目 次 一 活動剪影... 1 二 問卷資料... 4 三 函文 四 專題講座講義 五 附錄... 39
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- 帧酿干 燕
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1 101 學年度先進薄膜製程學士學位學程 學程週會專題講座 講題 : 高屏地區奈米核心製程共同實驗室簡介 主講人 : 國立中山大學物理學系 張鼎張教授 民國 年 6 月 4 日
2 目 次 一 活動剪影... 1 二 問卷資料... 4 三 函文 四 專題講座講義 五 附錄... 39
3 一 學程週會專題講座活動剪影 頁 1
4 頁 2
5 頁 3
6 二 學程週會專題講座問卷統計資料 題項一 : 對此次專題講座主題 內容之滿意度? 關於第一題 : 有 67 位填答者, 非常滿意有 24 人 滿意者有 31 人, 尚可者有 12 人, 顯示填答者對於此次演講內容主題 內容滿意度覺得滿意 項目一 次數 百分比 有效的 非常滿意 % 滿意 % 尚可 % 不滿意 % 非常不滿意 % 總和 % 對此次專題講座主題 內容滿意度 0% 0% 46% 18% 36% 非常滿意滿意尚可不滿意非常不滿意 頁 4
7 題項二 : 此次專題演講內容符合自己需求關於第二題 : 有 67 位填答者, 非常滿意有 24 人 滿意者有 29 人, 尚可者有 14 人, 顯示填答者對於此次演講內容主題 內容滿意度覺得滿意 項目二 次數 百分比 有效的 非常滿意 % 滿意 % 尚可 % 不滿意 % 非常不滿意 % 總和 % 此次專題演講內容符合自己需求 0% 0% 21% 43% 36% 非常滿意滿意尚可不滿意非常不滿意 頁 5
8 題項三 : 對此次專題演講內容之助益程度關於第三題 : 有 67 位填答者, 非常滿意有 26 人 滿意者有 29 人, 尚可者有 12 人, 顯示填答者對於此次演講內容主題 內容滿意度覺得滿意 項目三 次數 百分比 有效的 非常滿意 % 滿意 % 尚可 % 不滿意 % 非常不滿意 % 總和 % 對此次專題講座內容之助益程度 0% 0% 43% 18% 39% 非常滿意滿意尚可不滿意非常不滿意 頁 6
9 題項四 : 講師 / 主持人與參與者互動情形關於第四題 : 有 67 位填答者, 非常滿意有 27 人 滿意者有 22 人, 尚可者有 18 人, 顯示填答者對於此次演講內容主題 內容滿意度覺得非常滿意 項目四 次數 百分比 有效的 非常滿意 % 滿意 % 尚可 % 不滿意 % 非常不滿意 % 總和 % 講師 / 主持人與參與者互動情形 0% 0% 27% 33% 40% 非常滿意滿意尚可不滿意非常不滿意 頁 7
10 題項五 : 講師 / 主持人時間掌控情形之滿意度關於第五題 : 有 67 位填答者, 非常滿意有 19 人 滿意者有 33 人, 尚可者有 15 人, 顯示填答者對於此次演講內容主題 內容滿意度覺得滿意 項目五 次數 百分比 有效的 非常滿意 % 滿意 % 尚可 % 不滿意 % 非常不滿意 % 總和 % 講師 / 主持人時間掌控情形之滿意度 0% 0% 23% 49% 28% 非常滿意滿意尚可不滿意非常不滿意 頁 8
11 題項六 : 對此次專題演講整體規劃之滿意度關於第六題 : 有 67 位填答者, 非常滿意有 24 人 滿意者有 31 人, 尚可者有 12 人, 顯示填答者對於此次演講內容主題 內容滿意度覺得滿意 項目六 次數 百分比 有效的 非常滿意 % 滿意 % 尚可 % 不滿意 % 非常不滿意 % 總和 % 對此次專題講座整體規劃之滿意度 0% 0% 46% 18% 36% 非常滿意滿意尚可不滿意非常不滿意 頁 9
12 三 函文 頁 10
13 四 專題講座講義 國立中山大學奈米元件製程設備 開放使用說明會 100 報告人 : 張鼎張 中山大學物理系 現職 : 張鼎張 國立中山大學物理系特聘教授 有庠奈米科技 講座 專長 : 薄膜電晶體 (Thin Film Transistor): asi, polysi, InGaZnO TFT 記憶體元件 ( Memory Device) 先進金氧半場效電晶體 ( Advanced MOSFET) 半導體元件物理 (Semiconductor Device Physics) 著作 : SCI 國際期刊 300 餘篇台灣 美國專利 200 餘項 頁 11
14 Outline 所有設備機台 各機台簡介 對外開放服務時間 申請使用方式 地理位置 無塵室設備 廠務設備 安全設施 設備機台 感應耦合式電漿蝕刻系統 (ICPEtcher) 高密度電漿化學氣相沉積系統 (HDPCVD) 雙電子束蒸鍍系統 (Dual EBeam Evaporator) 多靶磁控濺鍍系統 (MutiTarget Suptter) 快速熱退火系統 (RTA) / RTA(H 2 O) 薄膜特性分析儀 (n & k analyzer) 三維輪廓儀 (3D AlphaStep Profilometer) 四點探針 (4 Point Probe) 雷射退火系統 (Laser Annealing System ) 雷射鍍膜系統 (Laser Ablation System ) 光罩對準機 (Mask Aligner and Exposure System ) 濕式清洗與蝕刻台 (Wet Bench) 有機清洗台 頁 12
15 理 1012 感應耦合式電漿蝕刻系統 高密度電漿化學氣相沉積系統 雙電子束蒸鍍系統 多靶磁控濺鍍系統 快速熱退火系統 薄膜特性分析儀 四點探針 玻璃切割機 理 1013 雷射退火系統 雷射鍍膜系統 三維輪廓儀 光罩對準機 超音波洗靜機 濕式蝕刻與清洗台 有機清洗台 頁 13
