1356 微電子學 6. 畫出單極點低通交換電容濾波器電路 7. 描述振盪器之特性 8. 描述並解釋相移振盪器之操作 9. 描述並解釋溫橋振盪器之操作 10. 與相移振盪器相較 Colpitts 或 Hartley 振盪器之優點為何 11. 畫出反相與非反相比較器之電路與特性曲線 12. 畫出基本反

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僧赖
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1 第 15 章積體電路的應用與設計在史密特觸發器之負回授迴路中加入 RC 網路可得方波產生器或振盪器此類振盪器稱為不穩振盪器 555 IC 時序器使用兩個比較器在單穩或不穩態下運作調整外加電阻和電容值可在大範圍內改變不穩態輸出訊號之頻率責任週期及單穩態輸出訊號之脈衝寬度我們討論三種積體電路功率放大器之例子 LM380 功率放大器為全 IC 元件之放大器可輸出 5 W 之交流功率至負載 PA12 功率放大器為高增益放大器外接 AB 類輸出級可供應範圍為 ±15A 之峰值輸出電流橋式功率放大器則使用兩個操作放大器與外在負載相接最後我們分析簡單串通電壓調節器並求出基本調節器特性同時也定義線型調節和負載調節最後並討論全 IC 之 LM78L08 電壓調節器檢查點學習本章後讀者應具有以下能力設計基本主動濾波器設計基本振盪器設計基本史密特觸發電路設計史密特觸發方波振盪器並使用 555 時序電路瞭解積體電路功率放大器之操作實例及特性復習問題 1. 描述主動與被動濾波器之差別主動濾波器之主要優點為何 2. 畫出低通高通及帶通濾波器之一般特性 3. 討論低通濾波器 (a) 單極點 (b) 雙極點 (c) 三極點 (d) 四極點濾波器中隨頻率下降之斜率為何 4. 巴氏濾波器之特性為何 5. 描述兩個交換電晶體和電容如何操作成電阻 1355

2 1356 微電子學 6. 畫出單極點低通交換電容濾波器電路 7. 描述振盪器之特性 8. 描述並解釋相移振盪器之操作 9. 描述並解釋溫橋振盪器之操作 10. 與相移振盪器相較 Colpitts 或 Hartley 振盪器之優點為何 11. 畫出反相與非反相比較器之電路與特性曲線 12. 畫出基本反相史密特觸發器之電路與特性曲線 13. 雙穩態電路之意義為何 14. 史密特觸發電路之主要優點為何 15. 畫出史密特觸發振盪器電路並解釋其操作原理 16. 描述單穩態多諧振盪器之特性 17. 描述操作放大器與 AB 類輸出級相接後如何操作成功率放大器 18. 畫出橋式功率放大器並描述其操作原理 19. 畫出電壓調節器之基本電路方塊圖並解釋其操作原理 20. 定義電壓調節器之負載調節 21. 畫出串通電壓調節器之基本電路問題 15.1 節主動濾波器 D15.1 (a) 設計單極點低通濾波器其導通頻段增益為 10 而 3 分貝頻率為 5 khz (b) 重複 (a) 部分但導通頻段增益為 15 而 3 分貝頻率為 10 khz 此濾波器導通頻段之最小輸入電阻為 10 kω 15.2 求出 (a) 單極點 (b) 雙極點 (c) 三極點低通濾波器在 f = 2 f3db 之增益衰減 15.3 (a) 設計雙極點低通巴氏主動濾波器其截止頻率為 f = 20 khz 低頻增益大小為 1 (b) 求出在 (i) f = 18 khz (ii) f = 20 khz (iii) f = 22 khz 時之增益大小 D15.4 設計三極點高通巴氏主動濾波器其截止頻率為 50 khz 求出在和 45 khz 時之轉換函數大小

