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 X X X X X X X X BIT[7:0] T0C[7:0] T0CNT 的值, 这是一个读写寄存器, 用于设定定时时间 注 : 当 T0 需要 1 分频时, 把预分频器分给 WDT; 当 WDT 需要 1 分频时, 把预分频器分给 T0; 但无法实现两者都是 1 分频 6.2 定时器 T1 定时 / 计数器 T1 包含 1 个可编程预分频器, 控制寄存器 重载寄存器及比较寄存器 可通过预分频比设置频率 通过重载寄存器设置周期 通过比较寄存器设置 PWM 占空比 ( 仅 PWM 模式 ) BUZ 功能 溢出中断功能 溢出唤醒功能 T1DAT 溢出 /128 FCPU FOSC TCC1 ~TCC T1PTS 分频器 /8 /4 /2 /1 T1PR TC1EN T1DAT BUFFER T1CNT 溢出 T1LOAD /2 BUZ 端口输出 1 0 PWM 1 0 PWM0E 0 端口输出 1 PWMOE P12 端口 BUZE T1PTS 可选择 T1 的时钟源,T1PR 可选择 T1 的预分频比, 所选中的时钟源通过预分频器后产生 T1CNT 的时钟 当 T1CNT 递减到 0 时, 此时产生 T1 溢出中断请求标志 T1IF 置 1, 重载寄存器值自动置入 T1CNT, T1DATA 的值写入缓冲器 T1DATA BUFER 用于新的占空比波形生成,BUZ 信号反相 通过 T1PR 可选择时钟源的分频比, 可选择范围为 分频, 对 T1CNT 的写操作将使内部预分频计数清零, 分频比保持不变 当 PWMOE=1 时, 将输出 PWM 波形, 当 T1CNT 计数到与 T1DATA 相等时,PWM 输出置 1; 当 T1CNT 计数溢出时,PWM 输出清 0,PWM 占空比的计算如下 : PWM 高电平时间 = (T1DATA)* T1CNT 计数时钟周期 PWM 周期 (T1 的溢出周期 ) = (T1LOAD+1)*T1CNT 的计数周期 PWM 占空比 = (T1DATA/(T1LOAD+1)) 当 BUZOE=1 且 PWMOE=0 时, 输出 BUZ 信号,BUZ 信号的输出频率为 T1 溢出频率的 2 分频 上海晟矽微电子股份有限公司 25/67

26 与定时器 T1 相关的寄存器说明如下 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T1CR TC1EN PWME BUZE T1PTS1 T1PTS0 T1PR2 T1PR1 T1PR0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] BIT[6] BIT[5] BIT[4:3] TC1EN T1 使能控制 0: 关闭 T1 1: 启动 T1 PWME PWM 选择 0: 禁止 PWM 输出,P12 端口作为 I/O 口 1: 允许 PWM 输出 (PWMOE=0), P12 端口输出 PWM 信号 BUZE BUZ 选择 0: 禁止 BUZ 输出,P12 端口作为 I/O 口 1: 允许 BUZ 输出 (PWME=0), P12 端口输出 BUZ 信号 T1PTS[1:0] T1 时钟源选择 T1PTS[1:0] T1 时钟源 00 FCPU 01 FOSC 10 TCC1 上升沿 BIT[2:0] T1PR[2:0] T1 预分频倍数选择 11 TCC1 下降沿 T1PR2 T1PR1 T1PR0 T1CNT Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T1CNT T1C7 T1C6 T1C5 T1C4 T1C3 T1C2 T1C1 T1C0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T1C[7:0] T1CNT 的值, 这是一个读写寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T1LOAD T1LOAD7 T1LOAD6 T1LOAD5 T1LOAD4 T1LOAD3 T1LOAD2 T1LOAD1 T1LOAD0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T1LOAD[7:0] T1LOAD 的值, 这是一个读写寄存器, 用于设置 T1 重载值 上海晟矽微电子股份有限公司 26/67

