電子學(全)大會考題庫

電子學大會考 1 100 學年度電子學 ( 全 ) 大會考題庫 一 請寫出下列英文專有名詞之中文名稱 (1) doping (2) semiconductor (3) diode (4) insulator (5) barrier potential (6) bias (7) Filter (8) rectifier (9) DC power supply (10) ripple (11) Gain (12) Saturation (13) Amplification (14) Base (15) Emitter (16) AC Ground (17) Feedback (18) Linear (19) Common Emitter (20) Stability (21) Common-mode (22) CMRR (23) Differential (24) Power amplifier (25) Efficiency (26) Push-Pull (27) Crossover Distortion (28) Resonator (29) FET (30) Depletion (31) Enhancement (32) Drain (33) Gate (34) Pinch-off

電子學大會考 2 二 選擇題 答案題號題目 A 1. 某個 A 類放大器的輸入信號功率是 100mW, 輸出到負載的功率為 5W 功率增益為 (A)50 (B)100 (C)5 (D)250 B 2. C 類放大器中電晶體的導通時間 (A) 大於輸入週期的 180 度 (B) 小於輸入週期的 180 度 (C) 等於輸入週期的一半 (D) 整個輸入週期 C 3. I DSS 是 (A) 源極短路時的汲極電流 (B) 截止時的汲極電流 (C) 汲極電流的最大值 (D) 汲極電流的中點值 C 4. 某個 JFET V GS = 10V 時,I GSS = 10 na 其輸入電阻為 (A) 100MΩ (B)1MΩ (C)1000MΩ (D)10MΩ B 5. 某個 A 類放大器的 V CEQ =12V 且 I CQ =1A 則最大輸出信號功率為 (A) 12W (B)6W (C)0.707W (D)1W D 6. FET 的定電流區域介於那兩者之間 (A) 截止與飽和 (B) 截止與夾止 (C)0 和 I DSS (D) 夾止與崩潰 D 7. C 類放大器的最大效率為 (A) 比 A 類低 (B) 比 B 類低 (C) 比 AB 類低 (D) 比 A B AB 類高 A 8. 下列何者是 JFET 的工作條件 (A) 閘極對源極 pn 接面逆向偏壓 (B) 閘極對源極 pn 接面順向偏壓 (C) 汲極接地 (D) 閘極與源極相連接 D 9. 一直在線性區工作的放大器是 (A)C 類 (B)D 類 (C)B 類 (D) A 類 D 10. B 類放大器的電晶體偏壓設定在 (A) 截止區內 (B) 飽和區 (C) 負載線的中點 (D) 截止點上 B 11. 某個 JFET 特性資料表標示 V GS(OFF) = 6V, 其夾止電壓 V P (A) 無法算出 (B) 等於 -6V (C) 由 V GS 決定 (D) 等於 +6V B 12. 前題中 JFET 是 (A) 為 N 通道 (B) 為 P 通道 (C) 皆可 A 13. A 類放大器的最大效率為 (A) 25% (B) 50% (C)79% (D) 98% C 14. B 類推挽式放大器的最大效率為 (A) 25% (B) 50% (C) 79% (D) 98% A 15. 交越失真為下列何種放大器的缺點? (A) B 類 (B)AB 類 (C)A 類 (D)C 類 C 16. 功率放大器的效率為輸出到負載的功率與下列何者的比值? (A) 輸入信號功率 (B) 最後一級放大器的功率消耗 (C) 由直流電源供應器輸入的功率 (D) 以上皆非 B 17. JFET 的通道是介於那兩極之間? (A) 閘極與汲極 (B) 汲極與源極 (C) 閘極與源極 (D) 輸入端與輸出端

