公職王歷屆試題 (106 經濟部新進職員甄試 ) 共 7 頁第 1 頁經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 乙 ) 科目 :1. 計算機概論 2. 電子學下列何者為死結 (Dead Lock) 預防方式? 互斥允許搶奪資源循環等待持有並等待定義一個遞迴公式 :f(

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运巫
4 years ago
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1 共 7 頁第 1 頁經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 乙 ) 科目 :1. 計算機概論 2. 電子學下列何者為死結 (Dead Lock) 預防方式? 互斥允許搶奪資源循環等待持有並等待定義一個遞迴公式 :f(0)=2,f(1)=3,f(j)=f(j-1)+f(j-2),if j>1, 則 f(5) 為下列何者? 下列何者不適合陣列 (Array) 來實作 (Implement)? 佇列堆疉堆積鏈結串列網際網路資料傳輸能使頻寬公平使用且效率高, 傳輸方式屬於那一種 Telecommunication Technology? 電路交換訊息交換分封交換延遲交換 IGMP( 網際網路群組管理協定 ) 可用於協助群播路由器, 建置更新與各路由器由介面相關的群組成員清單, 此協定屬 OSI 架構哪一層? 傳輸層網路層會議層資料鏈結層目前無線網路發展已漸成熟, 請問下列何者的傳輸距離最短? 3G/4G Wi-Fi Bluetooth NFC 下列排序法 (Sorting) 何者平均執行時間最短? 氣泡排序法 (Bubble Sort) 插入排序法 (Insertion Sort) 一個 NOT 閘最少可用幾個 NAND 門閘來建造? 選擇排序法 (Selection) 快速排序法 (Quick Sort) 有一個二元樹, 用前序追蹤得 ABCWX, 用後序追蹤得 CWBXA, 請問用中序追蹤為下列何者? WXABC ABCWX XAWBC CBWAX 有關樹 (tree) 的敘述, 下列何者有誤? 樹是一種資料結構樹可以有迴圈樹的任兩節點中只存在一條路徑若將任意一邊移除, 則此樹會出現不相連的情形下列哪一種搜尋法的搜尋過程中只用到加減法? 費氏搜尋法 (Fibonacci searching) 二分搜尋法 (Binary searching) 循序搜尋法 (Sequential searching) 雜湊搜尋法 (Hashing) 在 SQL 語法中, 下列何者為搭配 GROUPBY 使用之條件篩選關鍵字? WITCH INCLUDE HAVING SELECT 除一階正規化之要求外, 二階正規化的要求是下列何者? 非主鍵之屬性完全功能相依於主鍵建立資料表屬性的完整性

2 資料表與資料之間, 外部鍵的相依性必須完整主鍵之值應唯一, 且不能為虛值假設有一堆疊, 初始是空的, 當執行下列運算後, 堆疊內的資料由底端至頂端為下列何者?push g; push o; push o; push d; pop; push g; push l; push e; elgoog good google goole 電子商務採用 SET(Secure Electronic Transaction) 最主要的原因是下列何者? 備份資料確保交易安全防止病毒確保資料庫的正確性下列何者不是一種資料結構 (Data structure)? 佇列 (Queue) 資料庫 (Database) 堆疊 (Stack) 連結串列 (Linked list) 瀏覽購物網站時, 在正式結帳前將選購商品預先放入購物車, 請問購物車是利用何種網頁技術製作? Proxy SQL P2P Session 請問下列哪一種檔案系統不支援檔案或資料夾存取權限之設定? EXT2/3/4 FAT NTFS ZFS 嵌入式作業系統通常會設計於下列何種設備中? 隨機存取記憶體硬碟光碟唯讀記憶體潛藏在.COM 或.EXE 檔案中, 並且會感染其他檔案的病毒屬於哪一種型式? 複合型開機型巨集型特洛依木馬有關應用於電子郵件之協定敘述, 下列何者有誤? IMAP 有提供伺服端郵件管理指令, 安全性佳 POP3 與 IMAP 皆為 Client-Server 架構 IMAP SMTP 及 POP3 皆為郵件協定 POP3 不占客戶端空間, 適合四處活動的使用者作業系統中, 程式執行過程中需將虛擬記憶體位址轉換成實體記憶體位址下列哪一個元件負責執行這個任務? 記憶體管理單位 (Memory Management unit) 記憶體位址暫存器 (Memory Address Register) 程序計數器 (Program Counter) 虛擬機器 (Virtual Machine) 有關固態硬碟之敘述, 下列何者有誤? 有分 SLC( 單層儲存 ) MCL( 多層儲存 ) 及 TLC( 三層儲存 ) 三種類型錯誤率 :SLC<MLC<TLC 速度壽命及成本 :SLC<MLC<TLC 較不適合存放重要資料 16 對 1 之多工器需要幾條選擇線? 2 條 4 條 8 條 16 條文件中的表示法, 下列何者不是標籤式的文件格式? Excel CSS XML HTML28 理想二極體組成之箝位器 (Diode Clampers) 電路, 如右圖所示, 若輸入為 0~10V 之方波, 試求其輸出電壓範圍? 共 7 頁第 2 頁

