15 CS2 Sns-I/O 电容检测端口 2 25 CS11 Sns-I/O 电容检测端口 CS3 Sns-I/O 电容检测端口 3 26 CS12 Sns-I/O 电容检测端口 CS4 Sns-I/O 电容检测端口 4 27 CS13 Sns-I/O 电容检测端口 13

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刷乌
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1 CSS120DE 数据表具有 I 2 C 通讯接口的 20 通道电容触摸 IC 特性宽电压工作范围 :2.7V 5.5V 支持 I 2 C 通讯接口触摸电容检测范围 :5pf 50pF 优秀的检测性能, 支持最大 10mm 玻璃或 5mm 塑料覆盖物自适应调整, 无需额外调整元件极佳的抗干扰与防水能力, 稳定通过 EFT4KV,CS 及 RF 干扰测试应用方向白色家电及家用装置封装类型 CSS120DE:SOP28 CSS120DE-S:SSOP28 CSS120DE-Q:QFN28 管脚描述 Table 1 SOP28/SSOP28 管脚描述管脚号名称类型描述 VSS 1 1 VSS Ground 接地 2 RGL Ana-I/O 旁路滤波电容 3 CS14 Sns-I/O 电容检测端口 14 4 BPC Ana-I/O 灵敏度设置滤波电容 5 CS15 Sns-I/O 电容检测端口 15 6 CS16 Sns-I/O 电容检测端口 16 7 CS17 Sns-I/O 电容检测端口 17 RGL CS14 BPC CS15 CS16 CS17 CS18 CS19 IRQ# SCL SDA CS0 CS VDD CS13 CS12 CS11 CS10 CS9 CS8 CS7 CS6 N/C 8 CS18 Sns-I/O 电容检测端口 18 管脚号名称类型描述 9 CS19 Sns-I/O 电容检测端口 N/C Dig-I/O 必须浮空 10 IRQ# Dig-I/O 低电平有效中断 20 CS6 Sns-I/O 电容检测端口 6 11 SCL Dig-I/O I 2 C 时钟线 21 CS7 Sns-I/O 电容检测端口 7 12 SDA Dig-I/O I 2 C 数据线 22 CS8 Sns-I/O 电容检测端口 8 13 CS0 Sns-I/O 电容检测端口 0 23 CS9 Sns-I/O 电容检测端口 9 14 CS1 Sns-I/O 电容检测端口 1 24 CS10 Ana-I/O 电容检测端口 10 CS5 CS4 CS3 CS2 第 1 页共 18 页

2 15 CS2 Sns-I/O 电容检测端口 2 25 CS11 Sns-I/O 电容检测端口 CS3 Sns-I/O 电容检测端口 3 26 CS12 Sns-I/O 电容检测端口 CS4 Sns-I/O 电容检测端口 4 27 CS13 Sns-I/O 电容检测端口 CS5 Sns-I/O 电容检测端口 5 28 VDD Power 2.7V-5.5V 电源输入 Table 2 QFN28 管脚描述管脚号名称类型描述 1 CS15 Sns-I/O 电容检测端口 15 2 CS16 Sns-I/O 电容检测端口 16 3 CS17 Sns-I/O 电容检测端口 17 4 CS18 Sns-I/O 电容检测端口 18 5 CS19 Sns-I/O 电容检测端口 19 6 IRQ# Dig-I/O 低电平有效中断 7 SCL Dig-I/O I 2 C 时钟线 CS15 CS16 CS17 CS18 CS19 IRQ# SCL BPC CS14 RGL VDD CS13 CS12 CS CS0 SDA QFN CS1 VSS CS2 CS3 CS4 8 SDA Dig-I/O I 2 C 数据线管脚号名称类型描述 9 CS0 Sns-I/O 电容检测端口 0 19 CS8 Sns-I/O 电容检测端口 8 10 CS1 Sns-I/O 电容检测端口 1 20 CS9 Sns-I/O 电容检测端口 9 11 VSS Ground 接地 21 CS10 Sns-I/O 电容检测端口 CS2 Sns-I/O 电容检测端口 2 22 CS11 Sns-I/O 电容检测端口 CS3 Sns-I/O 电容检测端口 3 23 CS12 Sns-I/O 电容检测端口 CS4 Sns-I/O 电容检测端口 4 24 CS13 Ana-I/O 电容检测端口 CS5 Sns-I/O 电容检测端口 5 25 VDD Power 2.7V-5.5V 电源输入 16 N/C Dig-I/O 必须浮空 26 RGL Ana-I/O 旁路滤波电容 17 CS6 Sns-I/O 电容检测端口 6 27 CS14 Sns-I/O 电容检测端口 CS7 Sns-I/O 电容检测端口 7 28 BPC Ana-I/O 灵敏度设置滤波电容 CS10 CS9 CS8 CS7 CS6 N/C CS5 功能描述 CSS120DE 具有 20 个电容检测通道, 并使用 I 2 C 做为通讯接口必要的用户设置参数以及电容检测结果可以由 I 2 C 通道在 CSS120DE 和主控制器之间传输每一电容检测通道可以被独立地打开或关闭, 没有被用到的电容检测通道在 PCB 上应当接地当任一电容检测通道检测到有触摸或触摸离开时,CSS120DE 将会在 IRQ# 管脚上输出一个低有效中断, 此中断只能被用户清除如果用户使用软件轮询查看电容检测结果, 则可以忽略这个中断通道的开关由一个 3 字节的 ChannelEN 寄存器控制芯片在上电时所有的电容检测通道会被自动地设置成开启, 然而校准过程则会自动地将接地的电容检测通道设置为禁用, 用户也可以手工的将非接地检测通道设置为禁用主控制器可以通过 I 2 C 接口读出电容按钮的开 / 关信息 ( 它储存在 3 字节寄存器 ButtonON 中 ) CSS120DE 的 I 2 C 模块工作在从模式, 其地址是 0x15 由于 I 2 C 从地址为 7 位, 故用户在进行 I 2 C 写操作时需将地址右移一位且低位补零, 即为 0x2A, 如用户做读操作, 则为 0x2B 当寄存器 ScanCR 的 ScanEN 位被写 1 时, 则开始扫描所有被使能的电容按钮共有 4 种扫描模式 1) 校准模式将做几次扫描后自动调整参数以达到最佳工作状态一旦校准结束就会设置 IRQ 并且 ScanEN 位回到 0 2) 标准模式将首先第 2 页共 18 页

