子系列数据手册

Freescale Semiconductor Document Number MKE06P80M48SF0 数据手册 : 技术数据 Rev 3, 5/04 KE06 子系列数据手册支持以下产品 :MKE06Z64VLD4(R) MKE06Z8VLD4(R) MKE06Z64VQH4(R) MKE06Z8VQH4(R) MKE06Z64VLH4(R) MKE06Z8VLH4(R) MKE06Z64VLK4(R) 和 MKE06Z8VLK4(R) 主要功能 工作范围 电压范围 :.7 至 5.5 V Flash 编程电压范围 :.7 至 5.5 V 温度范围 ( 环境 ):-40 至 05 C 性能 最高 48 MHz 的 ARM Cortex-M0+ 内核 单周期 3 位 x 3 位乘法器 单周期 I/O 访问端口 存储器和存储器接口 最高 8 KB 的 Flash 最高 6 KB 的 RAM 时钟 振荡器 (OSC) - 支持 3.768 khz 晶振或 4 MHz 至 4 MHz 晶振或陶瓷谐振器 ; 可选择低功耗或高增益振荡器 内部时钟源 (ICS) - 内部 FLL, 集成内部或外部基准时钟源 37.5 khz 预校准内部基准时钟源, 可用于 48 MHz 系统时钟 内部 khz 低功耗振荡器 (LPO) 系统外设 电源管理模块 (PMC) 有三个功率模式 : 运行 待机和停止 可复位 中断并带可选跳变点的低压检测 (LVD) 带独立时钟源的看门狗 (WDOG) 可配置循环冗余校验 (CRC) 模块 串行线调试 (SWD) 接口 SRAM 位操作映射区域 (BIT-BAND) 位处理引擎 (BME) MKE06P80M48SF0 安全性和完整性模块 每个芯片拥有 80 位唯一标识 (ID) 号 人机接口 最多 7 个通用输入 / 输出 (GPIO) 两个 3 位键盘中断 (KBI) 模块 外部中断 (IRQ) 模块 模拟模块 一个 6 通道, 位 SAR ADC, 可工作在停止模式, 可选硬件触发源 (ADC) 两个包含 6 位 DAC 和可配置参考输入的模拟比较器 (ACMP) 定时器 一个 6 通道 FlexTimer/PWM (FTM) 两个 通道 FlexTimer/PWM (FTM) 一个 通道周期性中断定时器 (PIT) 一个脉宽计数器 (PWT) 一个实时时钟 (RTC) 通信接口 两个 SPI 模块 (SPI) 三个 UART 模块 (UART) 两个 IC 模块 (IC) 一个 MSCAN 模块 (MSCAN) 封装选项 80 引脚 LQFP 64 引脚 QFP/LQFP 44 引脚 LQFP Freescale reserves the right to change the detail specifications as may be required to permit improvements in the design of its products. 03 04 Freescale Semiconductor, Inc.

目录 订购器件...3 5.. FTM 模块时序... 6. 确定有效的可订购器件... 3 器件标识...3. 说明... 3. 格式... 3.3 字段... 3.4 示例... 4 3 参数分类...4 4 额定值...4 4. 热学操作极限... 4 4. 湿度操作极限... 5 4.3 ESD 操作额定值...5 4.4 电压和电流操作额定值... 5 5 通用...6 5. 静态电气规格... 6 5.. DC 特性... 6 5.. 电源电流特性... 5..3 EMC 性能... 4 5. 动态规格... 5 5.. 控制时序...5 5.3 热规格... 7 5.3. 热特性...7 6 模块工作要求和行为...8 6. 内核模块... 8 6.. SWD 电气规格...8 6. 外部振荡器 (OSC) 和 ICS 特性...9 6.3 NVM 规格... 6.4 模拟... 6.4. ADC 特性... 6.4. 模拟比较器 (ACMP) 电气规格...4 6.5 通信接口... 5 6.5. SPI 开关规格...5 6.5. MSCAN... 8 7 尺寸...8 7. 获取封装尺寸... 8 8 引脚分配...9 8. 信号多路复用和引脚分配... 9 8. 器件引脚分配... 3 9 修订记录...34 Freescale Semiconductor, Inc.

订购器件 订购器件. 确定有效的可订购器件 有效可订购器件编号已发布在网络上 如要确定该可订购器件编号, 敬请前往 freescale.com, 并搜索下列器件编号 :KE06Z 器件标识. 说明 芯片器件型号包含可识别具体器件的字段 您可以使用这些字段的值来区分收到的具体器件. 格式 此设备的器件编号采用如下格式 : Q KE## A FFF R T PP CC N.3 字段 下表列出部件编号中每一字段的可能值 ( 并非所有组合都有效 ): 字段说明值 Q 合格状态 M = 完全合格, 一般市场流动 P = 资格预审 KE## Kinetis 系列 KE06 A 主要属性 Z = M0+ 内核 FFF 程序存储器大小 8 = 8 KB R 芯片版本 ( 空白 )= 主版本 A = 主版本后的修订版本 T 温度范围 ( C) V = 40 至 05 PP 封装标识符 LD = 44 LQFP (0 mm x 0 mm) QH = 64 QFP (4 mm x 4 mm) LH = 64 LQFP (0 mm x 0 mm) LK = 80 LQFP (4 mm x 4 mm) 下一页继续介绍此表... Freescale Semiconductor, Inc. 3

参数分类 字段说明值 CC 最大 CPU 频率 (MHz) 4 = 48 MHz N 封装类型 R = 卷式 ( 空白 )= 盘式.4 示例 下面是器件编号示例 : MKE06Z8VLK4 3 参数分类 此附录中显示的电气参数通过不同的方法来保证达到要求 为了便于客户能更好地理解, 文档将使用以下分类, 并在表中适当的位置相应标记参数 : 表. 参数分类 P C T D 在对每个设备进行生产测试时确保达到这些参数要求 通过不同制程的, 具有统计意义的相关样本数量的测量结果来保证这些参数要求 除非另有说明, 否则通过统计典型条件下典型器件的小规模样本测量值来保证这些参数要求 此类别包含典型列中所示的所有值 这些参数主要来自于仿真 注此分类显示在参数表适当位置处标记为 C 的列中 4 额定值 4. 热学操作极限 符号 说明 最小值 最大值 单位 附注 T STG 存储温度 55 50 C T SDR 焊接温度, 无铅 60 C. 根据 JEDEC 的 JESD-A03 标准中的 高温存储寿命 确定. 根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-00 中的 非密封固态表面贴装设备湿度 / 再流焊灵敏度分类 确定 4 Freescale Semiconductor, Inc.

