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1 英飞凌驱动 IC 的设计解密 英飞凌目前主要推广产品为 1200V 和 600V 的产品 1200V 的产品采用了 CLT 的隔离技术, 600V 的产品采用了 SOI 技术. 1200V 产品 : CLT= coreless transition( 无铁芯变流器 ) 主要好处 : 简化线路图 采用了集成电路技术, 隔离直接加载到了 IC 内部 无衰减 使用寿命更长, 驱动更加稳定 不存在老化的问题减小参数漂移现象 增加可靠性采用电气隔离 增加了隔离强度结温 150 度 结温越高, 承受的电流就会越大, 同时寿命越长 低功耗 低至 1mA 的电流工作频率 最高频率高达 4MHz, 完全满足所有应用需求 1,1EDIxxI12-AF/MF (xx- 驱动电流, 目前最大 6A) 8-Pin 封装,1200V, 最大驱动电流 6A 主要特点以及设计理念 : 输入部分 :

2 输入侧宽电压范围 : 北京晶川电子技术发展有限责任公司 供电电压范围从 3V~17V, 英飞凌的高达 17V, 高于市场其他产品, 同时采用的是电平输入信号, 也就是判断逻辑电压是高还是低是根据参考电压来判定 一般是高于 70% 的为高电平, 低于 30% 的为低电平, 中间区域实际上就是抗干扰能力区, 如果参考电压越高, 那么抗干扰的能力也就越 强 如下图所示 : 电平输入 : 我们采用电平输入可以做一个差分输入, 采用正负逻辑模式 正逻辑输入是高电平有效, 负逻辑输入低电平有效, 这样的好处是驱动芯片的抗干扰能力可以加倍 我们信号输入可以灵活采取以下各种不同的输入方式 : A 模式 : 正常输入模式, 可选正逻辑输入或负逻辑输入或差分输入, 控制器正常工作

3 B 模式 : 正逻辑做使能端, 当输入低电平的时候, 锁住控制器 C 模式 : 负逻辑可以作停止信号端, 当输出高电平的时候, 锁住控制器 D 模式 : 很方便实现互锁功能, 可以防止上下桥臂同时导通 用户可以根据自己的实际需求灵活的配置 输入滤波的特色 产品输入滤波器的传播延迟大约为 100ns(MOSFET 专用驱动 IC) 和 300ns(IGBT 专用驱动 IC), 而实际上我们的信号传输时间只有 60ns, 其他时间都是用来滤波的 在 IN- 中, 如果输入信号之间的占空比减少, 小到少于滤波时间的时候,OUT 将不会有信号输出 也就是如果输入的信号小于滤波的时间, 驱动 IC 会认为这是一个噪音, 不是一个正常的输入型号, 所以会直接过滤掉 这样设计的目的就是为了简化外部的二级滤波电路, 节省系统成本和加强稳定性 2) 输出部分 : 欠压锁定 (UVLO) 这颗芯片 IGBT 和 MOSFET 版本是分开的, 也就是他们的欠压保护的时间整定值不一样,IGBT 的欠压锁定时间高一些,MOSFET 版本的低一些

4 主动关闭 (Active shut down) 实际应用的时候在功率器件的门极通过一个电阻接地下拉 此电阻一般选值 10K~20K, 其作用是 : 防止在驱动本身失电的情况下门极会上跳, 会导致功率器件误导通 这个电阻值一定要用, 所以我们就集成到驱动 IC 的内部 此功能的电流吸收能力 ( 见图标 ), 相对于传统的方案, 会更加优化 (/MF 后缀的芯片, 采用单脚实现了两种功能, 一种是有源米勒钳位, 还有一种是短路电流钳位 功能 ) 有源米勒钳位 如上面所示的简单半桥电路结构, 如果上桥臂 IGBT 本身关断, 下桥臂开通