3 执行校准, 然后一直循环地扫描被使能的电容按钮, 一旦芯片检测到电容按钮状态发生变化就会设置 IRQ 在扫描过程中, 芯片会根据 ScanCR 寄存器 LP 位的设置来选择是否自动进入睡眠模式来降低功耗, 如果用户上位机是使用软件轮询方式查询扫描结果则不建议设置 LP 位 3) 单次扫描模式仅扫描一次所有被使能的电容按钮, 并且扫描结束后将设置 IRQ 4) 持续扫描模式为循环地扫描所有被使能的电容按钮, 一旦芯片检测到电容按钮状态发生变化就会设置 IRQ 注意只有当用户往寄存器 ScanCR 位 IRQ 中写 0 后 IRQ 标志才会被清除不建议客户使用除标准模式以外的扫描模式为了得到最低的功耗, 用户可以往 ScanCR 寄存器 PD 位中写 1 使芯片进入睡眠模式在睡眠模式下所有活动的功能都被禁止, 也包括 I 2 C, 这样 CSS120DE 就无法响应 I 2 C 命令管脚 IRQ# 被内置为上拉且此时做为输入管脚, 用来唤醒系统用户可以使用一个低电平脉冲 ( 至少 100us 宽度 ) 来唤醒系统一旦系统被唤醒后位 PD 将会自动清零参数设置和检测结果所有电容检测通道具有相同的模拟前端处理结构某些全局参数将用于所有的检测通道 Table 3 检测参数及结果变量名称全局变量? 描述 ButtonON Yes 触摸检测结果寄存器 1: 有触摸,0: 无触摸它不是参数而是检测结果 LP Yes 低功耗模式 1: 使能, 在一定时间内没有检测到触摸时, 芯片会自动周期性进入睡眠模式以降低功耗, 注意芯片在睡眠模式下可能会无法及时响应 I 2 C 命令, 如果用户上位机是使用软件轮询方式查询扫描结果则不建议设置 LP 位 ;0: 禁用, 芯片会一直保持工作并及时响应 I 2 C 命令 MultiOn Yes 在多个感应通道同时被触摸时,CSS120DE 缺省输出触摸最强的感应通道, 其设置为 0 如用户希望能同时输出多个感应通道检测结果, 则需要设置此位为 1 GSense Yes 全局检测灵敏度设置, 共 256 级 0( 最高 ) 到 255( 最低 ) LSense No 每一个检测通道的灵敏度设置, 共 255 级 1( 最高 ) 到 255( 最低 ); 如 LSense 为 0, 则该检测通道使用 GSense 的设置来确定灵敏度 WPED No 背景扫描选择寄存器组, 每一检测通道使用三字节寄存器中的 [19:0] 位, 控制其他检测通道是否参与当前检测通道的背景扫描通常情况下最多不超过 8 个其他通道可以参与到背景扫描中 1: 参与背景扫描,0: 不参与用户通过这个寄存器可以将线路板上相邻的扫描通道加入到背景扫描中去以实现防水功能 ScanEN Yes 写 1 将会开始扫描所有被使能的电容通道 ; 写 0 停止扫描 IRQ Yes 向此位写 0 将清除 IRQ 标志, 其他操作无效 ScanMode Yes 扫描模式选择, 扫描模式的变化只能在 ScanEN=0 时进行不建议客见下页户使用除标准模式外的其他模式数值模式数值模式 00b 标准模式 01b 单次扫描模式 10b 持续扫描模式 11b 校准模式第 3 页共 18 页

