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- 堂 孟
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1 Chapter Basic MOS Device Physics 0/4/3 Ch Device
2 MOS Device Structure 0/4/3 Ch Device
3 NMOS and PMOS with Well 0/4/3 Ch Device 3
4 MOS Symbols 0/4/3 Ch Device 4
5 MOS Channel Formation 0/4/3 Ch Device 5
6 I/ Characteristics 0/4/3 Ch Device 6
7 I/ Characteristics I = Qd v Qd = WCox(GS TH) Qd(x) = WCox(GS (x) TH) 0/4/3 Ch Device 7
8 L I/ Characteristics (cont.) ID = WCox[GS (x) TH]v IDdx = WCoxμn[GS (x) TH]d x =0 Given v = μe and E(x) = ID = WCox[GS (x) TH]μn DS = 0 d (x) dx d(x) dx ID = μncox W L [(GS TH)DS DS ] 0/4/3 Ch Device 8
9 I/ Characteristics (cont.) ID = μncox W L [(GS TH)DS DS ] 0/4/3 Ch Device 9
10 Operation in Triode eion ID = μncox W L [(GS TH)DS DS ] ID = μncox W L (GS TH)DS, DS << (GS TH) ON = μncox W L (GS TH) 0/4/3 Ch Device 0
11 Operation in Active (Saturation) eion ID = μncox W L [(GS TH)DS DS ] ' DS = GS TH (Pinch off ) ID = μncox W L (GS TH) 0/4/3 Ch Device
12 Active eion (cont.) Active eion 0/4/3 Ch Device
13 Transconductance, m m = ID GS DS cons tan t m = μncox W L ID = μncox W L (GS TH) = ID GS TH 0/4/3 Ch Device 3
14 Triode and Active eion Transition Active Active 0/4/3 Ch Device 4
15 Threshold oltae and Body Effect (cont.) TH = TH0 +γ ( ΦF + SB ) ΦF, γ = qεsinsub Cox No Body Effect With Body Effect 0/4/3 Ch Device 5
16 Channel Lenth Modulation L L ID = μncox W L (GS TH) ( + λds) 0/4/3 Ch Device 6
17 Channel Lenth Modulation (cont.) ID = μncox m = μncox W L (GS TH) ( + λds) W L (GS TH)( + λds) m = ID GS TH, (unchaned) 0/4/3 Ch Device 7
18 Subthreshold Conduction GS ID = I 0 exp ζ kt q DS fixed 0/4/3 Ch Device 8
19 MOS Layout 0/4/3 Ch Device 9
20 Device Capacitances 0/4/3 Ch Device 0
21 Layout for Low Capacitance 0/4/3 Ch Device
22 G-S and G-D Capacitance 0/4/3 Ch Device
23 MOS Small Sinal Models ro = DS ID = ID / DS = μncox W = L (GS TH) λ λid 0/4/3 Ch Device 3
24 Bulk Transconductance, mb mb = ID BS = μncox W L (GS TH) TH BS Also, TH BS = TH SB = γ (ΦF + SB) / mb = m γ ΦF +SB = ηm 0/4/3 Ch Device 4
25 Gate esistance 0/4/3 Ch Device 5
26 MOS Small Sinal Model with Capacitance 0/4/3 Ch Device 6
27 C- of NMOS 0/4/3 Ch Device 7
28 第三章單級放大器 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
29 簡目 3. 基本觀念 3. 共源極組態 3.. 負載電阻之共源極組態 3.. 負載二極體之共源極組態 3..3 負載電流源之共源極組態 3..4 負載三極管之共源極組態 3..5 源極退化之共源極組態 3.3 源極隨耦器 3.4 共閘極組態 3.5 疊接組態 3.5. 摺疊疊接組態 3.6 元件模型的選擇 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
30 放大器之輸入 - 輸出特性 一個放大器之輸入 - 輸出特性通常為一非線函數 n y( t) α + α x( t) + α x ( t) + + x ( ) x x x 0 α n t x 的範圍夠小時 y t) α + α x( ) ( 0 t 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
31 類比設計八邊形 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
32 負載電阻之共源極組態 Line: in-th=out out = DD out <<( in - TH ) out W = DD D μncox ( in TH ) L W out = in TH = DD D μncox ( in TH ) L out = DD D μnc X and Y axis not same scale W [( ) ox in TH out out out 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 5 = DD L on on + D DD = W + μncox D ( in TH L ] )
33 負載電阻之共源極組態 Line: in-th=out X and Y axis not same scale 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 6
34 繪出圖 3.3(a) 中 M 之汲極電流和轉導對於輸入電壓之關係圖 解 : 例題 3. m =μ n C ox (W/L) DS m =μ n C ox (W/L)( GS - TH ) W out = in TH = DD D μncox ( in TH ) L 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 7
35 電壓增益? out = DD D μnc ox W L ( in TH ) A v W out = = DμnCox ( in TH ) in L = m D A v = W D μncox I D = L I D μ C n ox W L D I D D fixed for next stae bias 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 8
36 包含輸出電阻之共源極小信號模型 r A O D v = m r O + D 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 9
37 例題 3. 假設圖 3.6 之 M 操作於飽和區, 計算電路之小信號電壓增益 解 : 因為 I 之阻抗為無限大, 增益將被 M 之輸出電阻所限制 :A v =- m r O 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 0
38 負載二極體 二極體之阻抗? (/ m ) r O / m = X I X = X /r O + m X 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
39 考慮基板效應之負載二極體 =- X bs=- X X ( + ) + = I r m mb X X O I X X =? = = r = I r X O X m + mb + O m + mb m + mb 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
40 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3 負載二極體之共源極組態 +η = + = m m mb m m v A η η μ μ + = + = ) / ( ) / ( ) / ( ) / ( L W L W I L W C I L W C A D ox n D ox n v
41 負載二極體元件之電路 Cut off Saturation No need to pass (0,0) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
42 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 5 PMOS 負載二極體元件 ) / ( TH GS ox m L W C = μ ) / ( ) ( ) / ( TH GS ox p TH GS ox n m m v L W C L W C A = = μ μ
43 在圖 3.3 電路中,M 偏壓於飽和區, 且其汲極電流為 I, 當電流源 I S = 0.75I 加至電路中,What is Av? 解 : = μ C ( W / L) I = μ C ( W / L) ( ) m p ox D p ox GS THP Now, I D,new =I /4 A vnew, 例題 3.3 When I D =I μ ( W / L) I μ ( W / L) Av = = μ ( W / L) I μ ( W / L) If fixin (W/L), If fixin ( GS - THP ), I I A D, new m n n m p D p m μn( W / L) I μn( W / L) I = = m μ p( W / L) I I D, new μ p ( W / L) 4, new D, new p ox, new GS THP = = = ( W / L) 4 ID μ pcox( W / L) ( GS THP) 4 m μn( W / L) I μn( W / L) I, = = m, new μ p ( W / L) I = 4 μn( W / L) 4 μn( W / L) 4A μ ( / ) p( W / L) = μ, p W L = new, new ID, new μ p( W / L), new 4 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 6 vnew μ pcox( W / L), new( GS THP) I = = 4 μ C ( W / L) ( ) I μ C ( W / L) ( ) p ox GS THP D = = I ( W / L) 4 4 μ ( W / L) μ ( W / L) n = = p A v v
44 負載電流源之共源極組態 A v = - m (r O r O ) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 7
45 負載三極管之共源極組態 on = μ C p ox ( W / L) ( DD b THP ) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 8
46 源極退化之共源極組態 線性特性 Fiure 3.6 in 增加 I D 及 s 之跨壓亦會增加 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 9
