目录 2013 年 NAND Flash 市场价格上半年上涨 23%, 下半年下跌 30% 一 上游芯片厂 NAND Flash 产出量有限,2013 上半年市场供货减少 4 二 emmc/emcp SSD 等消耗大部分 NAND Flash 产能...4 三 NAND Flash 供不应求, 刺激

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1 国家集成电路设计深圳产业化基地市场平台 国内权威的存储市场资讯平台 2013 中国闪存市场年度 闪存市场产业分析报告 中国闪存市场为您传递最前沿的市场信息 全面 准确的存储市场数据报告 深度解析存储市场行情 提供最新的市场动向 新品展示 全方位提供最专业的市场咨询服务 2014 年 1 月 5 日 年全球白牌平板芯片出货量惊人, 抢食平板市场份额 2013 年苹果的 ipad 销量独大, 三星销量紧随其后, 同时以国内平板芯片厂全志 瑞芯 晶晨等引领 的白牌平板销量也表现惊人, 预计 2013 年全球白牌平板芯片出货量将达 1.3 亿颗, 正当平板市场战局如 火如荼之际, 英特尔也加入平板战局,2014 年平板市场规模将持续扩大, 市场竞争也越演越烈 控制芯片厂推动 SSD 成本降低, 接口由 SATA III 向 PCIe 过渡 2013 年 SATA III 接口的 SSD 价格下滑 10%-20%,2014 年将持续走跌, 同时 SSD 控制芯片厂在 2014 年不断增加对 TLC NAND Flash 和 PCIe 接口的支持, 预计下半年低价 TLC SSD 将进入消费性市场应用, 年底 PCIe 接口的 SSD 会在高端笔记本上成为主流 2013 年闪存市场行情走势 价格指数 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 来源 : 中国闪存市场网 新兴市场成长对 NAND Flash 的消耗 随着手机 平板产品智能化兴起, 个人视频 音乐 通信 分享 娱乐等开始逐渐渗透到家庭 生活 应用中, 智能电视 穿戴式产品 智能机顶盒, 智能路由器等将是下一代智能化产品的代表 联系方式电话 : 传真 : Service@Chinaflashmarket.com 地址 : 深圳高新区中区科技中二路软件园一期 4 栋 6 楼有请勿以任何形式转载 传输 重制 出版或播送若有任何疑问请与我们联系 Copyright 深圳市闪存市场资讯有限公司 All rights reserved.

2 目录 2013 年 NAND Flash 市场价格上半年上涨 23%, 下半年下跌 30% 一 上游芯片厂 NAND Flash 产出量有限,2013 上半年市场供货减少 4 二 emmc/emcp SSD 等消耗大部分 NAND Flash 产能...4 三 NAND Flash 供不应求, 刺激 2013 上半年价格上涨 四 9 月 SK 海力士无锡厂爆炸价涨 4%,Q4 需求减弱价格走跌 NAND Flash 芯片厂技术发展及市场布局 一 NAND Flash 纳米制程技术全面进入 1xnm 时代...5 二 上游芯片厂推进先进纳米制程技术量产, 高容量 NAND Flash 需求增加 6 三 3D NAND Flash 技术时程表出炉,2016 年或成市场主流 四 NAND Flash 芯片产出逐季增加, 供应由紧缺变过剩 五 DRAM 和 NAND Flash 生产互转, 牵动存储芯片产能变化...8 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 嵌入式存储产品 一 主流嵌入式存储产品 emmc 的发展 新 emmc 规范将接口传输速度提升至 400MB/s 年 V4.5 开始替代 V4.41 规范成为 emmc 主流 1.3 emmc 向更多应用领域深入渗透, 从贵族产品走向平民化 年 emmc 价格行情走势二 主流嵌入式存储产品在智能型手机市场的应用 主流嵌入式存储 emcp 的挑战和 emmc 的发展 2.2 智能型手机出货量将持续增加, 带动 emmc 需求成长 2

3 三 主流嵌入式存储产品在平板市场的应用 苹果 ipad 销量依然领先, 三星平板销量稳定增长欲夺霸位 年全球白牌平板芯片出货量将达 1.3 亿, 抢食平板市场份额 3.3 英特尔 BayTrail 低功耗移动处理器 SoC 平台对平板市场的影响四 主流嵌入式存储在新兴市场的应用...17 NAND Flash 相关产品应用市场 - -SSD( 固态硬盘 ) 存储产品 一 NAND Flash 技术发展推动 SSD 成本下降 生产 SSD 的 NAND Flash 由 2xnm 转向 2ynm, 成本降低 1.2 SSD 主要供应商大规模生产 2ynm NAND 的 SSD 1.3 3D NAND Flash 技术将促使 SSD 容量大增, 价格下降二 SSD 接口从 SATA III 向 PCIe 过渡 三 控制芯片厂推动 SSD 成本降低, 接口由 SATA III 向 PCIe 过渡 台系控制芯片厂推出低成本 SATA III 芯片, 推动 SSD 成本降低 3.2 控制芯片厂开始支持 PCIe 接口和 TLC NAND 四 SSD FORM FACTOR 转向 NGFF 和 SATA EXPRESS 五 SSD 主要应用市场的发展 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 传统存储产品 一 闪存卡销量依然在成长, 超高速大容量开辟新应用市场 新 SD 规范将最低写入速度提升至 30MB/s 1.2 主流闪存卡 Micro SD 价格行情走势 1.3 闪存卡应用广泛, 带动整体销量增加二 USB 闪存盘市场需要改革性的创新刺激需求 USB 3.1 规范理论传输速率升至 10Gbps 2.2 手机 U 盘 : 是新的潜在大存储市场 3

