MCU产品规格书

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瑜锺
7 years ago
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1 智能功率模块 (IPM), 500V/5A 3 相全桥驱动描述 SD05M50DL/DLS 是高度集成高可靠性的 3 相无刷直流电机驱动电路, 主要应用于较低功率电机驱动, 如风扇电机其内置了 6 个快恢复 MOSFET 和 3 个半桥 HVIC 栅极驱动电路 SD05M50DL/DLS 内部集成了欠压保护电路, 提供了优异的保护和故障安全操作由于每一相都有一个独立的负直流端, 其电流可以分别单独检测 SD05M50DL/DLS 采用了高绝缘易导热, 低 EMI 的设计, 提供了非常紧凑的封装体, 使用非常方便, 尤其适合要求紧凑安装的应用场合 DIP-23H 特点内置 6 个 500V/5A 快恢复 MOSFET; 内置高压栅极驱动电路 (HVIC); 内置欠压保护 ; 完全兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 的接口, 高电平有效 ; 3 个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ; 低 EMI 优化设计绝缘级别 :1500V rms /min 应用室内 / 外空调冰箱压缩机油烟机风扇空气净化器洗碗机水泵 SOP-23H 产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装 SD05M50DL DIP-23H SD05M50DL 无铅料管 SD05M50DLS SOP-23H SD05M50DLS 无铅料管 http: // 共 10 页第 1 页

2 内部框图 U U INUH INUL P U,U V V INVH INVL NU 19 NV 20 V,V W W INWH INWL NW 22 W,W 极限参数参数符号参数范围单位 P-N 输入电压 V PN 500 V 单个 MOSFET 漏极持续电流 T C=25 C I D A 单个 MOSFET 漏极持续电流 T C=80 C I D A 单个 MOSFET 峰值漏极电流 ( 峰值 ) T C=25 C, 脉冲宽度 <100μs I DP 5.0 A 最大功耗, T C=25 C P D 14 W 控制电源电压 V CC 20 V 高侧偏置电压 V BS 20 V 输入信号电压 V IN -0.3~V CC+0.3 V 结温范围 T J -20~150 C 壳温范围 T J 150 C ( 注 1) T C -20~125 C 存储温度范围 T STG -50~150 C 结到外壳的热阻 R θjc 8.5 C/W 绝缘电压, 60Hz, 正弦, AC 1 分钟, 连接管脚到散热器注 1: 壳温测试点, 请见图 2. V ISO 1500 V rms http: // 共 10 页第 2 页

3 推荐工作条件参数符号最小值典型值最大值单位供电电压 V PN V 控制电源电压 V CC V 高侧偏置电压 V BS V 输入开启阈值电压 V IN(ON) V 输入关闭阈值电压 V IN(OFF) V 防止桥臂直通的死区时间 V CC=V BS=13.5~16.5V, T J 150 C T dead μs PWM 开关频率, T J 150 C f PWM KHz 电气特性参数 ( 除非特别说明,T amb =25 C, V CC =V BS =15V) 逆变部分 ( 单个快恢复 MOSFET, 除非特殊说明 ) 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏 - 源击穿电压 BV DSS V IN=0V,I D=250μA ( 注 2) V 击穿电压温度系数 ΔBV DSS/ΔT J I D=250μA, 对照 25 C V/ C 零栅极电压漏极电流 I DSS V IN=0V,V DS=500V μa 静态漏 - 源开启导通电阻 R DS(on) V CC=V BS=15V,V IN=5V,I D=1.2A Ω 漏 - 源二极管正向电压 V SD V CC=V BS=15V,V IN=0V,I D=-1.2A V 开关时间反向偏置安全工作区 t ON ns t OFF V PN = 300V, V CC = V BS = 15V, ns t rr I D = 1.2A, V IN = 0V ~ 5V, ns E ON Inductive load L=3mH (Note 3) uj E OFF uj RBSOA V PN = 400V, V CC = V BS = 15V, I D = I DP, V DS=BV DSS, T J = 150 C (Note 4) 全直角 VIN VDS 100% ID Irr 120% ID VIN ID ID VDS 10% ID ton trr toff (a) 开启 (b) 关闭图 1. 开关时间定义 http: // 共 10 页第 3 页