47 G m = 源極退化共源極組態的小信號增益 Av = out / in = ( ID / in) D md = GmD = + ID f GS ( in s ID ) f I D f = = = = ( G ) in GS in in GS in GS G A = / =? m v out in out = DD - I D D = + m m S 假設 I D =f( GS ) S s m m 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 0 m S Without r o here! ID = μncox W L (GS TH) ( + λds)
48 源極退化共源極組態之小信號模型推導 G m G Output short ckt current = I = I out = = m m ( r in mb I out X S I ) + out m O m m m in S + [ + ( m + mb) S] ro S + [ + ( ) ] ms m + mb + S ro 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp = r out O S mb ( I out S ) I r out O S
49 共源極元件之汲極電流和轉導值無 / 有退化 m m = ID GS DS cons tant Iout Gm = = W in = μncox ( GS TH) Small sinal L G = + S m m S mr + [ + ( + m O mb ) S ] r O 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
50 源極路徑上所視之電阻 A v = + m m D S = m + D S 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
51 繪出圖 3.6 之電路小信號電壓增益 Av 和輸入偏壓電壓 i 之關係圖 解 : 例題 3.4 Fiure 3.6 A v = D + m S When s=0 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
52 例題 3.5 假設 λ=γ= 0, 計算圖 3.(a) 電路之小信號增益 解 : A v = m + D m 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 5
53 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 6 共源極組態之輸出電阻 X S X X S mb m X O I I I r = ] ) ( [ 流經 s 之電流為 I X, = - I X s O S mb m O S O mb m O S O mb m S O S mb m out r r r r r r ] ) ( [ ) ( ] ) ( [ ] ) ( [ + + = = = X out X I = 流經 r O 之電流為 I X - ( m + mb ) =I X + ( m + mb ) s I X
54 對應外加汲極電壓之汲極電流變化 輸出電阻另一想法 加一電壓變量 Δ S m + mb 於輸出節點 Δ =Δ S S + ro m + mb Δ Δ I = S =Δ [ + ( + ) ] r + S m mb S O S Δ = = [ + ( + ) ] r + Exact Solu out m mb S O S 0/4/3 Ch3 ΔISinle_stae_amp 7
55 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp = + = D S out mb D S out in m D out bs mb m D out ro I ) ( D S out O D S out mb D S out in m O D out S D out O ro out r r r I + + = = 有限輸出阻抗之電壓增益
56 r o not infinite 有限輸出阻抗之電壓增益 out in = D + S + r O mro D + ( + m mb ) S r O A v mrod[ S+ ro+ ( m+ mb) SrO] = + + r + ( + ) r + r + ( + ) r D S O m mb S O S O m mb S O mro D[ S+ ro+ ( m+ mb) SrO] = S + ro + ( m + mb) SrO D + S + ro + ( m + mb) SrO = Gm( D // out) Iout mro Gm = = in S + [ + ( m + mb) S ] ro Δ = = [ + ( + ) ] r + ΔI out m mb S O S If r o lare, 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 9 A v = G m D md = + m S
57 例題 3.6 計算圖 3.6 電路之電壓增益, 假設 I 0 為一理想電流源 解 : A v = r m O + + r + ( + ) r D S O m mb S O D => mro 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 30
58 第三章 單級放大器 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
59 簡目 3. 基本觀念 3. 共源極組態 3.. 負載電阻之共源極組態 3.. 負載二極體之共源極組態 3..3 負載電流源之共源極組態 3..4 負載三極管之共源極組態 3..5 源極退化之共源極組態 3.3 源極隨耦器 3.4 共閘極組態 3.5 疊接組態 3.5. 摺疊疊接組態 3.6 元件模型的選擇 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
60 源極隨耦器 source follower in,out>>s Gain? in < TH,M 關閉且 out = 0 in > TH 時, W μ nc ox ( in TH out) S = L out 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
61 源極隨耦器之增益 W out Av = μ nc ox ( in TH out) S = out in L W TH out μ out ncox ( in TH out) S = L in in TH TH γ out / TH in = = η out = ( Φ F+ SB) = η = in out SB in W μ ( ) ncox in TH out S out = L W in + μncox ( in TH out) S ( + η) L W m = μncox ( in TH out) L S m S Av = + ( m + mb) S + ( + η) S 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_ampm 4 = in TH out
62 源極隨耦器小信號等效電路 A v = m S + ( + η) S 電壓增益與輸入電壓之關係圖 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 5
63 電流源取代電阻之源極隨耦器 使用 NMOS 電晶體作為電流源之源極隨耦器 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 6
64 例題 3.7 假設在圖 3.30(a) 之源極隨耦器中,(W/L) = 0/0.5,I = 00μA, TH0 = 0.6,Φ F = 0.7,μ n C ox = 50μA/ 且 γ= 0.4 (a) 計算 in =. 時的 out (b) 如果 I 如圖 3.30(b) 之 M 來實現, 找出使得 M 維持在飽和區之最小 (W/L) 值 解 : ( in TH out) = I D μncox( W / L (a) out 0.9 ) TH = TH 0 + γ ϕf + SB ϕf = (b) ( GS - TH ) 0.9 ( ) = I D GS TH μncox( W / L) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 7
65 源極隨耦器之輸出阻抗 = X I X m out = X m mb + X mb = 0 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 8
66 考慮基板效應之源極隨耦器 out = m mb = m + mb 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 9
67 戴維尼等效電路表示法 A v = m + mb mb = When / mb open from the rest, current is zero, so =0 and out=in m + m mb 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 0
68 考慮有效通道長度調變效應 A v = mb mb r O r O r O r O L + L m 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
69 例題 3.8 計算圖 3.35 電路之電壓增益 解 : M 源極所視之阻抗為 [/( m + mb )] r O 因此, A v = m m + + mb mb r O r O r O r O + mb mb m 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp
70 無基板效應之源極隨耦器 基板效應所造成的非線性可被消除, 通常只可在 PMOSs 中實現, 但會產生比 NMOS 更高之輸出阻抗 Not ood since the ood thin of source follower is low output resistance!! 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
71 共源極組態和源極隨耦器之疊加組態 無源極隨耦器時, X 之最小允許值為 GS - TH 考慮源極隨耦器時, X 必須大於 GS +( GS3 - TH3 ) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
72 負載電阻 A v = ro ro L mb ro ro L + mb m (a) (b) out in out in SF CS L + m L / m L 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 5
73 例題 3.9 (a)c 做為一交流短路, 計算其電壓增益 使 M 維持飽和狀態之最大直流輸入信號為何? (b) 為使得一輸入直流位準趨近於 DD, 電路修正為圖 3.39(b), 為確保 M 維持飽和狀態,M,M, M 3 之閘極 - 源極電壓間的關係為何? Level Shiftin 解 : A v =- m [r o r o (/ m )] (a) in 之最大允許直流位準為 DD - GS + TH (b) in = DD X = DD - GS3 DD - GS3 DD - GS + TH 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 6
74 共閘極組態 in > b - TH Cut off in decreases M saturation in decreases out decreases M triode 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 7
75 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 8 共閘極組態之輸出 - 輸入特性 TH b D TH in b ox n DD L W C = ) ( μ D TH in b ox n DD out L W C ) ( = μ D in TH TH in b ox n in out L W C = ) ( μ D m TH in b D ox n in out L W C ) ( ) )( ( η η μ + = + = =η = SB TH in TH Enterin triode point At saturation Gain?