16 各機台簡介 Multitarget Sputter DualE beam Evaporator HDPCVD ICPEtcher RTA n & k Analyzer 3D AlphaStep Profilometer Focus Ion Beam (FIB) Fourier Transform IR (FTIR) Dual Ebeam Evaporator 雙電子槍蒸鍍機 Physical Vaper Depositon(PVD) 物理氣相沈積 頁 14
17 Dual Electron Beam Evaporator Wafers Aluminum Charge 10 6 Torr Aluminum Vapor Electron Beam GUN2 GUN1 To Pump Power1 Power2 儀器功能 : 薄膜沉積 : 可沉積各種不同金屬 可雙槍 (dualgun) 共鍍 : 可鍍各種不同合金 ( 須由機台負責人以手動操作 ) 製程溫度最高可至 350 o C 真空度 (base pressure):5e6 Torr 本實驗室提供 Al, Cu, Ni, Ti 鍍料及其坩鍋 ; 其餘鍍料及坩鍋請自備 ( 本實驗室提供 Mo 坩鍋, 需要者可向本實驗室購買 ) 設備規格及適用基板 : nonuniformity: < 10% 6'' 及以下之樣品或破片 可放坩鍋數目 :Dualgun 共 12 顆 頁 15
18 儀器名稱 : 中文名稱 : 雙電子槍蒸鍍機英文名稱 : Dual EBeam Evaporator 儀器廠牌 型號 : 廠牌及型號 : 聚昌, Peva600 加熱器 載盤 ( 可放置 7 片 6 wafer) 石英震盪器 shutter 每支 Gun 可放置 6 種鍍料 頁 16
19 膜厚計 Gun1 Gun2 電子束控制器 DualE beam Evaporator 軟體介面介紹 頁 17
20 自動製程操作頁面 MultiTarget Sputter 多靶 ( 磁控 ) 濺鍍系統 Physical Vaper Depositon(PVD) 物理氣相沈積 頁 18
21 DC Diode Sputtering Target V Argon Plasma Wafer Chuck Metal film Wafer Sputtering Ar Momentum transfer will dislodge surface atoms off 頁 19
22 兩電極面積不對稱 射頻熱電極 A1 直流偏壓 V1 V2 A 2 接地電極 自我偏壓效應的負電位與電極板面積的關係 V 1 /V 2 =(A 2 /A 1 ) 4 Vp V 電漿電位 0 t DC 自我偏壓 27 射頻電漿系統簡單示意圖 射頻電漿系統之平均電位示意圖 Vp(t) A1 A2 射頻熱電極 A1 直流偏壓 V1 V2 A 2 接地電極 V(t) RF: MHz 頁 20
23 Magnetron Sputter ( 磁控濺鍍 ) 二次電子運動路徑靶材電場磁力線 冷卻循環水 電子 二次電子受到電場與磁場作用呈螺旋狀運動 靶 材 電子將侷限於靶材表面, 並因行走距離增加, 進而提升與氣體分子或原子碰撞機率, 造成靶材表面電漿密度提高 儀器功能 : 薄膜沉積 : 可鍍各種金屬 合金 半導體 絕緣體 透明導電體 (ITO ZnO...) 本實驗室提供靶材 :Al Ti Cu ITO Al 2 O 3 SiO 2 其他靶材請自備 可通入氣體 :Ar O 2 N 2 NH 3 H 2 製程最高溫度 :400 1 組 DC 電源供應器 (400W 輸出 ) 及 2 組 RF 電源供應器 (200W 輸出 ) 可共鍍 真空度 (base pressure) 約為 5E6 torr, 濺渡時最低操作壓力可達 2 mtorr 頁 21
24 設備規格及適用基板 : nonuniformity: < 10% 靶材規格 : 4 6 及以下之樣品或破片 儀器名稱 : 中文名稱 : 多靶磁控濺鍍系統 英文名稱 :MultiTarget Sputter 儀器廠牌 型號 : 廠牌及型號 : 聚昌, Psur100HB 頁 22
25 機台正視圖 升降開啟腔門 檢視窗 加熱燈管 6 載盤 頁 23
26 RF2 DC RF1 真空度顯示表頭 電腦螢幕 頁 24
27 Multitarget Sputter 軟體介面介紹 登入頁面 頁 25
28 自動製程 Recipe 頁面 自動製程操作頁面 頁 26
29 手動製程操作頁面 High Density Plasma ChemicalVapor Deposition (HDPCVD) 高密度電漿 化學氣相積系統 頁 27
30 What Is Plasma( 電漿 )? A plasma is a ionized gas with equal numbers of positive and negative charges. A more precise definition: a plasma is a quasineutral gas of charged and neutral particles which exhibits collective behavior. Examples: Sun, flame, neon light, etc. Plasma Generation (1) Ionization ( 離子化 ) e A A 2 (2) ExcitationRelaxation ( 激發 放射 ) e A * A A A h ( photon) (3) Dissociation ( 解離 ) e AB * e e A B e 頁 28
31 Ionization Electron collides with neutral atom or molecule Knock out one of orbital electron e A A 2 e Ionization collisions generate electrons and ions It sustains the stable plasma Relaxation h: Planck Constant h : Frequency of Light Excited State h Ground State 頁 29