27 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T1DAT T1DAT7 T1DAT6 T1DAT5 T1DAT4 T1DAT3 T1DAT2 T1DAT1 T1DAT0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7:0] T1DAT[7:0] 这是一个读写寄存器, 用于设置 PWM 高电平时间 注 : 当 TC1EN=0 时, 写 T1LOAD 将自动加载到 T1CNT; 当 TC1EN=1 时, 写 T1LOAD 时不自动加载到 T1CNT, 在 T1 溢出时自动加载到 T1CNT 上海晟矽微电子股份有限公司 27/67

28 6.3 WDT 定时器 WDT 定时器的时钟源于低频 RC 振荡器, 并可以选择是否经过预分频器 WDT 定时器可以用来产生 WDT 复位或唤醒休眠模式 WDT 振荡器是否开启由 OPBIT 的 WDTE 配置和软件的 WDTEN 位共同决定 只有 WDTEN 为 0 时,WDT 定时器被软禁止 ; 为 1 时软使能, 若要 WDT 使能还需要 OPBIT 的 WDTE 使能 因为 WDT 定时器的时钟源与系统主时钟无关, 所以, 即使系统进入休眠模式,WDT 定时器仍会工作, 但在休眠模式下 WDT 只能产生唤醒信号, 并不会产生复位信号 在正常工作下, 当 WDT 计数溢出时, 芯片复位 WDT 的基本溢出时间由 OPBIT 的 TWDT 决定, 无分频的周期范围是 4.5ms~288ms WDT 和 T0 共用分频器, 当分频器给 T0 时,WDT 为 1 分频 ( 无分频 ); 反之当分频器给 WDT 时 T0 为 1 分频 ( 无分频 ), 由 T0PTA(T0CR[3])) 位决定 若要更长的时间可对 WDT 分频, 分频后 WDT 溢出时间为基本溢出时间的分频倍数, 例如基本时间选 18ms, 然后软件配置为 4 分频, 则溢出时间为 18*4=72ms Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 MCR WDTEN EIS LVDF - LVDSEL2 LVDSEL1 LVDSEL0 LVDEN R/W R/W R/W R/W - R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] WDTEN 看门狗使能位 0: 看门狗关闭 1: 看门狗开启 BIT[6] EIS 外部中断源使能位 0: 外部中断源无效 1: 外部中断源有效 BIT[5] LVDF LVD 标志位 0:VDD 高于 LVDSEL 电压值或 LVD 关闭 1:VDD 低于 LVDSEL 电压值 BIT[3:1] LVDSEL LVD 电压选择位 000:1.8V 001:2.4V 010:3.0V 011:3.3V 100:3.6V 101:3.8V 110:4.0V 111:4.0V BIT[0] LVDEN LVD 使能位 0:LVD 关闭 1:LVD 开启 上海晟矽微电子股份有限公司 28/67

29 7 中断 MC30P6070 的中断有外中断 键盘中断和定时器中断 外部中断 键盘中断和定时器中断可被 INTECON 的 GIE 位屏蔽 中断响应过程如下 当发生中断请求时,CPU 将相关下一条要执行的指令的地址压栈保存 ( 累加器 ACC 和状态寄存器需要软件保护 ), 对中断屏蔽位 GIE 清 0, 禁止中断响应 与复位不同, 硬件中断不停止当前指令的执行, 而是暂时挂起中断直到当前指令执行完成 CPU 执行中断时, 程序跳到中断向量 0008H 地址开始执行中断代码, 中断代码应该先保存累加器 ACC 和状态寄存器, 然后判断是哪一个中断响应 执行中断内容后应该恢复累加器 ACC 和状态寄存器, 然后执行 RETIE 返回主程序 这时, 从堆栈取出 PC 的值, 然后从中断发生时的那条指令的后一条指令继续执行 MC30P6070 的中断向量地址是 0008H 7.1 外中断 MC30P6070 有 1 路外部中断源 INT0(P10), 可以通过 INTM 位设置为上升沿触发 下降沿触发两种模式, 当外部中断触发时, 外部中断标志 INTIF 将被置 1, 若中断总使能位 GIE 为 1 且外部中断使能位 INTIE 为 1 且外部中断源使能位 EIS 为 1, 则产生外部中断 注 : 要使用外中断 INT0, 还必须将 P10 口设成输入状态 7.2 定时器中断 定时器 T0 或 T1 溢出时会置位中断标志 T0IF 或 T1IF, 若中断总使能位 GIE 为 1 且定时器中断使能 位 T0IE 或 T1IE 为 1, 则产生定时器中断 7.3 键盘中断 MC30P6070 有 6 路键盘中断源,6 路中断源可以通过 KBIM 寄存器单独屏蔽, 任意一路未被屏蔽的 中断源电平发生变换时, 触发键盘中断请求, 键盘中断标志 (KBIF) 将被置 1, 若中断总使能位 GIE 为 1 且键盘中断使能位 (KBIE) 为 1, 则产生键盘中断 上海晟矽微电子股份有限公司 29/67