4 Table 3 检测参数及结果 ( 续 ) 变量名称全局变量描述 Signal No 每一个电容通道的 16 位触摸信号值, 只有当信号值超出触摸阈值后才为有效触摸 Debounce Yes 它是 8 位防抖动设置缺省值是 3, 用户可以修改 WPR Yes 写保护设置, 写入 3A 将会放开写保护, 允许 I 2 C 在之后对寄存器进行写操作如任何两次写操作间隔超过 0.15s, 写保护将会自动生效用户参数调试与设置流程 CSS120DE 对用户参数提供了两种设置方法 : 1. 芯片内寄存器设置, 用户可以将所有设置参数存储于上位机的 ROM 中, 在上电后通过 I 2 C 将参数设置进芯片中 2. 芯片内 ROM 设置, 用户可以通过 I 2 C 将绝大部分参数先传输到芯片寄存器中, 然后设置 ScanCR 寄存器的 UPROM 位将这些参数写入芯片内部 ROM 中, 之后每次上电后芯片将会自动加载这些设置参数这些可存储到 ROM 里的参数是 Lsense 和 WPED 用户可以通过读取这些设置参数来判断是否已从 ROM 中正确加载了参数例如用户可以读取某一个 LSense 寄存器数据, 如果参数已被正确加载, 那么这个 LSense 就不会为 0 芯片内 ROM 参数写入的流程 : 1. 用户首先设定好 LSense 和 WPED 寄存器参数 ; 2. 然后往 ScanCR 寄存器写 10H, 将以上参数写入芯片内的 ROM, 这一过程约需要 20ms, 且芯片在这期间不再响应新的 I 2 C 命令 ; 3. 20ms 后, 用户可以读取 ScanCR 寄存器, 如 UPROM 位为 00 则表示写入成功,10 则表示写入出错 I 2 C 命令格式主设备通过 I 2 C 接口读写 CSS120DE 就像是操作时, 首先它要寻址 I 2 C 从设备同时设置 I 2 C 数读写存储器存储器 ( 或寄存器 ) 地址由一据传输方向为读, 之后 I 2 C 从设备开始从之前设个写操作决定而不管是否随后有数据要写入置好的存储器开始地址输出数据到 I 2 C 总线和当 I 2 C 主设备写操作时, 首先它要寻址 I 2 C 从设备写操作一样开始地址不会被读操作改变同时设置 I 2 C 数据传输方向为写, 然后传输 1 字节的寄存器地址做为开始地址, 再之后的数据将依当读或写操作到达 8 位寄存器地址的边沿次写入从开始地址开始的存储器中注意这些数 ( 也就是 255), 读写地址不会回转超过边沿据写操作并不会改变开始地址, 这意味着此开始的写操作将被忽略超过边沿的读操作将输出地址可以用于之后的读操作中当 I 2 C 主设备读全 1 到 I 2 C 总线第 4 页共 18 页

5 START STOP A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 W I2C Slave Address ACK Register Address ACK Write Data 0 (Reg Address +0) ACK Other Data (Reg Address + n) START STOP A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 R I2C Slave Address ACK Read Data 0 (Reg Address) ACK Read Data 1 (Reg Address + 1) ACK Other Data (Reg Address + n) START STOP A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 W I2C Slave Address ACK Register Address ACK Figure 1 I 2 C 命令格式中断操作波形示意图当一个感应通道检测到其状态和前一状态不同时, 例如触摸按下和离开时,CSS120DE 将会在 IRQ# 管脚上产生一个低有效中断, 此中断只能被用户清除用户必须在中断服务程序里通过写 0 到 IRQ 位显式清除这个中断以避免重复进入用户也可以忽略这一中断而采用上位机软件轮询方式查询感应通道的检测状态 Touch Detected IRQ# PIN 用户写 IRQ 位清除用户写 IRQ 位清除 ButtonON Bit Write IRQ Bit 第 5 页共 18 页

