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枢溶奚
5 years ago
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1 第一部份 : 基本電學 1. 某一 2 馬力發電機輸入電壓有效值為 110 V, 若其效率為 85%, 則其輸入電流有效值約為多少? (A) 1 A (B) 14 A (C) 15 A (D) 16 A 2. 如圖 ( 一 a) 所示電路, 圖 ( 一 b)( 一 c) 為同材質兩導體電阻 R 1 R 2 之結構圖, 求電路電流 I 為多少? 圖 ( 一 a) 圖 ( 一 b) 圖 ( 一 c) (A) 0.2 ma (B) 0.4 ma (C) 0.6 ma (D) 0.8 ma. 如圖 ( 二 ) 所示電路, 已知 E = 15 V, V 1 = 10 V, R 2 = 50 Ω, 求電路電流 I 及電阻 R 1 消耗的功率 P 1 分別為多少? (A) I = 75 ma, P 1 = 0.75 W (B) I = 100 ma, P 1 = 0.5 W (C) I = 150 ma, P 1 = 1.5 W 圖 ( 二 ) (D) I = 100 ma, P 1 = 1 W 4. 如圖 ( 三 ) 所示電路, 已知 V 1 = 12 V, R 1 = 2R 2, 且電流 I 2 = 4 ma, 求電流 I 1及電阻 R 2 分別為多少? (A) I 1 = 2 ma, R 2 = kω (B) I 1 = 8 ma, R 2 = kω (C) I 1 = 4 ma, R 2 = 6 kω (D) I 1 = 8 ma, = 6 kω R 2 圖 ( 三 ) 5. 如圖 ( 四 ) 所示電路, 若 I 1 = 0, 求 a b 兩端的等效電阻 R ab 及電流 I 分別為多少? (A) R ab = 6 Ω, I = 1 A (B) R ab = 4 Ω, I = 1.5 A (C) R ab = Ω, I = 2 A (D) R ab = 2. 4 Ω, I = 2.5 A 圖 ( 四 ) 6. 如圖 ( 五 ) 所示電路, 求 V 1 為多少? (A) 2 V (B) 4 V (C) 6 V (D) 10 V 圖 ( 五 ) 7. 如圖 ( 六 ) 所示電路, 下列敘述何者錯誤? (A) I 1 = 8 A (B) I 2 = 4 A (C) V AB = 8 V (D) V AC = 20 V 第 1 頁圖 ( 六 )

2 8. 如圖 ( 七 a) 所示電路, 圖 ( 七 b) 為其諾頓等效電路, 則下列敘述何者正確? (A) I N = 2 A (B) R N = Ω 2 (C) I = A (D) V AB = 4 V 9. 如圖 ( 八 ) 所示電路, 求 R L 在最大功率轉移時所消耗的功率為多少? (A) 27 W (C) 81 W (B) 54 W (D) 108 W 圖 ( 七 a) 圖 ( 七 b) 圖 ( 八 ) 10. 某平行金屬板電容器, 兩板間之距離為 1 mm, 金屬板面積為 1, 若該電容器以紙質為介質, 相對介質係數為, 求電容器之電容量約為多少? (A) 2.65 nf (B) 1.5 nf (C) 26.5 nf (D) 15 nf 11. 如圖 ( 九 ) 所示電路, 若 C 1 C 2 及 C 電容器的初值電壓均為 0, 通上 20 V 電壓源後, 三個電容器的電荷量分別為 Q 1 Q 2 及 Q, 則下列敘述何者正確? (A) Q 1 = 60 μc (B) Q2 = Q = 80 μc (C) 總電容量為 18 μf (D) 20 V AB = V 12. 兩電感器 L 1 L 2 串聯總電感量為 120 mh, 若將其中一個電感器接線反接後, 測得總電感量變為 80 mh, 已知 L 1 = 4L2, 則下列敘述何者正確? (A) 電感量 L 1 = 40 mh (B) 電感量 L 2 = 10 mh (C) 互感量 M = 20 mh (D) 耦合係數 k = 如圖 ( 十 a)( 十 b)( 十 c) 所示電路, 若磁通密度 B = 0.1 Wb/m, 0 < θ < 90, 導線長度 l =1 m, 當通入 5 A 電流後, 何種角度的受力最大? 所受作用力為多少? 2 m 圖 ( 九 ) 圖 ( 十 a) 圖 ( 十 b) 圖 ( 十 c) (A) θ = 0, F = 0. 5 牛頓 (B) θ = 0, F = 牛頓 (C) θ = 90, F = 0. 5 牛頓 (D) θ = 60, F = 牛頓 14. 如圖 ( 十一 ) 所示電路, 假設電容器 C 最初不帶電量, 初值電壓為零, 則下列敘述何者錯誤? 4 (A) 開關 S 接通瞬間 i = 2 ma, i C = ma (B) 電路穩定後, i = 1 ma, i C = 0 (C) 電容器 C 充電最大值為 16 V (D) 開關 S 接通 0.9 秒後, 電容電壓為 V 圖 ( 十一 ) 第 2 頁