30 7.4 中断相关寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 INTECON GIE INTIE KBIE T0IE R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[7] GIE 总中断使能 0: 屏蔽所有中断 1: 中断源是否产生中断有相应的控制位决定 BIT[2] INTIE 外部中断使能 0: 屏蔽外部中断 1: 使能外部中断 BIT[1] KBIE 键盘中断使能 0: 屏蔽键盘中断 1: 使能键盘中断 BIT[0] T0IE 定时器 0 溢出中断使能 0: 屏蔽定时器 0 溢出中断 1: 使能定时器 0 溢出中断 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 INTFLAG INTIF KBIF T0IF R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[2] INTIF 外部中断中断标志 0: 未发生外部中断中断 1: 发生外部中断中断, 需软件清零 BIT[1] KBIF 键盘中断标志 0: 未发生键盘中断 1: 发生键盘中断, 需软件清零 BIT[0] T0IF 定时器 0 中断标志 0: 未发生定时器 0 中断 1: 发生定时器 0 中断 ( 需软件清零 ) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 KBIM - - KBIM5 KBIM4 KBIM3 KBIM2 KBIM1 KBIM0 R/W - - R/W R/W R/W R/W R/W R/W 初始值 BIT[5:0] KBIMn P1n 口键盘中断允许位 (n=5-0) 0: 不允许键盘中断 1: 允许键盘中断 上海晟矽微电子股份有限公司 30/67

31 8 电气参数 8.1 极限参数 参数 符号 值 单位 工作电压 VDD -0.3~6.0 V 输入电压 VIN GND-0.3~VDD+0.3 V 工作温度 TA -40~85 储存温度 Tstg -65~150 流过 VDD 最大电流 IVDDmax 50 ma 流过 GND 最大电流 IGNDmax 50 ma 8.2 直流电气参数 VDD=5V,TA=25 特性 符号 引脚 条件 最小 典型 最大 单位 FCPU=0~8MHz( 内部振荡器 ) V FCPU=9MHz( 内部振荡器 ) V FCPU=0~4MHz( 内部振荡器 ) V FCPU=0~2MHz( 内部振荡器 ) V 工作电压 VDD FCPU=0~1MHz( 内部振荡器 ) V FCPU=0~500KHz( 内部振荡器 ) V FCPU=0~455KHz/2( 内部振荡器 ) V FCPU=0~32KHz( 内部振荡器 ) V 输入漏电 ILEAK 所有输入脚 VIN=VDD,0-1 1 ua SMTEN=1,SMTSEL=1 输入高电平 0 VIH0 所有输入脚 VDD=5V 2 V VDD=3V 1.6 V SMTEN=1,SMTSEL=1 输入低电平 0 VIL0 所有输入脚 VDD=5V 0.8 V VDD=3V 0.6 V 输入高电平 1 VIH1 所有输入脚 SMTEN=1,SMTSEL=0 VDD=5V/3V 0.8VDD V 输入低电平 1 VIL1 所有输入脚 SMTEN=1,SMTSEL=0 VDD=5V/3V 0.2VDD V SMTEN=0,SMTSEL=X 输入高电平 2 VIH2 所有输入脚 VDD=5V 2 V VDD=3V 1.5 V 输入低电平 2 VIL2 所有输入脚 SMTEN=0,SMTSEL=X 1.0 V 上海晟矽微电子股份有限公司 31/67