6 寄存器定义 Table 4 寄存器分配 A B C D E F 10 ScanCfg DeBounce ChannelEN GSense ScanCR 20 ButtonON CHKSUM 40 Signal[0:7] 50 Signal[8:15] 60 Signal[16:19] 70 WPED0 WPED1 WPED2 WPED3 WPED4 WPED5 80 WPED5 WPED6 WPED7 WPED8 WPED9 WPED10 90 WPED10 WPED11 WPED12 WPED13 WPED14 WPED15 A0 WPED16 WPED17 WPED18 WPED19 WPR B0 C0 E0 LSense[0:15] F0 LSense[16:19] 注 : 除指定寄存器外, 用户不得对其他寄存器空间的地址进行写操作 Reg: 12H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 ScanCfg Reserved MultiOn DNPR NPRR[2:0] 7:5 Reserved 必须写 0 4 MultiOn 使能多个感应通道同时输出触摸结果 1: 使能 ;0: 禁用, 只输出最强触摸感应通道 3 DNPR 禁止噪声保护, 如禁止使用噪声保护, 则任何超出触摸信号阈值的检测结果都会被采用 1: 禁止 ;0: 使用 2:0 NPRR 噪声保护门限比例倍数, 如果检测信号超出触摸信号阈值的 NPRR 倍, 则忽略此次检测结果 0:4x 阈值 ;1:6x 阈值... 7: 18x 阈值客户在做灵敏度调整测试时建议先设置 DNPR 为 1, 暂时关闭噪声保护, 避免灵敏度设置过高误触发噪声保护第 6 页共 18 页

7 Reg: 13H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 1 RW 1 DeBounce DeBounce 7:0 DeBounce 防抖动参数, 缺省为 3 Reg: ChannelEN@14H 14H RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 ChannelEN ChannelEN[7:0] 7:0 ChannelEN[7:0] ChannelEN[7:0] 使能控制, 缺省为 1, 如检测通道接地, 则为 0 1: 使能电容检测通道 ;0: 禁用 Reg: ChannelEN@15H 15H RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 ChannelEN ChannelEN[15:8] 7:0 ChannelEN[15:8] ChannelEN[15:8] 使能控制, 缺省为 1, 如检测通道接地, 则为 0 1: 使能电容检测通道 ;0: 禁用 Reg: ChannelEN@16H 16H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 1 RW 1 RW 1 RW 1 ChannelEN Reserved ChannelEN[19:16] 7:4 Reserved 必须写 0 3:0 ChannelEN[19:16] ChannelEN[19:16] 使能控制, 缺省为 1, 如检测通道接地, 则为 0 1: 使能电容检测通道 ;0: 禁用第 7 页共 18 页

8 Reg: 1EH RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 GSense GSense[7:0] 7:0 GSense[7:0] 全局灵敏度设置, 共 256 级,0 最高, 缺省为 0 过高或过低的灵敏度设置都可能导致触摸检测失败过低灵敏度的设置表现为用户触摸无响应或需大力增大触摸面积才有响应, 过高灵敏度的设置表现为用户轻触或接近时有响应, 但正常触摸时反而没响应, 这是因为误触发了噪声保护功能 Reg: ScanCR@1FH 1FH RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 ScanCR PD LP UPROM ScanMode IRQ ScanEN 7 PD 写 1 进入睡眠模式, 进入睡眠模式之前必须禁用芯片扫描, 即置 ScanEN 为 0 6 LP 低功耗模式 1: 使能, 在一定时间内没有检测到触摸时, 芯片会自动周期性进入睡眠模式以降低功耗, 注意芯片在睡眠模式下可能会无法及时响应 I 2 C 命令, 如果用户上位机是使用软件轮询方式查询扫描结果则不建议设置 LP 位 ;0: 禁用, 芯片会一直保持工作并及时响应 I 2 C 命令 5:4 UPROM 芯片内 ROM 写入控制,00: 写入正确或未发出过写入操作,01: 启动芯片内 ROM 写入操作,10: 写入出错,11:N/A 3:2 ScanMode 扫描模式 00: 标准模式 ;01: 单次模式 ;10: 持续扫描模式 ;11: 校准模式 1 IRQ 写 0 将清除 IRQ 标志 0 ScanEN 芯片扫描使能 1: 使能电容检测扫描 ;0: 禁用 Reg: ButtonON@22H 22H R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 ButtonON ButtonON[7:0] 7:0 ButtonON[7:0] Channel[7:0] 的检测状态 1: 有触摸 ;0: 无触摸第 8 页共 18 页

