SM7022C AC/DC PWM 功率开关 v1.6 SM7022C 特点 85Vac~265Vac 宽电压输入待机功耗小于集成高压启动电路集成高压功率开关 45KHz 固定开关频率 9V~39V 宽 VDD 工作电压范围电流模式 PWM 控制方式内置过温过流

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罔康林
5 years ago
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1 特点 85Vac~265Vac 宽电压输入待机功耗小于集成高压启动电路集成高压功率开关 45KHz 固定开关频率 9V~39V 宽工作电压范围电流模式 PWM 控制方式内置过温过流过压欠压等保护功能兼容 VIPer22 管脚 ( 不需要修改电路走线及变压器 ) 封装形式 :DIP8 概述是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片, 集成高压启动电路和高压功率管, 为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方案芯片的工作电压范围宽, 很方便的应用于充电器领域芯片提供了过温过流过压欠压等保护功能, 保证了系统的可靠性管脚图 DIP8 应用领域小功率充电器小功率适配器待机电源 DVD DVB 以及其他便携式设备电源输出功率表输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 输出功率 12W 20W 注 : 输出功率 10W 以上, 建议根据实际方案增加散热措施 : 增加独立散热片 ; 其他散热措施典型示意电路图 AC EMI Filter Vou+ Vout

2 内部方框图内部电源产生电路 L 振荡电路基准电路 -- VREF 欠压保护电路 S Q 驱动 8V/14.5V + 过温保护电路 R2 R3 前沿消隐电路过压保护电路 S2 S1 + 钳位电路 Q V 230ohm 1K ohm 管脚说明名称管脚序号管脚说明 1,2 芯片地, 同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口 3 反馈输入端口 4 芯片电源端, 工作电压范围可达 9V 39V 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的, 同时芯片启动时, 也做芯片的启动 - 2 -

3 极限参数极限参数 (TA= 25 ) 符号说明范围单位 VDS(max) 芯片脚最高耐压 -0.3~730 V 芯片电源电压 -0.3~39 V I 嵌位电流 10 ma I 最大反馈电流 3 ma VESD ESD 电压 >4000 V TJ 结温 -40~150 TSTG 存储温度 -55~150 热阻参数符号说明单位 RthJA 热阻 (1) 45 /W 注 (1): 芯片要焊接在有 200mm 2 铜箔散热的 PCB 板, 铜箔厚度 35um, 铜箔连接到所有的脚电气工作参数 ( 除非特殊说明, 下列条件均为 TA=25,=18V) 符号说明条件范围最小典型最大单位 BVDS 漏源击穿电压 730 V IDSS 端关断态漏电流 0.1 ma RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A 12 Ohm ON 开启电压 V OFF 关闭电压 V HYS 迟滞阈值电压 6.5 V OVP 过压保护阈值 39 V IDD1 工作电流 I=2.0mA 0.4 ma IDD2 工作电流 I=0.5mA;ID=50mA 1.0 ma IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; =5V -220 ua FOSC 芯片振荡频率 45 KHz GID I/I 增益 560 ILIMIT 峰值电流阈值 V=0V 700 ma ISD 关断电流 0.9 ma R 输入电阻 ID=0mA 1.23 Kohm TLEB 前置消隐时间 300 ns TON(min) 最小导通时间 700 ns TOVT 过温保护温度 150 THYS 过温迟滞阈值温度

4 功能表述 F1 1A/250Vac T1 40mH D1~D4 1N4007 C2 22UF/400V D7 SR3100 L1 5UH Vout+ AC C1 0.1UF/275V U1 C3 102/1KV 100K D5 F07 R3 470R C6 470UF C67 470UF 12V/1A Vout- C D6 F07 R4 2.2K C8 104 R5 20K C4 4.7UF/50V 4 5 R7 100R R2 6.8K U2 PC817B U3 TL431 Y1 102 R6 5.1K 电路图说明上图中 D1-D4 C2 组成全波整流,D5 C3 组成 RCD 吸收回路, 消除变压器 T2 漏感产生的尖峰电压, 避免击穿内部的高压 MOS 管输出部分 U3 U2 R5 R6 R3 R4 C8 组成采样反馈电路,R5 R6 决定系统的输出电压, 输出电压 VOUT 等于 : V OUT R5 R6 2.5V R6 R3 R4 限制 U2 光耦 PC817B 的电流, 避免影响反馈回路 C8 的加入使得系统反馈更加稳定, 避免振荡电压部分芯片工作电压范围宽, 达到 9V 39V, 此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域, 比如电池充电器等当开关电源启动后,C2 电容上的电压会通过 T2 原边线圈芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片电容 C4 充电当 C4 电容电压达到 16V, 内部高压启动 MOS 管关闭, 同时 PWM 开启, 系统开始工作当 C4 电容电压下降到 9V 以下, 关闭 PWM 信号, 同时芯片将会产生复位信号, 使系统重新启动这就是欠压保护 - 4 -