额定值 4. 湿度操作极限 符号说明最小值最大值单位附注 MSL 湿度灵敏度级别 3. 根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-00 中的 非密封固态表面贴装设备湿度 / 再流焊灵敏度分类 确定 4.3 ESD 操作额定值 符号 说明 最小值 最大值 单位 附注 V HBM 静电放电电压, 人体放电模式 6000 +6000 V V CDM 静电放电电压, 设备充电模式 500 +500 V I LAT 5 C 环境温度下的闩锁电流 00 +00 ma 3. 根据 JEDEC 标准 JESD-A4 静电放电 (ESD) 灵敏度测试人体放电模式 (HBM) 标准 来确定. 根据 JEDEC 标准 JESD-C0 微电子组件静电放电耐压阈值的电场感应器件充电模式测试方法 确定 3. 根据 JEDEC 标准 JESD78D IC 闩锁测试 确定 在 5 C 环境温度下进行测试 (II 类 ) I/O 引脚通过 ±00 ma 电流测试,I DD 电流限制为 400 ma I/O 引脚通过 +50/-00 ma 电流测试,I DD 电流限制为 000 ma 电源组通过.5 V ccmax 由于产品调节要求,RESET 引脚仅经过负电流测试 4.4 电压和电流操作额定值 绝对最大额定值仅为应力额定值, 并不保证最大值时的功能操作 超过下表中指定的应力可能影响器件的可靠性或对器件造成永久性损坏 有关功能操作条件的更多信息, 请参阅此文档中的其他表格 该器件包含防止高静态电压或电场造成损坏的电路, 但建议采取预防措施, 以避免实际应用中高于额定电压的输入造成这部分电路的损坏 未用输入引脚连接到适当的逻辑电压电平 ( 例如,V SS 或 V DD ) 或使能相关引脚的内部上拉电阻, 可增强操作的可靠性 表. 电压和电流操作额定值 符号说明最小值最大值单位 V DD 数字电源电压 0.3 6.0 V I DD 流入 V DD 的最大电流 0 ma V IN 除开漏引脚之外的输入电压 0.3 V DD + 0.3 V 开漏引脚的输入电压 0.3 6 V 下一页继续介绍此表... Freescale Semiconductor, Inc. 5

通用 表. 电压和电流操作额定值 ( 继续 ) 符号说明最小值最大值单位 I D 单引脚瞬态最大电流限值 ( 适用于所有端口引脚 ) 5 5 ma V DDA 模拟电源电压 V DD 0.3 V DD + 0.3 V. 最大额定 V DD 也适用于 V IN 5 5. 通用 静态电气规格 5.. DC 特性 本节包括有关电源要求和 I/O 引脚特性的信息 表 3. DC 特性 符号 C 说明最小值典型值 最大值单位 工作电压.7 5.5 V V OH P 输出高电 除 PTA 和 PTA3 外所有 5 V,I load = 5 ma V DD 0.8 PTB5V C 压 I/O 引脚, 标准驱动强度 3 V,I load =.5 ma V DD 0.8 V P 大电流驱动引脚, 高驱动 5 V,I load = 0 ma V DD 0.8 V C 强度 3 V,I load = 0 ma V DD 0.8 V I OHT D 输出高电 流 所有端口的最大总输出高 5 V 00 ma 电流 I OH 3 V 60 V OL P 输出低电 所有 I/O 引脚, 标准驱动 5 V,I load = 5 ma 0.8 V C 压 强度 3 V,I load =.5 ma 0.8 V P 大电流驱动引脚, 高驱动 5 V,I load =0 ma 0.8 V C 强度 3 V,I load = 0 ma 0.8 V I OLT D 输出低电 流 V IH P 输入高电 压 V IL P 输入低电 压 所有端口的最大总输出低 5 V 00 ma 电流 I OL 3 V 60 全部数字输入 4.5 V DD <5.5 V 0.65 V DD V.7 V DD <4.5 V 0.70 V DD 全部数字输入 4.5 V DD <5.5 V 0.35 V DD.7 V DD <4.5 V 0.30 V DD V hys C 输入迟滞全部数字输入 0.06 V DD mv I In P 输入漏电 流 每个引脚 ( 高阻抗输入模式下的引脚 ) V IN = V DD 或 V SS 0. µa 下一页继续介绍此表... V 6 Freescale Semiconductor, Inc.

表 3. DC 特性 ( 继续 ) 静态电气规格 符号 C 说明最小值典型值 最大值单位 I INTOT C 所有端口 引脚的总 漏电流 R PU P 上拉电阻所有数字输入并使能内部 上拉 ( 除 PTA 和 PTA3 外的所有 I/O 引脚 ) 高阻抗输入模式下的引脚 V IN = V DD 或 V SS µa 30.0 50.0 kω R PU 3 P 上拉电阻 PTA 引脚和 PTA3 引脚 30.0 60.0 kω I IC D DC 注入 电流 4, 5, 6 单引脚限值 V IN < V SS, V IN > - ma 总 MCU 限值, 包括所有 V DD -5 5 应力引脚的总和 C In C 输入电容, 所有引脚 7 pf V RAM C RAM 保留电压.0 V. 典型值在 5 时测得 经过 CZ, 没有经过测试. 仅 PTB4 PTB5 PTD0 PTD PTE0 PTE PTH0( 仅 64 引脚封装和 80 引脚封装 ) 以及 PTH( 仅 64 引脚封装和 80 引脚封装 ) 支持大电流输出 3. 所指电阻值是该器件的内部实际值 在引脚外部测量时, 上拉值可能更高 4. 除 PTA 和 PTA3 外所有非电源功能引脚在内部钳制到 V SS 和 V DD 之间 PTA 和 PTA3 是在内部将电压钳位为 V SS 的有效开漏 I/O 引脚 5. 当前输入必须限定为指定的电流值 要确定所需限流电阻器的值, 请计算正负钳位电压的电阻值, 然后采用最大值 6. 在瞬态和最大工作电流条件下, 电源必须保持在工作 V DD 范围内进行调节的能力 如果正注入电流 (V In > V DD ) 高于 I DD, 则注入电流可能流出 V DD, 并导致外部电源失调 MCU 不消耗电能时, 如没有系统时钟, 或时钟频率极低 ( 这将降低整体电量消耗 ), 就要确保外部 V DD 负载的分流电流高于最大注入电流 表 4. LVD 和 POR 规格 符号 C 说明最小值典型值最大值单位 V POR D POR 重置电压.5.75.0 V V LVDH C 下降沿低压检测阈值 高量程 (LVDV = 0) 4. 4.3 4.4 V V LVWH C 下降沿低压警 告阈值 高 量程 级下降沿 (LVWV = 00) V LVWH C 级下降沿 (LVWV=0) V LVW3H C 3 级下降沿 (LVWV=0) V LVW4H C 4 级下降沿 (LVWV=) 4.3 4.4 4.5 V 4.5 4.5 4.6 V 4.6 4.6 4.7 V 4.7 4.7 4.8 V V HYSH C 高量程低压检测 / 警告迟滞 00 mv V LVDL C 下降沿低压阈值 低量程 (LVDV = 0) V LVWL C 下降沿低电压 警告阈值 低量程 级下降沿 (LVWV = 00) V LVWL C 级下降沿 (LVWV=0) 下一页继续介绍此表....56.6.66 V.6.7.78 V.7.8.88 V Freescale Semiconductor, Inc. 7

静态电气规格 表 4. LVD 和 POR 规格 ( 继续 ) 符号 C 说明最小值典型值最大值单位 V LVW3L C 3 级下降沿 (LVWV=0) V LVW4L C 4 级下降沿 (LVWV=).8.9.98 V.9 3.0 3.08 V V HYSDL C 低量程低压检测迟滞 40 mv V HYSWL C 低量程低压警告迟滞 80 mv V BG P 经过缓冲的带隙输出 3.4.6.8 V. 最大值是 POR 可以保证的最高电压值. 上升沿阈值 = 下降沿阈值 + 迟滞电压 3. 电压已在 V DD = 5.0 V,Temp = 5 C 下进行出厂调整 V DD -V OH (V) I OH (ma) 图. 典型 V DD -V OH 对比 I OH ( 标准驱动强度 )(V DD = 5 V) 8 Freescale Semiconductor, Inc.