4 2013 年 NAND Flash 市场价格上半年上涨 23%, 下半年 下跌 30% 一 上游芯片厂 NAND Flash 产出量有限,2013 上半年市场供货减少 2012 上半年 NAND Flash 产业供过于求, 下半年上游芯片厂三星 东芝 SK 海力士等均减少了 NAND Flash 产量 2013 上半年上游芯片厂 NAND Flash 并没有迅速恢复生产量, 也没有明显增产的计划, 而且 SK 海力士和美光还在 Q1 淡季减少了产出量 与此同时, 上游芯片厂开始全面稳定量产 2ynm 制程技术, 部分产线向 1xnm 制程技术切换, 而在生产比重提升和纳米技术切换的实现过程中, 良率和稳定性间接的影响了产出量, 导致 NAND Flash 部分产出受限 上游芯片厂除了 NAND Flash 产出量减少外, 还严控市场出货 2012 上半年 NAND Flash 市场供过于求, 价格持续探底, 除了三星借助智能型手机销售营收小幅稳定增长外, 东芝 英特尔 SK 海力士营收表现失色, 美光更是连续几个季度缴出亏损成绩单 2012 年营运亏损的前车之鉴, 让上游芯片厂在 2013 年采取控制供货的策略, 避免市场再次出现严重供过于求的局面 二 emmc/emcp SSD 等消耗大部分 NAND Flash 产能三星是 NAND Flash 市场份额最大的供应商, 三星也是世界最领先的智能型手机 平板生产商之一 2013 年初三星发布了 Galaxy S4 新机,2012 年曾预计 2013 年要发售超过 5 亿手机,4000 万台平板出货量, 如此大的目标出货量将会消耗大部分三星 NAND Flash 产能 为了更好的扶持智能型手机 平板等产品的发展, 三星还向东芝 SK 海力士采购部分存储芯片, 以致三星短时间没有太多的 NAND Flash 供给消费类市场 东芝 SK 海力士的 NAND Flash 产能除了部分供应给三星, 大部分产能被苹果新 iphone ipad mini/air 以及 MacBook Pro 等产品所包下 东芝 SK 海力士均有自己的嵌入式存储和 SSD( 固态硬盘 ) 产品, 美光的嵌入式产品 emmc 和 emcp 在 2013 年也开始大规模生产, 同时持续发展 SSD 系列的产品, 也需供应其他手机 / 平板品牌厂对 NAND Flash 的需求 上游芯片厂都更看重 emmc/emcp 和 SSD 等嵌入式存储市场,NAND Flash 产能被 emmc/emcp 和 SSD 大量消耗, 以致没有足够的 NAND Flash 供应给闪存卡 (Micro SD SD) 和 USB 闪存盘 (U 盘模块 USB3.0(PCBA)) 等产品 图 1:SSD 和 emmc/emcp 产品消耗 70% 的 NAND Flash 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 三 NAND Flash 供不应求, 刺激 2013 上半年价格上涨 2013 年初三星 苹果新机备货, 其他手机品牌厂诺基亚 LG 华为 TCL 联想等也推出新的智能型手机, 平板白牌市场凭借低价和快速量产优势, 单核 和双核平板迅速冲量, 再加上服务器市场 SSD 需求增加, 推动 emmc/emcp SSD 市场需求持续升温, 导致 NAND Flash 市场供不应求, 据中国闪存市场 网报价显示,2013 年 Q1 整体闪存价格指数由 1436 持续上涨至最高点 1929, 涨幅高达 34% Q2 上游芯片厂产出量季节性增加, 可是未能改善市场供货紧缺的局面,4 月价格在部分厂商获利回吐以及高价 DRAM 和 Flash 导致订单缩手等因素的 影响下开始走软, 整体价格指数下跌至 1657, 但上游芯片厂为稳定价格而控 制出货到市场, 再次刺激整体价格指数在 5 月中旬走扬, 涨势一直持续到 7 月 初 存储卡产品 20% 其他 10% Flash/eMMC /emcp 40% SSD 30% 4

5 四 9 月 SK 海力士无锡厂爆炸价涨 4%,Q4 需求减弱价格走跌到 2013 下半年, 进入 Q3 传统的消费性电子产品销售旺季, 上游芯片厂 NAND Flash 产出大幅增加, 但三星新机 Galaxy S4 后续销量不如预期, 再加上苹果 iphone 5s 新机发布前销售处于空窗期, 在高端智能型手机销售需求减缓下的旺季并不明显, 拖累整体价格指数连续 2 个月跌势, 下滑幅度超过 10% 9 月份 SK 海力士大陆无锡工厂意外发生爆炸, 受此消息影响, 上游芯片厂和市场贸易商利用此机会抬高价格而出现恐慌性涨价, 在短时间内整体价格指数上涨 4%, 上游芯片厂也普遍采取控货观望态度, 因此市场惜售现象明显 9 月 DRAM 突然涨价, 让很多厂商措手不及, 在高价压力下工厂订单缩手, 间接影响 NAND Flash 需求, 整体价格指数表现微涨 大陆国庆节假期之后, 10 月市场需求复苏迟缓, 产业景气低迷下的后续购物需求疲软,Q4 淡季效应提前到来, 除 DRAM 因为 SK 海力士无锡工厂未恢复产能价格稳定以外,Flash 价格指数跌势持续至 12 月底 2013 上半年 NAND Flash 整体产出量有限, 而智能型手机和平板的需求持续增加, 导致市场一度供货紧张, 价格上涨,1 月 -6 月整体价格指数上涨 23% 下半年市场需求低于预期,NAND Flash 供过于求,7 月 -12 月整体价格指数下滑 30% 左右 NAND Flash 芯片厂技术发展及市场布局 一 NAND Flash 纳米制程技术全面进入 1xnm 时代 NAND Flash 纳米制程技术不断向下延伸, 技术转换难度加大,2013 年上游芯片厂三星 东芝 / 闪迪 (SanDisk) 美光 SK 海力士原本计划向 1ynm 制程技术转换, 不过受到产品良率和稳定量产等因素影响, 各芯片厂均明显减缓了制程转换进度 2013 年纳米制程技术由 2ynm 全面转进 1xnm 等级, 并将 1xnm 制程技术生产比重提升到 50% 以上,2014 年将全面向 1ynm 转进,2015 年全面推进 3D NAND Flash 制程技术 三星为了能够顺利稳定的量产, 以 19nm 作为过渡技术, 稳定量产后再向下切换,16nm 预计在 2014 年初开始逐步量产, 并于 2014 年 Q1 开始在西安工厂专门生产 3D NAND Flash (VNAND) ; 东芝 / 闪迪不断提升 19 24nm 制程技术生产比重,2013 年底转进 19 19nm 制程技术,2014 年 Q1 开始量产 ; 美光从 25nm(L7 系列 ) 转向 20nm(L8 系列 ) 生产, 曾出现了切换不顺的情况, 预计 2014 年中才转进 18nm 制程技术量产 (L9 系列 );SK 海力士以 20nm 技术量产为主, 将在 2014 年中开始量产 16nm 制程技术 图 2:2013 年闪存市场行情走势图 2013 年闪存产品价格综合指数走势图 价格指数 来源 : 中国闪存市场网 数据截止至 12 月 20 日, 仅 供参考 注 :2013 年 9 月 9 日新增加了闪存产品, 当日价格指数由 升至 ( 差值 ) 11 月 18 日 28 日,12 月 18 日均对部分产品价格做了整体调整,11 月 18 日价格指数由 跌至 ( 差值 ),11 月 28 日 跌至 ( 差值 83.95), 12 月 18 日 下跌至 ( 差值 85.36), 并非市场因素所致, 为了更清楚 详 细的反应出市场行情走势, 走势图忽略了差值 文中所表述的跌幅也将忽略差值 图 3: 主要 NAND Flash 芯片厂纳米制程技术时程图 (Roadmap) 厂商 纳米技术 2009 年 2010 年 2011 年 2012 年 2013 年 2014 年 制程等级 4xnm 3xnm 2xnm 2ynm 1xnm 1ynm 三星 Samsung 东芝 / 闪迪 Toshiba/SanDisk 美光 Micron 爱思开海力士 SK- Hynix 2013/11/18, /9/9, /11/28, nm 32nm 27nm 21nm 19nm 16nm 43nm 32nm 24nm 19nm 19nm 16nm 34nm 25nm 25nm 20nm 20nm 18nm 46nm 35nm 26nm 20nm 20nm 16nm 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 2013/12/18, 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 5