3 15. 如圖 ( 十二 ) 所示電路, 若電感器在開關 S 閉合前未儲能, 當開關 S 閉合 t 秒後, 電路電流 i = 8.65 A, 求時間 t 為多少? (A) 5 毫秒 (B) 10 毫秒 (C) 20 毫秒 (D) 40 毫秒 16. 某一電壓信號 v (t) = sin(77t) V, 則此電壓信號之平均值及有效值分別為多少? (A) 8 V,10 V (B) 8 V,16 V (C) V,10 V (D) V,16 V 17. 如圖 ( 十三 ) 所示電路, 已知 v(t) = sin(10 t) 伏特, 求電路電流 i (t) 為何? (A) i(t) = 10 2 sin(10 t 45 (B) i(t) = 10 2 sin(10 t + 45 (C) i(t) = 10sin(10 t 45 (D) i(t) = 10sin(10 t + 45 圖 ( 十三 ) 18. 如圖 ( 十四 ) 所示電路, 已知 v(t) = 20sin(10 t) 伏特, 則下列敘述何者錯誤? (A) I R = 2 A (B) I L = 2 A (C) i(t) = 2 2 sin(10 45 ) A 圖 ( 十四 ) (D) Z = 10 2 Ω 圖 ( 十二 ) 19. 如圖 ( 十五 ) 所示電路, 下列敘述何者錯誤? (A) Z =12 Ω (B) I 1 = 6 A (C) I = 10 A (D) 功率因數 PF = 0. 6 圖 ( 十五 ) 20. 某交流電路, 已知其 v (t) = 100sin( ωt + 60 ) 伏特, i (t) = 20sin( ωt + 0 ) 安培, 則下列敘述何者正確? (A) 平均功率 P = 500 W (B) 虛功率 Q = 500 VAR (C) 負載為電容性 (D) 複數功率 S = 1000 VA 21. 某 RC 串聯交流電路, 消耗 20 W 之功率, 功率因數為 0.8, 若將其改為並聯, 求消耗功率為多少瓦特? (A) 400 W (B) 500 W (C) 5 W (D) 888 W 22. 如圖 ( 十六 ) 所示電路, 當 v(t) = 100sin(2π 10 t) V 時, R =10 Ω, X L = 20 Ω, X C = 500 Ω, 若改變輸入信號頻率為 f o, 使電路產生諧振, 則下列敘述何者錯誤? (A) 諧振頻率 f o = 5 khz (B) 諧振時, 功率因數 PF = 1 (C) 諧振時, 電流 I 為最大 (D) 諧振時, 平均功率 P = 1000 W 圖 ( 十六 ) 第頁