静态电气规格 V DD -V OH (V) I OH (ma) 图. 典型 V DD -V OH 对比 I OH ( 标准驱动强度 )(V DD = 5 V) V DD -V OH (V) I OH (ma) 图 3. 典型 V DD -V OH 对比 I OH ( 高驱动强度 )(V DD = 5 V) Freescale Semiconductor, Inc. 9

静态电气规格 V DD -V OH (V) I OH (ma) 图 4. 典型 V DD -V OH 对比 I OH ( 高驱动强度 )(V DD = 3 V) V OL (V) I OL (ma) 图 5. 典型 V OL 对比 I OL ( 标准驱动强度 )(V DD = 5 V) 0 Freescale Semiconductor, Inc.

静态电气规格 V OL (V) I OL (ma) 图 6. 典型 V OL 对比 I OL ( 标准驱动强度 )(V DD = 3 V) V OL (V) I OL (ma) 图 7. 典型 V OL 对比 I OL ( 高驱动强度 )(V DD = 5 V) Freescale Semiconductor, Inc.

静态电气规格 V OL (V) I OL (ma) 图 8. 典型 V OL 对比 I OL ( 高驱动强度 )(V DD = 3 V) 5.. 电源电流特性 本节包括多种操作模式下电源电流的信息 C 参数 符号 内核 / 总线频 率 表 5. 供电电流特性 V DD (V) 典型值 最大值 单位温度 C FEI 模式下运行电流值, 使能 RI DD 48/4 MHz 5. ma -40 至 05 C C 所有模块时钟 ; 从 Flash 运行 4/4 MHz 8 C / MHz 5 C / MHz.4 C 48/4 MHz 3 C 4/4 MHz 7.9 C / MHz 4.9 / MHz.3 C FEI 模式下运行电流值, 禁用 RI DD 48/4 MHz 5 7.8 ma -40 至 05 C C 并门控所有模块时钟 ; 从 Flash 运行 4/4 MHz 5.5 C / MHz 3.8 C / MHz.3 C 48/4 MHz 3 7.7 下一页继续介绍此表... Freescale Semiconductor, Inc.

表 5. 供电电流特性 ( 继续 ) 静态电气规格 C 参数 符号 内核 / 总线频 率 V DD (V) 典型值 最大值 单位温度 C 4/4 MHz 5.4 C / MHz 3.7 C / MHz. C FBE 模式下运行电流值, 使 RI DD 48/4 MHz 5 4.7 ma -40 至 05 C P 能所有模块时钟 ; 从 RAM 运行 4/4 MHz 9.8 4.9 C / MHz 6 C / MHz.4 C 48/4 MHz 3 4.6 P 4/4 MHz 9.6.8 C / MHz 5.9 C / MHz.3 C FBE 模式下运行电流值, 禁 RI DD 48/4 MHz 5.4 ma -40 至 05 C P 用并门控所有模块时钟 ; 从 RAM 运行 4/4 MHz 7.7.5 C / MHz 4.7 C / MHz.3 C 48/4 MHz 3.3 P 4/4 MHz 7.6 9.5 C / MHz 4.6 / MHz. C FEI 模式等待电流值, 使能所 WI DD 48/4 MHz 5 8.4 ma -40 至 05 C P 有模块时钟 4/4 MHz 6.5 7. C / MHz 4.3 C / MHz.4 C 48/4 MHz 3 8.3 P 4/4 MHz 6.4 7 C / MHz 4. C / MHz.3 P 停止模式电流, 无时钟激活 SI DD 5 05 µa -40 至 05 C P ( 除 khz LPO 时钟 ) 3 3.9 95-40 至 05 C C ADC 使能下的停止模式电流 C ADLPC = 3 8 ADLSMP = ADCO = MODE = 0B ADICLK = B 5 86 µa -40 至 05 C C ACMP 使能下的停止模式电 5 µa -40 至 05 C C 流 3 C LVD 使能下的停止模式电流 4 5 30 µa -40 至 05 C 下一页继续介绍此表... Freescale Semiconductor, Inc. 3

静态电气规格 表 5. 供电电流特性 ( 继续 ) C 参数 符号 内核 / 总线频 率 V DD (V) 典型值 最大值 单位温度 C 3 5. 典型列里的数据在 5.0 V 5 C 条件下统计值或是推荐值. 在 05 C 高温下可观察到最大电流 3. 典型情况下,RTC 会导致 I DD 增加不超过 µa;rtc 时钟源为 khz LPO 时钟 4. 以 5% 占空比定期将 LVD 从停止状态唤醒 周期等于或短于 ms 5..3 EMC 性能电磁兼容 (EMC) 性能很大程度上取决于 MCU 所处的环境 外部组件的电路板设计和布局 电路拓扑选择 位置和特性以及 MCU 软件操作在 EMC 性能中起重要作用 系统设计者必须参考下列飞思卡尔应用文档, 可在下述网站 :freescale.com 获得专门针对优化 EMC 性能的意见和指导 AN3: Designing for Board Level Electromagnetic Compatibility AN050: Designing for Electromagnetic Compatibility (EMC) with HCMOS Microcontrollers AN764: Improving the Transient Immunity Performance of Microcontroller-Based ApplicationsAN63: Designing for Electromagnetic Compatibility with Single- Chip Microcontrollers AN764: Improving the Transient Immunity Performance of Microcontroller-Based Applications AN59: System Design and Layout Techniques for Noise Reduction in MCU- Based Systems 5..3. EMC 电磁辐射特性表 6. 80 引脚 LQFP 封装的 EMC 电磁辐射特性 符号说明频带 (MHz) 典型值单位附注 V RE 电磁辐射电压, 频带 0.5 50 6 dbμv, V RE 电磁辐射电压, 频带 50 50 6 dbμv V RE3 电磁辐射电压, 频带 3 50 500 dbμv V RE4 电磁辐射电压, 频带 4 500 000 5 dbμv V RE_IEC IEC 级别 0.5 000 N 3, 4. 根据 IEC 标准 6967- 集成电路 - 电磁辐射的测定,50 khz 到 GHz 第 部分 : 一般条件和定义 以及 IEC 标准 6967- 集成电路 - 电磁辐射的测定,50 khz 到 GHz 第 部分 : 电磁辐射的测定 - TEM 传输室及宽带 TEM 传输室方法 确定 在测定时, 微控制器运行基本应用代码 报告的辐射级别为测定的最大辐射值, 从每个频率范围的测定方向, 向上舍入到下一个整数. V DD = 5.0 V,T A = 5 C,f OSC = 8 MHz( 晶体 ),f SYS = 40 MHz,f BUS = 0 MHz 3. IEC/SAE 级别最大值 :N dbµv,m 8 dbµv,k 30 dbµv,i 36 dbµv,h 4 dbµv 4. 根据 IEC 标准 6967- 电磁辐射的测定 - TEM 传输室及宽带 TEM 传输室方法 的附录 D 指定 4 Freescale Semiconductor, Inc.