5 当下桥臂开通的时候,A 点会被拉到地, 在很短的时间内, 上桥臂器件上会产生一个很大的 dv/dt. 上桥臂器件本身通过米勒电容 Cgc 会产生一个 Vgc 电流, 导致基极电压升高, 当 Vgate 电压高到 一定值时, 上桥臂会再次导通, 这样就会出现一个穿透, 导致短路 很常见的做法是关断的时候 用负压, 一般采用 -15V, 就算 Vg 电压高到几伏都不会有影响 所以很多驱动 IC 都需要双电源供 电 在设计的时候同时需要设置好死区时间 而针对英飞凌这款单电源供电产品是怎么处理的呢? 就采用了有源钳位, 在器件内部会检测外部 的电压, 一旦高于 2V, 就会通过一个逻辑把下面专用的一个钳位 MOSFET(B) 开通, 这颗 MOSFET 的能力和其他正常关断的 MOSFET 能力一样, 因为 MOSFET 的面积和器件本身空间的限制, 所以 具有油源钳位功能的驱动器件目前最大驱动电流只能做到 3A 短路电流钳位 : 如上面提到的短路情况 当上下桥臂导通的时候, 门极电压也会慢慢抬高, 而当门极电压变得越来越高的时候, 流过功率器件的电流将会越来越大, 功率器件将会升温更加厉害, 最后导致炸管 所以在实际应用中就需要把门极电压拉住 最传统的做法是通过一个二极管 Dc1 接到供电电压, 钳位到供电电压 而英飞凌的产品则是把二极管实现的功能集成到驱动器件内部了 这样的目的是集成度更高, 降低了客户设计难度, 同时保证了更高的可靠性

6 轨到轨输出 : 北京晶川电子技术发展有限责任公司 很多厂家的产品在 VCC2 和门极电压之间会有 2V 左右的压降, 如果 VCC2 为 15V, 那么驱动电压就只有 13V, 那么他们之间的损耗就会加大 ; 如果需要 15V 的驱动电压, 则供电电压会设置为 17V, 这时候的 Dc1 实现的钳位电压就达到了 17.7V, 钳位电压越高, 钳位的意义就越小 而英飞凌这款产品采用的轨到轨输出是供电电压 VCC2 和门极驱动电压一样, 除了不存在压降带来的损耗以外, 其实现的嵌位电压也就更有意义, 如果采用 15V 供电, 则钳位电压最高也才 15.7V

7 1ED020I12-F2/B2 这是英飞凌的第二代的典型驱动产品, 也是目前应用最多的产品之一 最大的特点是集成功能非 常全 产品的功能参数以及特性可以参考附件文档 ( 设计比较详细的说明还在整理中 )

8 600V 产品 2EDL 系列产品 ( 包含 IGBT 和 MOSFET 两种版本 ) 采用了 SOI(Silicon-On-Insulator, 绝缘衬底上的硅 ) 技术, 就是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层 涂的这层绝缘层的好处主要是, 抗干扰的能力更强, 耐负压的能力更好, 很多器件在 VS 的点经常跳负压, 而采用的这个绝缘层对负压具有很好的耐受能力 主要特性如下 : 开关频率高达 250KHz 0.5A,8Pin 封装产品, 简易驱动 IC, 可驱动 30A 的 IGBT 2.3A,14Pin 封装产品, 具有过电流, 过电压等保护功能 可驱动 75A 的 IGBT 具有自举,Active Shot Down, 滤波延时补偿, 欠压保护等功能 滤波功能 : 采用内部的 RC 输入电路完成 (MOSFET 滤波时间 100ns 左右,IGBT 滤波时间 200ns 左右 ) 自举功能 : 自举二极管和限流电阻放到了器件内部 自举电路中的阻抗越小越好, 流过的电流就越大 (0.5A,40 欧,2.3A,27 欧 ) 欠压保护 : 设定欠压保护值 ( 如 12V), 如果供电电压低于设定的欠压保护值, 则输出信号锁死 内置滤波欠压保护,IGBT 版本具有非对称欠压保护, 增强可靠性 过流保护 : 主要针对 2EDL23xx 产品, 滤波后的电流超过一定时间, 认为过流, 锁定信号输出 内置自举电路 : 相对采用 FET 做内置自举的产品, 采用二极管会更好一些, 且温漂小 集成度更高 : 简化了外部电路, 降低系统成本, 同时增加了产品的稳定性和抗干扰能力

9 附录 : 英飞凌驱动 IC 型号定义说明 :

控制器 EtherCAT EtherCAT EtherCAT 接下一个电机驱动模块 (X4) 接下一个电机驱动模块 (X5) X11 IN X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 SYS STA DC BUS D

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