6 二 上游芯片厂推进先进纳米制程技术量产, 高容量 NAND Flash 需求增加 2013 年主流闪存产品 emmc/emcp SSD 需求持续升温, 市场除三星有小部分产品量产采用 TLC Flash 外, 其他厂商均供应的是 MLC Flash, 消耗了大量的 MLC NAND Flash 产能 上游芯片厂为了满足市场需求量, 降低 TLC/SLC NAND Flash 产能比重, 提升 MLC NAND Flash 生产量, 预估 MLC NAND Flash 占全部产能的 85% 以上 TLC/SLC NAND Flash 产能则维持在 15% 以内, 分别满足闪存卡 USB 闪存盘和 SLC SSD 的市场需求 2012 年三星 840 系列的 TLC SSD 逐渐被消费者认可,2013 年初又开始量产 19nm ADG 128Gb TLC NAND Flash, 加快了 SSD 容量提升 ; 东芝 2012 年量产 19nm 128Gb TLC NAND Flash 后,2013 年推出制程缩小版第二代 19nm 写速度达 25MB/s 的 64Gb MLC NAND Flash; 美光也开始量产 20nm B85 128Gb TLC NAND Flash 高容量芯片, 但并没有将其用在 SSD 上, 而是要用到闪存卡和 USB 闪存盘上, 同时小批量生产 L95 16nm 128Gb MLC NAND Flash, 计划将在 2014 年推出的全新 SSD 中使用 ;SK 海力士 2013 年底开始采用最新 16nm 制程技术量产 64Gb MLC NAND Flash, 并计划在 2014 年初量产 16nm 128Gb MLC NAND Flash 三 3D NAND Flash 技术时程表出炉,2016 年或成市场主流 3D NAND Flash 技术在 3 4 年前就被三星 东芝等芯片大厂所谈及, 可是只见其声不见其影, 随着纳米制程技术不断微缩, 技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash 技术也经过几年时间的沉淀, 在 2013 年终于浮出水面 三星首推 3D NAND Flash 技术新品, 东芝 美光 SK 海力士等均宣布 3D NAND Flash 送样和量产的大致时间, 算是正式拉开了 NAND Flash 新技术的序幕 3D NAND 技术与现有的 2D NAND( 纳米制程技术 ) 截然不同, 简单理解,2D NAND 是平面结构而 3D NAND 是立体结构,3D 结构是以垂直半导体通道的方式排列, 多层环绕式栅极 (GAA) 结构形成多电栅级存储器单元晶体管, 可以有效的降低堆栈间的干扰 3D 技术不仅使产品性能至少提升 20%, 而且功耗可以降低 40% 以上 图 4:NAND Flash 芯片厂 2013 年最先进纳米制程技术量产情况厂商架构技术最大容量应用产品 三星 TLC 1xnm 128Gb SSD,eMMC/eMCP Samsung MLC 1xnm 64Gb SSD,eMMC/eMCP 东芝 / 闪迪 TLC 19nm 128Gb 闪存卡,USB 闪存盘 Toshiba/SanDisk MLC 19nm 64Gb SSD,eMMC/eMCP 美光 TLC 20nm 128Gb 闪存卡,USB 闪存盘 Micron MLC 16nm 128Gb SSD,eMMC/eMCP 爱思开海力士 TLC 无 无 SK- Hynix MLC 16nm 64Gb SSD,eMMC/eMCP 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 图 5:2D NAND Flash 与 3D NAND Flash 简单示意图 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 6

7 现在三星已在 2013 年 8 月首次批量生产 35nm 3D V-NAND 产品, 而且也推出了首款基于 3D V-NAND 技术的 SSD ; 东芝 / 闪迪计划采用 P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable) 技术量产 3D NAND Flash 产品, 样品将于 2014 年 Q1 送样, 可能于 2015 下半年量产 ; 美光 3D NAND Flash 产品预计 2014 年 Q2 就能开始送样, 量产时间待定 ;SK 海力士则使用微调 VSAT(Vertical Stacked Array Transistor) 技术生产 3D NAND Flash,2013 年内完成研发,2014 年 Q3 开始送样,2015 年迈入量产阶段 虽然各芯片厂都已列出了 3D 技术的量产时程表, 除了三星已开始量产外, 其他芯片厂均在 2015 年量产, 未来 1 年多的时间将依然以 2D NAND 技术生产为主, 预计至少还会有 2 次技术演变 进一步分析,3D 技术是采用全新的架构, 上游芯片厂将技术由 2D NAND 转换成 3D NAND, 生产设备需要全部更换, 需要花费很大的资本投入, 而且立体相对平面结构复杂, 量产难度大幅增加, 稳定性也很难把握 另外, 三星虽然有 3D 产品出来, 可价格尚未公布, 与现在 1ynm 和 2014 年即将量产的 1xnm 制程技术的生产成本相比,3D 恐较 2D 产品高, 目前市场对 3D 产品也没有强大的需求, 同时新产品的应用也需要市场时间去消化和充分验证, 预计 3D NAND Flash 将在 2016 年才有可能会成为市场主流 四 NAND Flash 芯片产出逐季增加, 供应由紧缺变过剩 NAND Flash 最大供应商三星在经过 2012 年产线调整后,2013 年 Fab 9 仅小批量生产 NAND Flash,Fab 12 产线稳定量产,Fab 16 月产出量最大, 视为弹性调整 NAND Flash 产出的工厂, 位于中国西安的工厂预计会在 2014 年初开始小批量生产, 未来 Fab 12 Fab 16 中国西安厂将是三星 NAND Flash 主生产线 NAND Flash 第二大供应商东芝 Fab 4 Fab 5 和 Fab 5 二期工厂是 NAND Flash 主生产线,Fab 4 在 2012 年减产后,2013 年逐季提升产出量, 下半年才恢复到减产前的水平,Fab 5 是东芝和闪迪的合资工厂, 所以一直保持一定的生产量,Fab 5 二期工厂有望在 2014 年初开始小批量生产 NAND Flash 另外, 东芝在 2013 年 8 月开始着手建第三座 NAND Flash 新厂 图 6: 上游芯片厂 3D NAND Flash 技术时程表厂商架构技术简图送样时间量产时间 三星 Samsung 3D TCAT/VG 年 Q1 东芝 / 闪迪 Toshiba/SanDisk 3D P-BiCS 2014 年 Q 下半年 美光 Micron 3D DG TFT 2014 年 Q2 待定 爱思开海力士 SK- Hynix 3D SMArt 2014 年 Q 年 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 图 7:2013 年 NAND Flash 工厂平均月总产出量预估厂商工厂纳米技术月总产出量备注 Fab 12 21nm 8 万 三星 Fab 16 1xnm 30 万弹性调整 Fab 9 2xnm 2 万 中国西安厂 3D VNAND 10 万 2014 年产出 Fab 4 19nm 10 万 东芝 Fab 5 19nm 20 万 弹性调整 Fab 5 二期 年产出 MTV 20nm 4 万 美光 IMFT 20nm 7 万 IMFS 20/16nm 8 万 弹性调整 M11 20/16nm 13 万 SK 海力士 M12 20/16nm 2 万 弹性调整 大陆无锡厂 20nm 1 万 随需求变化 来源 : 中国闪存市场网 整理, 单位 :12 吋晶圆 图 8:NAND Flash 芯片厂 NAND Flash 季度产出量预估厂商 12Q4 13Q1 13Q2 13Q3 13Q4 三星 东芝 美光 SK- 海力士 数据来源 :IHS isuppli Q2 数据, 单位 :12 吋千晶圆, 仅供参考 注 : 因为三星大量使用更先进的制造工艺, 产出 Wafer 数量少于东芝, 但是产出的 NAND Flash 颗粒数量要多于东芝, 总数量超过东芝 10% 左右 7