动态规格 5. 动态规格 5.. 控制时序 表 7. 控制时序 编号 C 额定值符号最小值典型值 最大值单位 D 系统和内核时钟 f Sys DC 48 MHz P 总线频率 (t cyc = /f Bus ) f Bus DC 4 MHz 3 P 内部低功耗振荡器频率 f LPO 0.67.0.5 KHz 4 D 外部复位脉冲宽度 t extrst.5 t cyc ns 5 D 复位低驱动 t rstdrv 34 t cyc ns 6 D IRQ 脉冲宽度异步路径 t ILIH 00 ns D 同步路径 3 t IHIL.5 t cyc ns 7 D 键盘中断脉冲宽度异步路径 t ILIH 00 ns D 同步路径 t IHIL.5 t cyc ns 8 C 端口上升和下降时间 标 t Rise 0. ns C 准驱动强度 ( 负载 = 50 pf) t Fall 9.5 ns 4 C 端口上升和下降时间 高 t Rise 5.4 ns C 驱动强度 ( 负载 = 50 pf) 4 t Fall 4.6 ns. 除非另有说明, 否则典型值是指在 V DD = 5.0 V 5 C 时的特性数据. 这是保证可识别为 RESET 引脚请求的最短脉冲 3. 这是保证可通过引脚同步电路的最短脉冲宽度 低于该宽度的脉冲有可能不被识别 在停止模式中将避开同步器, 所以可识 别更短的脉冲 4. 时序按 0% 的 V DD 电平和 80% 的 V DD 电平显示 温度范围 -40 C 至 05 C RESET_b 引脚 t extrst 图 9. 复位时序 t IHIL KBIPx IRQ/KBIPx t ILIH 图 0. KBIPx 时序 Freescale Semiconductor, Inc. 5

动态规格 5.. FTM 模块时序 同步电路决定可识别的最短输入脉冲或决定定时器计数器可配置的外部时钟源的最快时钟 这些同步电路的工作时钟被称作总线时钟 表 8. FTM 输入时序 C 功能符号最小值最大值单位 D 定时器时钟频率 f Timer f Bus f Sys Hz D 外部时钟频率 f TCLK 0 f Timer /4 Hz D 外部时钟周期 t TCLK 4 t Timer, D D 外部时钟高电平时间 外部时钟低电平时间 t clkh.5 t Timer t clkl.5 t Timer D 输入捕捉脉冲宽度 t ICPW.5 t Timer. t Timer = /f Timer t clkh t TCLK TCLK t clkl 图. 定时器外部时钟 t ICPW FTMCHn FTMCHn t ICPW 图. 定时器输入捕捉脉冲 6 Freescale Semiconductor, Inc.

热规格 5.3 热规格 5.3. 热特性 本节介绍有关工作温度范围 功耗和封装热阻的信息 I/O 引脚上的功耗通常比片上逻辑和电压调节器电路中的功耗少, 且它由用户决定而并非由 MCU 设计控制 要在功率计算中考虑 P I/O, 请确定实际引脚电压和 V SS 或 V DD 之间的电压差并乘以每个 I/O 引脚的引脚电流 除异常高引脚电流 ( 高负载 ) 外, 引脚电压和 V SS 或 V DD 之间的压差将会很小 表 9. 热学属性 电路板类型 符号 说明 64 LQFP 单层 (S) R θja 热阻, 结到外部环境 ( 自然对 流 ) 四层 (sp) R θja 热阻, 结到外部环境 ( 自然对 流 ) 单层 (S) R θjma 热阻, 结到外部环境 ( 空气速率 为 00 英尺 / 分钟 ) 四层 (sp) R θjma 热阻, 结到外部环境 ( 空气速率 为 00 英尺 / 分钟 ) 64 QFP 44 LQFP 80 LQFP 单位 附注 7 6 75 57 C/W, 53 47 53 44 C/W, 3 59 50 6 47 C/W, 3 46 4 47 38 C/W, 3 R θjb 热阻, 结到板 35 3 34 8 C/W 4 R θjc 热阻, 结到管壳 0 3 0 5 C/W 5 Ψ JT 热特性参数, 结到外封装顶部中 心 ( 自然对流 ) 5 8 5 3 C/W 6. 结温是裸片大小 片上功耗 封装热阻 安装环境 ( 板 ) 温度 环境温度 气流 板上其他组件的功耗和板热阻的函数. 基于 JEDEC JESD5- 标准, 在单层板 (JESD5-3) 水平方向 3. 基于 JEDEC JESD5-6, 在电路板 (JESD5-7) 水平方向 4. 裸片和印刷电路板上的热阻, 基于 JEDEC JESD5-8 标准 板温度在封装附近的板上表面测量 5. 裸片和封装底部焊盘之间的热阻 忽略接触热阻 6. 基于 JEDEC JESD5- 标准, 热特性参数表示封装顶部和结温度之间的温差 未提供希腊字母时的热特性 可通过以下公式计算平均芯片结温 (T J )( 以 C 为单位 ): T J = T A + (P D θ JA ) 其中 : T A = 环境温度, 以 C 为单位 θ JA = 封装热阻, 结环境, 以 C/W 为单位 P D = P int + P I/O P int = I DD V DD, 以瓦特为单位 芯片内部功率 Freescale Semiconductor, Inc. 7

模块工作要求和行为 P I/O = 输入和输出引脚上的功耗 由用户决定 对于大多数应用,P I/O << P int, 且可以忽略 P D 和 T J ( 如果忽略 P I/O ) 之间的近似关系是 : P D = K (T J + 73 C) 求解以上等式中的 K: K = P D (T A + 73 C) + θ JA (P D ) 其中 K 是特定部分的常数 通过测量已知 T A 的 P D ( 处于均衡状态 ) 来确定 K 使用此 K 值, 可通过以上公式迭代求解任何 T A 值来获得 P D 和 T J 值 6 模块工作要求和行为 6. 内核模块 6.. SWD 电气规格 表 0. SWD 全电压范围电气规格 符号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压.7 5.5 V J SWD_CLK 工作频率 串行线调试 0 4 MHz J SWD_CLK 周期 /J ns J3 SWD_CLK 时钟脉宽 串行线调试 0 ns J4 SWD_CLK 上升和下降时间 3 ns J9 到 SWD_CLK 上升的 SWD_DIO 输入数据建立时间 0 ns J0 SWD_CLK 上升之后的 SWD_DIO 输入数据保持时间 3 ns J SWD_CLK 高电平到 SWD_DIO 数据有效 35 ns J SWD_CLK 高电平到 SWD_DIO 高阻抗时间 5 ns 8 Freescale Semiconductor, Inc.