4 控制部分 ( 单个 HVIC, 除非特殊说明 ) 静态电流 S 静态电流低侧欠压保护 ( 图 4) 高侧欠压保护 ( 图 5) 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 I QCC I QBS V CC=15V, V IN=0V V BS=15V, V IN=0V V CC - 之间 V B(U)-U, V B(V)-V,V B(W)-W 之间 μa μa UV CCD 检测电平 V UV CCR 复位电平 V UV BSD 检测电平 V UV BSR 复位电平 V 开启阀值 V IH 逻辑高电平 V 加在 IN 与之间关闭阀值 V IL 逻辑低电平 V 输入偏置电流 I IH V IN=5V μa 加在 IN 与之间 I IL V IN=0V μa 注 2: BV DSS 是单个 MOSFET 漏源最大电压. V PN 应小于该值, 考虑到杂散电感, VDS 在任何情况下都不应超过 BV DSS. 注 3: t ON 和 t OFF 包含 IC 驱动传输延迟. 列表值是在实验条件下测得, 不同的 PCB 及连线会改变数值. 请参考图 1 的开关时间定义及图 3 的开关测试电路. 注 4: 开关期间, SOA 应包含单个 MOSFET 尖峰电流和电压, 图 3 显示 RBSOA 测试电流. 管脚排列图 INWL W,W INWH NW W 12 W INVL INVH V V INUL SD05M50DL/DLS V,V 21 NV 20 NU INUH U U,U 18 2 U 1 P 17 http: // 共 10 页第 4 页

5 管脚描述管脚编号管脚名称 I/O 描述 1 I/O 模块公共地 2 V BU I/O U 相高侧驱动偏置电压 3 V CCU I/O U 相低侧驱动偏置电压 4 IN UH I U 相高侧信号输入 5 IN UL I U 相低侧信号输入 6 I/O 空脚 7 V BV I/O V 相高侧驱动偏置电压 8 V CCV I/O V 相低侧驱动偏置电压 9 IN VH I V 相高侧信号输入 10 IN VL I V 相低侧信号输入 11 I/O 空脚 12 V BW I/O W 相高侧驱动偏置电压 13 V CCW I/O W 相低侧驱动偏置电压 14 IN WH I W 相高侧信号输入 15 IN WL I W 相低侧信号输入 16 I/O 空脚 17 P I/O 直流正端 18 U,U O U 相输出, U 相高侧驱动供电地 19 NU I/O U 相直流负端 20 NV I/O V 相直流负端 21 V,V O V 相输出, V 相高侧驱动供电地 22 NW I/O W 相直流负端 23 W,W O W 相输出, W 相高侧驱动供电地功能描述输入输出 INH INL 输出备注 0 0 Z 上 / 下桥臂 MOSFET 全关下桥臂 MOSFET 全开 1 0 VDC 上桥臂 MOSFET 全开 1 1 禁止桥臂穿通开启开启 Z 上 / 下桥臂 MOSFET 全关 http: // 共 10 页第 5 页

6 壳温 TC 检测 3.80mm 14.50mm MOSFET TC 测试点图 2 壳温 TC 测试点控制时序 CBS R1 ID L VDC + VDS - 图 3. 开关及 RBSOA 测试电路 ( 低侧 ) 输入信号欠压保护状态复位检测复位低侧电压, UD UR MOSFET 电流图 4. 欠压保护 ( 低侧 ) http: // 共 10 页第 6 页

7 输入信号欠压保护状态复位检测复位高侧电压, S USD USR MOSFET 电流图 5. 欠压保护 ( 高侧 ) 典型应用电路图 C1 C4 R1 D1 R5 C5 C2 Cdc VDC R1 D1 MCU R5 C5 C2 M R1 D1 R5 C5 C2 C3 R3 R4 注 : (1) 各个输入管脚的连线尽量短一点, 否则可能引起误动作 ; 可在输入端增加 RC 滤波电路来预防不正确输入引起的浪涌噪声 (2) 每个外部电容都尽量靠近 IPM. (3) 为防止浪涌损坏,PN 之间建议加一个高频非感性平缓电容. 电容的连线要尽量短 ; (4) 输入端最好加一个至少 7 倍于自举电容 C1 的滤波电容 ; (5) 自举二极管 D1 建议采用耐压大于 600V 的软性快恢复二极管 ; (6) 建议采用高频电容 C1( 大于 2.2 uf,) 作为自举电容, 吸收高频纹波. 自举二极管应增加一个串联电阻, 阻值大于 20Ω.. (7) 限流电阻 R4 和 IPM 之间的连线应尽量短, 避免线电感引起浪涌电压导致的 IPM 损坏. http: // 共 10 页第 7 页