3 第 15 章積體電路的應用與設計 15.5 由 (15.7) 式之一般轉換函數推導出雙極點高通巴氏主動濾波器中 R1 和 R2 之關係 15.6 低通濾波器之截止頻率為 10 khz 且在 20 khz 時之增益較最大值低至少 25 分貝求出巴氏濾波器所需之最少極點數 15.7 設計低通濾波器在頻率為 0 到 12 khz 時可通過低頻時之放大器增益為 +10 在此頻率範圍內之增益變化量不會超過 10% 此外當頻率超過 14 khz 時放大器增益不可大於 0.1 求出此巴氏濾波器之 3 分貝頻率和所需之極點數 15.8 討論低通巴氏濾波器分別對 (a) 三極點濾波器 (b) 五極點濾波器 (c) 七極點濾波器求出頻率在 f = 1.5 f3db 時比起在低頻時之濾波器增益比值 D15.9 設計特殊形式之一階放大器 (僅用一個電容) 在頻率約小於 25 khz 時增益大小為 25 在頻率大於 25 khz 時增益大小為 1 D15.10 調幅廣播訊號將 80 Hz 到 12 khz 之聲音訊號疊加在 770 khz 之載波訊號上若低通濾波器之導通頻段增益為 1 且載波訊號至少衰減 100 分貝則濾波器所需之次數為何 D15.11 帶拒濾波器由低通高通濾波器與相加放大器所組成 60 Hz 之訊號必須比兩極點低通巴氏濾波器與兩極點高通巴氏濾波器之最大增益 0 分貝低至少 50 分貝求出頻寬為何如圖 P15.12 之帶通濾波器所示 (a) 證明電壓轉換函數為 (b) 若 C = 0.1 μf R1 = 85 kω R2 = R3 = 300 Ω R4 = 3 kω R5 = 30 kω 求出 (i) A v(max) (ii) 在 A v(max) 時之頻率 fo (iii) 兩個 3 分貝頻率如圖 P15.13 之電路所示 (a) 求出電壓轉換函數大小和相位之表示式 (b) 若 R = 10 kω C = 15.9 nf 畫出相位對頻率之作圖 [注意由於電壓增益大小為定值故此濾波器為全通濾波器但輸出電壓之相位隨頻率改變 ] 如圖 P15.14 之電路所示求出每個電路之電壓轉換函數 T(s) = Vo(s)/Vi(s) 和截止頻率 f3db 1357

4 1358 圖 P15.12 圖 P15.14 微電子學圖 P15.13 圖 P 如圖 P15.15 之帶通濾波器電路所示 (a) 求出電壓轉換函數 T(s) 之表示式 (b) 若 R1 = 10 kω 求出 R2 C1 和 C2 使得中頻增益大小為 50 截止頻率為 200 Hz 和 5 khz D15.16 串接單極點高通和單極點低通濾波器可組成簡單帶通濾波器利用類似圖 15.3 之操作放大器電路來設計帶通濾波器截止頻率為 200 Hz 和 50 khz 中頻增益為 10 分貝所用之電阻值必須小於 200 kω 但輸入電阻必須愈大愈好如圖 15.13(a) 之交換電容電路其時序頻率為 100 khz 若 (a) C = 1 pf (b) C = 10 pf (c) C = 30 pf 求出等效電阻如圖 15.13(a) 之交換電容電路所示其電壓為 V1 = 2 V 和 V2 = 1 V 電容值為 C = 10 pf 時序頻率為 fc = 100 khz (a) 求出每個時序脈衝內從 V1 轉移到 V2 之電荷為何 (b) 求出 V1 供應電源所提供之平均電流為何 (c) 若 MOSFET 之導通電阻為 1000 Ω 求出每半個時序週期內要轉移 99% 的電荷所需之時間 D15.19 如圖 15.14(b) 之交換電容濾波器所示設計電路使得低頻增益為 10 截止頻率為 10 khz 時序頻率必須為截止頻率之 10 倍最大電容值為 30 pf 求出所需之 C1 C2 和 CF