模块工作要求和行为 SWD_CLK( 输入 ) J3 J J3 J4 J4 图 3. 串行线时钟输入时序 SWD_CLK J9 J0 SWD_DIO 输入数据有效 J SWD_DIO 输出数据有效 J SWD_DIO J SWD_DIO 输出数据有效 图 4. 串行线数据时序 6. 外部振荡器 (OSC) 和 ICS 特性 表. OSC 和 ICS 规格 ( 环境温度范围 = -40 到 05 C) 编号 C 特性符号最小值典型值 最大值单位 C 振荡器晶体或谐 低频范围 (RANGE = 0) f lo 3.5 3.768 39.065 khz C 谐振器 高频范围 (RANGE = ) f hi 4 4 MHz D 负载电容 C C 参见注释 3 D 反馈电阻低频率 低功耗模式 3 R F MΩ 4 D 串联电阻 - 低频 率 低频率 高增益模式 0 MΩ 高频率 低功耗模式 MΩ 高频率 高增益模式 MΩ 低功耗模式 3 R S 0 kω 高增益模式 00 kω 下一页继续介绍此表... Freescale Semiconductor, Inc. 9

模块工作要求和行为 表. OSC 和 ICS 规格 ( 环境温度范围 = -40 到 05 C) ( 继续 ) 编号 C 特性符号最小值典型值 最大值单位 5 D 串联电阻 - 高频 率 低功耗模式 3 R S 0 kω D 串联电阻 - 高频 4 MHz 0 kω D 率 高增益模式 8 MHz 0 kω D 6 MHz 0 kω 6 C 晶振启动时间低 低频范围 低功耗 t CSTL 000 ms C 频范围 = 3.768 khz 晶振 ; 高频 低频范围 高增益 800 ms C 范围 = 0 MHz 高频范围 低功耗 t CSTH 3 ms 晶振 4,5 C 高频范围 高增益.5 ms 7 T 内部参考启动时间 t IRST 0 50 µs 8 P 内部基准时钟 (IRC) 频率调整范围 f int_t 3.5 39.065 khz 9 P 内部基准时钟频 率, 出厂已调整, 0 P DCO 输出频率 范围 P 出厂已调整的内 部振荡器精度 C 在 T = 5 C V DD = 5 V 的条件下调整时,IRC 随温度变化产生的偏差 3 C 采用出厂调整值 的 DCO 输出频 率精度 T = 5 C,V DD = 5 V f int_ft 37.5 khz FLL 基准电压源 = fint_t flo 或 fhi/rdiv f dco 40 50 MHz T = 5 C,V DD = 5 V Δf int_ft -0.5 0.5 % 温度范围是 -40 C 至 05 C Δf int_t - 0.5 % 温度范围是 0 C 至 05 C Δf int_t -0.5 0.5 温度范围是 -40 C 至 05 C Δf dco_ft -.5 % 温度范围是 0 C 至 05 C Δf dco_ft - 4 C FLL 采集时间 4, 6 t Acquire ms 5 C DCO 输出时钟长期抖动 ( 平均间隔超过 ms) 7 C Jitter 0.0 0. %f dco. 典型值列里的数据是在 5.0 V 5 C 条件下的典型值或典型推荐值. 参见晶振或谐振器制造商的建议 3. 当 RANGE = HGO = 0 时, 负载电容 (C C ) 反馈电阻(R F ) 和串联电阻 (R S ) 将内部合并 4. 此参数为典型数据, 并未在每个器件上进行测试 5. 为了达到规格要求, 务必遵循正确的 PC 板布局流程 6. 在任何时候都适用于以下条件 : 当 FLL 参考源或参考分频器改变时 ; 当内部参考频率发生改变时 ;DMX3 位改变时 ;DRS 位改变时 ; 或从 禁用 FLL (FBELP, FBILP) 变为 启用 FLL (FEI, FEE, FBE, FBI) 时 当晶振 / 谐振器用作参考时钟源时, 此规 格假定其已运行 7. 抖动是在最大 f Bus 下指定间隔内与已编程频率的平均偏差 测量时使用带滤波的外部电源和稳定的外部时钟 噪声通过 V DD 与 V SS 注入 FLL 电路, 并且晶体振荡器频率的变化增加了给定间隔内 C Jitter 的百分比 0 Freescale Semiconductor, Inc.

模块工作要求和行为 EXTAL OSC XTAL R F R S C 晶振或谐振器 C 图 5. 典型晶振或谐振器电路 6.3 NVM 规格 本节详细介绍了 Flash 存储器的编程 / 擦除时间和编程 / 擦除次数 表. Flash 特性 C 特性符号最小值 典型值 最大值 3 单位 4 D -40 C 到 05 C 下编程 / 擦除工作电压 V prog/erase.7 5.5 V D 读取操作的供电电压 V Read.7 5.5 V D NVM 总线频率 f NVMBUS 4 MHz D NVM 操作频率 f NVMOP 0.8.05 MHz D 擦除检验所有块 t VFYALL 605 t cyc D 擦除检验 Flash 块 t RDBLK 579 t cyc D 擦除检验 Flash 区段 t RDSEC 485 t cyc D 读取一次性编程区域 t RDONCE 464 t cyc D 编程 Flash( 个字 ) t PGM 0. 0.3 0.3 ms D 编程 Flash(4 个字 ) t PGM4 0. 0. 0.49 ms D 编程一次性编程区域 t PGMONCE 0.0 0. 0. ms D 擦除所有模块 t ERSALL 95.4 00.8 00.30 ms D 擦除 Flash 块 t ERSBLK 95.4 00.8 00.30 ms D 擦除 Flash 扇区 t ERSPG 9.0 0.05 0.09 ms D 解除 FLASH 加密 t UNSECU 95.4 00.9 00.3 ms D 验证后门访问密钥 t VFYKEY 48 t cyc D 设置用户余量级别 t MLOADU 45 t cyc C FLASH 编程 / 擦除次数 T L 至 T H = -40 C 到 05 C C 平均结温为 T Javg = 85 C 下高达 0,000 编程 / 擦除周期后数据保留周期 n FLPE 0 k 00 k 周期 t D_ret 5 00 年. 基于最大 f NVMOP 和最大 f NVMBUS 的最短时间 Freescale Semiconductor, Inc.

模块工作要求和行为. 基于典型 f NVMOP 和最大 f NVMBUS 的典型时间 3. 基于典型 f NVMOP 和典型 f NVMBUS, 并不断老化的最长时间 4. t cyc = / f NVMBUS 编程和擦除操作不需要除标准 V DD 电源之外的任何特殊电源 有关编程 / 擦除操作的更多详细信息, 请参见参考手册中的 Flash 存储器模块 一节 6.4 模拟 6.4. ADC 特性 表 3. 5 V 位 ADC 工作条件 特性条件符号最小值典型值 最大值单位注释 基准电位 低 高 V REFL V REFH V SSA V DDA / V DDA / V V DDA 供电电压绝对值 V DDA.7 5.5 V V DD 的差值 (V DD -V DDA ) ΔV DDA -00 0 +00 mv 输入电压 V ADIN V REFL V REFH V 输入电容 C ADIN 4.5 5.5 pf 输入电阻 R ADIN 3 5 kω 模拟源极电阻 ADC 转换时钟频率 位模式 f ADCK > 4 MHz f ADCK < 4 MHz 0 位模式 f ADCK > 4 MHz f ADCK < 4 MHz 8 位模式 ( 所有有效 f ADCK ) R AS 5 5 0 0 高速 (ADLPC=0) f ADCK 0.4 8.0 MHz 低功耗 (ADLPC=) 0.4 4.0 kω 外部到 MCU. 除非另有说明, 否则典型值假定 V DDA = 5.0 V, 温度 = 5 C,f ADCK =.0 MHz 典型值仅供参考, 并未在生产中进行测试 Freescale Semiconductor, Inc.