32 N 2 plasma Ar plasma O 2 plasma N 2 O plasma 頁 30
33 Dissociation Electron collides with a molecule, it can break the chemical bond and generate free radicals: e AB A B e Free radicals have at least one unpaired electron and are chemically very reactive. Increasing chemical reaction rate Very important for both etch and CVD. 頁 31
34 Electrode Parallel Plate Plasma System RF power Electrodes Plasma Dark spaces or sheath layers To Vacuum Pump Sheath Potential x Bulk plasma Sheath Region V p Sheath Potential Dark space V f 頁 32
35 High Density InductivelyCoupled RF Reactors The time varying inductive magnetic field will induce an electric field. Lower voltage then capacitivecoupled reactors. Low pressure operation.(typical:110 m Torr) for a review see: J. Hopwood, Plasma Source Sci. Technol(1992) B E t Inductively Coupled Plasma (ICP) Chamber Source RF Inductive coils Ceramic cover Chamber body Plasma Bias RF Wafer 頁 33
36 Chemical Reaction for CVD Process 1. Silicon SiH 2.Silcon dioxide SiH Si( OC SiCl 4 Si 4 2H 2 O [ TEOS, tetraethoxysilane ] 2 2 H H SiO ) 4 2N SiO 2 2 2H 2 2 O SiO by products 2 2N 2 2HCl 3. Silicon nitride 3SiH 3SiCl 4 2 4NH H 2 3 4NH Si 3 3 N 4 Si 12H 3 N 4 2 6HCl 頁 34
37 Plasma Enhanced CVD PECVD with SiH 4 and NO 2 (laughing gas) e SiH 4 SiH 2 2H e e N 2 O N 2 O e SiH 2 3O SiO 2 H 2 O Plasma enhanced chemical reaction PECVD can achieve high deposition rate at lower temperature 儀器功能 : 薄膜沉積 (SiO 2 Si 3 N 4 Si Ge SiGe GeO GeN SiGeO SiGeN SiON 等 ) 可通入氣體 SiH 4 N 2 O NH 3 CF 4 GeH 4 O 2 N 2 製程溫度最高可至 300 電漿產生裝置 : 射頻 (RF) 產生器 電漿 輸出功率 = 1,200W 基板偏壓 輸出功率 = 600W 全自動真空 Load Lock 真空度 (base pressure) 約為 5E6 torr, 沉積時最低操作壓力可達 2 mtorr 頁 35
38 儀器名稱 : 中文名稱 : 高密度電漿化學氣相沉積系統 英文名稱 :High Density Plasma Chemical Vapor Deposition 儀器廠牌 型號 : 廠牌及型號 : 聚昌, Ciede200 Loading Chamber 頁 36
39 反應腔體 Plasma 視窗 Main Chamber 上電極 下電極 頁 37
40 陶瓷環 石墨環 反應腔下方 Turbo Pump 頁 38
41 附錄 ( 簽到單 問卷 ) 101 年度先進薄膜製程學士學位學程 學程週會專題講座 專題講座 問卷調查表 親愛的同學您好 : 本份問卷為 專題講座 問卷調查表, 需請您花些時間協助我們填寫此份問卷, 以作為未來舉辦相關活動的改進方向及參考 本份問卷採不記名方式, 問卷分析結果亦僅提供未來舉辦相關活動參考之用 時間 :101 年 6 月 4 日 活動 ( 講題 ): 高屏地區奈米核心製程共同實驗室簡介 請勾選您的基本資料 : 性別 : 男 女 年級 : 大一生 大二生 項 目 地點 : 林森校區敬業樓 101 教室 非常滿意 滿意尚可不滿意 非常不滿意 1. 對此次專題講座主題 內容之滿意度 2. 對此次專題或動內容符合自己需求 3. 對此次專題活動內容之助益程度 4. 講師 / 主持人與參與者互動情形之滿意度 5. 講師 / 主持人時間掌控情形之滿意度 6. 對此次專題活動整體規劃之滿意度 7. 您希望未來可提供哪些些講題方向? 其他意見 :( 若您有上述問題未提及之意見及建議, 請您予以簡述 ) 請您於活動結束後, 將此份問卷調查表交回給工作人員, 感謝您的合作, 謝謝 頁 39
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半導體與光電元件 電性量測與製程技術 合作研發聯盟 國立中山大學物理系 張鼎張教授 TEL:0939-250-246 [email protected] 元件電性量測與製程技術合作研發聯盟 合作架構 中國鋼鐵公司 ( 中鋼轉投資靶材公司 ) 新穎靶材開發 光洋應用材料科技公司新穎靶材開發 配合公司可提供研發使用之新穎材料 (Sputter 靶材 CVD 與 ALD 前驅物