-10~0V -7~3V -3~7V 3~10V 若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25 C 時崩潰電壓為 15V, 溫度係數為 0.02%/ C, 若崩潰電壓升為 15.135V, 求當時溫度為何?

3V 靠多數載子操作, 有大量逆向漏電流經過全波整流器 (Full-Wave Rectifier) 之正弦波信號, 輸出電壓平均值 Vavg 與輸入電壓峰值 VP 的關係為?

3 -10~0V -7~3V -3~7V 3~10V 若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25 C 時崩潰電壓為 15V, 溫度係數為 0.02%/ C, 若崩潰電壓升為 V, 求當時溫度為何? 35 C 45 C 60 C 70 C 關於蕭特基二極體 (Schottky Diode) 特性, 下列敘述何者有誤? 並非一般二極體的 pn 接面, 而是半導體與金屬接面對於偏壓改變有快速反應能力, 應用於高頻與高速切換順向電壓降約為 0.3V 靠多數載子操作, 有大量逆向漏電流經過全波整流器 (Full-Wave Rectifier) 之正弦波信號, 輸出電壓平均值 Vavg 與輸入電壓峰值 VP 的關係為? Vavg=1/2VP Vavg=3/4VP Vavg=1/πVP Vavg=2/πVP 有關於 BJT 電晶體 (npn) 之敘述, 下列敘述何者有誤? 基極 - 射極基極 - 集極接面皆施與順向偏壓, 電晶體將工作於飽和區當基極電流逐漸下降為 0, 電晶體將進入截止區在飽和區工作之電晶體,IC=βDCIB 一般 BJT 之電壓增益參數 βdc 會隨著接面溫度 Tj 上升而增加一 BJT 電晶體直流工作電路如右圖, 若不希望電晶體進入飽和區, 請問 Vin 在基極端所產生之電流最大允許增加量為何? 100μA 150μA 175μA 200μA 若一 BJT 電晶體分壓器偏壓電路如右圖, 若電晶體 βdc=100, 試求 Vc? 共 7 頁第 3 頁

2V 4.3V 5V 8.5V 有一差動放大器,CMRR=2000 共模增益 ACM=0.2 輸入電壓分別為 200μV 100μV, 求輸出電壓? 39.

高電壓增益高電流增益加入射極旁路電容可提高電壓增益輸出與輸入電壓同相關於達靈頓對 (Darlington Pair) 組成之射極隨耦器, 下列敘述何者正確?

A 類放大器效率最高約有 79% B 類放大器偏壓在截止點 AB 類放大器可改善交越失真現象 (Crossover Distortion) C

4 2V 4.3V 5V 8.5V 有一差動放大器,CMRR=2000 共模增益 ACM=0.2 輸入電壓分別為 200μV 100μV, 求輸出電壓? 39.97mV 40mV 40.03mV 40.06mV 對於電晶體組成共射極放大器 (Common-Emitter Amplifier) 電路特性, 下列敘述何者有誤? 高電壓增益高電流增益加入射極旁路電容可提高電壓增益輸出與輸入電壓同相關於達靈頓對 (Darlington Pair) 組成之射極隨耦器, 下列敘述何者正確? 輸入阻抗低高電壓增益可作為低阻抗負載緩衝器輸出阻抗高關於放大器之敘述, 下列敘述何者有誤? A 類放大器效率最高約有 79% B 類放大器偏壓在截止點 AB 類放大器可改善交越失真現象 (Crossover Distortion) C 類放大器偏壓在截止點以下有一 AB 類放大器電路如右圖, 試求其交流輸出功率為? 0.5W 0.9W 1.25W 1.5W 如右圖之 JFET 共源極放大器電路, 若 VGS=20V 時反向漏電流 IGSS=50nA, 由信號源看入之輸入阻抗為何? 共 7 頁第 4 頁

