N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830

Size: px

Start display at page:

Download "N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830"

占予宿
5 years ago
Views:

1 特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS POLARITY PROTECTION APPLICATIONS 最大额定值 (TC=25 TC=25 C) Absolute Maximum Ratings(Tc=25 TO-220 额定值 VALUE 漏 - 源电压 Drain-source Voltage VDS 60 V 栅 - 源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25 1 耗散功率 Total Power Dissipation 1 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy 2 电特性 (Tc=25 Electronic Characteristics(Tc=25 漏 - 源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage 漏 - 源漏电流 Drain-source Leakage Current 栅极漏电流 Gate-body Leakage Current (V DS = 0) VGS ±20 V ID 80* A Ptot 100* W Tj 150 C TSTG C EAS 437 mj 测试条件 TEST CONDITION RoHS COMPLIANT FREE WHEELING BVDSS VGS=0V, ID=250µA 60 V VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA V IDSS VDS =48V, V GS =0V, Tj=25 C VDS =48V, V GS =0V, Tj=125 C DS=60V VDS =6mΩ RDS(ON) DS(ON)=6m ID=80A 100 na 10 µa IGSS VGS =±20V ±100 na 漏 - 源导通电阻 Static Drain-source On Resistance RDS(ON) V GS =10V, I D=30A mω VGS =4.5V, ID=20A mω 跨导 Forwad Transconductance gfs VDS =5V, ID=5A 30 S 订单信息 /ORDERING INFORMATION: 订货编码 /ORDERING CODE 包装形式 /PACKING 普通塑封料 / Normal Package Material 无卤塑封料 /Halogen Free TO-220 条管装 /TUBE PACKING TO-220-TU TO-220-TU-HF 1

2 测试条件 TEST CONDITION 输入电容 Input Capacitance 输出电容 Output Capacitance 反向传输电容 Reverse Transfer Capacitance 栅极电荷 Total Gate Charge 栅源电荷 Gate-to-Source Charge 栅漏电荷 Gate-to-Drain Charge 导通延迟 Turn -On Delay Time 关断延迟 Turn -Off Delay Time 二极管正向压降 Diode Forward Voltage 反向恢复时间 Reverse Recovery Time 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Ciss 5689 VGS = 0V, VDS = 25V Coss 354 F = 1.0MHZ Crss 139 Qg ID =40A, VDS = 35V VGS = 10V 3 pf 100 nc Qgs 20 nc ID =40A, VDS = 35V Qgd 23 nc Td(on) VDD=35V, ID =10A, 27 ns Td(off) VGS = 10V, RG=5Ω 3 59 ns VSD Tj=25 C, IF=30A VGS =0V V trr If=10A,di/dt=100A/μs 48 ns Qrr Tj=25 C,3 81 uc 热特性 Thermal Characteristics 热阻结 - 壳 Thermal Resistance Junction-case 热阻结 - 环境 Thermal Resistance Junction-ambient RthJC 1.25 /W RthJA 62.5 /W 注释 (Notes Notes): 1 以最高结温为限制, 基于 TO-220 封装形式,25 下本产品 I D 为 80A ID & PD base on maximum allowable junction temperature, calculated upon TO-220 package type is limited to carry 80A at 初始结温 =25 o C, L=0.3mH. Starting Tj=25 o C,L=0.3mH 3 脉冲测试 : 脉冲宽度 300μs, 占空比 2% Pulse Test : Pulse width 300μs, Duty cycle 2% 2

3 特性曲线图 1 输出特性曲线, Tc=25 图 2 导通电阻与漏极电流曲线图 3 导通电阻与结温度曲线图 4 导通电阻与栅源电压曲线图 5 Ids 与 Vgs 曲线图 6. 二极管正向压降与源极电流曲线 3

4 TO-220 封装机械尺寸 TO-220 MECHANICAL DATA : 毫米 /:mm min nom max min nom max A E B e 2.54 B F b L c L D Q D Q φp

5 深爱公司 MOSFET 产品信息 Sisemi's MOSFET device INFORMATION 1 深爱公司 MOSFET 产品型号码说明 /MOSFETs part numbering scheme: SIF 110 N 深爱公司 MOSFET 产品 / Sisemi's MOSFET device; 2- 标称电流值 /Indicative current range; 3-N 沟型 / N channel; 4- 击穿耐压值 / Breakdown voltage; 2 产品规格标示及订单信息规范 /ORDERING INFORMATION: 包装形式 /PACKING 订货型号码 /ORDERING CODE 条管 /TUBE -- TU TO-220--TU TU 说明 :--- 产品型号 /part number;to-220 封装形式 /PACKAGE; 产品规格标签标示 / LABEL INDICATION TO-220--TU TU 管装包装规格 / TUBE PACKING 封装形式 /PACKAGE AGE 只 / 条条 / 箱只 / 箱 pcs/tube Tube/Box pcs/ Outer Box TO-220-TU ,000 TO-220FP-TU ,000 5

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途高频开关电源电子镇流器 UPS 电源产品特性低栅极电荷低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快产品全部经过雪崩测试高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100