76 例題 3.0 在圖 3.4 中, 電晶體 M 感測到 Δ 並傳送一等比例之電流至一 50Ω 傳輸線 傳輸線之另一端連接一 50Ω 電阻如圖 3.4(a), 與一共閘極組態如圖 3.4(b) 假設 λ=γ= 0 (a) 計算二種情況在低頻時的 out / in (b) 將節點 X 之波反射最小化的條件為何? D = 50Ω A v =- m D /( m + mb )= 50Ω D can be lare 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 9
77 共閘極組態之電壓增益 out out out S + in = 0 r O m mb S + in = D D D out S out r O ( m + mb) out in S + in = out D D D ( + ) r + = r r out m mb O D D mb = 0, s 0, ro > ( ) in O + m + mb O S + S + D S + 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp m 0 out
78 例題 3. 計算圖 3.44(a) 電路之電壓增益, 如果 λ 0 且 γ 0 r O mb in, eq = ro + mb m Source follower equation in out ( m + mb) ro + = r + ( + ) r + + in O m mb O S S D D eq = ro mb m r r O out ( m + mb) O + mb = D in r [ ( ) ] O O + + m + r mb ro ro + + D mb m mb m ( m) ro = D = m D [( ) r ] Application?? in bias can be very low. m O 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp m
79 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 共閘極組態之輸入與輸出阻抗 X X mb m X O X D I r I = + + ] ) ( [ ( ) ( ) D O X D in X m mb O m mb O m mb r I r r + = = D = 0 時, mb m O O mb m O X X r r r I + + = + + = ) (
80 負載理想電流源之共閘極組態 in D + ro D = + + ( + ) r ( + ) r + m mb O m mb O m mb Common source with source deeneration = {[ + ( + ) r ] + r } out m mb O S O D 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
81 計算負載一電流源之共閘極態電壓增益 [ 圖 3.47(a)] 解 : out in A v = r O ( + ( + m m + mb ) r mb = m mb O ( + ) r + O ) r 例題 3. O S + + S + D D D s no voltae drop 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
82 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 5 如範例 3.0 所見, 共閘極組態之輸入信號可能為一電流而非電壓信號, 如圖 3.49 所示 計算 out /I in 和電路之輸出阻抗, 如果輸入電流源顯示其輸出阻抗值等於 P 解 : P D D P P O mb m O O mb m in out r r r I = ) ( ) ( D O P O mb m out r r } ] ) ( {[ = 例題 3.3 D D S S O mb m O O mb m in out r r r = ) ( ) ( 戴維尼等效電路
83 疊接組態 將一共源極組態和一共閘極組態疊加即為一疊接組態 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 6
84 疊接組態之偏壓條件 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 7
85 疊接組態之輸入 - 輸出特性 x < in TH The circle is a not sure area!? out < b TH in < TH 時,M 和 M 關閉且 out = DD in 增加時, out 下降 in 足夠大時,() X 比 in 少 TH, 強迫 M 進入三極管區 () out 比 b 少 TH, 驅動 M 進入三極管區 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 8
86 疊接組態之小信號等效電路 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 9
87 例題 3.4 計算圖 3.54 之電路的電壓增益, 如果 λ= 0 答 : I = D m in A v = P + ( + ) m mb m P D P ( m + mb) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 30 + P
88 疊接組態之輸出阻抗 = + out [ + ( m + mb) ro ] ro ro 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
89 疊接組態的延伸 三疊接組態 疊接可延伸至三個或更多堆疊元件以達到更高的輸出阻抗, 但需要多餘的電壓頭部空間 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 3
90 負載電流源之疊接組態 如果 M 和 M 都操作於飽和區, 則 G m 近似於 m 且 + v out A = + ( m mb) ro ro ( m mb) ro mro 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 33
91 例題 3.5 計算圖 3.57 中電路之正確電壓增益值, 如果 consider λ out ( m + mb) ro + = r + ( + ) r + + in O m mb O S S D m o in O m mb O O O D out ( m + mb) ro + = D = ( m + mb) ro + r r + ( + ) r r + r + D A = r [( + ) r + ] v m O m mb O 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 34
92 疊接與增加元件長度的比較 Question: Fixed I D, 相同的輸入 / 輸出 (ovx) 電壓振幅限制 (b) or (c ) better in terms of A v? λ / L W ID = μncox ( in TH) L W W L mro = μncox ID μncox ID L λid L ID 將 L 放大四倍會使得 m r O 加倍, 而疊接使其 Av 約為 ( m r O ) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 35
93 負載 PMOS 之疊接組態 阻抗值為 [ + ( m3 + mb3) ro 3] ro 4 + ro 3 最大輸出移幅為 DD GS TH ) ( GS TH ) 利用輔助定理 Gm m 得到 ( GS3 TH 3 GS4 TH 4 out = {[ + ( m + mb) ro ] ro + ro } {[ + ( m3 + mb3) ro 3] ro 4 + ro 3} A v [( mro ro ) ( m3ro 3r 4)] m out m O 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 36
94 例題 3.6 二個相同的 NMOS 電晶體作為系統中的固定電流源 [ 圖 3.6(a)], 然而, 由於系統的內部電路特性, X 比 Y 高 Δ I I r D D =Δ / o (a) 計算 I D 和 I D 的差異, 如果 λ 0 I I = D D Δ ( + ) r r m3 mb3 O3 O (b) 將疊接元件加至 M 與 M 並重做 (a) 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 37
95 疊接組態屏蔽特性的消失 ( X 減少驅使 M 進入三極管區 ) x drop and make M triode p follows x to drop in order to make I d =I d fixed possible M also enter triode I s fixed I d fixed W [( )( ) ( ) D = μncox b P TH X P X P L ] 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 38
96 摺疊疊接組態 (a) 簡單摺疊疊接組態 ;(b) 適當偏壓之疊接組態 ;(c) 輸入負載一 NMOS 之疊接組態 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 39
97 摺疊疊接組態之大信號特性 M triode M saturation M cut off b makes all these happen!! = I I out DD D D W D = I μ pcox ( DD in TH ) L I D =I I = in DD TH μ pcox( W / L) I D wants larer than I 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 40