9 Reg: 23H R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 ButtonON ButtonON[15:8] 7:0 ButtonON[15:8] Channel[15:8] 的检测状态 1: 有触摸 ;0: 无触摸 Reg: ButtonON@24H 24H R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 ButtonON Reserved ButtonON[19:16] 7:4 Reserved 必须写 0 3:0 ButtonON[19:16] Channel[19:16] 的检测状态 1: 有触摸 ;0: 无触摸 Reg: CHKSUM@25H 25H R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 CHKSUM CHKSUM[7:0] 7:0 CHKSUM[7:0] ButtonON 的校验和如果 CHKSUM[7:0]+ButtonON[7:0]+ButtonON[15:8]+ ButtonON[19:16]+0xC5=0x00, 则校验和正确 Reg: Signal[0]@40H 40H R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 Signal[0] Signal[0][7:0] 7:0 Signal[0][7:0] 第 0 个电容通道信号值的低八位第 9 页共 18 页

10 Reg: 41H R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 R 0 Signal[0] Signal[0][15:8] 7:0 Signal[0][15:8] 第 0 个电容通道信号值的高八位其余电容通道信号值依次存储在 42H-67H Reg: WPED0@70H 70H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 WPED0 WPED0[7:0] 7:0 WPED0[7:0] 检测通道 7 到 0 是否参与检测通道 0 的背景扫描,1: 参与背景扫描, 0: 不参与在防水要求苛刻的环境中, 建议用户将机构上相邻的检测通道加入其背景扫描中, 以提升防水性能例如, 从实际机构的触摸按键布局来看, 检测通道 0 的相邻通道是 3,5,7,11, 则用户可以设置 WPED0[23:0]=0x0008A8 检测通道本身不能参与自己的背景扫描, 例如检测通道 0 的背景扫描设置需要设置位 0 为 0, 即不参与自己的背景扫描 Reg: WPED0@71H 71H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 WPED0 WPED0[15:8] 7:0 WPED0[15:8] 检测通道 15 到 8 是否参与检测通道 0 的背景扫描,1: 参与背景扫描, 0: 不参与 Reg: WPED0@72H 72H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 WPED0 Reserved WPED0[19:16] 第 10 页共 18 页

11 7:4 Reserved 必须写 0 3:0 WPED0[19:16] 检测通道 19 到 16 是否参与检测通道 0 的背景扫描,1: 参与背景扫描,0: 不参与其余寄存器值依次存储在 73H-ABH Reg: WPR@AFH AFH W 0 W 0 W 0 W 0 W 0 W 0 W 0 W 0 WPR Write Protection 7:0 WPR 写入 3A 将会放开写保护, 允许 I 2 C 在之后对寄存器进行写操作如任何两次写操作间隔超过 0.15s, 写保护将会自动生效 Reg: LSense[0]@E0H E0H RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 RW 0 LSense[0] LSense[0] 7:0 LSense[0] 检测通道 0 灵敏度设置, 1-255, 1 最高缺省为 0, 即统一使用 GSense 灵敏度设置其余检测通道的灵敏度设置依次存储于 E1H-F3H 第 11 页共 18 页

典型应用线路芯片使用参考设置 // 初始化设置 I2Cm_Write_Data(0xAF, 0x3A); // 打开写保护 I2Cm_Write_Data(0x12, 0x10); // 设置允许多个 button 被同时触发 I2Cm_Write_Data(0x1E, 0x80); // 设置全局灵敏度为 128 I2Cm_Write_Data(0x1F, 0x01); //

12 典型应用线路芯片使用参考设置 // 初始化设置 I2Cm_Write_Data(0xAF, 0x3A); // 打开写保护 I2Cm_Write_Data(0x12, 0x10); // 设置允许多个 button 被同时触发 I2Cm_Write_Data(0x1E, 0x80); // 设置全局灵敏度为 128 I2Cm_Write_Data(0x1F, 0x01); // 开启正常模式扫描且不进入 LP 模式 //IRQ 处理 // 读取所有 Button 的状态 Button=I2Cm_Read_Data(0x22); // 读取感应通道 0-7 的状态寄存器用于判断其触摸状态 CRStatus = I2Cm_Read_Data(0x1F); CRStatus &= (~0x02); // 清除 IRQ 位 I2Cm_Write_Data(0xAF, 0x3A); // 打开写保护 I2Cm_Write_Data(0x1F, CRStatus); // 写回控制寄存器生效清除 IRQ // 客户可以根据 Button 的信息读取相关感应通道的 Signal 值并对数据进行进一步处理第 12 页共 18 页