5 第 15 章積體電路的應用與設計如圖 P15.20 之交換電容積分器所示令 CF = 30 pf 且 C1 = 5 pf 假設時序頻率為 100 khz 且 vi = 1 V (a) 求出 RC 之積分時間常數 (b) 求出每個時序週期之輸出電壓變化 (c) 若 C F 最初無電荷則在多少個時序脈衝後 v O 會變為 13 V 圖 P 節振盪器如圖之相移振盪器所示其參數為 R = 10 kω 和 C = 0.10 pf 求出振盪頻率和所需之 R2 值如圖之相移振盪器所示操作放大器 A1 之非反相輸入端電容由可變電容 CV 取代 (a) 求出振盪頻率之表示式 (b) 若 C = 10 pf R = 10 kω CV 在 10 到 50 pf 間求出振盪頻率範圍如圖之相移振盪器所示令 C = 125 pf 設計電路使其操作在 fo = 28 khz 分析圖之相移振盪器證明振盪頻率公式如 (15.46) 式所示振盪條件如 (15.47) 式所示圖 P15.25 之電路為另一種相移振盪器架構 (a) 若 R1 = R2 = R3 = RA1 = RA2 = RA3 R 且 C1 = C2 = C3 C 證明振盪頻率為 (b) 假設每級放大器之增益大小相等若欲維持振盪則每級所需之最小增益為何如圖 P15.26 之相移振盪器所示 (a) 求出振盪頻率之表示式 (b) 若 R = 5 kω 若欲維持振盪頻率為 5 khz 求出 C 和 RF 值如圖 P15.27 之溫橋振盪器所示 (a) 求出振盪頻率之表示式 (b) 持續振盪條件為何 1359

6 1360 微電子學圖 P15.25 圖 P15.26 圖 P 如圖 P15.28 之振盪器電路所示 (a) 求出迴路增益 T(s) 之表示式 (b) 求出振盪頻率之表示式 (c) 求出振盪條件圖 P 設計如圖之溫橋振盪器其振盪頻率為 fo = 28 khz 選擇適當之元件值

7 第 15 章積體電路的應用與設計 D15.30 圖為偏壓在 ID = 1 ma 之 Colpitts 振盪器電晶體參數為 VTN = 1 V 和 Kn = 0.5 ma/ V 2 令 C1 = 0.01 μf 且 RL = 4 kω 設計電路使其振盪頻率為 fo = 400 khz 圖 P15.31 為使用 BJT 之 Colpitts 振盪器假設 rπ 和 ro 皆很大求出振盪頻率之表示式和振盪條件圖 P15.31 圖 P15.34 圖 P 如圖所示討論 Hartley 振盪器之交流等效電路 (a) 求出振盪頻率之表示式 (b) 求出維持振盪之條件 D15.33 如圖之 Hartley 振盪器所示假設 r π 且 g m = 20 ma/v 設計電路在 fo = 800 khz 振盪並驗證此電路可持續振盪如圖 P15.34 之電路所示求出振盪所需之迴路增益函數 T(s) 和 T( jω) 振盪頻率及 R2 /R 如圖 P15.35 之電路所示重複問題如圖 P15.36 之電路所示重複問題圖 P 節史密特觸發電路 D15.37 如圖 15.27(a) 之比較器電路所示輸出飽和電壓為 ±10 V 令 R1 = 50 kω 設計可變電阻值 R2 使其與固定電阻串聯求出參考電壓使得轉折電壓在 1 到 5 V 範圍內為可變 D15.38 如圖 15.30(a) 之史密特觸發器所示假設飽和輸出電壓為 VH = +13 V 和 VL = 13 V 忽略輸入偏壓電流效應設計電路使得 R1 和 R2 之最大電流值為 0.25 ma 遲滯寬度為 0.2 V 1361