8 封装外形图 DIP-23H 单位 :mm 0.35MAX 16-MAX1.00 # ± 0.10 #16 (1.165) 15*1.778=26.67± 0.30 (13.335) (13.335) #1 #16 (1.85) (1.00) 2 ~ ± 0.20 (7.00) (7.00) (0.25) (R0.40) ± ± ± 0.10 #17 #23 (12.225) (13.125) 29.00± ± ~ ± ± 0.05 (2.275) 0.35MAX 2X3.90=7.80± ± X3.90=15.60± 0.30 (1.85) (1.30) #17 #19 # ± 0.05 #17,#18,#21,#22,#23 LEAD MAX ± 0.05 #19,#20 LEAD MAX 1.00 SOP-23H 单位 :mm #1 # ~0.70(16X) 16-MAX1.00 (1.165) 0~0.2 0~0.2 15*1.778=26.67 ± *1.778=26.67 #1 #16 (13.335) (13.335) #1 #16 (1.85) (1.00) 5 ±3 (0.50) ± ± ± #17 # ~3.30 (12.225) (13.125) ± ±0.05 2X3.90=7.80± 0.30 (2.275) 1.95± X3.90=15.60 ± 0.30 MAX 3.50 (1.85) (1.30) #17 # LAND PATTERN REMENDATIONS #17 #19 # ± 0.05 #17,#18,#21,#22,#23 LEAD MAX ± 0.05 #19,#20 LEAD MAX 1.00 http: // 共 10 页第 8 页

9 注意! 静电敏感器件操作 ESDS 产品应采取防护措施 MOS 电路操作注意事项 : 静电在很多地方都会产生, 采取下面的预防措施, 可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏 : 操作人员要通过防静电腕带接地设备外壳必须接地装配过程中使用的工具必须接地必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输声明 : 士兰保留说明书的更改权, 恕不另行通知! 客户在下单前应获取最新版本资料, 并验证相关信息是否完整和最新任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能, 买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施, 以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生! 产品提升永无止境, 我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品! http: // 共 10 页第 9 页

10 产品名称 : SD05M50DL/DLS 文档类型 : 说明书版权 : 杭州士兰微电子股份有限公司公司主页 : http: // 版本 : 1.2 作者 : 陈颜修改记录 : 1. 修改 DIP-23H 尺寸图版本 : 1.1 作者 : 陈颜修改记录 : 1. 修改 DIP-23H 尺寸图版本 : 1.0 作者 : 唐李明修改记录 : 1. 正式发布版本 http: // 共 10 页第 10 页

华微斯帕克 SPE05M50T-A/C 说明书 Control Part 智能功率模块 (IPM), 500V/5A 3 相全桥驱动主要功能及额定参数 : 500V,5A( 脉冲峰值 )2.4A( 连续电流 ) 下臂 MOSFET 源极输出内置自举二极管 DIP23-FP SOP23-FP 特点

华微斯帕克 SPE05M50T-A/C 说明书 Control Part 智能功率模块 (IPM), 500V/5A 3 相全桥驱动主要功能及额定参数 : 500V,5A( 脉冲峰值 )2.4A( 连续电流 ) 下臂 MOSFET 源极输出内置自举二极管 DIP23-FP SOP23-FP 特点华微斯帕克 Control Part 智能功率模块 (IPM), 500V/5A 3 相全桥驱动主要功能及额定参数 : 500V,5A( 脉冲峰值 )2.4A( 连续电流 ) 下臂 MOSFET 源极输出内置自举二极管 DIP23FP SOP23FP 特点 : 信号高电平有效, 兼容 3.3V 和 5V 的 MCU; 内置防直通保护 ; 内置欠压保护 ; 内部集成温度检测输出 ; 绝缘耐压 :1500V;