模块工作要求和行为 简化输入引脚等效电路 z ADIN R AS Z AS 由于输入保护引起的引脚焊盘漏电 R ADIN 简化通道选择电路 A DC SA R 引擎 v ADIN v AS C AS R ADIN 输入引脚 R ADIN 输入引脚 R ADIN 输入引脚 C ADIN 图 6. ADC 输入阻抗等效图表 4. 位 ADC 特性 (V REFH = V DDA,V REFL = V SSA ) 特性 条件 C 符号 最小值 典型值 最大值 单位 供电电流 T I DDA 33 µa ADLPC = ADLSMP = ADCO = 供电电流 T I DDA 8 µa ADLPC = ADLSMP = 0 ADCO = 供电电流 T I DDA 37 µa ADLPC = 0 ADLSMP = ADCO = 供电电流 T I DDA 58 990 µa ADLPC = 0 ADLSMP = 0 ADCO = 供电电流 停止, 复位, 模块关闭 T I DDA 0.0 µa ADC 异步时钟源 高速 (ADLPC = 0) P f ADACK 3.3 5 MHz 下一页继续介绍此表... Freescale Semiconductor, Inc. 3

模块工作要求和行为 表 4. 位 ADC 特性 (V REFH = V DDA,V REFL = V SSA ) ( 继续 ) 特性条件 C 符号最小值典型值 最大值单位 转换时间 ( 包括采样时间 ) 低功耗 (ADLPC = ).5 3.3 短样 (ADLSMP = 0) T t ADC 0 ADCK 周期 长样 (ADLSMP = ) 40 采样时间短样 (ADLSMP = 0) T t ADS 3.5 ADCK 周期 长样 (ADLSMP = ) 3.5 未调整总误差 位模式 C E TUE ±5.0 LSB 3 0 位模式 C ±.5 8 位模式 C ±0.8 差分非线性 位模式 C DNL ±.5 LSB 3 0 位模式 C ±0.4 8 位模式 C ±0.5 积分非线性 位模式 C INL ±.5 LSB 3 0 位模式 C ±0.4 8 位模式 C ±0.5 零标度误差 4 位模式 C E ZS ±.0 LSB 3 0 位模式 C ±0. 8 位模式 C ±0.35 满标度误差 5 位模式 C E FS ±.5 LSB 3 0 位模式 C ±0.3 8 位模式 C ±0.5 量化误差 位模式 D E Q ±0.5 LSB 3 输入泄漏误差 6 所有模式 D E IL I In * R AS mv 温度传感器斜率 -40 C 5 C D m 3.66 mv/ C 5 C 5 C 3.638 温度传感器电压 5 C D V TEMP5.396 V. 除非另有说明, 否则典型值假定 V DDA = 5.0 V, 温度 = 5 C,f ADCK =.0 MHz 典型值仅供参考, 并未在生产中进行测试. 包括量化 3. LSB = (V REFH - V REFL )/ N 4. V ADIN = V SSA 5. V ADIN = V DDA 6. I In = 漏电流 ( 参考直流特性 ) 6.4. 模拟比较器 (ACMP) 电气规格表 5. 比较器电气规格 C 特性符号最小值典型值最大值单位 D 供电电压 V DDA.7 5.5 V T 供电电流 ( 工作模式 ) I DDA 0 0 µa D 模拟输入电压 V AIN V SS - 0.3 V DDA V 下一页继续介绍此表... 4 Freescale Semiconductor, Inc.

模块工作要求和行为 表 5. 比较器电气规格 ( 继续 ) C 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 P 模拟输入偏移电压 V AIO 40 mv C 模拟比较器迟滞 (HYST=0) V H 5 0 mv C 模拟比较器迟滞 (HYST=) V H 0 30 mv T 供电电流 ( 关闭模式 ) I DDAOFF 60 na C 传播延迟 t D 0.4 µs 6.5 通信接口 6.5. SPI 开关规格 串行外设接口 (SPI) 可为主从操作提供同步串行总线 用户可以自由配置多数传输参数 下面各表将介绍经典 SPI 时序模式的时序特性 有关修正传输格式的信息, 请参见本芯片 参考手册 中的 SPI 一章 这些格式主要用于和速度较慢的外围设备通信 如无特殊说明, 表中所有时序采用的电压阈值均为 0% 的 V DD 和 80% 的 V DD, 所有 SPI 引脚挂有 5 pf 的负载 所有时序均假定已针对所有 SPI 输出引脚禁用压摆率控制并启用高驱动强度 表 6. SPI 主机模式时序 编号符号说明最小值最大值单位注解 f op 操作频率 f Bus /048 f Bus / Hz f Bus 是总线时钟 t SPSCK SPSCK 周期 x t Bus 048 x t Bus ns t Bus = /f Bus 3 t Lead 启用前置时间 / t SPSCK 4 t Lag 启用滞后时间 / t SPSCK 5 t WSPSCK 时钟 (SPSCK) 高电平或低电平时间 t Bus 30 04 x t Bus ns 6 t SU 数据建立时间 ( 输入 ) 8 ns 7 t HI 数据保持时间 ( 输入 ) 8 ns 8 t v 有效数据 ( 在 SPSCK 边沿后 ) 5 ns 9 t HO 数据保持时间 ( 输出 ) 0 ns 0 t RI 输入上升时间 t Bus 5 ns t FI 输入下降时间 t RO 输出上升时间 5 ns t FO 输出下降时间 Freescale Semiconductor, Inc. 5

模块工作要求和行为 SS ( 输出 ) SPSCK (CPOL=0) ( 输出 ) 3 5 5 0 4 SPSCK (CPOL=) ( 输出 ) 0 6 7 MISO ( 输入 ) MSB 输入 位 6... LSB 输入 8 9 MOSI ( 输出 ) MSB 输出 位 6... LSB 输出. 如果配置为输出. LSBF = 0 对于 LSBF =, 位序为 LSB 位... 位 6 MSB 图 7. SPI 主机模式时序 (CPHA=0) SS ( 输出 ) SPSCK (CPOL=0) ( 输出 ) SPSCK (CPOL=) ( 输出 ) 5 3 0 4 6 7 5 0 MISO MSB 输入 ( 输入 ) 位 6... LSB 输入 8 9 MOSI ( 输出 ) 端口数据 主机 MSB 输出 位 6... 主机 LSB 输出 端口数据. 如果配置为输出. LSBF = 0 对于 LSBF =, 位序为 LSB 位... 位 6 MSB 图 8. SPI 主机模式时序 (CPHA=) 表 7. SPI 从机模式时序 编号符号说明最小值最大值单位注释 f op 操作频率 0 f Bus /4 Hz f Bus 是控制时序中定义的 总线时钟 t SPSCK SPSCK 周期 4 x t Bus ns t Bus = /f Bus 3 t Lead 启用前置时间 t Bus 4 t Lag 启用滞后时间 t Bus 下一页继续介绍此表... 6 Freescale Semiconductor, Inc.

