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想训许
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1 100 年務人員特種考試一般警察人員考試 100 年務人員特種考試警察人員考試及 100 年特種考試交通事業鐵路人員考試試題等別 : 佐級鐵路人員考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 :1 小時座號 : 代號 :3909 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分本科目共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記, 於本試題上作答者, 不予計分禁止使用電子計算器 1 有關 DAM( 動態隨機存取記憶體 ) 與 SAM( 靜態隨機存取記憶體 ) 的敘述, 下列何者正確? SAM 需要重新充電 (refresh) 單一晶胞的電路 DAM 比 SAM 複雜 DAM 結構需用到電容效應 DAM 屬非揮發性記憶體 2 關於邏輯電路之敘述, 下列何者正確? 靜態邏輯 (Static Logic) 電路切換過程無動態功率 (Dynamic Power) 消耗動態邏輯 (Dynamic Logic) 電路在穩態時有導通路徑將輸出值連結至最高或最低電壓組合式邏輯 (Combinational Logic) 電路之輸出值僅與輸入布林變數之目前狀態有關或閘 (O Gate) 為序列式邏輯電路 3 關於理想運算放大器之敘述, 下列何者正確? 輸入阻抗為 0 輸出阻抗無限大差動增益 (Differential-mode Gain) 為 0 共模增益 (Common-mode Gain) 為 0 4 圖示電路為何種濾波器? + 高通帶通+ 低通-Vi C Vo 帶拒-5 圖中電路之功能為 : L + 帶拒濾波器高通濾波器低通濾波器 C 帶通濾波器- 6 對於理想電流放大器 (Current Amplifier) 特性之敘述, 下列何者正確? 輸入阻抗為 0 輸出阻抗為 0 輸入阻抗無限大輸出阻抗與電壓放大器特性相同 7 在雙極性接面電晶體共射極組態中, 理想小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc 進入基極, 電容 Cc 之目的為 : 隔離放大器與電源間的直流增加輸出阻抗隔離交流訊號隔離雜訊

2 頁次 :8-2 8 雙極性接面電晶體 (BJT) 若工作於作用區 (Active-egion), 其偏壓需滿足下列何種條件? 基 - 射極接面為順向偏壓, 基 - 集極接面為順向偏壓基 - 射極接面為順向偏壓, 基 - 集極接面為反向偏壓基 - 射極接面為反向偏壓, 基 - 集極接面為順向偏壓基 - 射極接面為反向偏壓, 基 - 集極接面為反向偏壓 9 下列何者為齊納 (Zener) 二極體作為穩壓用時的工作區域? Ⅰ I D Ⅱ Ⅰ 及 Ⅱ I Ⅲ II v z 0 V D III 10 利用浮動閘極電晶體 (Floating-Gate Transistor) 的記憶細胞 (Memory Cell) 為 : SAM( 靜態隨機存取記憶體 ) EPOM( 可擦式及可程式唯讀記憶體 ) DAM( 動態隨機存取記憶體 ) OM( 唯讀記憶體 ) 11 圖為射極耦合邏輯 (Emitter-Coupled Logic,ECL) 電路其中 VⅠ 為輸入,V O1 V O2 為輸出,V CC 為電壓源,V 為參考電壓,Ⅰ 為偏置電流源 (Bias Current Source) 當 I C1 /I C2 >99 時,V O1 為邏輯 0" 則其輸入電壓 VⅠ 為 :( 方程式中,V T =0.025V) V -V T ln(99) V CC V +V T ln(99) I C1 I C2 V +99V T C V -99V T C V O1 V O2 V I Q 1 Q 2 V I 12 如圖所示, 利用電晶體二極體及電阻組成數位正邏輯電路, 若 V cc =5V 且輸入電壓 =0V, 下列敘述何者為正確? Q 2 不導通 Q 3 不導通輸出電壓 =5V Q 2 導通 Q 3 不導通輸出電壓 =5V Q 2 不導通 Q 3 V cc 1.6 kω 4 kω V cc 導通輸出電壓 =0V Q 2 導通 Q 3 導通輸出電壓 =0V 1.6 kω Q 1 Q 2 D 1 Q 3 1 kω

3 關於圖中振盪器之敘述, 何者錯誤? 輸出信號 (V 0) 近似為方波 1 越大振盪頻率越低越大振盪頻率越低- 3 越大振盪頻率越低 C 2 3 代號 :3909 頁次 : 如圖電路, 下列何者為錯誤? 3 此電路為一階低通濾波器 4 低頻訊號增益為高頻截止頻率為 2π 1 2C1C 2 C 1 頻率響應圖為 A v = / C 2 f 15 關於圖中電路, 下列敘述何者正確? 此為低通濾波器此為高通濾波器此為帶通濾波器此為帶拒濾波器 16 圖中等效電路的電壓增益, 以下何者為錯誤? n 有一個非無窮大的零點 (Zero) 有兩個極點 (Pole) +C L -C g m n L ut C L 低頻電壓增益為 :-g m L 單位增益頻率 (Unit Gain Frequency) 為 :g m /2π(C+C L ) 17 圖示電路, 其中 2=21, 且二極體導通時的電壓降為 0.7V 若輸入電壓 v I =-2V, 則輸出電壓 v O 為若干 V? D 2 4 D 1 +-v I v O