8 东芝与闪迪的产能分配如下 : Fab 4 股份东芝持 70%, 闪迪持 30%, 在 2008 年金融危机, 东芝提供 10 亿美金给闪迪渡过危机避免被三星 68 亿美金收购, 闪迪将合资 Fab 4 的股份 49% 降为 30%, 但是产能分配还是东芝与闪迪各 50% 在 2011 年新建的 Fab 5 工厂, 因为闪迪的资金好转并且看到 NAND Flash 市场, 增加工厂投资,Fab 5 工厂股份结构为东芝 51%, 闪迪 49%, 产能分配依旧各 50% 市场数据统计中, 认为闪迪不是原厂是模组厂, 东芝 图 9: 东芝 闪迪在 NAND Flash 工厂 Fab 5 和 Fab 4 分配情况工厂东芝闪迪持有股份 70% 30% Fab 4 产能分配 50% 50% 产出 Flash Wafer 销售给闪迪做品牌产品销售, 在原厂排名就没有体现闪迪 美光同样拥有 3 条 NAND Flash 生产线, 在 2012 年美光收购尔必达 (ELPIDA) 及控股华亚科, 在产能调配上, 日本尔必达为 Mobile DRAM 的生 Fab 5 持有股份 51% 49% 产能分配 50% 50% 产基地, 台湾的瑞晶及华亚科成为标准 DRAM 生产基地, 美光将美国和新加坡的 DRAM 产能于 2013 年逐步转移到日本和台湾, 并且将 DRAM 的产能转成 Flash 就大大提升 DRAM 和 Flash 的产能规模, 其效应在 2014 年得以体现 SK 海力士生产 NAND Flash 的 M11 产线将会一直保持恒定的产出量, M12 则根据市场需求灵活调整 DRAM 和 NAND Flash 生产比重, 位于中国无锡工厂在 2013 年底扩充 25 亿美金的投资, 增加 DRAM 和 NAND Flash 先进工艺投入 五 DRAM 和 NAND Flash 生产互转, 牵动存储芯片产能变化由于 NAND Flash 与 DRAM 的生产设备差异不大, 上游芯片厂 DRAM 与 NAND Flash 产线转换生产, 调整产能产出的策略屡见不鲜 全球 Mobile DRAM 主要供应商仅限于三星 尔必达 SK 海力士 3 家, 尔必达的产能需要配合美光嵌入式存储 emcp/emmc 在手机中的应用, 三星的产能要满足自家的智能型手机需求,Mobile DRAM 市场供应量一直表现紧缺 2013 年开始智能型手机移动处理器进入四核世代, 推动 Mobile DRAM 平均容量由 1GB/2GB 向 2GB/4GB 提升, 对 Mobile DRAM 产能的消耗量增加了一倍, 同时 Mobile 来源 : 中国闪存市场网 图 10:NAND Flash 与 DRAM 产品对比表 厂商 东芝 三星 尔必达 产品名称 1ynm 64G ED3 K9ACGD8U0B 30nm 4Gb ECB440ABACN-Y3 X 产品尺寸 Y 单位 um um um 工艺 1ynm 19nm 30nm Qty per wafer(pcs) price 2.5 美金 2.5 美金 3.3 美金 总金额 * 90% 良率 1605 美金 1809 美金 2551 美金 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 DRAM 的销售利润又比 NAND Flash 高不少, 三星 SK 海力士等更趋向于把 NAND Flash 生产线改生产 Mobile DRAM 2013 下半年,SK 海力士中国无锡工厂在 9 月初起火爆炸, 该厂单月产能大约 15 万片, 其中大约 10 万片为 PC DRAM,3 万片为 Mobile DRAM 以及 MCP, 大约占全球 DRAM 供应量的 15%, 预计完全恢复生产需要延至 2014 年 1 月 无锡厂大约 4-5 个月的产能损失导致 DRAM 供应缺口增大, 各上游 据报道称, 为了填补无锡工厂所损失的产能,SK 海力士将京畿道利川 DRAM 工厂产能提升 30%, 清州 NAND Flash 厂的部分设备转移至利川作为 DRAM 产线设备用, 同时三星也有意提高 DRAM 供应量, 上游芯片厂调整生产线将影响存储芯片产能变化, 或对市场价格有一定的影响 芯片厂可能会通过转换生产线来平衡供应量 8