13 PCB 设计规范对于典型的双层板顶层用来放置感应端子和地底层用来放置 CSS120DE 其他元件和布线将 CSS120DE 放在感应端子中央以便于使得它们之间的距离最小且均匀, 这样寄生电容也是均匀的使走线长度保持尽可能的短, 并且控制走线的宽度, 使寄生电容最小, 从而得到最大的动态响应不要在不相关的感应端子下走线不要让感应端子走线靠近其它信号线, 最好使用地线保护触摸按钮走线如这个走线要求实在无法完成, 那么对于并行走线的信号线之间至少要保持 5 倍线宽间距, 且并行走线的长度不能超过走线总长度的 30% 如用户需要进一步提升抗 RF 干扰性能, 则可以在电容感应端子与芯片引腿之间插入一个 330ohms 到 4Kohms 之间的滤波电阻期望按钮的感应端子形状是圆形或方形 4.7nF 的灵敏度设置滤波电容建议使用 X7R 或 C0G/NPO 电容以降低噪声更多详细 PCB 应用参考设计请参考海栎创电容触摸芯片应用参考设计文档第 13 页共 18 页

14 电参数规格说明绝对最大等级电源电压 2.7V 5.5V 相对于地电平的输出摆幅 -0.6V VDD+0.6V 储存温度 -40 C 100 C 工作时环境温度 -20 C 85 C 管脚的静电防护水平 4000V(HBM) 直流特性直流电特性电源电压 :2.7V 5.5V; 环境温度 :-20 C 85 C 符号描述最小值典型值最大值单位条件 Vdd 电源电压伏 IVDD 电源电流 2 毫安 VDD=5.0v, 30 次 / 秒扫描速度 Rpu3 IRQ#/SDA/SCL 内部上拉电阻千欧姆 VDD=3v Rpu5 IRQ#/SDA/SCL 内部上拉电阻千欧姆 VDD=5v 交流特性交流电特性电源电压 :2.7V 5.5V; 环境温度 :-20 C 85 C 符号描述最小值典型值最大值单位条件伏毫安第 14 页共 18 页

15 封装外形尺寸 Figure 2 SOP28 封装外形 Table 26 SOP28 外形尺寸标识尺寸 ( 毫米 ) 尺寸 ( 毫米 ) 标识最小最大最小最大 A C A D A D A TYP D TYP B R TYP B R TYP C θ1 12 TYP C θ2 12 TYP C θ3 0 ~ 8 C 第 15 页共 18 页

16 Figure 3 QFN28 封装外形第 16 页共 18 页

17 Figure 4 SSOP28 封装外形第 17 页共 18 页

18 版本修订版本历史 1.1 修正封装信息为 0.4mm pitch QFN28L4x4 封装 1.0 初始版本第 18 页共 18 页

Table 2 QFN20 管脚描述管脚号名称类型描述 1 CS11 Ana-I/O 电容检测端口 11 2 NC Sns-I/O 必须浮空 3 IRQ# Dig-I/O 低电平有效中断 4 SCL Dig-I/O I 2 C 时钟线 5 SDA Dig-I/O I 2 C 数据线 6 CS

Table 2 QFN20 管脚描述管脚号名称类型描述 1 CS11 Ana-I/O 电容检测端口 11 2 NC Sns-I/O 必须浮空 3 IRQ# Dig-I/O 低电平有效中断 4 SCL Dig-I/O I 2 C 时钟线 5 SDA Dig-I/O I 2 C 数据线 6 CS CSS112FE 数据表具有 I 2 C 通讯接口支持高精度滑条的 12 通道电容触摸 IC 特性宽电压工作范围 :2.7V 5.5V 支持 I 2 C 通讯接口与低引脚数滑条功能触摸电容检测范围 :5pf 50pF 优秀的检测性能, 支持最大 10mm 玻璃或 5mm 塑料覆盖物自适应调整, 无需额外调整元件极佳的抗干扰与防水能力, 稳定通过 EFT4KV,CS 及 RF 干扰测试应用方向