表 7. SPI 从机模式时序 ( 继续 ) 模块工作要求和行为 编号符号说明最小值最大值单位注释 5 t WSPSCK 时钟 (SPSCK) 高电平或低电平时间 t Bus - 30 ns 6 t SU 数据建立时间 ( 输入 ) 5 ns 7 t HI 数据保持时间 ( 输入 ) 5 ns 8 t a 从机访问时间 t Bus ns 从高阻抗状态到数据有效 的时间 9 t dis 从机 MISO 禁用时间 t Bus ns 到高阻抗状态的保持时间 0 t v 有效数据 ( 在 SPSCK 边沿后 ) 5 ns t HO 数据保持时间 ( 输出 ) 0 ns t RI 输入上升时间 t Bus - 5 ns t FI 输入下降时间 3 t RO 输出上升时间 5 ns t FO 输出下降时间 SS ( 输入 ) SPSCK (CPOL=0) ( 输入 ) SPSCK (CPOL=) ( 输入 ) 3 5 5 3 3 4 9 8 0 MISO ( 输出 ) 参见注释 从机 MSB 位 6... 从机 LSB 输出 参见注释 6 7 MOSI ( 输入 ) MSB 输入 位 6... LSB 输入 注释 : 未定义 图 9. SPI 从机模式时序 (CPHA = 0) Freescale Semiconductor, Inc. 7

尺寸 SS ( 输入 ) 4 SPSCK (CPOL=0) ( 输入 ) SPSCK (CPOL=) ( 输入 ) MISO ( 输出 ) 参见注释 3 3 5 5 3 0 从机 MSB 输出位 6... 从机 LSB 输出 9 MOSI ( 输入 ) 8 6 7 MSB 输入 位 6... LSB 输入 注释 : 未定义 图 0. SPI 从机模式时序 (CPHA = ) 6.5. MSCAN 表 8. MSCAN 唤醒脉冲特性 参数符号最小值典型值最大值单位 过滤掉的 MSCAN 显性 唤醒脉冲宽度 t WUP - -.5 µs 有效的 MSCAN 显性 唤醒脉冲宽度 t WUP 5 - - µs 7 尺寸 7. 获取封装尺寸封装尺寸包含在封装图纸中 如要查找封装图纸, 敬请前往 freescale.com, 并按关键字搜索封装图纸的文档编号 : 如果需要此封装的图纸 请使用此文档编号 44 引脚 LQFP 98ASS35W 64 引脚 QFP 98ASB4844B 64 引脚 LQFP 98ASS334W 80 引脚 LQFP 98ASS337W 8 Freescale Semiconductor, Inc.

引脚分配 8 引脚分配 8. 信号多路复用和引脚分配 下表显示的是各引脚上的信号以及这些引脚在本文档支持的器件上的位置 端口控制模块 负责选择每个引脚上的 ALT 功能 80 LQFP 64 LQFP /QFP 44 LQFP VSS 与 VSSA 在内部相连 VREFH 与 VDDA 在 64 引脚封装中内部相连 注 PTB4 PTB5 PTD0 PTD PTE0 PTE PTH0 和 PTH 用作输出时为高电流驱动引脚 PTA 和 PTA3 在用作输出时为有效的开漏引脚 Pin Name 默认值 ALT0 ALT ALT ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 PTD 禁用 PTD KBI0_P5 FTM_CH3 SPI_MOSI PTD0 禁用 PTD0 KBI0_P4 FTM_CH SPI_SCK 3 3 PTH7 禁用 PTH7 KBI_P3 PWT_IN 4 4 PTH6 禁用 PTH6 KBI_P30 5 PTH5 禁用 PTH5 KBI_P9 6 5 3 PTE7 禁用 PTE7 KBI_P7 TCLK FTM_CH CAN0_TX 7 6 4 PTH 禁用 PTH KBI_P6 BUSOUT FTM_CH0 CAN0_RX 8 7 5 VDD VDD VDD 9 8 6 VDDA VDDA VREFH VDDA 0 VREFH VREFH VREFH 9 7 VREFL VREFL VREFL 0 8 VSS/ VSSA VSS/ VSSA 3 9 PTB7 EXTAL PTB7 KBI0_P5 IC0_SCL EXTAL 4 0 PTB6 XTAL PTB6 KBI0_P4 IC0_SDA XTAL 5 3 PTI4 禁用 PTI4 IRQ 6 PTI 禁用 PTI IRQ UART_TX 7 PTI0 禁用 PTI0 IRQ UART_RX 8 4 PTH 禁用 PTH KBI_P5 FTM_CH 9 5 PTH0 禁用 PTH0 KBI_P4 FTM_CH0 0 6 PTE6 禁用 PTE6 KBI_P6 7 PTE5 禁用 PTE5 KBI_P5 VSSA VSS Freescale Semiconductor, Inc. 9

引脚分配 80 LQFP 64 LQFP /QFP 44 LQFP Pin Name 默认值 ALT0 ALT ALT ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 8 PTB5 禁用 PTB5 KBI0_P3 FTM_CH5 SPI0_PCS ACMP_OUT 3 9 3 PTB4 NMI_b PTB4 KBI0_P FTM_CH4 SPI0_MISO ACMP_IN NMI_b 4 0 4 PTC3 ADC0_SE PTC3 KBI0_P9 FTM_CH3 ADC0_SE 5 5 PTC ADC0_SE0 PTC KBI0_P8 FTM_CH ADC0_SE0 6 6 PTD7 禁用 PTD7 KBI0_P3 UART_TX 7 3 7 PTD6 禁用 PTD6 KBI0_P30 UART_RX 8 4 8 PTD5 禁用 PTD5 KBI0_P9 PWT_IN0 9 PTI6 禁用 PTI6 IRQ 30 PTI5 禁用 PTI5 IRQ 3 5 9 PTC ADC0_SE9 PTC KBI0_P7 FTM_CH ADC0_SE9 3 6 0 PTC0 ADC0_SE8 PTC0 KBI0_P6 FTM_CH0 ADC0_SE8 33 PTH4 禁用 PTH4 KBI_P8 IC_SCL 34 PTH3 禁用 PTH3 KBI_P7 IC_SDA 35 7 PTF7 ADC0_SE5 PTF7 KBI_P5 ADC0_SE5 36 8 PTF6 ADC0_SE4 PTF6 KBI_P4 ADC0_SE4 37 9 PTF5 ADC0_SE3 PTF5 KBI_P3 ADC0_SE3 38 30 PTF4 ADC0_SE PTF4 KBI_P ADC0_SE 39 3 PTB3 ADC0_SE7 PTB3 KBI0_P SPI0_MOSI FTM0_CH ADC0_SE7 40 3 PTB ADC0_SE6 PTB KBI0_P0 SPI0_SCK FTM0_CH0 ADC0_SE6 4 33 3 PTB ADC0_SE5 PTB KBI0_P9 UART0_TX ADC0_SE5 4 34 4 PTB0 ADC0_SE4 PTB0 KBI0_P8 UART0_RX PWT_IN ADC0_SE4 43 35 PTF3 禁用 PTF3 KBI_P UART_TX 44 36 PTF 禁用 PTF KBI_P0 UART_RX 45 37 5 PTA7 ADC0_SE3 PTA7 KBI0_P7 FTM_FLT ACMP_IN ADC0_SE3 46 38 6 PTA6 ADC0_SE PTA6 KBI0_P6 FTM_FLT ACMP_IN0 ADC0_SE 47 39 PTE4 禁用 PTE4 KBI_P4 48 40 7 VSS VSS VSS 49 4 8 VDD VDD VDD 50 PTG7 禁用 PTG7 KBI_P3 FTM_CH5 SPI_PCS 5 PTG6 禁用 PTG6 KBI_P FTM_CH4 SPI_MISO 5 PTG5 禁用 PTG5 KBI_P FTM_CH3 SPI_MOSI 53 PTG4 禁用 PTG4 KBI_P0 FTM_CH SPI_SCK 54 4 PTF 禁用 PTF KBI_P9 FTM_CH 55 43 PTF0 禁用 PTF0 KBI_P8 FTM_CH0 56 44 9 PTD4 禁用 PTD4 KBI0_P8 57 45 30 PTD3 禁用 PTD3 KBI0_P7 SPI_PCS 58 46 3 PTD 禁用 PTD KBI0_P6 SPI_MISO 59 47 3 PTA3 禁用 PTA3 KBI0_P3 UART0_TX IC0_SCL 60 48 33 PTA 禁用 PTA KBI0_P UART0_RX IC0_SDA 6 49 34 PTA ADC0_SE PTA KBI0_P FTM0_CH IC0_ 4WSDAOUT ACMP0_IN ADC0_SE 30 Freescale Semiconductor, Inc.