9 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 嵌入式存储产品 一 主流嵌入式存储产品 emmc 的发展 1.1 新 emmc 规范将接口传输速度提升至 400MB/s emmc 规范从 2008 年的 JEDEC V4.2 发展到 JEDEC V4.5, 理论写速度提升至 200MB/s,2013 年 10 月 JEDEC 固态技术协会又发布了 V5.0 规范 (JESD84-B50), 新标准通过引入 HS400 模式, 将接口理论写速度又提升了一倍, 从 200MB/s 升至 400MB/s, 同时因应用户需要进行设计改进, 简化了系统开发, 有效地降低了生产成本, 并加快新产品上市和升级速度,V5.0 规范中的重大改进大幅度提升高端移动设备的市场拓展度 如今 CPU 处理速度越来越快,NAND Flash 接口传输理论速度也已经达到 400MB/s, 再加上 emmc 接口速度的提升, 终端移动设备将更快速的执行多任务 网页浏览 下载软件 传输文件 拍摄高清视频, 以及运载大型游戏和办公软件, 带领终端移动设备进入高速传输时代 年 V4.5 开始替代 V4.41 规范成为 emmc 高端应用主流 2012 年 V4.41 规范的 emmc 是市场主流产品, 均采用 MLC NAND Flash 生产 2013 年 emmc 生产商不断提升 V4.5 规范的 emmc 生产量,V4.5 emmc 开始替代 V4.41 emmc 成为高端应用的主流, 同时采用 TLC NAND Flash 生产的 V4.41 规范 emmc 在低价优势的驱动下开始规模量产进入市场 由于 TLC NAND Flash 目前还无法达到 V 4.5 规范要求, 所以 V4.5 规范的 emmc 只会采用 MLC NAND Flash 芯片为主 随着 emmc 规范升级到 V5.0, 部分生产商在 2013 下半年开始送样 V5.0 规范的 emmc 产品, 预计 2014 下半年 V5.0 规范 emmc 有望成为高端市场主流, 而 V4.41 和 V4.5 规范的 emmc 由于具备价格优势, 还将继续保持一定的市场份额 据报道称, 三星 2013 年中已开始小批量生产 V5.0 规范 emmc 产品, 其容量为 16GB 32GB 和 64GB, 采用 1xnm NAND Flash 和自家的控制芯片 ; 东芝在年底也推出采用 19nm NAND Flash 生产的 V5.0 规范 emmc 产品, 均应用于下一代智能型手机和平板产品 其他 emmc 供应商闪迪 美光 SK 海力士以生产 V4.5 规范 emmc 为主,2014 年逐渐转向 V5.0 规范 emmc 生产 图 11:eMMC 标准的功能演进一览表 : Feature emmc4.4 emmc4.41 emmc4.5 emmc5.0 Mass Storage Boot Support Sleep Mode Reliable Write DDR I/F Partitioning Protection Modes (RPMB) Secure Write (Reliable Write) H/W reset HW Flash Lock(Reset pin) 1.2v IO High Priority Interrupt x Background Operations x Higher Speed 200MB/s throughput x x HS400 Packed Command x x Context ID x x Large sector 4KB size x x Power off notification x x (add sleep notification) Package case temperature x x RTC(Real Time clock) info x x Dynamic device capacity x x HS400 x x x Discard x x Cache x x x Sanitize x x Data tag x x 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 9

10 1.3 emmc 向更多应用领域深入渗透, 从贵族产品走向平民化 图 12:2013 年主要供应商最新 emmc 产品 2013 年是 emmc 市场需求应用爆发的真正元年 在 2013 年以前,eMMC 的应用仅局限于少数高端智能型手机 高端平板和车载 GPS 等行业应用中 厂商品牌 emmc 规格工艺 最大 容量 Flash 封装主要 规格 而 emmc 的价格也一直居高不下, 相对于 TSOP MLC NAND Flash 至少有 15-20% 以上的差价空间 2013 年随着 Android 系统的迅速普及, 特别是 Android 4.0 以上操作系统的迅速普及, 操作系统对 Flash 存储的最低要求已经上升到至少 2GB 空间, 还要考虑到存放数据, 备份数据等,Android 4.0 以上的产品都需要至少 4GB 的存储空间, 而采用传统的 TSOP SLC NAND Flash 已完全无法满足容量和性价比要求, 于是更多的 emmc 应用开始迅速普及 在低端平板和 OTT 网络播放盒等价格非常敏感的市场, 由于采用国产主芯片如全志 瑞芯 晶晨 炬力等平台, 都默认支持 TSOP MLC NAND, 大部分客户基于成本考虑, 首选了 TSOP MLC NAND, 但市场上的 TSOP NAND 资源参差不齐, 在 2013 年多家厂商出现 Flash 品质方面的问题, 也催生了部分客户开始更多的考虑 emmc 的意愿, 并在产品参考设计中兼容了 emmc 设 三星 Samsung emmc nm 64GB MLC/TLC 东芝 Toshiba emmc nm 64GB MLC 闪迪 SanDisk emmc4.5 19nm 64GB MLC 美光 Micron emmc4.5 20nm 64GB MLC SK 海力士 SK-Hynix emmc4.5 20nm 64GB MLC 江波龙 FORESEE emmc4.5 21nm 32GB MLC/TLC 金士顿 KSI emmc4.5 21nm 32GB MLC 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 图 13:2013 年 emmc 8GB 价格行情走势图 2013 年 emmc 8GB MLC V4.41 价格走势图 FBGA 11.5*13 FBGA 12*16 计 而在以联发科技为主的通讯平板市场 车载 GPS 智能数字电视 工业控制 游戏机 EBOOK 电子书, 包括中高端四核平板和运营商订制的 OTT 盒子等行业, 越来越多的客户希望有更好性能 更好稳定性的高性价比方案, 更多的客户开始选择 emmc 存储方案 在 emmc 供应厂商方面, 市场也从 2012 年闪迪和三星主导的局面, 变为多家均衡竞争的格局 在高容量 MLC emmc 市场, 三星 东芝 闪迪等继续保持综合优势, 而在中低端容量 emmc 市场, 三星, 东芝等专注以行业客户为主, 而模组厂金士顿和江波龙等开始在消费类市场占领更多市场份额 SK 海力士和美光则由于更加专注于 emcp 等市场, 在 emmc 市场的占有率很有限 展望 2014 年, 随着智能型手机大屏化, 通讯平板普及 OTT 盒子井喷发 最低价最高价平均价 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 展 智能数字电视普及等,eMMC 的市场应用范围将进一步扩大, 市场份额也 将进一步扩大 来源 : 中国闪存市场网 整理, 数据截止至 12 月 20 日, 单位 : 美金 10

11 年 emmc 价格行情走势 2013 上半年 V 4.41 规范 MLC emmc 依然是市场主流, 随着市场对高容量需求增加,2GB V4.41 MLC emmc 开始逐渐退出主流市场, 上半年价格走势相对稳定, 下半年受市场需求清淡影响, 价格下滑 5% 左右 4GB V4.41 MLC emmc 受惠于低价智能型手机 emcp 出货带动, 以及智能电视 机顶盒等内嵌存储需求增加, 上半年价格上涨 12%, 下半年价格持续下滑, 已跌到 3 美金左右了 8GB 16GB V4.41 MLC emmc 是智能型手机 平板主流需求,2013 年 Q1 受到上游供货紧缺以及需求持续增加的影响, 价格均表现微涨 由于 8GB 和 16GB 是上游供应商主力生产容量, 从 Q2 开始价格转为下滑走势, 全年跌幅均超过 20% 以上 32GB 价格主要应用于高端智能型手机 平板等产品上, 需求相对有限, 价格全年下滑 15% 左右 ( 注 :emmc 价格以平均价为基准 ) 2013 下半年,V4.5 规范 emmc 高端应用主流趋势逐渐形成, 主流容量从 16GB-64GB, 不过同等容量的价格要比 V4.41 规范 emmc 略高 V4.41 规范 TLC emmc 价格略低于 V4.41 规范 MLC emmc, 主要集中在低容量 4GB 8GB 为主 图 14:2013 年 emmc 16GB 价格行情走势图 2013 年 emmc 16GB MLC V4.41 价格走势图 来源 : 中国闪存市场网 整理, 数据截止至 12 月 20 日, 单位 : 美金 最低价最高价平均价 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 11