19.05MΩ 20MΩ 20.95MΩ 23.33MΩ 對 JFET 自給偏壓 (Self-Bias) 電路, 若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點, 意即 ID=1/2IDss, 下列哪一種方式可達成?

4 有一增強型 MOSFET, 其臨界電壓 VGS(th)=2V, 當 VGS=8V 時對應之 ID(on)=200mA, 求 VGS=5V 時之 ID 值? 50mA 100mA 125mA 150mA 下列敘述何者有誤?

MOSFET 電路架構,VA VB 為輸入,Vout 為輸出, 若希望輸出得到高電位 (VDD), 試問 VA VB 輸入應為何? 0 0 0 VDD VDD 0 VDD VDD 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大?

5 19.05MΩ 20MΩ 20.95MΩ 23.33MΩ 對 JFET 自給偏壓 (Self-Bias) 電路, 若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點, 意即 ID=1/2IDss, 下列哪一種方式可達成? VGS=VGS(off)/2 VGS=VGS(off)/3.4 VD=VDD/2 VD=VDD /3.4 有一增強型 MOSFET, 其臨界電壓 VGS(th)=2V, 當 VGS=8V 時對應之 ID(on)=200mA, 求 VGS=5V 時之 ID 值? 50mA 100mA 125mA 150mA 下列敘述何者有誤? JFET 共源極放大器相較於 BJT 共射極放大器, 輸入阻抗較低 JFET 共源極放大器, 輸入 V 與輸出電壓呈現 180 反相 JFET 源極隨耦器電壓增益約略等於 1 JFET 共閘極放大器具有低輸入阻抗如右圖之 MOSFET 電路架構,VA VB 為輸入,Vout 為輸出, 若希望輸出得到高電位 (VDD), 試問 VA VB 輸入應為何? VDD VDD 0 VDD VDD 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大? 耦合電容旁路電容電晶體內部電容反耦合電容關於負回授與非負回授運算放大器比較, 下列敘述何者有誤? 負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180 反相負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入輸出阻抗目的負回授運算放大器可以得到較大頻寬如右圖之理想運算放大器電路, 具有 100dB 開迴路增益和 4MHz 的單位增益頻寬 ft, 下共 7 頁第 5 頁

6 列敘述何者有誤? 屬於反相放大器電壓增益為 -5 輸入阻抗約為 1kΩ 閉迴路頻寬約為 80kHz 若有一 BJT 電晶體在工作區時, 其基極電流為 0.2mA 射極電流為 20mA, 試求其直流增益 βdc 為何? 試求如右圖中低通濾波器臨界頻率 fc 為何? 3.98kHz 7.96kHz 12.58kHz 15.92kHz 關於振盪器之敘述, 下列敘述何者有誤? 回授信號相位移必須為 180 柯畢子振盪器 (Colpitts Oscillator) 使用 LC 回授電路迴路增益必須為 1 相移振盪器至少需使用三級 RC 相移電路有一 MOSFET, 若 IDSS=10mA VGS(off)=-4V, 當 VGS =-2V 時, 試求其轉換電導 gm? 1mS 2.5mS 5mS 9mS 如右圖 JFET 共源極放大器電路, 試求電壓增益為何? 共 7 頁第 6 頁

7 共 7 頁第 7 頁

      95 年養成班甄試

      95 年養成班甄試經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 乙 ) 節次 : 第二節科目 :1. 計算機概論 2. 電子學注意事項 1. 本試題共 6 頁 ( 含 A3 紙 1 張 A4 紙 1 張 ) 2. 可使用本甄試簡章規定之電子計算器 3. 本試題為單選題共 50 題, 每題 2 分, 共 100 分, 須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答, 於本試題或其他紙張作答者不予計分 4. 請就各題選項中選出最適當者為答案,