電子學大會考 3 B 18. JFET 是 (A) 雙極性元件 (B) 電壓控制元件 (C) 電流控制元件 (D) 以上皆非 A 19. 某個 P 通道 JFET,V GS =8V 中點偏壓時,V GS 約為 (A)2.34V (B)0V (C)1.25V (D)4V C 20. 要當作可變電阻使用,JFET 必須為 (A) n 通道元件 (B) p 通道元件 (C) 偏壓於歐姆區 (D) 偏壓於飽和區 C 21. 當 VGS =0, 汲極電流開始變成定電流時, 如果超過 V DS 超過 (A) 截止電壓 (B)V DD (C) V P (D)0V D 22. 某個 p 通道 JFET,VGS(OFF) =6 V, 當 VGS =8 V,ID= (A)5mA (B)1mA (C)0.5mA (D)0 D 23. 歐姆區的汲 - 源極阻抗取決於 (A) VGS (B)Q 點的值 (C) 曲線在 Q 點的斜率 (D) 以上皆是 B 24. 在截止狀態下,FET 通道處於 (A) 最寬位置 (B) 空乏區造成它完全關閉的狀態 (C) 非常窄的狀態 (D) 逆向偏壓狀態 B 25. 自給偏壓 JFET 中, 其閘極為 (A) 正電壓 (B)0V (C) 負電壓 (D) 接地 C 26. MOSFET 不同於 JFET, 主要因為 (A) 額定功率 (B)MOSFET 有兩個閘極 (C) JFET 有 pn 接面 (D) MOSFET 沒有實體通道 A 27. 在共源極放大器中, 輸出電壓 (A) 與輸入電壓 180 反相 (B) 與輸入電壓同相位 (C) 從源極輸出電壓 (D) 從閘極輸出電壓 B 28. 某個共源極放大器中,V ds =3.2Vrms 且 V gs =280mVrms 則電壓增益為 (A)1 (B) 11.4 (C) 8.75 (D) 3.2 B 29. 某個共汲極放大器的互導為 6000μS, 且 R S =1KΩ, 則電壓增益為 (A)1 (B) 0.86 (C)0.98 (D) 6 A 30. 某個共源極放大器中的負載電阻是 10 KΩ, 且 RD=820Ω 如果 g m =5mS 且 V in =500mV, 輸出信號電壓為 (A) 1.89V (B)2V (C) 2.05V (D) 0.5V B 31. 如果將前題共源極放大器的負載電阻移除, 則輸出電壓將會 (A) 維持不變 (B) 增加 (C) 減少 (D) 變成 0 A 32. 小信號放大器 (A) 只使用負載線的一小部分 (B) 輸出信號電壓的大小總是在幾個 mv 的範圍 (C) 輸入信號號的每一週期, 電晶體都會進入飽和狀態 (D) 都是共射極放大器 B 33. h fe 參數可對應到 (A) β DC (B) β AC (C) r' e (D) r' C C 34. 已知 CE 放大器驅動一個 10 kω 負載而 RC = 2.2kΩ, 且 r' e =10Ω, 則電壓增益為 (A)220 (B)1000 (C) 180 (D)10 A 35. 共基極放大器的輸入阻抗 (A) 很低 (B) 很高 (C) 與共射極相同 (D) 與共集極相同 B 36. 某共射極放大器的電壓增益是 100 如果移除射極旁路電容, 則 (A) 電路會變的不穩定 (B) 電壓增益會下降 (C) 電壓增益會增加 (D) Q- 點位置會移動