無投影片標題
梁 [email protected] 奈 年 1 力 狀, 了 量粒, 利, O 2,H 2,CF 4,N 2 離,, 粒,,,,, 2 Gas reaction 3 Plasma reaction E Ea A+B C+D H N 離 E ACT E 4 Introduction to Plasma Principles (Kinetic Energy) gained F
= = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) e - + Ar Ar + + 2 e - (1) = = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ i ) (q
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常 壓 電 漿 原 理 技 術 與 應 用 1. 徐 逸 明 經 理 馗 鼎 奈 米 科 技 股 份 有 限 公 司 2. 游 閔 盛 研 發 工 程 師 馗 鼎 奈 米 科 技 股 份 有 限 公 司 3. 郭 有 斌 高 級 工 程 師 台 灣 凸 版 國 際 彩 光 股 份 有 限 公 司 4. 黃 傑 博 士 班 研 究 生 國 立 成 功 大 學 化 學 工 程 系 5. 洪 昭 南 教
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國 立 中 山 大 學 物 理 學 系 研 究 所 碩 士 論 文 Zn1-x-yLixSnyO 薄 膜 成 長 與 物 性 之 研 究 Study of Zn1-x-yLixSnyO thin films by growth and physics properties 研 究 生 : 楊 恭 尚 撰 指 導 教 授 : 周 雄 博 士 中 華 民 國 九 十 九 年 七 月 致 謝 本 來 對
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TAITRA SEMI TPVIA ITRI 10 20 7 6 10 21 7 8 10 22 10 24 ~ 9 5 10 24 5 7 10 25 10 6 1. 12 150 2. 3. AD 5 5 / HCPV DSSCBIPV / 1 1. 2. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 2014 5 20 3 3 NT$ 89,000 NT$ 66,000 3 3 NT$ 104,000
以低溫電漿技術處理空氣污染物現況評析
[email protected] 03-4227151 4227151-46634663 300 Introduction of Plasmas 2 600~800 200~400 (< () ) ~ ~ ~ ~ ~ ~~~ 1. 1. 2. 2. 3 ( ) >> ( ) 4 v.s. 100 % 10-4 ~ 10-1 % 1 10-6 ~ 10-2 torr * (Tg) >
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1/30 (1) (2) (3) 2/30 (1) 3/30 (1) * * * * * * * 100% (1) /4 4 5/30 (1) 50 nm 10 nm(mfm) 5150% MFM MFM (etc) MFM II-T MFM MFM (etc) 6/30 (1) @2005 MFM 100% MFM2010 7/30 (1) 10nm (2006.6) 2 @ MFM CoFeCT300/3
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2 Miller Index (hkl) (1 00) X {hkl} {100} (100),(010),(001),(100),(0 10),(00 1) [hkl] (hkl) [100] (100) <hkl> 3 Characteristics of Etching Techniques
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32 H.V 50mm Gas in Gas out 260mm 15mm H.V 37mm 0.5mm Vis Sample setting 33 UV Light emission spectra of oxygen and air plasmas. Intensity (arb.units) 70000 60000 50000 40000 30000 20000 10000 Air, 60 Pa
度 理 -2-
理 CMP CMP CMP 了 Slurry 5~10 30~100 奈 nm 粒 1 ph 例 KOH NH 4 OH HNO 3 2 例 3 降 更 Repeatability CMP 力 CMP 來 CMP 來 粒 SiO 2 Al 2 O 3 CeO 2 來 例 金 金 料 CMP 金 了 量 CMP 20 CMP 700 m 3 CMP 1999 年 2000 年 4.088 x 10 8
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Transmission electron microscopy (TEM) 穿 透 式 電 子 顯 微 鏡 1-1 1 前 言 1-2 發 展 沿 革 1-3 電 子 束 與 物 質 作 用 1-4 近 年 發 展 趨 向 1-5 電 子 顯 微 鏡 在 材 料 科 學 上 的 應 用 1-6 電 子 顯 微 鏡 與 光 學 顯 微 鏡 x 光 繞 射 儀 特 性 及 功 能 之 比 較 1-11