8 1362 微電子學如圖 15.30(a) 之史密特觸發器所示參數為 VH = +10 V VL = 10 V R1 = 10 kω 和 R2 = 40 kω (a) 求出轉折電壓 VTH 和 VTL (b) 假設輸入為 vi = 5 sin[2π(60)t] V 之弦波電壓畫出穩態輸出電壓對時間於超過兩個週期之波形圖如圖 P15.40 之史密特觸發器所示假設飽和輸出電壓為 ±V P (a) 求出轉折電壓 V TH 和 V TL 之表示式 (b) 令 R A = 10 kω RB = 20 kω R1 = 5 kω R2 = 20 kω VP = 10 V 且 VREF = 2 V (a) 求出 VTH 和 VTL (b) 畫出電壓轉換曲線圖 P15.40 圖 P15.41 圖 P 如圖 P15.41 之史密特觸發器所示其飽和輸出電壓為 ±VP (a) 求出 VTH 和 VTL 轉折電壓之表示式 (b) 若 VP = 12 V VREF = 10 V R3 = 10 kω 求出 R1 和 R2 使得交換點為 VS = 5 V 遲滯寬度為 0.2 V (c) 畫出電壓轉換曲線 (a) 如圖 P15.42 之比較器電路所示假設開迴路增益為無限大反向齊納電壓為 VZ = 5.6 V 順向二極體導通電壓為 Vg = 0.6 V 畫出電壓轉換曲線 (b) 若開迴路增益為 103 重做 (a) 部分 (c) 若比較器之反相輸入端為 2.5 V 重做 (a) 部分如圖 15.32(a) 之史密特觸發器所示 (a) 導出如 (15.76) 和 (15.77) 式之交換點和轉折電壓表示式 (b) 令 VH = +10 V VL = 10 V 且 R1 = 10 kω 求出 R2 和 VREF 使得 VTH = 2 V 且 VTL = 1 V 如圖 15.33(a) 之史密特觸發器所示 (a) 導出如 (15.78) 和 (15.79) 式之交換點和轉折電壓表示式 (b) 令 VH = 12 V VL = 12 V 且 R2 = 20 kω 求出 R1 和 VREF 使得 VTH = 1 V 且 VTL = 2 V 如圖之比較器電路所示輸出飽和電壓為 ±13 V 假設順向二極體壓降為 0.7 V 反向齊納電壓為 4.7 V (a) 若 R1

9 第 15 章積體電路的應用與設計 = 2 kω 求出 R2 使得遲滯寬度為 0.8 V (b) 求出 R 使得二極體平均電流為 0.5 ma 圖為具限制器之史密特觸發器假設順向二極體導通電壓 Vg 為 0.7 V (a) 求出 VREF 使得雙穩態輸出電壓在 vi = 0 時為 ± 5 V (b) 求出 R1 和 R2 使得轉折電壓為 ± 0.5 V (c) 考慮 R1 R2 和 100 kω 電阻求出在 vi = 10 V 時之 vo 值圖 15.36(a) 為具限制網路之反相史密特觸發器證明轉折電壓如圖 (b) 所示 (a) 圖 15.37(a) 為具限制器之史密特觸發器求出在 vi = 0 時之兩個輸出電壓和轉折電壓值 (b) 若 vi > VTH 求出 vo 對 vi 作圖之斜率表示式 15.4 節非弦波振盪器和時序電路 D15.49 設計如圖之史密特觸發電路來產生方波輸出訊號頻率為 fo = 12 khz 責任週期為 50% 必須選擇標準元件值如圖之史密特觸發振盪器所示參數為 CX = 0.2 μf R X = 22 kω R 1 = 20 kω 且 R 2 = 5 kω 飽和輸出電壓為 ±12 V (a) 振盪頻率和責任週期為何 (b) 畫出 vo 和 vx 對時間於超過兩個振盪週期之波形圖若 VH = +15 V 且 VL = 10 V 重做問題求出其飽和輸出電壓如圖 P15.52 之電路所示史密特觸發比較器之飽和輸出電壓為 ±10 V 假設在 t = 0 時輸出 vo1 由低電位變為高電位且 CY 未充電畫出 vo1 和 vo 對時間於超過兩個振盪週期之波形圖圖 P

10 1364 微電子學如圖 P15.53 之比較器所示飽和輸出電壓為 ±10 V (a) 求出 Rx 使可變電阻接到 A 點時振盪頻率為 500 Hz (b) 利用 (a) 部分之結果求出可變電阻接到 B 點時之振盪頻率圖 P 如圖之單穩態多諧振盪器所示此電路可產生 100 µs 之脈衝假設飽和輸出電壓為 ±5 V 令 Vg = 0.7 V R1 = 10 kω 且 R2 = 25 kω 所需之最小輸入觸發電壓為何復原時間為何如圖之單穩態多諧振盪器所示參數為 RX = 47 kω CX = 0.2 μf 且 R1 = R2 = 30 kω 飽和輸出電壓為 ±12 V 令二極體之 Vg = 0.7 V (a) 輸出脈衝寬度為何 (b) 復原時間為何 D15.56 圖為 555 時序器接成單穩態多諧振盪器之模式 (a) 設計電路使得輸出脈衝寬度為 60 秒 (b) 求出復原時間 D15.57 設計 555 單穩態多諧振盪器以產生 5 µs 之脈衝其復原時間為何圖為 555 時序器接成不穩態參數為 RA = RB = 20 kω 和 C = 0.1 μf 求出振盪頻率和責任週期如圖 P15.59 之 555 IC 所示求出振盪頻率範圍和責任週期如圖 P15.60 之電路所示重做問題 15.59