98 高電壓增益之摺疊疊接組態 負載疊接之摺疊疊接組態 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
99 例題 3.7 計算圖 3.65 之摺疊疊接組態之輸出阻抗, 其中 M 3 運作為一電流源 答 : = + out [ + ( m + mb) ro ]( ro ro 3) ro 0/4/3 Ch3 Sinle_stae_amp 4
100 第四章差動放大器 0/4/3 Ch4 Differential amp
101 簡目 4. 單端運作和差動運作 4. 基本差動對 4.. 定性分析 4.. 定量分析 4.3 共模響應 4.4 負載 MOS 之差動對 4.5 Gilbert 細胞電路 0/4/3 Ch4 Differential amp
102 單端信號和差動信號 單端信號 : 相對於一個定電壓 ( 通常為接地端 ) 量測而得的信號 差動信號 : 二個具有相等但方向相反電壓之節點間所量測而得的信號 其平均電壓稱為共模電壓 0/4/3 Ch4 Differential amp 3
103 共模排斥 (a) 耦合所帶來之信號破壞 ;(b) 藉由差動運作以減少耦合效應 0/4/3 Ch4 Differential amp 4
104 共模排斥 供應電壓雜訊對 (a) 單端電路之效應 ;(b) 差動電路之效應 0/4/3 Ch4 Differential amp 5
105 差動運作 藉由差動運作以減少耦合雜訊 0/4/3 Ch4 Differential amp 6
106 簡單差動電路 (a) 簡單差動電路 ;(b) 對於輸入共模位準之靈敏度 0/4/3 Ch4 Differential amp 7
107 基本差動對 out vs. in - in? in in vs. out - out? DD DD - D I SS. 輸出端和輸入的共模位準無關. in = in 時, 其小信號增益為最大值 0/4/3 Ch4 Differential amp 8
108 電路的共模特性 I D I D vs. in,cm? p vs. in,cm? out out vs. in,cm? P = incm + * on3 m 0/4/3 Ch4 Differential amp 9 on3
109 差動對的輸入 - 輸出振幅限制 + ( ) GS GS 3 TH 3 in, CM ISS + DD D TH ( in, CM ) TH out DD 0/4/3 Ch4 Differential amp 0
110 畫出差動對的小信號差動增益與輸入共模位準的關係圖 解 : 例題 4. M,M 進入三極管區 W A = = μc I L m D ox D D 0/4/3 Ch4 Differential amp
111 差動對的定量分析 I I in in = W μ C μ C L I D +I D =I SS D D n ox n ox W 4ISS ID ID = μncox ( in in) ( in in) L W μncox y = x a x L 4I Δ W L in - in = GS - GS Two eqs, two unknowns, I D, I D SS m D in ΔI D W μncoxw / L = μnc W ox in L 4I Av = μncox I SS D SS Δ L in μncoxw / L out - out = D ΔI 0/4/3 Ch4 Differential amp When in - in =0 Δ =
112 汲極電流和總轉導對輸入電壓之變化 in in 0 = ID IS S ID 0 W W μncox μnco x L L Δ = in I μ C n SS ox W L ( GS TH ), = I μ C n SS ox W L W 4ISS Gm ( in in ) = ID ID = μncox ( in in) ( in in) L W μncox L 0/4/3 Ch4 Differential amp 3
113 畫出差動對的輸入 - 輸出特性圖, 當元件寬度和尾電流變化時 答 : 例題 4. W 4ISS ID ID = μncox ( in in) ( in in) L W μncox L W/L I SS Δ = in I μ C n SS ox W L 0/4/3 Ch4 Differential amp 4
114 差動對小信號特性分析 (from lare sinal) ΔI Δ D in = μnc out - out = D ΔI ox W L 4I SS μ C W n / 4I SS μ C W n ox ox Δ L / L Δ in in When in - in =0 A = ( ) = μ C I W / L v out in in n ox ss D 0/4/3 Ch4 Differential amp 5
115 差動對小信號分析方法一 : 重疊原理 S = / m = X D in m + m 0/4/3 Ch4 Differential amp 6
116 差動對小信號分析方法一 : 重疊原理 / m Source follower T = in T =/ m = Y D in m + m 0/4/3 Ch4 Differential amp 7
117 = 差動對小信號分析方法一 : 重疊原理 X D in = m + m Y D in m + m 當 m = m = m 時 + D ( X Y ) Due to in in = m m ( X Y ) Due to = md in in 由於對稱之故 ( X Y ) Due to = md in in 執行重疊原理 ( X in Y ) in tot = m D 0/4/3 Ch4 Differential amp 8
118 例題 4.3 在圖 4.7 之電路中,M 為 M 的二倍寬, 如果 in 和 in 之偏壓值相同時, 計算其小信號增益 不能用半電路想法 答 : M, M ate bias the same GS = GS I D =I D =I SS /3 μ C / L) I 0/4/3 Ch4 Differential amp 9 D ( X Y ) Due to = in = ( W m n ox SS + / 3 = m = μncox(w / L)I SS / 3 m 4 4 D mw ( ) 4 m(w) Av = = m D = D = D m m mw ( ) = μncox( W / L) ISS/ =.m( w) D= 0.8m( w) D = μ C W L I m m w n ox SS m ( ) ( / ) / in
119 對稱電路的輔助定理 p will not chane? D : I = G * m D : I = G * m I+ I = IT G *( ) + G *( ) = I = G *( +Δ ) + G *( Δ ) m 0 p m 0 p T m 0 in p' m 0 in p' = p p' 戴維尼等效觀點 0/4/3 Ch4 Differential amp 0
120 差動對小信號分析方法二 : 半電路 ( X Y ) /( in ) = m D 0/4/3 Ch4 Differential amp
121 計算圖 4.0(a) 之電路差動增益, 如果 λ 0 答 : 例題 4.4 半電路 - m ( D r O ) 0/4/3 Ch4 Differential amp
122 任意輸入信號的差動和共模成份 0/4/3 Ch4 Differential amp 3
123 計算圖 4.0(a) 之電路中, 例題 4.5 如果 in in 且 λ 0 時, 計算其 X 和 Y ( in in) X = m( D ro) ( in in ) Y = m( D ro) out independent of in,cm 0/4/3 Ch4 Differential amp 4
124 共模響應 / m A v, CM = out in, CM = /( D m / ) + SS 0/4/3 Ch4 Differential amp 5
125 例題圖 4.6 之電路使用一電阻而不用電流源來定義一 ma 之尾電流, 假設 4.6 (W/L), = 5/0.5,μ n C ox = 50μA/, TH = 0.6,λ=γ= 0, DD = 3 (a)( SS ) 維持於 0.5 之輸入共模信號為何? in, CM = GS =.73 (b) 計算差動增益為 5 時的 D 值 = 5 D = 3.6kΩ (c) 如果輸入共模位準比 (a) 中所求得的值高 50m 時,M, M 距 triode 多遠? m m 0/4/3 Ch4 Differential amp 6 m D μ ncoxw 0.5mA = ID = ( GS TH) L GS =.3 = μ C ( W / L) I m n ox D = 3.5 m*3.6k = 3.58 =.4.4 ( ) = 0.9 away from triode D / ΔX, Y = Δin CM = 50m.94 = 96. 8m + /( ), = I * X DD D D SS m ( m 0.6) = 0.43 away from triode m SS = 500Ω
126 共模 - 差動轉換特性 雜訊 Δ in, CM Δ X = Δin, CM D + SS m Δ Y = Δ in, CM ( D +ΔD) + SS m 0/4/3 Ch4 Differential amp 7
127 電晶體不匹配所造成的非對稱性 I D m in, CM m = Itotal = + [( / / ) + ] + SS m m m m m m I I [( / / ) + ] + in, CM m m X Y = ( D D) D = [ ( )] D SS m m m m = = in, CM m m m m [ ( )] D [ Din, CM] [ + ] m + m ( m + m) SS + SS m + m A CM DM = Δ m D ( + ) + m m SS Δ m = m m 0/4/3 Ch4 Differential amp 8