技术参数 Technical Data 额定电压 / 频率 Voltage/Frequency AC220V/50Hz AC110V/60Hz 功率 Power 45W 45W 空载流量 Free flowing 8.0L/M 8.0L/M 最大压力 Max. pressure 1.4Bar 1.4
膜片式气泵 Diaphragm Pumps for Gas DA60AC 系列 (Series DA60AC) 特点 Features 无油润滑 Oil-Free 耐腐蚀性 Corrosionresistant 免维护 Maintenance Free 低噪音低振动 Low noise level&vibration 可以任何方向安装 Can be mounted in any plane 应用 Typical
投影片 1
影像顯示科技導論 薄膜電晶體特性與製程技術 國立中興大學電機工程系暨光電工程所劉漢文 1 Contents TFT-LCD introduction Characteristics of TFT devices Array process technology 5-mask IS-type TFT process 5-mask BCE-type TFT process 2 TFT-LCD introduction
IC 2-1. 32 (liquid crystal) 2-2 (Color Filter, CF) 2-3 IC 2-4 2-5 2
(2004-05-08) (2004-05-13) (Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD) (Cathode-Ray Tube, CRT) (Direct Light) 2.1 2-1 32 1 IC 2-1. 32 (liquid crystal) 2-2 (Color Filter, CF) 2-3 IC 2-4 2-5
技术参数 Technical Data 额定电压 / 频率 Voltage/Frequency AC220V/50Hz AC110V/60Hz 功率 Power 70W 70W 空载流量 Free flowing 7.0L/M 7.0L/M 最大压力 Max. pressure 2.4Bar 2.4
膜片式气泵 Diaphragm Pumps for Gas DA70AC 系列 (Series DA70AC) 特点 Features 无油润滑 Oil-Free 耐腐蚀性 Corrosionresistant 免维护 Maintenance Free 低噪音低振动 Low noise level&vibration 可以任何方向安装 Can be mounted in any plane 应用 Typical
A B
ICS 77.140.01 H 40 GB GB/T 20566-2006 Terminology of steel and alloy 2006-11-01 2007-02-01 A B 1 2 GB/T 13304 GB/T 13304-1991,neq ISO 4948/1 1982 Steel-classification-Part 1 classification of steels into
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第三組顯示卡規範書 1. Nvidia 繪圖晶片 1-1. 1-1-1. 繪圖晶片 :NVIDIA GeForce 6600 系列 ( 含 ) 以上 ( 請註明採用商品之廠牌及型號, 並於型錄標示對應低階顯示卡到主要規格之項次 ) ( 備註 : 對應 1-1-2. 繪圖介面 : 支援 AGP 介面 8X( 含 ) 以上高速繪圖晶片項次為第 1 1-1-3. 提供 128MB 64 位元 DDR SDRAM(
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林 Dr. Chia-Feng Lin Department of Materials Engineering National Chung Hsing University Phone: 04-22840500#706 E-mail: [email protected] - 1 a-si TFTs Color filter TFT substrate Polarizer Backlight
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第三組顯示卡規範書 1. Nvidia 繪圖晶片 1-1. 1-1-1. 繪圖晶片 :NVIDIA GeForce 7600 系列 ( 含 ) 以上 ( 請註明採用商品之廠牌及型號, 並於型錄標示對低階顯示卡應到主要規格之項次 ) ( 備註 : 對應 1-1-2. 繪圖介面 : 支援 AGP 介面 8X( 含 ) 以上高速繪圖晶片項次為第 1 1-1-3. 提供 128MB 64 位元 DDR SDRAM(
NANO COMMUNICATION 23 No. 2-3D IC 29 6T SRAM, ReRAM, sense amplifiers, analog amplifiers and gas sensors was integrated to confirm the superiority in
5 28-3D IC Low-Cost and TSV-free Monolithic 3D-IC with Heterogeneous Integration of Logic, Memory and Sensor Analogy Circuitry for Internet of Things 綉 3D IC (MOSFET) 40 50% 3D IC 3D IC IO(ultra-wide-IO)