4 頁次 : 圖中電路, 若運算放大器為理想, 則 I i 值為何? 0.25 ma 4 kω 1 ma 4 ma 1 kω 5 ma +-1 kω 1 V I i o vi v o VCC 19 圖示理想運算放大器電路, 若 1=2kΩ 2=6kΩ 3=3kΩ 4=6kΩ, 今輸入訊號 vi=1mv, 則輸出電壓 v 為若干 mv? 圖為含射極電阻 E的差動放大器 (Differential Amplifier) 其中 C1=C2=8kΩ, E =100Ω,I B1 =I B2 =0.5mA, 電晶體的 β 為 100 則差動放大器的差模電壓增益約為: C2 40 -C1 + V O V O + - V I Q 1 Q 2 V I E I B1 I B2 21 共射極 (CE) 電晶體放大電路中, E 為射極端外接電阻,h ie 為 B 與 E 間內阻則此電晶體輸入阻抗值 : 接近 E 遠大於 E 接近 hie 遠小於 hie 22 如圖所示之雙極性接面電晶體 (BJT) 放大器, 已知電晶體參數 β (=I c /I b ) 為 210, 以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗 r o為 50 kω, 則此放大器的電壓增益 A V (=/Vi) 約為多少? V kω 2.6 kω kω 650 Ω V O

5 頁次 : P- 通道增強型 (Enhancement Type)MOSFET 通道導通的條件是 (V TH : 臨限電壓 ): V GS=0 VGS > V TH VGS < V TH VGS >0 24 下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET? 汲極回授偏壓自給偏壓分壓偏壓固定偏壓 25 如圖所示為一個交流等效電路, 其輸入阻抗 (Z in =/I b) 為 : r π + E b I b c r π ++ r π ((1+β) E) r π +(1+β) E r π βi b e C I e = (1+β)I b Z in - E -26 如圖的波整流器電路, 各二極體導通之 V D =0.7V 若輸入電壓 V I 之峰對峰 (Peak-to-Peak) 為 12V 之正弦波, 則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為 : 12V V 10.6V V O V V I -27 在室溫下, 加熱一矽半導體, 若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大, 則可推測該矽半導體最可能是 : n + 型半導體 p + 型半導體純矽半導體無從推測 28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中, 若有電子流流向正 X 方向, 霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼方向? Y 正 Y 負 Y 正 Z 負 Z 電子流 X Z B 29 蕭特基電晶體邏輯 (Schottky-Transistor Logic) 電路動作速度比雙極性電晶體邏輯 (Transistor -Transistor Logic) 快的原因是因為蕭特基電晶體 : 沒有 C 延遲因素不會進入深飽和區載體移動率較快載體以穿透效應傳輸

6 頁次 : 將硼 (B) 元素摻進純矽晶體中, 則成為何種型別的半導體? N 型 P 型空乏型增強型 31 圖中振盪器,C 1 =10μF,C 2=20μF,L=100nH,=10kΩ 電晶體的跨導(Transconductance,gm) 需約為多少才能維持振盪 : 20mA/V 2mA/V C 1 0.2mA/V 0.02mA/V L C 2 Vo 32 關於 (s) 之敘述, 何者正確? Vi C 此為低通濾波器此為帶通濾波器 1 其高頻增益為越大則低頻 -3 db 頻率越低由理想運算放大器組成的電路, 如圖所示其中 1=2=10kΩ, 負載電阻 L=20kΩ 若輸入電壓 VIN =2V, 則負載電壓 V L 為何? 0.5V 1V 2V +- 4V +V 1 IN 2 L V -L 34 圖示理想運算放大器電路, 若輸出電壓 v O =2(v 1 -v 2 ), 則 : 1 =2kΩ 2 =4kΩ 3 =10kΩ 4 =10kΩ 1 =1kΩ 2 =2kΩ 3 =5kΩ 4 =10kΩ 1 =1kΩ 2 =2kΩ 3 =3kΩ 4 =4kΩ 1 =2kΩ 2 =3kΩ 3 =3kΩ 4 =8kΩ v 2 v v O

7 頁次 : 圖中分壓式偏壓的 MOSFET 電路中,Z i 及 Z o 分別代表輸入及輸出阻抗,r d 為 MOSFET 小訊號模型汲極區域內電阻, 下列敘述何者正確? V DD Z i = 1 + 2,Z o = D Z i =( 1 2 )/( ),Z o = D Z i =( 1 2 )/( ),Z o =r d D /( r d + D ) D Z i = 1 + 2,Z o =r d D /( r d + D ) Vo 1 D C ( ) 1 G Z o 36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線, 操作在那一點時功率損耗最多? P 1 P 2 P 3 P 4 Z V 0 (V) 5.0 i 2 P 4 S S C S ( ) P 3 P 2 P (V) 37 PN 接面二極體,P 型的雜質濃度為 N A,N 型的雜質濃度為 N D, 接面處 P 型的空乏區寬度為 X P,N 型的空乏區寬度為 X N, 若 N A >N D, 則下列敘述何者為正確? X P >X N X P <X N X P =X N N A X P >N D X N 38 設 V BE =0.7V, 則圖中的電流 I C 約為 : 10.0mA V CC =20V 6.0mA 4.3mA I C 3.8mA 250 kω 3 kω +β=100 I B -V BE I E 2kΩ

8 頁次 : 圖中電路, 假設 V IN =V DD,V G =V DD,V DD=4V,C=100fF 電晶體的臨限電壓(Threshold Voltage,V TH ) 為 1V, 本體效應 (Body Effect) 可以忽略製程跨導參數 (Process Transconductance Parameter,μ n C ox ) 為 50 μa/v 2 寬長比(Aspect atio,w/l) 為 2 則此電路的 V O 從 0 V 升至 V DD /2 所需要的時間約為 : 1ns V G 0.8ns 0.4ns 0.2ns V V O IN C 40 某場效電晶體 A v對頻率 f 曲線如圖, 其頻帶寬 (BW) 之定義為 : BW=f 4 -f 1 A v BW=f 4 -f 3 A vmid BW=f 2 -f 3 f 3 1 BW=f 2 -f f ,000 10, ,000 f 1 f 1 MHz 2

Q expert-完成出卷

Q expert-完成出卷 1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,