128 例題 4.7 兩個差動對如圖疊加起來, 電晶體 M 3 和 M 4 遭遇到 m 之不匹配為 Δ m, 在節點 P 之總寄生電容為 C P, 否則電路則為對稱 有多少供應雜訊將會在輸出端以差動成份出現? 假設 λ=γ=0 答 : A CM DM = ΔmD ( + ) + m m SS A CM DM = ΔmD + ( m3 + m4) ω 0/4/3 Ch4 Differential amp 9 C P
129 共模排斥比 CM = A A 只考慮 m 不匹配時 m SS m DM CM DM ( ) = ( = ) D SS D X Y Due to in in in T ' + // SS + SS ( // SS = T ') + m m m m m D = SS // + SS D in in SS SS m m m ( + ) ( = SS m m m SS m SS m m m D in D + ( m + m) SS + SS m + ( m + m) SS ( SS m m + m ) = D + ( + ) m m SS in + ) in SS SS ( + ) ( ) = SS m m m X Y Due to in D in + ( m + m) SS 0/4/3 Ch4 Differential amp 30
130 A 共模排斥比 只考慮 m 不匹配時 CM DM ΔmD = ( + ) + m m SS CM = A A CM DM ( SS m m + m) in ( SS m m + m ) in D X Y + ( m + m) SS ADM = = m 0/4/3 Ch4 Differential amp m SS Δm 3 DM in in in in SS m m m in SS m m m in D + ( m + m) SS ( + ) ( + ) = + m m SS in in ( SS m m + m) ( SS m m + m ) + ( m + m) SS = D m + m + 4m mss = + ( + ) D CM = in = - in, md Smith = D Δm SS m 其中 m =( m + m )/ m m m m SS Δ m (+ )
131 負載 MOS 之差動對 (a) 負載二極體之差動對 A = ( r r v mn mn mp mp μn( W / L) μ ( W / L) ON N OP ) (b) 負載電流源之差動對 A = r r ) mn ( ON OP p P 0/4/3 Ch4 Differential amp 3 v
132 加入電流源以增加電壓增益 A = = = v m m3 μncox( W / L) ( GS TH) μ C ( W / L) p ox 3 GS3 TH3 I ( ) I GS 3 TH 3 GS TH 3 = = I ( ) 0.I GS 3 TH 3 GS TH GS 3 TH 3 5 ( ) GS TH If fix out bias, 差動增益大約為沒有負載 PMOS 電流源的五倍 0/4/3 Ch4 Differential amp 33
133 利用疊接以增加電壓增益 A v [( m3ro 3rO ) ( m5ro 5r 7)] m O 0/4/3 Ch4 Differential amp 34
134 可變增益放大器 (a) 簡單可變增益放大器 ;(b) 提供可變增益的二種組態 0/4/3 Ch4 Differential amp 35
135 Gilbert 單元 0/4/3 Ch4 Differential amp 36
136 例題 4.8 解釋為何 Gilbert 單元可以操作為一類比電壓相乘器 解 : cont = cont - cont out = in.f( cont ) 將 f( cont ) 以泰勒展開式展開且只留下其一次項,α cont out =α in cont 0/4/3 Ch4 Differential amp 37
137 Gilbert 單元 Another way of connection (a)gilbert 單元利用下端之差動對感測輸入電壓 ;(b) 對非常大之正 out 的信號路徑 ;(c) 對非常大之負 out 的信號路徑 0/4/3 Ch4 Differential amp 38
138 第五章被動與主動電流鏡 0/4/3 Ch5 Current Mirrors
139 簡目 5. 基本電流鏡 5. 疊接電流鏡 5.3 主動電流鏡 5.3. 大信號分析 5.3. 小信號分析 共模特性 0/4/3 Ch5 Current Mirrors
140 電流源的應用 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 3
141 電阻分壓電流源 假定 M 位於飽和區, I out μnc ox W L + DD TH 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 4
142 電流源的設計 利用一參考電流來產生許多不同的電流源 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 5
143 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 6 基本電流鏡 (a) 提供一反函數之連接二極體元件 ;(b) 基本電流鏡 ) ( ) ( DS TH GS ox n D L W C I λ μ + = ) ( ) ( DS TH GS ox n D L W C I λ μ + = ) / ( ) / ( DS DS D D L W L W I I λ λ + + = 考慮通道長度調變效應
144 偏壓 - 差動放大器之電流源 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 7
145 例題 5. 計算圖 5.8 中電路之小信號電壓增益 解 : m L (W/L) 3 /(W/L) 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 8
146 疊接電流鏡 Shieldin M Let Y = X possible O + TH Y =? X N TH 節點 P 之最小允許電壓值為 = = + GS0 GS TH ( GS0 TH ) + ( GS TH ) + TH Smith 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 9
147 例題 5.3 在圖 5.0 中, 繪出 X 和 Y 對於 I EF 之關係圖 如果 I EF 需要 0.5 才能做為一電流源時, I EF 其最大值為何? 解 : self study 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 0
148 例題 5.4 在圖 5.(a) 中, 假定所有電晶體都相同, 繪出 I X 和 B 對於 X 之關係圖, 且 X 由一個很大的值開始降低 Tri 0.3 < A TH B A TH M:Tri M3:Sat M3:Tri M:Sat X < N TH3 T =0.7 O = Tri 0/4/3 Ch5 Current Mirrors
149 低電壓修正疊接組態 () O + TH ( = ) b TH X GS O + TH O Smith ( = ) GS TH A b GS + GS + ( GS TH ) b GS TH O TH + makes minimum o 0/4/3 Ch5 Current Mirrors
150 ()How to create = +? b t O t + O t t + O t GS 7 TH 7 t + O t + O Body effect of t creates t difficult to cancel completely! 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 3
151 ()How to create = +? Smith b t O o t + O GSMs THMs W I = μcox ( O) L W = μcox ( O) 4L W5 = μcox ( O 5) L W W =, = 4L = + 5 O 5 O GS 5 t O 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 4 t + O t DS!= DS introduces substantial mismatch
152 主動電流鏡 處理信號之電流鏡 I ΔI out out = I in = ΔI in 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 5
153 主動電流鏡差動對 (a) 結合 M 和 M 汲極電流之觀念 ;(b)(a) 中觀念之實現 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 6
154 大信號分析 (a) 負載一主動電流鏡與實際電流源之差動對 ; (b) 大信號之輸入 - 輸出關係圖 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 7
155 例題 5.5 假設完美的對稱性, 當 DD 由 0 變至 3 時, 繪出圖 5.(a) 中電路之輸出電壓, 假設 DD = 3 且所有元件都操作於飽和區 對稱性 out = F 答 : 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 8
156 非對稱特性 Loadin is not symmetric!! A? 主動電流鏡差動對中的非對稱電壓振幅 A = G = r r ) Smith v m out m, ( O O4 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 9
157 共模特性 A CM? A CM + m, m, SS m3,4 A cm Smith m3 SS 假設 / m3,4 <<r O3,4, 且忽略 r O, / 之影響 0/4/3 Ch5 Current Mirrors 0