32 VDD=5V VDD=3V 0.7 V 上拉电阻 1 RPU1 P10-P15 RESSEL=0,VIN=0,VDD=5V KΩ RESSEL=0,VIN=0,VDD=3V KΩ 上拉电阻 2 RPU2 P10-P15 RESSEL=1,VIN=0,VDD=5V KΩ VIN=VDD,VDD=5V KΩ 下拉电阻 RPD P10-P12 VIN=VDD,VDD=3V KΩ 输出高电平驱动电流 IOH 所有输出脚 VOH=VDD-0.7V,VDD=5V 6 ma 输出低电平驱动电流 IOL 所有输出脚 VOL=0.7V,VDD=5V 10 ma 静态功耗 1 ISB1 VDD 关 LVR LVD, 关 WDT ua 静态功耗 2 ISB2 VDD 关 LVR, 开 LVD, 关 WDT ua 静态功耗 3 ISB3 VDD 开 LVR, 关 LVD, 关 WDT ua 静态功耗 4 ISB4 VDD 开 LVR LVD, 关 WDT ua 静态功耗 5 ISB5 VDD 关 LVR LVD, 开 WDT,VDD=5V ua 关 LVR LVD, 开 WDT,VDD=3V ua 静态功耗 6 ISB6 VDD 关 LVR LVD,RTC 模式,VDD=5V ua 关 LVR LVD,RTC 模式,VDD=3V ua FCPU=8MHz@HIRC=16M/2T 2 ma FCPU=8MHz@XT=16M/2T 2.5 ma FCPU=4MHz@HIRC=8M/2T 1 ma FCPU=4MHz@XT=8M/2T 1.5 ma FCPU=2MHz@HIRC=4M/2T 550 ua FCPU=2MHz@XT=4M/2T 1.2 ma FCPU=1MHz@HIRC=2M/2T 300 ua FCPU=500KHz@HIRC=1M/2T 250 ua 动态功耗 IDD VDD FCPU=455KHz/2T@HIRC=455K 220 ua FCPU=455KHz/2T@XT=455K 350 ua 开低功耗, 开 LVR LVD, FCPU=LIRC/2T,VDD=5V 9.2 ua 开低功耗, 开 LVR LVD, FCPU=LIRC/2T,VDD=3V 7.2 ua 开低功耗, 开 LVR LVD, FCPU=FLEXT32K/2T,VDD=5V 22.2 ua 开低功耗, 开 LVR LVD,FCPU= FLEXT32K/2T,VDD=3V 9.2 ua 上电复位电压 VPOR VDD VLVRS= V 低电压复位电压 VLVR VDD VLVRS=001-5% % V VLVRS=010-5% % V VLVRS=011-5% % V VLVRS=100-5% % V 上海晟矽微电子股份有限公司 32/67

33 VLVRS=101-5% % V VLVRS=110-5% % V VLVRS=111-5% % V LVDSEL=000-5% % V LVDSEL=001-5% % V LVDSEL=010-5% % V 低电压检测电压 VLVD VDD LVDSEL=011-5% % V LVDSEL=100-5% % V LVDSEL=101-5% % V LVDSEL=11x -5% % V 上海晟矽微电子股份有限公司 33/67

34 8.3 交流电气参数 VDD=5V,TA=25 特性 符号 条件 最小 典型 最大 单位 -1% 16/18/14 +1% MHz 内部高频 RC16M/18M/14MHz 振 TA=-40 FHIRC1 荡频率 ~85-2% 16/18/14 +2% MHz VDD=2 ~5V 内部低频 RC 振荡频率 FLIRC -50% % KHz 外部 16MHz 晶体起振电压 VXT16M 2 V 外部 8MHz 晶体起振电压 VXT8M 1.8 V 外部 4MHz 晶体起振电压 VXT4M 1.8 V 外部 455KHz 晶体起振电压 VXT455K 1.8 V 外部 32768Hz 晶体起振电压 VLEXT 1.6 V 外部 32768Hz 晶体起振时间 FLEXT 1 S 上海晟矽微电子股份有限公司 34/67