Microsoft PowerPoint - 高敦系統簡介 website
About Kao Duen 高敦科技股份有限公司 http://www.kaoduen.com.tw 高敦科技股份有限公司 成立 : 1995 員工人數 : 台北辦公室 14 人 ( 台北縣中和市 ) 台南辦公室 2 人 ( 台南市北區 ) 主要市場及產品 : 學術及研究單位 RD 真空鍍膜系統 Sputter System Customer List : 中科院 / 中研院物理所 / 台灣大學
Wire Wound Ceramic Chip Inductor 繞線式陶瓷晶片大电流電感 HPWS Series for High Frequency HPWS 系列適用於高頻 INTRODUCTION 產品介紹 The HPWS is the chip inductors of a wire w
INTRODUCTION 產品介紹 The HPWS is the chip inductors of a wire wound type widely used in the communication applications, such as cellular phones, television tuners, radios, and other electronic devices. The
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* 光 与 电 子 的 电 磁 感 应 相 互 作 用 张 涛 http://www.paper.edu.cn 北 京 师 范 大 学 核 科 学 与 技 术 学 院 ( 低 能 核 物 理 研 究 所 ) 北 京 市 辐 射 中 心, 北 京,(100875) [email protected] 摘 要 本 文 论 述 了 光 与 电 子 的 电 磁 感 应 相 互 作 用 和 电 子 云 导
P.1
P.1 P.2 1. 2. IC 3. 4. IC 5. P.3 (Interconnection).. P.4 (Wafer) (Chip) (MCM) P.5 電子構裝之主要功能 電源供應層 1.有效供應電源 信號分佈層 2.提供信號傳輸 協助散熱 保護元件 3.協助排除耗熱 4.保護電子組件 5.建構人機介面 Images 3D Graphics 建構人機介面 P.6 DIP Dual In-Line
GC-APPI-MasCom
GC-APPI Interface MasCom Technologies Founded in January 1991 as MasCom Analysengeräte Service GmbH Office at Sophie-Germain-Str. 4, 281 Bremen, Germany 18 Employees 6 Electronic engineers 4 Precision
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國 立 中 央 大 學 104 學 年 度 ( 上 ) 實 驗 室 輻 射 安 全 防 護 教 育 訓 練 X 光 機 原 理 輻 射 安 全 與 防 護 量 子 輻 射 科 技 有 限 公 司 總 經 理 陳 皇 龍 輻 專 高 字 第 59 號, 輻 射 防 護 師 字 第 0484 號 [email protected] [email protected]
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北 京 大 学 硕 士 研 究 生 培 养 方 案 ( 信 息 工 程 学 院 报 表 修 订 版 本 ) 一 级 学 科 名 称 专 业 名 称 电 子 科 学 与 技 术 微 电 子 学 与 固 体 电 子 学 专 业 代 码 080903 北 京 大 学 研 究 生 院 制 表 填 表 日 期 :2012 年 06 月 16 日 一 学 科 ( 专 业 ) 主 要 研 究 方 向 序 研 究
邏輯分析儀的概念與原理-展示版
PC Base Standalone LA-100 Q&A - - - - - - - SCOPE - - LA - - ( Embedded ) ( Skew ) - Data In External CLK Internal CLK Display Buffer ASIC CPU Memory Trigger Level - - Clock BUS Timing State - ( Timing
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第七組顯示卡規範書及答標單 1. Nvidia 繪圖晶片 1-1. 1-1-1. 繪圖晶片 : GeForce 8400 系列 ( 含 ) 以上 ( 請註明採用商品之廠牌及型號, 並於型錄標示對 應到主要規格之項次 ) GeForce 1-1-2. 繪圖介面 : 支援 PCI Express 介面 16X( 含 ) 以上高速繪圖晶片 8400 低階顯 1-1-3. 提供 512MB DDR2 SDRAM(
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片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (
1999工業污染防治工程實務技術研討會論文
* ** * / / ph 1. 2. * ** 1 Operational Practices of Scrubber Systems in Semiconductor Chinggaam Lin * Chun Hung Tsai**Li Der Chen * Abstract Scrubbers are widely used for air pollution treatment in semiconductor.