電子學大會考 4 B 37. 某個射極隨耦器電路的電流增益是 25, 功率增益大約為 (A)50Av (B)25 (C)1 (D) 以上皆非 D 38. 共集極放大器中,RE=100Ω,r'e=10Ω, 且 β ac =150 其基極交流輸入阻抗為 (A) 1500Ω (B)15kΩ (C) 110Ω (D)16. 5 kω C 39. 四級放大器的每一級電壓增益都是 15 則總電壓增益為 (A)60 (B)15 (C)50625 (D)3078 C 40. 某電晶體放大器的射極直流電流是 3mA, 則 r'e 的近似値為 (A) 3000Ω (B) 3Ω (C) 8.33Ω (D) 0.33 kω B 41. 功率電晶體 BJT 的哪一個接點連接到外殼 (A) 基極 (B) 集極 (C) 射極 (D) 以上皆非 B 42. 什麼原因導致放大器交越失真 (A) 基 - 集極接面 (B) 基 - 射極接面 (C) 集 - 射極接面 (D) 以上皆非的障壁電壓 D 43. 所有 MOS 元件可能因下列何種原因而損壞 (A) 過熱 (B) 靜電放電 (C) 電壓過高 (D) 以上皆是 C 44. IGBT 通常用在 (A) 低功率的應用場合 (B) 低電流的應用場合 (C) 高電壓的應用場合 (D) 以上皆非 A 45. 將電晶體施加偏壓後, 集極電流的最大值為 (a) β DC I B (b)i C(SAT) (c) I E (d)i E -I B C 46. 在 PNP 電晶體中,P 型區域是 (A) 基極和射極 (B) 基極和集極 (C) 射極和集極 (D) 以上皆非 A 47. 射極電流總是 (A) 大於集極電流 (B) 小於基極電流 (C) 小於集極電流 (D) 以上皆非 C 48. 電晶體的 β DC 是它的 (A) 功率增益 (B) 電壓增益 (C) 電流增益 (D) 內部阻抗 B 49. 假如 I C 大於 I B 的 50 倍那麼 β DC 是 (A)500 (B) 50 (C) 100 (D) 0.2 C 50. 運算放大器具有 50μA 和 49.3μA 的偏壓電流, 則輸入抵補電流為 (A)49.7μA (B)99.3μA (C)0.7μA (D) 以上皆非 A 51. 零位準檢測器是下列何者的一種應用 (A) 比較器 (B) 微分器 (C) 加法放大器 (D) 二極體 B 52. 負回授可以 (A) 增加輸入和輸出阻抗 (B) 增加輸入阻抗和頻寬 (C) 減少輸出阻抗和頻寬 (D) 不影響阻抗和頻寬 B 53. 下列何者不一定是運算放大器的特性 (A) 高增益 (B) 低功率 (C) 高輸入阻抗 (D) 低輸出阻抗. D 54. 差動放大器 (A) 為運算放大器的一部分 (B) 具有一個輸入和一個輸出 (C) 有兩個輸出 (D) 答案 (A)(C) 均正確 A 55. 某一 OP-AMP 的輸出在 12μs 內增加 8v, 則轉動率為 (A)0.67 v/μs (B)0.96 v/μs (C)1.5 v/μs (D)96v/μs D 56. 如果輸入是步級電壓, 則積分器輸出為 (A) 脈衝 (B) 三角波 (C) 尖型波 (D) 斜坡電壓 D 57. 理想積分器的回授元件是 (A) 電阻 (B) 電容 (C) 齊納二極體 (D) 分壓器 B 58. 共模增益 (A) 很高 (B) 很低 (C) 永遠為 1 (D) 無法預測 B 59. 如果 A v(d) =3500 和 A Cm =0.35 則 CMRR 為 (A)1000 (B)10000 (C)60DB (D) 以上皆正確