80 LQFP 64 LQFP /QFP 44 LQFP Pin Name 默认值 ALT0 ALT ALT ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 6 50 35 PTA0 ADC0_SE0 PTA0 KBI0_P0 FTM0_CH0 IC0_ 4WSCLOUT ACMP0_IN0 ADC0_SE0 63 5 36 PTC7 禁用 PTC7 KBI0_P3 UART_TX CAN0_TX 64 5 37 PTC6 禁用 PTC6 KBI0_P UART_RX CAN0_RX 65 PTI3 禁用 PTI3 IRQ 66 PTI 禁用 PTI IRQ 67 53 PTE3 禁用 PTE3 KBI_P3 SPI0_PCS 68 54 38 PTE 禁用 PTE KBI_P SPI0_MISO PWT_IN0 69 VSS VSS VSS 70 VDD VDD VDD 7 55 PTG3 禁用 PTG3 KBI_P9 7 56 PTG 禁用 PTG KBI_P8 73 57 PTG 禁用 PTG KBI_P7 74 58 PTG0 禁用 PTG0 KBI_P6 75 59 39 PTE 禁用 PTE KBI_P SPI0_MOSI IC_SCL 76 60 40 PTE0 禁用 PTE0 KBI_P0 SPI0_SCK TCLK IC_SDA 77 6 4 PTC5 禁用 PTC5 KBI0_P FTM_CH RTC_ CLKOUT 78 6 4 PTC4 SWD_CLK PTC4 KBI0_P0 RTC_ CLKOUT FTM_CH0 ACMP0_IN SWD_CLK 79 63 43 PTA5 RESET_b PTA5 KBI0_P5 IRQ TCLK0 RESET_b 80 64 44 PTA4 SWD_DIO PTA4 KBI0_P4 ACMP0_OUT SWD_DIO 引脚分配 8. 器件引脚分配 Freescale Semiconductor, Inc. 3

60 59 58 57 56 55 54 53 5 5 50 49 48 47 46 45 44 43 4 4 40 39 38 37 36 35 34 33 3 3 30 9 8 7 6 5 4 3 0 9 8 7 6 5 4 3 0 9 8 7 6 5 4 3 PTE6 PTH0 PTH PTI0 PTI PTI4 PTB6 PTB7 VSS/VSSA VREFL V REFH VDDA VDD PTH PTE7 PTH5 PTH6 PTH7 PTD0 PTD 80 79 78 77 76 75 74 73 7 7 70 69 68 67 66 65 64 63 6 6 PTA4 PTA5 PTC4 PTC5 PTE0 PTE PTG0 PTG PTG PTG3 VDD VSS PTE PTE3 PTI PTI3 PTC6 PTC7 PTA0 PTA PTA PTA3 PTD PTD3 PTD4 PTF0 PTF PTG4 PTG5 PTG6 PTG7 VDD VSS PTE4 PTA6 PTA7 PTF PTF3 PTB0 PTB PTB PTB3 PTF4 PTF5 PTF6 PTF7 PTH3 PTH4 PTC0 PTC PTI5 PTI6 PTD5 PTD6 PTD7 PTC PTC3 PTB4 PTB5 PTE5 图. 80 引脚 LQFP 封装引脚分配 3 Freescale Semiconductor, Inc.

PTC3 PTB4 PTB5 PTE5 PTE6 PTH0 PTH PTI4 PTB6 PTB7 VSS/VSSA VREFL VDDA/VREFH VDD PTH PTE7 PTH6 PTH7 PTD0 PTD 60 59 58 57 56 55 54 53 5 5 50 49 48 47 46 45 44 43 4 4 40 39 38 37 36 35 34 33 3 3 30 9 8 7 6 5 4 3 0 9 8 7 6 5 4 3 0 9 8 7 6 5 4 3 64 63 6 6 PTA4 PTA5 PTC4 PTC5 PTE0 PTE PTG0 PTG PTG PTG3 PTE PTE3 PTC6 PTC7 PTA0 PTA PTA PTA3 PTD PTD3 PTD4 PTF0 PTF VDD VSS PTE4 PTA6 PTA7 PTF PTF3 PTB0 PTB PTB PTB3 PTF4 PTF5 PTF6 PTF7 PTC0 PTC PTD5 PTD6 PTD7 PTC 图. 64 引脚 QFP/LQFP 封装引脚分配 Freescale Semiconductor, Inc. 33

修订记录 44 43 4 4 40 39 38 37 36 35 34 PTA4 PTA5 PTC4 PTC5 PTE0 PTE PTE PTC6 PTC7 PTA0 PTA PTD 33 PTA PTD0 3 PTA3 PTE7 3 3 PTD PTH 4 30 PTD3 VDD 5 9 PTD4 VDDA/VREFH 6 8 VDD VREFL 7 7 VSS VSS/VSSA 8 6 PTA6 PTB7 9 5 PTA7 PTB6 0 3 PTB PTI4 4 PTB0 PTB5 PTB4 3 PTC3 4 PTC 5 PTD7 6 PTD6 7 PTD5 8 PTC 9 PTC0 0 PTB3 PTB 图 3. 44 引脚 LQFP 封装 9 修订记录 下表列出本文的修订记录 表 9. 修订记录 修订版本号日期重大变更 3/04 初次公开发行版 下一页继续介绍此表... 34 Freescale Semiconductor, Inc.

表 9. 修订记录 ( 继续 ) 修订记录 修订版本号日期重大变更 3 5/04 更新了 SI DD 的最大值 更新了 V OH 脚注 修正了 FTM 输入时序表中的单位 Freescale Semiconductor, Inc. 35

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