158 CM? 共模特性 CM Ad r r A = cm ( ) [ ] m o o4 m3 SS Smith 假設 / m3,4 <<r O3,4, 且忽略 r O, / 之影響 CM = = A A DM CM m, = ( + ( r O, m, r O3,4 SS ) ) m3,4 m3,4 ( r ( + O, m, r O3,4 m, ) SS ) 0/4/3 Ch5 Current Mirrors
159 不匹配之差動對 A CM? A CM ( ) r / m m O3 m m3 + ( + ) m m SS Oriinal term A CM Smith m3 SS 0/4/3 Ch5 Current Mirrors
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
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(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET
Microsoft PowerPoint - chapter_10_CH
積體電路偏壓和主動負載 電晶體電流源 具主動負載之電路 小訊號分析 : 主動負載電路 電阻電路不適用於積體電路 電阻需要比電晶體相對較大的面積 電阻需要耦合和旁路電容 於 C 中, 幾乎不可能作出 μf 等級的電容 積體電路中, 可考慮電晶體電路作偏壓和負載元件 電晶體電流源 提供固定輸出電流之各式雙極性電晶體電路 提供固定輸出電流之各式場效電晶體電路 - 電路分析與特性了解 電晶體作負載元件 (
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ICTQ Question 6
電子學有效教學示範 ( 電晶體小訊號分析 ) 主講人 : 古紹楷指導教授 : 戴建耘 Psntaton By Tzu-W Chn 1 Dpatmnt of Industal duaton Natonal Tawan Nomal Unvsty 重點闗鍵詞 : 小訊號分析 英文闗鍵詞 :small sgnal analyss 教學重點 : 1. 學生能了解電晶體交流等效電路 2. 學生能理解小訊號分析步驟
第一章 绪论
1-1 1-1 1-5 0.05 1-6 1 60mm 1.5W/(m K) 5-5 m C 1-7 1cm, 0 m 1.04W/(m K) C C 50 50 4.09 10 kj/kg C 1-9 =69 C f =0 w C =14mm d 80mm 8.5W 1-11 10mm 0 C 85 C ( ) 175 W m K 1mm 1-14 T0 0K T = w 50K ε = 0. 7
Q expert-完成出卷
1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶 體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,
《分析化学辞典》_数据处理条目_2.DOC
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106 年公務人員特種考試警察人員 一般警察人員考試及 106 年特種考試交通事業鐵路人員 退除役軍人轉任公務人員考試試題 頁次 :101 考試別 : 鐵路人員考試等別 : 佐級考試類科別 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 : 1 小時座號 : 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,
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Microsoft PowerPoint - Ch5 The Bipolar Junction Transistor
O2005: Electronics The Bipolar Junction Transistor (BJT) 張大中 中央大學通訊工程系 dcchang@ce.ncu.edu.tw 中央大學通訊系張大中 Electronics, Neamen 3th Ed. 1 Bipolar Transistor Structures N P 17 10 N D 19 10 N D 15 10 中央大學通訊系張大中
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iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes. IC Description The iml88 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the current flowi
iml88-0v C / 8W T Tube EVM - pplication Notes iml88 0V C 8W T Tube EVM pplication Notes Table of Content. IC Description.... Features.... Package and Pin Diagrams.... pplication Circuit.... PCB Layout
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Microsoft Word - administrative-law-08.doc
行 政 法 第 八 講 : 公 務 員 綱 要 一 公 務 員 之 概 念 ( 一 ) 學 理 上 之 概 念 ( 二 ) 法 律 上 之 概 念 二 公 務 員 關 係 之 特 質 : 特 別 權 力 關 係 ( 一 ) 起 源 ( 二 ) 定 義 ( 三 ) 現 代 定 義 ( 四 ) 加 入 之 原 因 ( 五 ) 種 類 ( 六 ) 特 色 ( 七 ) 理 論 演 變 ( 八 ) 存 廢 問
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BC04 Module_antenna__ doc
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《分析化学辞典》_数据处理条目_1.DOC
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Microsoft Word - 1000813宜蘭2日_藥師公會_[1].doc
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社 團 法 人 嘉 義 市 藥 師 公 會 綠 色 宜 蘭 之 旅 集 合 時 間 & 地 點 : 100 年 8 月 13 日 ( 星 期 六 ) 上 午 07:00 嘉 義 市 立 體 育 場 隨 團 領 隊 :A 車 張 靜 宜 小 姐 0980-327897 B 車 雍 詔 年 先 生 0985-306553 C 車 盧 泓 宇 先 生 0921-015773 D 車 陳 佩 杏 小 姐 0937-647959
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電子學(全)大會考題庫
電子學大會考 1 100 學年度電子學 ( 全 ) 大會考題庫 一 請寫出下列英文專有名詞之中文名稱 (1) doping (2) semiconductor (3) diode (4) insulator (5) barrier potential (6) bias (7) Filter (8) rectifier (9) DC power supply (10) ripple (11) Gain
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4.1 The MOSFET Amplfer (1 前言 : 線性放大器 : 放大輸入訊號, 產生大於且正比於輸入訊號之輸出訊號 小訊號 (small sgnal 可使 MOSFET 的 ac 等效電路線性化, 因而可使用重疊定理, 即可分開處理 dc 與 ac 分析 圖解技巧 :dc 負載線 ac
Ch4 Basc FET Amplfers Prevew 4.1 The MOSFET Amplfer 4. Basc Transstr Amplfer Cnfguratns 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer 4.4 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer 4.5 The Cmmn-Gate Cnfguratn 4.6 The Three Basc
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本章綱要 -1 節點電壓法 -2 迴路電流法 -3 重疊定理 - 戴維寧定理 -5 諾頓定理 -6 戴維寧與諾頓等效電路之轉換 -7 最大功率轉移定理 Chapter 直流網路分析 0626-0.indd 125 2009/11/10 下午 0:58:09
ELECTRICITY ELECTRICITY BASIC BASIC 本章學習目標 1. 利用節點電壓法分析各支路的電流 2. 利用迴路電流法分析各迴路的電流 3. 瞭解重疊定理在多電源電路的應用. 利用戴維寧與諾頓定理化簡電路 5. 瞭解戴維寧與諾頓等效電路的轉換 6. 學習負載如何在電路中獲得最大的功率轉移 0626-0.indd 12 2009/11/10 下午 0:58:02 本章綱要 -1
DIY 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 2 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 3 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 4 5 DIY 1. 2. 13 1 6 2 DIY 3 7 1.