4 2. 在 R-L-C 串聯諧振電路中, 下列敘述何者錯誤? (A) 若 L C 值不變, 則 R 值愈大, 則選擇性 Q 值愈小 L (B) 若 R 值不變, 則比值愈大, 則選擇性 Q 值愈大 C (C) 電阻電壓與電路電流相位差 0 (D) 電容電壓相位超前電路電流相位某三相 Y 接 5 馬力電動機, 功率因數為 0.8, 若交流電源電壓為 220 V, 則線路電流約為多少? (A) A (B) 9.8 A (C) 12.2 A (D) 22.7 A 25. 某三相 Y 接發電機, 相序為 abc, 已知 a 相電壓 V a0 = 100 0, 求線電壓 V ca 為多少? (A) (B) (C) (D) 第二部份 : 電子學 26. 某一負載兩端交流電壓 v (t) = 100sin(77t + 60 ) 伏特, 流經負載之交流電流 i (t) = 10cos(77t 0 ), 則下列敘述何者正確? 1 (A) 最大值 V m = V (B) t = 秒時的瞬間值 v (t) = 0 V 180 (C) 信號頻率 f =50 Hz (D) 電壓信號 v (t) 與電流信號 i (t) 相位差一純矽半導體, 本質濃度 n = / cm, 原子密度為 5 10 / cm, 若於每 10 個矽原子摻入 1 個受體 (acceptor) 雜質, 則下列敘述何者正確? 5 i (A) 電洞濃度為 / cm (B) 電子濃度為 5 10 / cm (C) 摻雜後半導體之電性為正電 (D) 摻雜後半導體內部少數載子為電子如圖 ( 十七 ) 所示電路, 假設稽納 (Zener) 二極體 r Z = 0, I ZK = 1 ma, V Z = 6 V, 試求稽納二極體能適當工作在崩潰區之最小負載電阻值 R L 為多少? (A) 0.8 kω (B) 1 kω (C) 1.2 kω (D) 1.6 kω 圖 ( 十七 ) 29. 如圖 ( 十八 ) 所示電路, 若輸入交流電壓 V i (t) = 40 sin(77t) V, 且線圈匝數比 N 1: N 2 = 2 :1, 試問在電阻 R L 上 V o 的平均值 V dc 及二極體的 PIV 值分別為多少? (A) V dc = 6.6 V, PIV = 10 V (B) V dc = 6.6 V, PIV = 20 V (C) V dc = V, PIV = 10 V 圖 ( 十八 ) (D) V dc = V, PIV = 20 V 0. 有一半波整流電路如圖 ( 十九 ) 所示, 已知 C = 100 μf, R = 10 kω, 若以三用電表 DCV 50 V ( 不考慮負載效應 ), 測量其輸出 V o 電壓為 10 V, 則此電路輸出端的漣波峰對峰值 Vr(P P) 為多少? (A) 24 mv (B) 48 mv (C) 8 mv (D) 166 mv 圖 ( 十九 ) 第 4 頁

5 1. 如圖 ( 二十 ) 所示為二極體截波器之 Vi Vo 轉移特性曲線, 其可能的電路為何? (A) (B) (C) (D) 圖 ( 二十 ) 2. 有關雙極性接面電晶體 (BJT) 特性的敘述, 下列何者錯誤? (A) 依其摻雜結合方式, 可分為 NPN 型及 PNP 型兩種 (B) 射極 (emitter) 摻雜濃度最高, 逆向耐壓最高 (C) 射極與集極對調使用, 增益與耐壓均會降低 (D) NPN 型 BJT 中, 少數載子為電洞, 由熱擾動所產生. 有關 NPN 電晶體操作在主動區 (active region) 的敘述, 下列何者錯誤? (A) B-E 接面為順偏,B-C 接面為逆偏 (B) 各端 (E B C) 之電壓大小關係為 V B > VC > VE (C) β I B < I C(sat ) (D) I = I + I E B C 4. 如圖 ( 二十一 ) 所示, 若電晶體的 β = 100, V BE = 0.7 V, V CE (sat) = 0.2 V, 則下列各 ( R B, R C ) 電阻的組合, 何者可以使電晶體工作於飽和狀態? (A) 500 kω,10 kω (B) 250 kω,5 kω (C) 100 kω,10 kω (D) 50 kω,1 kω 圖 ( 二十一 ) 5. 如圖 ( 二十二 ) 所示電晶體偏壓電路, 假設電晶體 Q 1 原來的工作點設計在直流負載線中央, 因電晶體燒毀而更換新的電晶體 Q 2 之後, 工作點移向飽和區附近, 試問在不改變集極飽和電流的情況下, 下列何者可以將工作點重新調整至直流負載線中央? (A) 減少 R B (B) 增加 R B (C) 減少 R C (D) 增加 R C 圖 ( 二十二 ) 6. 如圖 ( 二十三 ) 所示電晶體偏壓電路, 已知 β = 100, V EB = 0.7 V, 下列敘述何者錯誤? (A) I B = 0.02 ma (B) V CE = 8 V (C) V B = 0.7 V (D) 本電路工作於主動 (active) 區 7. 如圖 ( 二十四 ) 所示電路, 已知 V BE = 0.7 V, β = 100, V (sat) CE 0, 求此電路中基極電流 I B 最接近之電流值為多少? (A) 26.5 μa (C) 46.5 μa (B) 6.5 μa (D) 56.5 μa 圖 ( 二十三 ) 圖 ( 二十四 ) 第 5 頁