電子學大會考 5 A 60. 微分器的回授元件是 (A) 電阻 (B) 電容 (C) 齊納二極體 (D) 分壓器 C 61. 當微分器輸入是三角波訊號時, 則輸出為 (A) 直流位準 (B) 反轉三角波 (C) 方波 (D) 三角波的第一階諧波 C 62. 對一個具有負回授的運算放大器而言, 它的輸出 (A) 等於輸入 (B) 增加的 (C) 回授到反相輸入端 (D) 回授到正相輸入端 A 63. 使用負回授會 (A) 降低運算放大器的電壓增益 (B) 使運算放大器產生震盪 (C) 促成非線性操作 (D) 以上皆非 D 64. 電壓隨耦器 (A) 增益為 1 (B) 正相 (C) 沒有回授電阻 (D) 以上均是 D 65. 某個非反相放大器的 R i 為 1KΩ,R f 為 10KΩ 則閉環路增益為 (A)100000 (B)1000 (C)101 (D)11 A 66. 前題中回授電阻開路, 則電壓增益會 (A) 增加 (B) 減少 (C) 沒影響 (D) 視 R i 而定 C 67. 抵補歸零的目的為 (A) 降低增益 (B) 等化輸入訊號 (C) 將輸出誤差電壓歸零 (D) 以上皆非 C 68. 積體電路運算放大器具有 (A) 兩個輸入和兩個輸出 (B) 一個輸入和一個輸出 (C) 兩個輸入和一個輸出 (D) 以上皆非 B 69. 當運算放大器在單端差動模式操作時, (A) 輸出接地 (B) 一個輸入端接地而訊號輸入到另一個輸入端 (C) 兩個輸入端接在一起 (D) 輸出沒有反相 D 70. 某電晶體分壓器偏壓電路中, 已知 V B 是 5.95V, 則此電晶體的 V E 約為 (A) 0.7V (B)5.95V (C)5.65V (D) 5.25V A 71. 假如電晶體放大器的輸出是 10V rms 而輸入是 100mV rms 則電壓增益是 (A)100 (B)10 (C) 0.1(D)1 B 72. 當操作在截止區和飽和區時, 電晶體就像 (A) 線性放大器 (B) 電子開關 (C) 可變電容器 (D) 可變電阻 C 73. 在分壓器電路, 下列那個條件可忽略 R IN(BASE) (A)R IN(BASE) >R 2 (B)R 2 >R IN(BASE) (C)R IN(BASE) >10R 2 (D)R 1 R 2 A 74. 在截止區,V CE 是 (A)0V (B) 等於 V CC (C) 最小值 (D) 最大值

電子學大會考 6 四 簡答題 1. VCE 和 Vce 的差異為何? 11 JFET 三個端點的正確名稱 2. Re 和 γ e 的差異為何? 12 在 JFET 中如何控制汲極電流? 3. 如果 IE = 15mA, 則 γ e 大約為多少? 13 p 通道 JFET 的 VGS 應該為正值或負值? 4. CE 放大器輸入與輸出電壓的相位關係為何? 14 寫出兩種 MOSFET 基本類型的名稱 5. 共集極放大器通常又稱為什麼? 15 什麼因素決定了 FET 共源極放大器的電壓增益? 6. 共集極放大器具有什麼特性使它成為有用的電路? 16 基本運算放大器有哪些端點? 7. 共基極放大器的電流增益最大值為多少? 17 差動放大器放大什麼? 8. 功率電晶體 BJT 的那一個接點連接到外殼? 18 在運算放大器電路中, 負回授的優點是什麼? 9 AB 類與 B 類放大器的差異為何? 19 在運算放大器電路中, 負回授的主要功能為何? 10 正常狀況下 C 類放大器偏壓在何處? 20 非反相放大器的輸入阻抗和運算放大器自己本身的輸入阻抗比較起來如何? 21 下圖中, 每一個比較器的參考電壓為多少? 22 辨識下圖每個運算放大器的輸入模式類型

電子學大會考 7 23 試分辨下圖每一種運算放大器的電路型態 24 試求下圖中每個放大器的閉環路增益 25 試求可以產生下圖中每個放大器所指定閉環路增益的值

電子學大會考 8 五 計算題 (1). C.E 放大器電路, a 畫出直流等效電路, 試求 V B V E I E V C b 畫出交流等效電路, 試求 γ e Rin(base) Rin(tot) Rc c. 求電壓增益 Av 總電壓增益 A v

電子學大會考 9 (2).IDSS 為 4.3 ma,vgs(off) 為 - 2.7V 的 JFET 放大器電路 a 請利用圖解法畫出轉換特性曲線 b 畫出負載線 c 找出 Q 點約略值 ID VD VGS d 交流輸出電壓 VOUT e 若接上 4.7KΩ 的負載電阻, 則求輸出電壓 VOUT