35 IOL(mA) IOH(mA) MC30P6070 用户手册 V1.0 9 特性曲线图 注 : 本节列出的特性曲线图仅作为设计参考, 部分数据可能超出芯片额定的工作条件范围, 为保证芯片 能正常工作, 请严格按照电气特性说明 9.1 IO 输出高电平驱动电流 VS 输出电平 IO 输出高电平驱动电流 VS IO 输出电平 (V) 9.2 IO 输出低电平驱动电流 VS 输出电平 IO 输出低电平驱动电流 VS IO 输出电平 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 35/67

36 施密特电压 (V) 施密特电压 (V) 9.3 输入高低电平 VS 电源电压 MC30P6070 用户手册 V1.0 普通 IOVIH &VILVS 电源电压 (V) VIH VIL VPP 引脚 VIH &VILVS 电源电压 (V) VIH VIL 上海晟矽微电子股份有限公司 36/67

37 施密特电压 (V) 施密特电压 (V) MC30P6070 用户手册 V1.0 普通 IOVIH &VILVS 电源电压 (V) VIH VIL VPP 引脚 VIH &VILVS VIH VIL 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 37/67

38 上拉电阻 (KΩ) 上拉电阻 (KΩ) 9.4 上拉电阻 VS 电源电压 MC30P6070 用户手册 V1.0 上拉电阻 VS 电源电压 (V) 普通 IO P13/VPP 上拉电阻 VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 38/67

39 动态功耗 (ma) 下拉电阻 (KΩ) MC30P6070 用户手册 V 下拉电阻 VS 电源电压 下拉电阻 VS 普通 IO 电源电压 (V) 9.6 内部 16MHz 动态功耗 VS 电源电压 2.50 动态功耗 VS 电源电压 M/2T 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 39/67

40 动态功耗 (ma) 动态功耗 (ma) MC30P6070 用户手册 V 内部 8MHz 动态功耗 VS 电源电压 1.40 动态功耗 VS 电源电压 M/2T 电源电压 (V) 9.8 内部 4MHz 动态功耗 VS 电源电压 0.80 动态功耗 VS 电源电压 M/2T 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 40/67

41 动态功耗 (ua) 动态功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V 内部 2MHz 动态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS 电源电压 M/2T 电源电压 (V) 9.10 内部 1MHz 动态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS 电源电压 M/2T 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 41/67

42 动态功耗 (ma) 动态功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V 内部 455KHz 动态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS 电源电压 k/2T 电源电压 (V) 9.12 外部 16MHz 晶振动态功耗 VS 温度 动态功耗 VS 温度 ( ) 16M/4T 上海晟矽微电子股份有限公司 42/67

43 动态功耗 (ua) 动态功耗 (ma) MC30P6070 用户手册 V 外部 16MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 2.0 动态功耗 VS M/4T 电源电压 (V) 9.14 外部 8MHz 晶振动态功耗 VS 温度 动态功耗 VS 2,000 1,800 1,600 1,400 1,200 1, 温度 ( ) 8M/4T 上海晟矽微电子股份有限公司 43/67

44 动态功耗 (ua) 动态功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V 外部 8MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 1,500 动态功耗 VS 1, M/4T 电源电压 (V) 9.16 外部 4MHz 晶振动态功耗 VS 温度 1, 动态功耗 VS 温度 ( ) 4M/4T 上海晟矽微电子股份有限公司 44/67

45 动态功耗 (ua) 动态功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V 外部 4MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 1,200 动态功耗 VS 1, M/4T 电源电压 (V) 9.18 外部 2MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS 电源电压 电源电压 (V) 2M/4T 上海晟矽微电子股份有限公司 45/67

46 动态功耗 (ua) 动态功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V 外部 1MHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS 电源电压 M/4T 电源电压 (V) 9.20 外部 455KHz 晶振动态功耗 VS 温度 动态功耗 VS 1, 温度 ( ) 455K/4T 上海晟矽微电子股份有限公司 46/67