6 8. 如圖 ( 二十五 ) 所示電路, 已知電晶體參數 β = 100, r π = 2 kω, 則電壓增益 (A) 2. 4 (B) (C) 120 (D) 150 V V o s 約等於多少? 圖 ( 二十五 ) 9. 如圖 ( 二十六 ) 所示電路, 已知 V CC = 12 V, V BE = 0.7 V, V CE = 6 V, 假設 β = 200, Vo 則在室溫下 ( 27 C), 電壓增益約為多少? Vi (A). 6 (B) 47 (C) 180 (D) 承第 9 題, 若 R B2 開路, 則電晶體工作於哪個區域? (A) 主動 (active) 區 (B) 截止 (cut off) 區 (C) 飽和 (saturation) 區 (D) 歐姆區 41. 已知某串級放大電路, 由兩級共射極放大器所組成, 第一級電壓增益為 A v1, 第二級電壓增益為 A v2, 總電流增益 A i = 10, 總功率增益 A p(db) = 40 db, 若 A v1 = 100, 則 A v2 為多少? (A) 1 (B) 10 (C) 100 (D) 如圖 ( 二十七 ) 中之 JFET, 其閘 - 源極夾止電壓 = 4 V, 汲 - 源極飽和 V GS(off ) 電流 I DSS = 16 ma, 則此裝置進入定電流區時, R D 的最大值為多少? (A) 1 kω (B) 2 kω (C) 4 kω (D) 8 kω 圖 ( 二十七 ) 4. 下列關於 FET 特性的敘述, 何者錯誤? (A) 對 JFET 元件而言, 若元件工作於飽和區, 當 V GS = 0 時, I D 的最大值為 I DSS (B) 對空乏型 FET 元件而言, 若元件工作於飽和區, 當 V GS = 0 時, I D 的最大值為 I DSS (C) 對 P 通道 JFET 元件而言, 當 VGD V GS(off ) 時, 元件工作於飽和區 (D) 對 N 通道增強型 MOSFET 元件而言, 當 V V 時, 元件工作於歐姆區 44. 如圖 ( 二十八 ) 所示為共源放大電路, 若場效電晶體參數 r =, Vo I DSS = 8 ma, V GS(off ) = 4 V, V DS = 12 V, 其電壓增益為多少? Vi (A) 5 (B) 10 (C) 50 (D) 100 圖 ( 二十八 ) GD t d 圖 ( 二十六 ) 第 6 頁

7 45. 如圖 ( 二十九 ) 所示電路, 若 OPA 為理想的, 已知 V i = +2 V, 則下列何者正確? (A) V o = 20 V, 輸出未飽和 (B) V o = 20 V, 輸出波形已飽和 (C) V o = 12 V, 輸出未飽和 (D) V o = 12 V, 輸出波形已飽和圖 ( 二十九 ) 46. 如圖 ( 三十 ) 所示電路, 若 OPA 為理想的, 已知 V i = sin(6280t) V, 求使 OPA 得到最大不失真輸出信號的 R 值為多少? (A) 50 kω (B) 70 kω (C) 90 kω (D) 100 kω 圖 ( 三十 ) 47. 如圖 ( 三十一 a) 所示電路中, 圖 ( 三十一 b) 為其 V 轉移特性曲線, 已知 V i = 2 sin(6280t) V, i V o 求輸出電壓 V 之工作週期 (duty cycle) 約為多少? (A) 25% (B) % (C) 50% (D) 66% o 圖 ( 三十一 a) 圖 ( 三十一 b) 48. 如圖 ( 三十二 ) 所示電路, 已知 OPA 為理想的, 當頻率分別為 15.9 Hz 及 1.59 khz 時, 其電壓增益各約為多少分貝 (db)? (A) 0 db,0 db (B) 0 db,20 db (C) 20 db,0 db (D) 20 db,20 db 圖 ( 三十二 ) 49. 某信號含有 DC(0 Hz) 60 Hz 1 khz 10 khz 等四種頻率, 若要將 DC(0 Hz) 及 60 Hz 的信號成份去除, 則應使用下列何種電路較為恰當? (A) 低通濾波器 (low pass filter) (B) 高通濾波器 (high pass filter) (C) 帶通濾波器 (band pass filter) (D) 帶止濾波器 (band reject filter) 50. 如圖 ( 三十三 ) 所示電路, 當電路發生振盪時, 輸出 V o 波形為何? (A) 正弦波 (B) 三角波 (C) 方波 (D) 鋸齒波 C R vv o o 圖 ( 三十三 ) R 1 R 2 第 7 頁

Q expert-完成出卷

Q expert-完成出卷 1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,