MCU产品规格书

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1 内置高压 MOSFET 高 PFC 高恒流精度 非隔离 LED 照明驱动芯片 描述 SD692XS 是一款专用于非隔离 LED 驱动的控制芯片, 外围应用采取浮地 Buck 架构, 内置高压功率 MOSFET 在该架构下, 芯片采样电感电流进入内部, 并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络, 从而达到高恒流精度和高输入 / 输出调整率 同时, 芯片自带 PFC 控制, 自动实现全电压范围高 PF 值 芯片的临界导通模式减小开关损耗, 提高系统转换效率 SD692XS 内部集成各种保护功能, 包括输出开路保护, 输出短路保护, 逐周期过流保护, 过温保护等 SD692XS 内置 VCC 稳压管, 可允许外围无辅助绕组工作且输出电压范围最大化 SD692XS 具有超低的启动电流和工作电流, 可在全电压输入范围内 (85VAC~265VAC) 高效驱动高亮度 LED 应用 SOP 特性 恒流控制模式 ( 专利 ) 内置 500V/550V/600V 高压功率 MOSFET 精确恒定电流 (<±3%) 供给 LED 全电压输入范围 PF>0.9 临界导通模式 LED 短路保护 LED 开路保护 VCC 欠压保护 VCC 钳位管内置 过温保护 过电流保护 高温降电流功能 球泡灯 T5/T8 LED 灯具 各式 LED 照明应用场合 产品规格分类 产品名称 封装形式 材料 包装 SD6921ASTR SOP 无卤 编带 SD6921BSTR SOP 无卤 编带 SD6921STR SOP 无卤 编带 SD6922ASTR SOP 无卤 编带 SD6922BSTR SOP 无卤 编带 SD6922STR SOP 无卤 编带 SD6923ASTR SOP 无卤 编带 SD6923BSTR SOP 无卤 编带 SD6923STR SOP 无卤 编带 http: // 共 8 页第 1 页

2 产品名称 封装形式 材料 包装 SD6924ASTR SOP 无卤 编带 SD6924STR SOP 无卤 编带 内部框图 1 VCC 欠压锁定 UVLO 内部偏置 VREF5.5V DRAIN 5/6 ZCD 4 ZCD 控制 OTP 逻辑控制 S R Q DRV 2 CS 极性转换 CS 基准 + - 跨导放大器 + - TON 比较器 COMP GND 3 7 极限参数 参数符号参数范围单位 漏栅电压 (R GS=1MW) V DGR 600 V 栅源电压 V GS ±30 V SD6921AS 4.0 SD6921BS 4.0 SD6921S 4.0 SD6922AS 8.0 SD6922BS 8.0 漏端电流 SD6922S I 注 1 DM 8.0 脉冲 SD6923AS 10.0 A SD6923BS 10.0 SD6923S 10.0 SD6924AS 10.0 SD6924S 12.0 http: // 共 8 页第 2 页

3 参数符号参数范围单位 SD6921AS SD6922BS 2.0 漏端连续电流 SD6922S I D 2.0 (T amb=25 C) SD6923AS 3.0 注 2 电源电压 1.0 SD6921BS 1.0 SD6921S 1.0 SD6922AS 2.0 SD6923BS 3.0 SD6923S 3.0 SD6924AS 3.0 SD6924S 4.0 V CC -0.3~24 V 反馈电压 V ZCD -0.3~6.5 V 采样端电压 V CS -6.5~6.5 V COMP 端电压 V COMP -0.3~6.5 V DRAIN 端电压 V DRAIN -0.3~500/600 V 结温范围 T j -40~150 C 存储温度范围 T S -55~150 C 注 :1. 脉冲宽度由最大结温决定 ; 2. 流入 VCC 电流不超过 3mA 电气参数 ( 除非特别说明,V CC =19V,T amb =25 C) 参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位 钳位电压 V CCCLAMP I VCC=2mA V UVLO VH UVLO H V UVLO VL UVLO L V 启动电流 I START 启动前,V CC=15V μa 静态电流 I CC 启动后, 无开关波形, 不保护 μa 保护电流 I PRO 启动后, 无开关波形 μa 电压反馈部分 ZCD 过压检测电压 ZCD OVP 调高 ZCD 直至电路保护 V ZCD 过压检测延时 ns ZCD 过零检测 VL V ZCD 过零检测 VH V ZCD 短路检测电压 ZCD SL V 运放部分 跨导放大器输入基准电压 CS REF mv CS 峰值保护电压 mv 控制时间参数 A http: // 共 8 页第 3 页

4 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 最大导通时间 T ON,MAX V COMP=3.5V μs 最小导通时间 T ON,MIN V COMP=0V ns 最大关断时间 T OFF,MAX μs 最小关断时间 T OFF,MIN μs 最大开关频率 F MAX KHz 高压 MOSFET SD6921AS SD6921BS SD6921S SD6922AS 静态漏源导通电阻栅源漏电流漏源耐压温度特性 SD6922BS SD6922S V GS=10V,I D=0.1A R DS(ON) SD6923AS SD6923BS SD6923S SD6924AS SD6924S SD692XAS ±100 SD692XBS V GS=±30V,V DS=0V ±100 I GSS SD692XS ±100 SD692XAS SD692XBS V GS=0V,I D=50uA BV DSS SD692XS 过温保护 T SD C 过温解除 T RECOVERY C 高温降电流温度点 T DROP C 注 :SD6921AS/SD6922AS/SD6923AS/SD6924AS 统称为 SD692XAS;SD692XBS,SD692XS 以此类推 管脚排列图 Ω na V 1 VCC GND 7 2 CS 3 COMP DRAIN 6 4 ZCD DRAIN 5 http: // 共 8 页第 4 页