47 动态功耗 (ua) 动态功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V 外部 455KHz 晶振动态功耗 VS 电源电压 动态功耗 VS K/4T 电源电压 (V) 9.22 LIRC 动态功耗 VS 电源电压 LIRC 动态功耗 VS 电源电压 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 47/67

48 动态功耗 (ua) LIRC 功耗 (ua) 9.23 LIRC 动态功耗 VS 温度 MC30P6070 用户手册 V LIRC 功耗 VS 温度 ( ) Hz 晶体动态功耗 VS 电源电压 晶体动态功耗 VS 电压 电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 48/67

49 动态功耗 (ua) 功耗 (ua) MC30P6070 用户手册 V RTC 模式 (32768Hz 晶体 ) 功耗 VS 温度 25.0 RTC 模式 (32768 晶体 ) 功耗 VS 温度 ( ) 9.26 RTC 模式 (32768Hz 晶体 ) 功耗 VS 电源电压 30.0 RTC 模式 (32768 晶体 ) 功耗 VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 49/67

50 STOP 功耗 (ua) STOP 功耗 (ua) 9.27 STOP 功耗 VS 温度 MC30P6070 用户手册 V STOP 功耗 VS 温度 ( ) 9.28 STOP 功耗 VS 电源电压 0.20 STOP 功耗 VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 50/67

51 STOP 功耗 (ua) STOP 功耗 (ua) 9.29 WDT 功耗 VS 温度 MC30P6070 用户手册 V WDT 功耗 VS 温度 ( ) 9.30 WDT 功耗 VS 电源电压 2.0 WDT 功耗 VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 51/67

52 电压 (V) 电压 (V) MC30P6070 用户手册 V LVD 电压 VS 温度 1.8V LVD 上升下降电压 VS LVD 上升 LVD 下降 温度 ( ) 2.4V LVD 上升下降电压 VS 温度 ( ) LVD 上升 LVD 下降 上海晟矽微电子股份有限公司 52/67

53 电压 (V) 电压 (V) MC30P6070 用户手册 V1.0 3V LVD 上升下降电压 VS 温度 ( ) LVD 上升 LVD 下降 V LVD 上升下降电压 VS 温度 ( ) LVD 上升 LVD 下降 上海晟矽微电子股份有限公司 53/67

54 电压 (V) 电压 (V) MC30P6070 用户手册 V V LVD 上升下降电压 VS 温度 ( ) LVD 上升 LVD 下降 V LVD 上升下降电压 VS 温度 ( ) LVD 上升 LVD 下降 上海晟矽微电子股份有限公司 54/67

55 HIRC 频率 (MHz) 电压 (V) MC30P6070 用户手册 V1.0 4V LVD 上升下降电压 VS 温度 ( ) LVD 上升 LVD 下降 9.32 HIRC=16MHz 频率 HIRC 频率 (16M)VS 温度 ( ) 上海晟矽微电子股份有限公司 55/67

56 HIRC 频率 (MHz) HIRC 频率 (MHz) MC30P6070 用户手册 V1.0 HIRC 频率 (16M)VS 电压 (V) HIRC 频率 (16M)VS 温度 VS 电源电压 V 3V 4V 5V 温度 ( ) 上海晟矽微电子股份有限公司 56/67

57 HIRC 频率 (MHz) HIRC 频率 (MHz) 9.33 HIRC=18MHz 频率 MC30P6070 用户手册 V1.0 HIRC 频率 (18M)VS 温度 ( ) HIRC 频率 (18M)VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 57/67

58 HIRC 频率 (MHz) HIRC 频率 (MHz) 9.34 HIRC=14MHz 频率 MC30P6070 用户手册 V1.0 HIRC 频率 (14M)VS 温度 ( ) 电源电压 HIRC 频率 (14M)VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 58/67