PowerPoint 演示文稿
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Introduction to Hamilton-Jacobi Equations and Periodic Homogenization
Introduction to Hamilton-Jacobi Equations and Periodic Yu-Yu Liu NCKU Math August 22, 2012 Yu-Yu Liu (NCKU Math) H-J equation and August 22, 2012 1 / 15 H-J equations H-J equations A Hamilton-Jacobi equation
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06知识单元-集成运算放大电路
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目 录 新 闻 综 述... 2 千 石 资 本 资 管 计 划 到 期 终 止 三 个 板 " 贱 卖 " 大 杨 创 世... 2 天 津 自 贸 试 验 区 酝 酿 扩 围 欲 让 曹 妃 甸 成 为 延 伸 区... 2 图 文 资 讯... 3 中 国 国 际 云 计 算 与 物 联 网 博 览 会.... 3 4 月 15 日 全 民 看 科 比 退 役... 3 产 品 速 递...
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守 護 神 VS 幸 運 蛋 壹 設 計 理 念 農 曆 五 月 五 日, 就 是 民 間 所 稱 的 端 午 節, 有 關 端 午 節 的 傳 說 及 習 俗 不 勝 枚 舉, 而 最 為 一 般 大 眾 所 熟 知 的 莫 過 於 屈 原 投 江 的 傳 說 故 事 屈 原 是 西 元 前 三 世 紀 中 國 偉 大 的 愛 國 詩 人, 因 得 罪 了 王 公 貴 人 最 後 被 驅 逐 出
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Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺 掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si
4 # = # 4 Γ = 4 0 = 4 = 4 = Η, 6 3 Ι ; 9 Β Δ : 8 9 Χ Χ ϑ 6 Κ Δ ) Χ 8 Λ 6 ;3 Ι 6 Χ Δ : Χ 9 Χ Χ ϑ 6 Κ
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第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電
第 6 章 基本雙極電晶體放大器 數值 將小訊號混成 p 等效電路應用在多種雙極電晶體放大器電路 以 得到時變電路的特性 了解共射極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解射極隨耦器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 了解共基極放大器的小訊號電壓及電流增益 以及輸入與輸出電 阻 在多級放大器電路的分析中 應用雙極電晶體的小訊號等效電 路 復習問題 1. 將負載線重疊至電晶體的特性曲線上
TH2512/TH2512A Tonghui Electronics reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design and supply the best possib
TH2512/TH2512A 2 3 SPECFICATIONS 5 6 6 8 Handler 9 10 11 12 14 17 17-1 - TH2512/TH2512A Tonghui Electronics reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design and
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10 防 波 堤 : 石 斑 雀 鯛 方 蟹 岩 蟹 貳 海 岸 生 態 一 棲 地 生 態 1 潮 上 飛 沫 區 林 投 沙 岸 : 藍 綠 藻 海 蟑 螂 陸 蟹 沙 蟹 扁 跳 蝦 寄 居 蟹 2 礁 岩 礫 石 區 姑 婆 嶼 巨 礫 海 岸 : 螺 類 貝 類 海 膽 青 海 菜 紫 菜
澎 湖 海 邊 常 見 的 生 物 閱 讀 劄 記 ( 資 料 來 源 : 洪 國 雄 2000.12 澎 湖 海 邊 常 見 的 生 物 澎 湖 縣 文 化 局 366.92024 / 生 物 海 洋 澎 湖 縣 ) 東 笠 2012.10.10 壹 海 岸 地 景 一 天 然 地 景 1 海 蝕 崖 : 海 蟑 螂 蟹 類 ( 較 乾 燥 ) 2 海 成 階 地 = 海 蝕 平 台 + 海 積
m0 m = v2 1 c 2 F G m m 1 2 = 2 r m L T = 2 π ( m g 4 ) m m = 1 F AC F BC r F r F l r = sin sinl l F = h d G + S 2 = t v h = t 2 l = v 2 t t h = v = at v = gt t 1 l 1 a t g = t sin α 1 1 a = gsinα
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The BIST Scheme for Digital-to Analog converters 1
The BIST Scheme for Digital-to Analog converters . :... 03.DAC :... 05. :... 08 ( ) :... 08 ( ) :... 08. :... ( ) OP AMP... ( ) Charge Pump Circuit... 3 ( ) Analog Summer Circuit... 4 ( ) CMOS Schmitt
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( OH ) Cd ( OH ) NiOOH + Cd + H O Ni + ( OH ) + Cd ( OH ) NiOOH + Cd O Ni + H O H O 1/48 H ( ) M NiOOH + MH Ni OH + ( OH ) + M NiOOH MH Ni + /48 3/48 4/48 4 6 8 5.6KΩ±1% 1/ 4W L N C7 1nF/50V F1 T.5A/50V
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第 5.1 節 5 章 雙極接面電晶體 基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且 重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之
430 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓 並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動 應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中 復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下 加在 npn 雙極電晶體上所需 之偏壓電壓為何 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止 順向主動模式 飽和模式下之 條件 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別 5.