12 二 主流嵌入式存储产品在智能型手机市场的应用 2.1 主流嵌入式存储 emcp 的挑战和 emmc 的发展嵌入式存储方案在智能型手机中的应用由主芯片平台是否支持而决定, 其容量大小取决于客户的需要, 主芯片多核的发展和客户容量需求以及性价比直接影响到嵌入式存储方案的变化 目前智能型手机中主流嵌入式存储方案有 NAND MCP emcp POP(Package on Package) Mobile DRAM+eMMC 等 NAND MCP 存储方案, 容量为小容量的 1Gb+256,1Gb+512,2Gb+1Gb,4Gb+2Gb 其中的 NAND 配置均为 SLC NAND Flash,Mobile DRAM 为 LPDDR1 或 LPDDR2 由于单价低, 技术成熟, 在移动数据卡 低端智能型手机和高端功能机上还有不小的份额 不过受限于存储容量 处理速度较低等不足的影响, 只能用于 linux 操作系统或者 Android 低级操作系统 支持此方案的主芯片平台有 : 高通 MSM7X25A/7X27A, 展讯 SC8810, 联发科技 MT 6575/6517 等 [emcp 在智能型手机中将要面临的挑战 ] 中高阶智能型手机多采用 emcp POP(Package on Package)+eMMC 的嵌入式存储方案 emcp 与 POP+eMMC 相比价格有一定的优势, 是中端以及部分高端智能型手机采用的主流嵌入式存储方案, 其主要存储规格有 4+4 (emmc:4gb,lpddr1/2:4gb), 4+8(eMMC:4GB,LPDDR2:8Gb), 16+8 (emmc:16gb,lpddr2:8gb) 等 目前支持此方案的主芯片平台有 : 联发科技 MTK 657X,658X, 高通 8X2X,8X60, 展讯 6825/8825,Marvell 98X, 联芯 LC1815/1820, 博通 (Broadcom)281XX, 海思 K3 等 emcp 由于采用了高集成度的封装形式, 是智能型手机存储配置的首选方案 未来 emcp 的发展也将面临一些挑战 第一, 高频通讯, 减少干扰难度大 emcp 是将 LPDDR2 DRAM 与 emmc 封装在一起, 如果 LPDDR 和 emmc 封装在一起将影响高频通讯的质量, 更何况 LPDDR 部分与 CPU 线路设计本来就比较复杂,eMMC 协议又复杂, 且规范标准在不断升级, 很容易与主芯片平台调试出现兼容性等问题 ; 第二, 尺寸限制, 容量很难做大 emcp 中需要放多颗 NAND Flash 和 LPDDR2 芯片, 以及一颗控制芯片, 如果想增大 emcp 容量需要增加 NAND Flash 的堆叠量, 然而 emcp 标准尺寸是 11.5mmx13mmx1mm, 空间大小显然有限, 封装难度很大 ; 第三, 供应商屈指可数, 受手机大厂需求影响很大, 供应不稳定, 采购有一定风险 不过,eMCP 除了三星,SK 海力士在大量供货外, 美光收购尔必达后将加大 emcp 上市力度, 闪迪也在积极拓展 emcp 市场 图 15:eMMC 和 emcp 嵌入式存储方案配置方案主芯片平台 emmc:4gb,lpddr1/2:4gb 联发科技 MTK 657X,658X, 高通 8X2X,8X60, 展讯 6825/8825,Marvell emcp emmc:4gb,lpddr2:8gb 98X, 联芯 LC1815/1820, 博通 (Broadcom)281XX, 海思 K3 等 emmc:16gb,lpddr2:8gb POP 封装 MTK 659X, 高通 8064,89XX, 三星 emmc 搭配 8GB/16GB/32GB emmc Exynos 4412,nVidia Tegera 4 等来源 : 中国闪存市场网 整理 [emmc 在智能型手机中的发展 ] LPDDR 与 CPU 处理器进行 POP 封装, 外加一颗 emmc 芯片, 此嵌入式存储方案一直被三星 诺基亚, 联想等高端智能型手机所采用 目前支持此方案的高端主芯片平台有 :MTK 659X, 高通 8064,89XX, 三星 Exynos 4412, nvidia Tegera 4 等 2013 年四核智能型手机成长迅速, 研发八核智能型手机已经在造势, 随着 CPU GPU 性能不断提升, 再加上屏幕尺寸变大, 分辨率提高,Android 系统更新等, 智能型手机全面进入高配置时期, 客户也需要更大的存储容量, POP 封装形式将是智能型手机存储发展的大趋势 LPDDR 与 CPU 处理器进行 POP 封装, 线路设计简单, 可以较好地解决其高主频干扰等问题, POP 封装可以实现多通道通信, 高效率显示其优势, 预计 CPU 的封测成本会增加, 生产难度也会增大 不过, 可以进行 POP 封装的厂商比较多, 供应 emmc 的厂商也很多, 客户采购选择相对灵活, 而市场竞争会使价格迅速降下来 之前考虑到手机 PCB 基板空间有限, 才使用 emcp 存储方案, 如今智能型手机主流屏幕尺寸均在 4 英寸以上, 便没有尺寸的限制, 至于 emmc 容量, 2013 年已经有 128GB 容量的 emmc 量产了, 存储容量不是问题 12