59 HIRC 频率 (KHz) HIRC 频率 (KHz) 9.35 HIRC=455KHz 频率 MC30P6070 用户手册 V HIRC 频率 (455K)VS 温度 ( ) HIRC 频率 (455K)VS 电源电压 (V) 上海晟矽微电子股份有限公司 59/67

60 POR 电压 (V) HIRC 频率 (KHz) MC30P6070 用户手册 V1.0 HIRC 频率 (455K)VS 温度 VS 电源电压 V 3V 4V 5V 温度 ( ) 9.36 POR 电压 VS 温度 POR 电压 VS 温度 温度 ( ) POR 上升 POR 下降 上海晟矽微电子股份有限公司 60/67

61 POR 电压 (V) POR 电压 (V) MC30P6070 用户手册 V 外部 16MHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部晶体 (16M) 起振 维持振荡电压 VS 温度 起振电压 1.75 维持振荡电压 温度 ( ) 9.38 外部 8MHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部晶体 (8M) 起振 维持振荡电压 VS 温度 起振电压 维持振荡电压 温度 ( ) 上海晟矽微电子股份有限公司 61/67

62 POR 电压 (V) POR 电压 (V) MC30P6070 用户手册 V 外部 4MHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部晶体 (4M) 起振 维持振荡电压 VS 温度 温度 ( ) 起振电压 维持振荡电压 9.40 外部 455KHz 晶振起振 维持振荡电压 VS 温度 外部晶体 (455K) 起振 维持振荡电压 VS 温度 温度 ( ) 起振电压 维持振荡电压 上海晟矽微电子股份有限公司 62/67

63 电源电压 (V) LIRC 频率 (KHz) MC30P6070 用户手册 V LIRC=32KHz 频率 LIRC 频率 (32K)VS 温度 ( ) 2V 3V 4V 5V 9.42 最低工作电压 VS 系统时钟 FCPU 关系图 注 : 系统最低工作电压和系统工作频率 FCPU 有关, 不同的工作频率 FCPU 最低工作电压不同 如下图所示, 当工作频率提高时系统正常工作电压也随之提高, 但由于 POR 电压固定 (1.2V@25 ), 在系统最低工作电压和 PO R 电压之间就会出现一个不能正常工作的电压区域, 此区域系统不能正常工作也不会产生 POR 复位, 称之为死区, 必须根据不同的工作频率设置大于死区电压的 LVR 电压避免出 现死区 3.0 最低工作电压 VS 系统时钟 FCPU 死区 K 500K 1M 2M 4M 8M FCPU 频率 (Hz) 考虑到批量稳定性, 建议 LVR 电压值高于死区电压 0.3V, 故推荐 LVR 电压选择如下 上海晟矽微电子股份有限公司 63/67

64 FCPU 频率 (Hz) 死区电压 (V) 推荐 LVR 电压值 (V) 8MHz MHz MHz MHz KHz Hz/ 如果使用外部晶体振荡器, LVR 电压值一定要高于晶体最低起振电压值 上海晟矽微电子股份有限公司 64/67

65 10 封装外形尺寸 SOP8 SYMBOL MILLIMETER MIN MAX D A A A3 A2 A1 A c θ L L1 A A b b c b b1 c D E1 E BASE METAL c1 c WITH PLATING SECTION B-B E E e 1.27BSC b e B B L L1 1.05BSC θ 0 8 DIP8 SYMBOL MILLIMETER MIN MAX A A3 A2 A A B B b B1 e A1 L ea eb ec A A b b D E1 BASE METAL b b1 c1 c WITH PLATING SECTION B-B B1 1.52BSC c c D E e 2.54BSC ea 7.62BSC eb ec L 上海晟矽微电子股份有限公司 65/67

66 SOT23-6 D e A2 A3 A1 A θ L MILLIMETER SYMBOL MIN MAX A A A A E1 E BASE METAL b b1 c1 c WITH PLATING SECTION B-B b b c c D b B B E E e 0.95BSC L θ 0 8 上海晟矽微电子股份有限公司 66/67

67 11 版本修订记录 版本号修订日期修订内容 V /5/31 新建 上海晟矽微电子股份有限公司 67/67