5 部分 ID PWM control V IS I + R2 通过高压 MOS 的电流 I D 分成两个部分, 其中一部分为 I S, 这部分电流为芯片采样电流 I S 与 I D 成比例关系 : I = G I D ID S 通过上图可知 :( I S I ) R V, 由此可以得到 :- I 0. 23V = - R2 S I 以上公式合并, 可得到 : 0. 23V I D = GID ( - I ) R2-5 -

6 如果将脚对地短接, 此时 I 的电流等于 : 0. 23V I = - 再将上式合并, 最终得到 IDLIM: 1 1 IDLIM = GID 0. 23V ( + ) R2 然而在实际应用中, 脚是上拉的方式接入到, 不可能对地短路当系统启动或者短路时, 此时脚的电压比较接近于 0V, 通过内部高压 MOS 管漏极电流则为最大值 IDLIM 0. 23V I = - G ID = ΔI ΔI D 从上图可以看出,I 电流大,ID 的电流就小 ;I 电流小,ID 的电流就大当 I 的电流大于 ISD 时, 芯片会关闭 PWM, 此时的 ID 的值大约为 85mA, 同时芯片会自动进入突发模式这对于系统工作在空载或者轻载至关重要过压保护当芯片的电压超过 OVP 时, 会触发内部复位信号, 导致系统重新启动 - 6 -

7 典型应用方案 BUCK 电路电磁炉应用方案原理图 : AC F1 D1-D4 5 6 ZD1 7 2 C1 C2 C3 C D6 L1 18V U1 D5 C5 C6 D7 C7 7V BOM 表 : 位号参数位号参数 D1 1N4007 C1 10uF/400V D2 1N4007 C2 103 D3 1N4007 C3 2.2uF/50V D4 1N4007 C4 104 D5 BYV26C C5 220uF/25V D6 UF4007 C6 104 D7 UF4007 C7 220uF/25V ZD1 18V 稳压管 F1 1A/250V 22Ω U1 L1 EE10(4+4) 立式变压器参数 : N1 N2 1) 骨架 EE10(4+4) 普通磁芯 2) 电感量 L 为 :1.6mH 3)N1:0.19mm 线径为绕 140 匝 4)N2:0.19mm 线径为绕 65 匝 - 7 -

8 封装形式 DIP8-8 -

Microsoft Word - SM8013.doc

Microsoft Word - SM8013.doc SM8013 特点适用于小于 36W 的开关电源系统待机功耗小于 0.3W@265VAC 内置优化的 OCP 补偿自适应多模式工作, 根据负载情况, 自动切换到 Burst 模式 PFM 模式或 PWM 模式内置前沿消隐电流 (LEB) 内置斜率补偿电路逐周期峰值电流限制开机软启动具有过流保护过载保护 VDD 过压保护等多种保护封装形式 :DIP8 SOP8 SOT23-6 概述

SM7022C AC/DC PWM 功率开关 v1.6 SM7022C 特点 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于 集成高压启动电路 集成高压功率开关 45KHz 固定开关频率 9V~39V 宽 VDD 工作电压范围 电流模式 PWM 控制方式 内置过温 过流

SM7022C AC/DC PWM 功率开关 v1.6 SM7022C 特点 85Vac~265Vac 宽电压输入待机功耗小于集成高压启动电路集成高压功率开关 45KHz 固定开关频率 9V~39V 宽 VDD 工作电压范围电流模式 PWM 控制方式内置过温过流