5 管脚描述 管脚编号 管脚名称 I/O 功能描述 1 VCC POWER 电源 2 CS I/O 采样电流 3 COMP O 跨导放大器输出, 外接一积分电容到地 4 ZCD I 过零检测输入 5,6 DRAIN O 功率管漏端输出 7 GND GND 地 功能描述 SD692XS 是一款利用 BUCK 原理搭建的非隔离 LED 照明驱动芯片 以下是对芯片各功能的具体描述 启动控制 SD692XS 的启动电流很低, 因此可以快速启动 外部启动电路可以采用较大的启动电阻 VCC 端具有欠压保护功能, 开启 / 关断电压阀值设定在 16.8V 和 8.2V 迟滞特性确保启动期间输入电容能给芯片正常供电 启动完成且输出电压上升到一定程度后, 输出端可通过齐纳管降压对 VCC 进行充电 VCC 稳压管内置 VCC 管脚内置一稳压管, 当输出电压反馈到 VCC 端超过 22V 时, 仍将 VCC 维持在 22V, 这样就允许外围无辅助 绕组工作时, 输出电压范围可以最大化 临界导通模式芯片采用检测电感电流过零来开通 MOSFET 开关 电感电流过零点可通过 ZCD 电压来判断 ZCD 电压可通过辅助绕组或电阻分压检测 当电感电流过零时,ZCD 管脚电压会下降, 芯片检测其下降沿, 实现过零开通 MOSFET 开关 临界导通模式有利于减小开关损耗, 提高系统转换效率 恒流精度控制芯片采样电感电流, 利用内部误差放大器形成闭环反馈网络, 从而得到高恒流精度和高负载调整率 CS 电压和 167mV 基准电压进入跨导放大器进行误差放大, 并通过外部 Comp 电容积分 Comp 端电压控制外部功率管导通时间, 调整输出电流 电流检测和前沿消隐芯片具有逐周期限流保护功能, 当 CS 电压超过一定值时, 芯片关断外部 MOSFET 开关, 系统仍保持正常工作, 下个周期外部 MOSFET 正常开启 在前沿消隐时间内, 限流比较器是不工作的,MOSFET 开关在这段时间内是保持导通状态的 过温保护及高温降电流功能 http: // 共 8 页第 5 页

6 当芯片内部温度超过一定值时, 系统输出电流会自动下降 芯片温度进一步上升后, 系统进入过温保护状态,MOSFET 开关截止, 系统将重新启动 输出过压保护 输出电压通过电阻分压输入 ZCD 管脚 当 ZCD 电压超过过载保护电压阈值 4.2V 时, 进入输出过压保护状态, MOSFET 开关截止, 系统将重新启动 输出短路保护当 ZCD 电压低于输出短路保护电压阈值 0.5V 且维持 48 个开关周期后, 芯片进入输出短路保护状态,CS 限流点降低为 0.3V, 系统仍正常工作 典型应用线路图 R2 R1 D1 R8 LED+ R5 SD692XS Rf1 BD1 C1 4 ZCD Drain 5 3 COMP Drain 6 L1 Vac Input R6 R3 2 CS R7 C3 C2 1 Vcc GND 7 D2 R4 C4 注 : 以上线路及参数仅供参考, 实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数 SD692XS 包括 SD692XAS/SD692XBS/SD692XS LED - http: // 共 8 页第 6 页

7 封装外形图 SOP 单位 : mm 0.33~ ~ ~ ± ~ ± BSC 0.15± MAX 4.9±0.2 注意! 静电敏感器件操作 ESDS 产品应采取防护措施 MOS 电路操作注意事项 : 静电在很多地方都会产生, 采取下面的预防措施, 可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏 : 操作人员要通过防静电腕带接地 设备外壳必须接地 装配过程中使用的工具必须接地 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输 声明 : 士兰保留说明书的更改权, 恕不另行通知! 客户在下单前应获取最新版本资料, 并验证相关信息是否完整和最新 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能, 买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施, 以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生! 产品提升永无止境, 我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品! http: // 共 8 页第 7 页

8 产品名称 : SD692XS 文档类型 : 说明书 版权 : 杭州士兰微电子股份有限公司公司主页 : http: // 版 本 : 1.2 作 者 : 姚丰 修改记录 : 1. 增加 SD692XBS 的产品信息 版 本 : 1.1 作 者 : 姚丰 修改记录 : 1. 修改典型应用线路图 2. 增加 SD6921AS 和 SD6922AS 的产品信息 版 本 : 1.0 作 者 : 姚丰 修改记录 : 1. 正式发布版本 http: // 共 8 页第 8 页