11 第圖 P 節 15 章積體電路的應用與設計圖 P15.60 積體電路功率放大器圖之 LM380 功率放大器偏壓在 V + = 22 V 對 npn 和 pnp 電晶體而言分別令 βn = 100 和 βp = 20 (a) 求出電晶體 Q1 到 Q6 之靜態集極電流 (b) 假設二極體 D1 D2 及電晶體 Q7 Q8 和 Q9 均匹配參數為 IS = A 當輸入電壓為零時求出 D1 D2 Q7 Q8 和 Q9 之靜態電流 (c) 無負載時求出放大器之靜態功率消耗 LM380 必須提供交流功率給 10 Ω 之負載放大器之最大功率消耗限制為 2 W 負載之最大失真為 3% 求出 (a) 傳至負載之最大功率 (b) 最大供應電壓 (c) 輸出弦波電壓之峰值大小 D15.63 設計如圖之橋式電路使其提供 20 W 之平均交流功率給大於 10 Ω 之揚聲器設計電路使得每個操作放大器之增益大小為 15 若每個供應電壓必須約大於輸出電壓峰值之 20% 則每個操作放大器之輸出電流和電壓峰值為何 D15.64 圖 P15.64 為另一種橋式功率放大器由於此放大器之輸入端為操作放大器之非反相輸入端故其輸入電阻非常大 (a) 推導出電壓增益 A v = vl /vi 之表示式 (b) 令 R1 = 50 kω 設計電路使得增益為 A v = 10 且 vo1 和 vo2 之大小相同 (c) 若 RL = 20 Ω 且傳到負載之平均功率為 10 W 求出 vo1 和 vo2 之峰值電壓大小和負載峰值電流 1365

12 1366 微電子學圖 P15.64 圖 P 圖 P15.65 為音頻功率放大器此電路由兩個相同之操作放大器接成橋式架構所構成 (a) 求出電壓增益 A v = vl /vi 之表示式 (b) 若操作放大器之輸出電壓被限制於 ±12 V 內則可跨過 RL 之最大電壓正弦波為何 (c) 設計電路使得電壓增益大小為 A v = 10 且最小之電阻值為 2 kω D15.66 如圖 P15.65 之功率放大器所示 (a) 設計電路使得電壓增益大小為 A v = 15 且 vo1 和 vo2 之大小相同 (b) 若 RL = 16 Ω 且傳至負載之平均功率為 20 W 求出 vo1 和 vo2 之峰值電壓大小和負載峰值電流 15.6 節電壓調節器如圖 P15.67 之電壓調節器電路所示電晶體 Q1 和 Q2 之參數為 β = 200 VEB(on) = 0.7 V 及 VA = 100 V 零電流齊納電壓為 VZO = 6.3 V 齊納電阻為 rz = 15 Ω 假設操作放大器為理想計算線型調節圖 P15.67

13 第 15 章積體電路的應用與設計當負載電流由無負載電流變化至全負載電流 1 A 時電壓調節器之輸出電壓下降 10 mv 若輸出電壓隨負載電流線性變化求出調節器之輸出電阻如圖之三端電壓調節器所示其參數與例相同若最大負載電流為 IO (max) = 100 ma 求出將所有電晶體維持偏壓在主動區之最小功率供應電壓 V + D15.70 如圖之三端電壓調節器所示齊納二極體電壓為 VZ = 6.3 V 假設電晶體參數為 VBE (npn) = VEB (pnp) = 0.6 V 忽略基極電流 (a) 求出電阻 R4 使得 IZ2 = 0.25 ma (b) 求出 R12 使得 VO = 12 V 如圖之三端電壓調節器所示其參數與例相同假設 Q4 之 R4 = 0 VA = 50 V D2 之 rz = 15 Ω 求出線型調節圖 P15.72 為可變電壓且電流為 0 到 1 A 之電壓調節器電晶體參數為 β = 100 和 VBE (on) = 0.7 V 操作放大器之有限開迴路增益為 AOL = 104 零電流齊納電壓為 VZO = 5 V 齊納電阻為 rz = 10 Ω (a) 當 IZ = 10 ma 時求出 R1 (b) 當可變電阻 R3 變化時求出輸出電壓範圍 (c) 若調整可變電阻使得 x = 0 時求出負載調節假設操作放大器之 Ro = 0 圖 P