WL100014ZW.PDF
A Z 1 238 H U 1 92 1 2 3 1 1 1 H H H 235 238 92 U 92 U 1.1 2 1 H 3 1 H 3 2 He 4 2 He 6 3 Hi 7 3 Hi 9 4 Be 10 5 B 2 1.113MeV H 1 4 2 He B/ A =7.075MeV 4 He 238 94 Pu U + +5.6MeV 234 92 2 235 U + 200MeV
B = F Il 1 = 1 1 φ φ φ B = k I r F Il F k I 2 = l r 2 10 = k 1 1-7 2 1 k = 2 10-7 2 B = ng Il. l U 1 2 mv = qu 2 v = 2qU m = 2 19 3 16. 10 13. 10 / 27 167. 10 5 = 5.0 10 /. r = m ν 1 qb r = m ν qb
A. 城 市 化 是 我 国 发 展 的 必 由 之 路 B. 单 纯 发 展 大 城 市 不 利 于 城 市 化 的 推 进 C: 要 实 现 城 市 化, 就 必 须 让 城 市 充 分 吸 纳 农 村 人 口 D: 大 城 市 对 外 地 农 村 人 口 的 吸 引 力 明 显 低 于 中 小
2017 年 MBA 大 师 逻 辑 强 化 班 课 程 讲 义 第 1 章 假 设 补 全 逻 辑 假 设 选 项 起 到 的 作 用 是 : 1) 补 全 推 出 结 论 需 要 的 逻 辑 缺 失 部 分 2) 引 入 结 论 成 立 的 前 提 条 件 ( 必 要 条 件 ) 补 全 逻 辑 假 设 题 干 特 征 1) 题 干 问 的 是 假 设 2) 题 干 往 往 会 出 现 逻 辑
Ⅰ Ⅱ 1 2 Ⅲ Ⅳ
Ⅰ Ⅱ 1 2 Ⅲ Ⅳ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
IEC A( ) B C D II
ICS 13.120 K 09 GB 4706.1 2005/IEC 60335-1:2004(Ed4.1) 1 Household and similar electrical appliances- Safety General requirements IEC60335-1 2004 Ed4.1,IDT 2005-08-26 2006-08-01 IEC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
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電晶體放大電路
電晶體偏壓電路及共射極放大電路 一 實習目的 () 了解電晶體偏壓電路和工作點與穩定度等觀念 (2) 熟悉電晶體各種偏壓的電路 (3) 了解共射極電晶體基本放大電路 (4) 能量測共射極電晶體基本放大電路的交流參數 二 使用材料 零件名稱 零件值 數量 KΩ 2 2 KΩ 2.2 KΩ 3.3 KΩ 4.7 KΩ 電阻 0 KΩ 2 5 KΩ 22 KΩ 47 KΩ 68 KΩ 00 KΩ 2 可變電阻
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...... 3.1.. 3.1.. 3.1: 1775. g a m I a = m G g, (3.1) m I m G. m G /m I. m I = m G (3.2)............. 1 2............ 4.................. 4 ( )... ds..... 3.2 3 3.2 A B. t x. A B. O. t = t 0 A B t......
29 酒 宇 凡 男 2003.07.07 河 南 省 30 葛 欣 岩 男 1999.02.03 河 南 省 31 李 昱 昂 男 2008.03.25 河 南 省 32 李 松 博 男 2003.02.12 河 南 省 酒 兵 强 董 慧 葛 海 东 王 瑞 萍 李 俊 涛 高 会 丽 李 新
2012 年 彩 票 公 益 金 贫 困 白 儿 童 救 助 项 目 第 二 次 评 审 拟 资 助 首 批 名 单 公 示 序 号 姓 名 性 别 出 生 年 月 籍 贯 监 护 人 病 型 就 诊 备 注 1 封 帅 男 2006.10.09 山 东 省 封 春 芳 北 京 军 区 总 2 向 梦 琪 女 2007.10.11 山 东 省 向 卫 军 青 岛 大 学 医 鞠 艳 秀 学 附 属
ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25
ated Current( 耐電流 ): 1-3A( 安培 ) EQUIVALENT CICUIT DIAGAM 等效電路圖 Electrical Characteristics 電氣特性 Impedance 阻抗 DC esistance ated Current Part Number Ω±25% 歐姆直流電阻耐電流產品料號 @ 1MHz Ω (Max.) 歐姆 ma (Max.) 15 系列
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Co-integration and VECM Yi-Nung Yang CYCU, Taiwan May, 2012 不 列 1 Learning objectives Integrated variables Co-integration Vector Error correction model (VECM) Engle-Granger 2-step co-integration test Johansen
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问 她! 我 们 把 这 只 手 机 举 起 来 借 着 它 的 光 看 到 了 我 老 婆 正 睁 着 双 眼 你 在 干 什 么 我 问, 我 开 始 想 她 至 少 是 闭 着 眼 睛 在 yun 酿 睡 意 的 我 睡 不 着 她 很 无 辜 地 看 着 我 我 问 她 yun 酿 的 yu
果 皮 云 写 作 NO.6: 响 水 不 滚 滚 水 不 响 时 间 :2011 年 12 月 25 日 主 编 : 乌 青 作 者 : 秦 留, 新 a, 伊 文 达, 乌 青, 张 墩 墩, 娜 娜, 女 斑 马 王, 马 其 顿 荒 原, 尼 码, 萨 尔 卡, 傀 儡 尫 仔, 东 成, 二 天, 老 马 迷 途, 曾 骞, 郑 在, 柚 子, 以 下 简 称 刘 某, 大 棋, 张 维,
100 年務人員特種考試一般警察人員考試 100 年務人員特種考試警察人員考試及 100 年特種考試交通事業鐵路人員考試試題等別 : 佐級鐵路人員考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意 考試時間 :1 小時座號 : 代號 :3909 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 本科目共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD LOW NOISE ma LDO REGULATOR DESCRIPTION The UTC is a typical LDO (linear regulator) with the features of High output voltage accuracy, low supply current, low ON-resistance,
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電晶體放大器一 目的 : 了解電晶體放大器的工作原理, 並測量電晶體的一些參數 二 原理 : ( 一 ) 電晶體放大器的偏壓 : 在前面的實驗中我們分析過電晶體的放大作用, 並且估計過如圖 l 電路的電流放大率和電壓放大率 在作估計時, 我們一直假設這個電路工作在線性區域裡, 使 o, 因此輸出電壓 o 是輸入電壓的翻版, 只是振幅變大而已 為了使電路工作在線性區域, 至少要時時保持電晶體在 暢通
VLBI2010 [2] 1 mm EOP VLBI VLBI [3 5] VLBI h [6 11] VLBI VLBI VLBI VLBI VLBI GPS GPS ( ) [12] VLBI 10 m VLBI 65 m [13,14] (referen
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31 2 Vol. 31, No. 2 2013 5 PROGRESS IN ASTRONOMY May., 2013 doi: 10.3969/j.issn.1000-8349.2013.02.08 VLBI 1,2 1 ( 1. 200030 2. 100049 ) VLBI VLBI VLBI VLBI VLBI VLBI P228.6 A 1 (VLBI) 20 60 (ITRF) (EOP)
FZ1.s92
第 一 章 服 装 制 作 工 艺 基 础 知 识 第 一 节 服 装 术 语 服 装 术 语 是 服 装 技 术 专 用 语, 如 服 装 的 每 一 个 品 种 服 装 上 的 每 一 块 裁 片 服 装 制 作 过 程 中 每 一 种 操 作, 以 及 所 使 用 的 工 具 服 装 制 作 过 程 中 出 现 的 各 种 弊 病 和 要 达 到 的 某 些 质 量 要 求 等, 都 有 其
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危险化学品废物的处理
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ο HOH 104 31 O H 0.9568 A 1 1 109 28 1.01A ο Q C D t z = ρ z 1 1 z t D z z z t Qz = 1 2 z D z 2 2 Cl HCO SO CO 3 4 3 3 4 HCO SO 2 3 65 2 1 F0. 005H SiO0. 032M 0. 38 T4 9 ( K + Na) Ca 6 0 2 7 27 1-9