13 2.2 智能型手机出货量将持续增加, 带动 emmc 需求成长 2013 年智能型手机市场发展势头如日中天, 依然是三星 Galaxy 和苹果 iphone 系列智能型手机引领高端市场发展, 同时国内手机品牌厂华为 联想 中兴等出货量增长迅速, 开始引领中低端市场成为智能型手机成长的新动力 据 IDC 预计 2013 年全球智能型手机出货量将超过 10 亿, 较 2012 年同期增长 39%, 到 2017 年可达到 17 亿的出货规模 [2013 年苹果 三星智能型手机出货量市占率或超过 50%] 高端市场, 三星凭借 Galaxy 系列产品热销,2013 年智能型手机季度销量一直居榜首 三星 Galaxy S4 从 2013 年 4 月开始上市销售, 首两月全球销量突破 2000 万,Galaxy Note 3 首两月出货量已达 1000 万,2013 年还发布 Galaxy S4 mini Galaxy S4 Zoom Galaxy S4 Active Galaxy Core Plus 以及可弯曲屏 Galaxy Round 等有特色性的智能型手机 据统计数据显示, 三星在 2013 年 Q2 季度销量已超过 7000 万,Q3 季度销量站上 8500 万, 在季度出货量上远远高于苹果 虽然三星和苹果在总出货量上差距很大, 但是苹果的新机冲量一直表现惊人 2013 年 9 月苹果 iphone 5s 开始销售,64 位 A7 处理器, 指纹识别以及时尚设计等为新品加分, 预计 Q4 整体 iphone 出货量超过 5000 万,2014 年 Q1 出货量将达 万 三星 苹果 2013 年智能型手机出货市占率将有望超过 50% 除了苹果 iphone 三星 Galaxy S4/ Note 3 引领高端市场发展外, 其他手机品牌厂也均有其高端智能型手机, 比如诺基亚 Lumia 1520,LG G2,HTC 旗舰机 HTC One MAX 摩托罗拉 Moto X 以及索尼 Xperia Z Ultra 等, 此类高端智能型手机主流搭载 16GB-64GB emmc, 是持续带动 emmc 需求成长的主动力之一 图 16:2013 年全球智能型手机出货量预估 [ 高端智能型手机市场需求趋缓, 中低端智能型手机需求成新生力量 ] 三星 Galaxy S4 虽然在首两月销量不错, 但从 6 月销量开始减少, 摩根士丹利曾将 2013 年 Galaxy S4 预期发货量从 7100 万下调至 6100 万, 市场销量低于预期 因为高端智能型手机需求下滑, 三星将原本 2014 年预计为 3.6 亿的智能型手机销量下调至 3.3 亿,2013 年预期为 3 亿 高端智能型手机饱和, 三星将把 2014 年业务重点放在中低端智能型手机和平板市场上 2013 年随着移动处理器核技术的演变, 智能型手机进入四核高配时代, 在用户体验上, 四核手机的性能足以满足消费者对视频 游戏等娱乐的应用 随着国内智能型手机品牌厂华为 联想, 中兴 酷派 小米等纷纷加入四核战局, 四核智能型手机开始进入中端市场, 且逐渐向低端市场蔓延 2013 年四核高配置智能型手机崛起, 且比三星 苹果手机更具价格优势, 让更多的消费者尤其是中国 印度等新兴市场, 开始考虑购买性价比高的智能型手机使用 据相关数据显示, 华为凭借 Ascend P6 四核旗舰机畅销,2013 年 Q3 智能型手机销量较 2012 年同期成长 60% 以上, 成功挤下 Q2 排名第三的 LG 联想凭借产品供应链先天优势在智能型手机市场也表现卓著,2013 年 Q3 智能型手机销量跻身全球前五名, 黑莓 诺基亚 HTC 等手机品牌厂排名五名之外 国内其他品牌厂中兴 酷派 小米等智能型手机也层出不穷, 带动中低端智能型手机市场规模不断扩大, 未来中低端市场将成为智能型手机成长主动力之一 中低端智能型手机的主流存储为 8GB 16GB, 虽然不敌高端市场 NAND Flash 消耗量, 但是随着四核智能型手机的不断增长, 预计存储容量将向 16GB 32GB 转移, 将以蚂蚁雄兵之势成为消耗 NAND Flash 的新生军 图 17:2013 年全球排名前五手机品牌厂智能型手机季度出货量 2012 年 2012 年 2012 年 2012 年 2013 年 2013 年 2013 年 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 地区 2013 出货量 2013 市占份额 2017 出货量 2017 市占份额 三星 亚太地区 % % 欧洲 % % 北美洲 % % 拉丁美洲 % % 中东和非洲 % % 总共 % % 苹果 华为 LG 联想 中兴 数据来源 :IDC, 单位 : 百万 数据来源 :Strategy Analysis,IDC, 单位 : 万 13

14 [4G LTE 需求将成为 2014 年智能型手机成长新动力 ] 2013 年 12 月中国工信部正式向 3 家营运商发布 TD-LTE 的 4G 牌照, 有关人士透露, 中国电信预计 2013 年和 2014 年在 4G 方面的总投资将超过 550 亿元 ; 中移动 2014 年将推出三星 iphone HTC 中兴等超过 100 款 4G 手机,2014 年 TD-LTE 手机销售目标 1 亿 ; 中国联通也计划 2014 年推出 150 款以上 4G 手机 手机芯片厂联发科技 2013 年底推出名为 MT6290 的 LTE 4G 芯片, 高通也推出整合 4G LTE 的高通骁龙 Snapdragon 410 芯片组, 手机品牌厂三星 Sony 宏达电 LG 以及国内手机品牌厂华为 联想 中兴 酷派 天宇等均表示大力发展 TD-LTE 终端, 预计 2014 年各手机品牌厂将会把 4G 手机出货比重提升到 30% 以上, 带动智能型手机市场规模不断扩大 三 主流嵌入式存储产品在平板市场的应用 2013 年平板市场依然是苹果的 ipad 销量独大, 三星 谷歌 亚马逊 联想 华硕等品牌厂平板出货呈现稳定增长趋势, 而白牌平板在低价优势下异军突起, 销量惊人 据 IDC 预估,2013 年全球平板出货量将达 亿, 同比增长 53.5%,2014 年将增长至 亿 3.1 苹果 ipad 销量依然领先, 三星平板销量稳定增长欲夺霸位苹果以 ipad 系列平板一直稳居平板出货排名榜首位, 凭借 ipad mini 和 ipad 4 销售带动, 据 IDC 数据显示,2012 年 Q4 出货超过 2000 万,2013 年 Q1 依然接近 2000 万的出货量, 由于 Q2 和 Q3 没有新 ipad 销量刺激, 均维持在 1400 万左右 不过 Q4 苹果发布了 ipad mini 2 以及 ipad Air, 预计 Q4 销量将有望提升至 2400 万,2013 年 ipad 出货量将达到 万台 苹果的 ipad 系列除了 ipad mini 存储容量没有 128GB 外, 其他的 ipad 均搭载 16GB-128GB 的 emmc, 是消耗 NAND Flash 主要产品之一 三星凭借 Galaxy Tab 和 Note 系列平板,2013 年季度出货一直保持持续增长趋势, 位居第二 2014 年三星将注重于平板产品的发展, 将原预期 4200 万平板年出货量上调至 1 亿, 有意争夺苹果霸主地位, 其他平板品牌厂华硕 联想 宏基等销量稳定增长 三星 华硕等品牌平板也搭载 16GB 以上的 emmc, 部分低端平板采用 8GB emmc, 为了应用高速需求以及大容量储存客户, 部分平板搭载 msata 接口 32GB-128GB 容量的 SSD 图 18:2013 年全球排名前五的平板品牌厂平板季度出货量 2012 年 Q 年 Q 年 Q 年 Q3 苹果 三星 华硕 亚马逊 微软 联想 宏碁 数据来源 :IDC, 单位 : 万 年全球白牌平板芯片出货将达 1.3 亿, 抢食平板市场份额 [ 国内芯片厂 联发科技等低价冲量, 低端平板市场竞争进入白日化 ] 以国内平板芯片厂全志 瑞芯 晶晨等引领的白牌平板销量惊人, 同时联发科技也在平板市场发力, 预计 2013 年全球白牌平板芯片出货量将达 1.3 亿颗,2014 年出货量将有望攀升至 亿颗 全志是国内平板芯片出货量最大的厂商,2013 年主打四核的芯片有 A31/A31S, 还新推出了两款双核芯片 A20/A23, 预计在 2013 年平板芯片出货量将达 4500 万颗 ; 瑞芯作为平板芯片供应商之一,2013 年也有一款主打四核的芯片 RK3188, 也新推出了两款双核芯片 RK3168 和 RK3028, 预计全年平板芯片出货量可达 3500 万颗 其他平板芯片厂晶晨 AML8726 全系列芯片主要面向平板市场, 预计全年出货量达 700 万颗, 晶晨的芯片更多的是用在智能电视 IP 机顶盒等产品上, 预计有 1500 万颗 炬力四核芯片 ATM7029 在 2012 年 10 月就已经发布,2013 年又首推第二款四核芯片 ATM7039, 再加上单核 ATM7013/ATM7019 双核 ATM7021 芯片, 预计全年芯片出货量将达 万颗 2013 年除了全志 瑞芯 晶晨等国内平板芯片厂出货表现优越外, 联发科技由于具有 3G 通讯平板的整合优势, 也开始在平板市场全面发力, 且几乎垄断了 3G 通话平板的主要市场 联发科技 MT8377 双核芯片在 2013 年大规模量产, 随后又发布 MT8125 MT8135 MT8389 MT8382 多款平板芯片, 皆具有高集成 高性能 低功耗等特性, 受到不少国内平板品牌厂的青睐, 预计联发科技 2013 年平板芯片出货量可望超过 2000 万颗,2014 年将会有 6-8 款平板芯片推出, 出货量预计将超过 5000 万颗, 届时将会抢占不少非 ipad 平板的市占率 国内平板芯片厂与联发科技在 2014 年出货将猛增, 市场竞争也越演越烈 14