14 1368 微電子學如圖 P15.73 之電路所示電晶體參數為 β = 100 且 VEB (on) = 0.6 V 理想齊納二極體之 VZ = 5.6 V 操作放大器為理想欲使負載電流為固定求出負載電阻 RL 之範圍此固定之負載電流值為何圖 P15.73 電腦模擬問題模擬如圖 15.10(a) 之三極點低通巴氏濾波器其參數為 R = 1.59 kω C 1 = μf C 2 = μf 和 C 3 = μf 畫出電壓轉換函數大小對頻率之作圖並與練習問題 15.1 之結果做比較模擬如圖 15.14(b) 之交換電容濾波器其參數為 C1 = 30 pf C2 = 5 pf 和 CF = 12 pf 假設時序頻率為 100 khz 畫出電壓轉換函數大小對頻率之作圖求出 3 分貝頻率和低頻增益並與練習問題 15.3 之結果做比較模擬如圖之相移振盪器其參數為 R = 10 kω C = 100 pf 和 R2 = 300 kω 畫出輸出電壓對時間之作圖振盪頻率為何模擬如圖 15.36(a) 中具限制器之史密特觸發器令 V REF = 5 V 當 vi 由 5 V 增加至 +5 V 時和當 vi 由 +5 V 減少至 5 V 時畫出 vo 對 vi 之作圖模擬圖中 LM380 功率放大器之交流等效電路求出其小訊號差動電壓增益

15 第 15 章積體電路的應用與設計討論圖中 LM78LXX 電壓調節器之參考電壓與錯誤放大器部分其參數與例相同利用 PSpice 分析求出溫度靈敏度與負載調節設計問題 [注意每個設計必須對照電腦分析 ] D15.80 設計低通巴氏濾波器使其截止頻率為 15 khz 在 20 khz 時其增益比最大值低至少 20 分貝求出所需之最少極點數和所有元件值 D15.81 如圖 P15.81 之 Colpitts 振盪器所示電容 CE 和 CC 為很大之旁路和耦合電容令 VCC = 10 V (a) 設計電路使得靜態集極電流為 ICQ = 1 ma (b) 設計電路使得振盪頻率為 fo = 800 khz 圖 P15.81 D15.82 設計史密特觸發振盪器以產生方波輸出其頻率為 f o = 5 khz 峰值輸出電壓為 ±5 V D15.83 設計 555 時序電路操作為不穩態多諧振盪器其輸出頻率為 800 Hz 責任週期為 60% D15.84 如圖 P15.84 之功率放大器所示其參數為 V + = 15 V V = 15 V 且 RL = 20 Ω 閉迴路增益必須為 10 設計電路使得 vi = 1 V 時傳到負載之功率為 5 W 若四個電晶體為匹配求出所需之最小 β 值使得傳至負載之功率為 5 W 時操作放大器之輸出電流限制於 2 ma 內 1369

16 1370 微電子學圖 P15.84 圖 P15.85 D15.85 如圖 P15.85 之簡單串通調節器所示假設理想齊納二極體之 VZ = VREF = 4.7 V 令所有電晶體之 β = 100 且 VBE (on) = 0.7 V (a) 設計電路使得當標準供應電壓為 V + = 20 V 時 VO = 10 V 且 IZ = 10 ma (b) 求出調節器之輸出電阻 Rof

第 5.1 節 5 章雙極接面電晶體基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之

第 5.1 節 5 章雙極接面電晶體基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之 430 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下加在 npn 雙極電晶體上所需之偏壓電壓為何 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止順向主動模式飽和模式下之條件 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別 5.