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Peng Xie, Zhong Zhou, Zheng Peng, Hai Yan, Tiansi Hu, Jun-Hong Cui, Zhijie Shi, Yunsi Fei, Shengli Zhou Underwater Sensor Network Lab 1 Outline Motivations System Overview Aqua-Sim Components Experimental
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编 号 长 江 学 者 特 聘 教 授 候 选 人 推 荐 表 推 荐 学 校 名 称 : 中 国 科 学 院 大 学 岗 位 名 称 : 材 料 学 院 半 导 体 物 理 候 选 人 姓 名 : 姬 扬 候 选 人 国 籍 : 中 国 候 选 人 现 任 职 单 位 : 中 国 科 学 院 大 学 / 半 导 体 所 学 科 领 域 分 组 : 信 息 科 学 一 组 填 表 时 间 : 2012
桌上型個人電腦採購規格說明表
第三組顯示卡規範書 1. Nvidia 繪圖晶片 1-1. 1-1-1. 繪圖晶片 :NVIDIA GeForce 8400 系列 ( 含 ) 以上 ( 請註明採用商品之廠牌及型號, 並於型錄標示對 NVIDIA 應到主要規格之項次 ) GeForce 1-1-2. 繪圖介面 : 支援 PCI Express 介面 16X( 含 ) 以上高速繪圖晶片 8400 低階顯 1-1-3. 提供 256MB
89EPAZ011001
Integration of Air Pollution Control Technologies for Semiconductor Industry NSC 89-EPA-Z-011-001 8871 891231. ( ) Abstract (Keywords:Semiconductor industry Air pollutionpollution control technology) Though
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電腦設備LP 第七組顯示卡規範書
第七組顯示卡規範書 1. Nvidia 繪圖晶片 1-1. 1-1-1. 繪圖晶片 : GeForce 8400 系列 ( 含 ) 以上 ( 請註明採用商品之廠牌及型號, 並於型錄標示對 應到主要規格之項次 ) GeForce 1-1-2. 繪圖介面 : 支援 PCI Express 介面 16X( 含 ) 以上高速繪圖晶片 8400 低階顯 1-1-3. 提供 512MB DDR2 SDRAM(
國立中山大學學位論文典藏.PDF
國 立 中 山 大 學 企 業 管 理 學 系 碩 士 論 文 以 系 統 動 力 學 建 構 美 食 餐 廳 異 國 麵 坊 之 管 理 飛 行 模 擬 器 研 究 生 : 簡 蓮 因 撰 指 導 教 授 : 楊 碩 英 博 士 中 華 民 國 九 十 七 年 七 月 致 謝 詞 寫 作 論 文 的 過 程 是 一 段 充 滿 艱 辛 與 淚 水 感 動 與 窩 心 的 歷 程, 感 謝 這 一
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用 矿 物 质 丰 富 的 盐 炼 成 的 竹 盐 是 科 学 Contents 可 以 解 决 矿 物 质 缺 乏 的 生 命 之 盐 - 竹 盐 2 什 么 是 矿 物 质? 3 盐 不 是 单 纯 的 氯 化 钠 4 难 道 盐 是 高 血 压 的 元 凶 吗? 5 推 荐 用 盐 补 充 体 内 缺 乏 矿 物 质 8 什 么 是 竹 盐? 10 盐 与 竹 盐 的 成 分 分 析 11 竹
3 7 11 21 ( ) PPT p01 p13 23 ( ) PPT p1 p3 27 ( ) PPT p3 p1 34 ( ) PPT p2 p 36 ( ) PPT p p1ppt p7 p10 37 ( ) PPT p2 p7 39 ( ) 44 61 On Light 72 80 83 壹 實施計畫 教育部國民及學前教育署 教育部國民及學前教育署 102( ) 壹 依據 :102 貳
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核能發電廠原理
天 然 背 景 輻 射 與 人 造 輻 射 所 佔 比 例 漫 談 生 活 中 輻 射 人 造 輻 射 18% 樹 人 醫 專 醫 學 影 像 暨 放 射 技 術 科 講 員 : 馮 文 昇 碩 士 時 間 :2011.7.23 9:00~12:00 地 點 : 高 雄 榮 民 總 醫 院 1 天 然 背 景 輻 射 82% 2 3 背 景 輻 射 的 來 源 人 造 輻 射 來 源 所 佔 比 例
電腦設備LP _第七組顯示卡規範書
第七組顯示卡規範書 1. Nvidia 繪圖晶片 1-1. 1-1-1. 繪圖晶片 : GeForce 210 系列 ( 含 ) 以上 ( 請註明採用商品之廠牌及型號, 並於型錄標示對 GeForce 1-1-2. 繪圖介面 : 支援 PCI Express 2.0( 含 ) 以上高速繪圖晶片 210 低階顯 1-1-3. 提供 512MB DDR2 SDRAM( 含 ) 以上顯示記憶體, 具 2560
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1-1 1-2 1-3 1-4 1-5 1-6 3D 1-7 1-1 1-1 1-1 1. 2 01 2. (Alloy) 3. (Polymer) (Ceramic) (Composite Material) 3 1-2 (Materials Technology) 1863 (Optical Microscope) (Metallurgy) (Microscopy)(Max von Laue)
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天 马 微 电 子 股 份 有 限 公 司 2014 年 年 度 报 告 2015 年 02 月 1 第 一 节 重 要 提 示 目 录 和 释 义 本 公 司 董 事 会 监 事 会 及 董 事 监 事 高 级 管 理 人 员 保 证 年 度 报 告 内 容 的 真 实 准 确 完 整, 不 存 在 虚 假 记 载 误 导 性 陈 述 或 重 大 遗 漏, 并 承 担 个 别 和 连 带 的 法
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(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET
ELECTRIC DRIVE FOR LOCOMOTIVES The Research and Development of Modern Railway Traction and Control Technology (CSR Zhuzhou Institute Co., Ltd., Zhuzhou, Hunan 412001, China) Abstract: The technology of
本計畫分三階段之分工及所需大型設備概述如下：
九 十 四 年 度 技 專 校 院 發 展 學 校 重 點 特 色 專 案 計 畫 申 請 書 電 漿 技 術 於 綠 色 科 技 之 應 用 與 研 發 申 請 單 位 : 龍 華 科 技 大 學 計 畫 主 持 人 : 堤 井 信 力 教 授 計 畫 共 同 主 持 人 : 丁 鯤 教 授 計 畫 共 同 主 持 人 : 葛 自 祥 副 教 授 計 畫 聯 絡 人 : 葛 自 祥 副 教 授 中
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自 然 考 科 學 測 試 題 關 鍵 解 析 前 言 物 理 科 今 年 自 然 科 考 題 共 68 題, 其 中 物 理 科 占 了 17 題, 今 年 的 題 目 難 度 屬 中 偏 易, 考 題 分 配 十 分 平 均 由 於 是 新 課 綱 第 一 次 學 測, 所 以 新 的 內 容 大 致 上 均 入 題, 大 都 為 物 理 科 普 知 識 就 算 是 第 二 部 分 的 考 題,
致 谢 开 始 这 篇 致 谢 的 时 候, 以 为 这 是 最 轻 松 最 愉 快 的 部 分, 而 此 时 心 头 却 充 满 了 沉 甸 甸 的 回 忆 和 感 恩, 一 时 间 竟 无 从 下 笔 虽 然 这 远 不 是 一 篇 完 美 的 论 文, 但 完 成 这 篇 论 文 要 感 谢
中 国 科 学 技 术 大 学 博 士 学 位 论 文 论 文 课 题 : 一 个 新 型 简 易 电 子 直 线 加 速 器 的 关 键 技 术 研 究 学 生 姓 名 : 导 师 姓 名 : 单 位 名 称 : 专 业 名 称 : 研 究 方 向 : 完 成 时 间 : 谢 家 麟 院 士 王 相 綦 教 授 国 家 同 步 辐 射 实 验 室 核 技 术 及 应 用 加 速 器 物 理 2006
壹 基 本 資 料 計 畫 名 稱 : 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 總 主 持 人 : 李 嗣 涔 校 長 計 畫 期 間 ( 全 程 ):98 年 1 月 1 日 至 102 年 12 月 31 日 計 畫 目 前 執 行 :98 年 1 月 1 日 至 101 年 6 月 98 年 度
政 府 科 技 計 畫 成 果 效 益 報 告 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 總 期 程 期 中 暨 結 案 前 一 年 成 果 效 益 報 告 計 畫 名 稱 : 能 源 國 家 型 科 技 計 畫 主 管 機 關 : 行 政 院 國 家 科 學 委 員 會 執 行 單 位 : 能 源 局 交 通 部 運 研 所 國 科 會 標 檢 局 原 能 會 技 術 處 教 育 部 地 調 所 內 政
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声 明 : 本 次 股 票 发 行 后 拟 在 创 业 板 市 场 上 市, 该 市 场 具 有 较 高 的 投 资 风 险 创 业 板 公 司 具 有 业 绩 不 稳 定 经 营 风 险 高 退 市 风 险 大 等 特 点, 投 资 者 面 临 较 大 的 市 场 风 险 投 资 者 应 充 分 了 解 创 业 板 市 场 的 投 资 风 险 及 本 公 司 所 披 露 的 风 险 因 素, 审
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2 08 Flexible All Solid State Thin Film Li-ion Battery 1 1 2 1 1 2 ( 300Wh/kg) (3.4~3.8 V) ( 1000 cycles) (LiCoO 2 ) (LiPON) (Mica) 26mAhcm -2 mm -1 30 85% LED Abstract With the ever-changing technology,
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