15 [ 低端平板采用 NAND TSOP+DDR3 嵌入式存储方案 ] 白牌平板在低价优势下销量惊人, 已远超于品牌平板, 白牌平板之所以能把价格做的很低, 与嵌入式存储方案有很大的关系 根据市场了解,2013 年国内平板芯片厂全志 瑞芯 晶晨 炬力等平台大部分都是采用 2Gbx8bit DDR3 搭配 NAND TSOP 的嵌入式存储方案, 而不是低功耗 LPDDR2 搭配 emmc LPDDR2 虽然比 DDR 3 功耗低, 但是 DDR3 在价格上便宜很多,NAND TSOP 相对于 emmc 价格也低一些, 预计可以帮助厂商削减大约 20% 以上的生产成本 其次,NAND TSOP 采购相对容易, 低功耗 LPDDR 全球能够大规模稳定供应的只有三星 尔必达 SK 海力士 3 家, 而且智能型手机会大量消耗 LPDDR2, 不仅有采购风险, 而且厂商没有议价的主导权 至于产品上市周期和功耗, 采用 emmc 和 NAND TSOP 都需要时间调试兼容性等问题, 而 LPDDR2 和 DDR3 在功耗上差距并不是太大, 可以通过增加电池容量或降低其他零组件功耗等方案进行改善 低端白牌平板由于价格敏感, 部分厂商被迫采用相对劣质或者冒牌的 DDR3 和 NAND TSOP,2013 年导致市场较多质量事故发生, 严重影响了平板行业整体的质量形象, 很多平板厂商感叹说, 当一些厂商到了无底线的时候, 对整个行业都是致命的打击 另外一方面, 由于各 NAND Flash 原厂不断改进技术制程,2014 年 TLC NAND Flash 的价格相对于 MLC NAND Flash 优势将更加明显, 更麻烦的是随着 NAND Flash 制程的改变, 特别是平板主芯片已升级到四核和八核, 会进一步增加平板芯片厂商对 NAND TSOP 的技术支持难度和复杂度, 各家 NAND Flash 原厂都在积极推动平板厂商更多的使用 emmc, 以提高平板的产品质量和降低返修率 [ 低端平板多核发展, 带动 emmc 需求猛增 ] 2013 年大部分平板芯片厂均推出了四核芯片, 同时也发布了新双核芯片, 据产业相关人员介绍, 白牌平板中大约 60% 依然是单核芯片, 双核芯片大约占 30%, 四核芯片市占率才达到 10% 单核芯片平台由于要求最低成本, 主要规格为 4GB NAND TSOP+512MB DDR3, 双核和四核芯片平台大多都支持 emmc, 但目前使用还是以 NAND TSOP 为主, 主要规格 8GB NAND TSOP/eMMC+1GB DDR3, 当平板芯片发展到八核, 均只支持 emmc 为主, 主要规格 16GB /32GB emmc+2gb DDR3 随着国内平板芯片厂四核芯片由 15 美金以上降至 10 美金以下, 双核芯片价格甚至下探至 5 美金以下, 低价效应将使更多的客户向双核 四核转移, 同时从 2014 年开始各平板芯片厂将减少或者停产单核芯片 预计 2014 年双 图 19:2013 年主要芯片厂平板芯片出货预估 2013 年主要芯片厂平板芯片出货量情况 全志瑞芯联发科英特尔晶晨炬力来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考单位 : 万图 20: 平板主流内嵌式存储解决方案核结构存储配置平板芯片平台平板代表产品 单核 4GB NAND 全志 A10/A13, 瑞芯六虹 V5, 台电 A70, TSOP+512MB DDR3 2926/2928 酷比魔方 U25GT 等 4/8GB NAND 全志 A20/A23, 瑞芯 索立信 S10, 台电 双核 TSOP/eMMC 3168/3066, 晶晨 P98, 联想 A2207 等 +1GB DDR3 MX,MTK 8377/8312 四核 8/16GBeMMC+1GB LPDDR2 全志 A31/A31S, 瑞芯 3188/3168, 晶晨 M8,MTK 8389/8382, 炬力 台电 P98HD, 原道 N90, 纽曼 M11 等 7029/7039 八核 16/32GB emmc+2gb - - LPDDR2 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 核芯片出货量将远远超过单核, 四核芯片将在芯片厂主推驱动下, 市占率有望 提升至 40%, 再加上部分芯片厂八核芯片的推出, 主流存储容量将会从 4GB/8GB 提升至 8GB/16GB,eMMC 需求量将出现跳跃性的增长, 届时将大 幅增加对 NAND Flash 产能的消耗量 15

16 [99 美金以下将成为低端平板市场主流价位 ] 高端平板市场被苹果的 ipad 垄断, 中端市场的品牌平板受到白牌平板低价冲击, 销售一直表现平平, 白牌平板销量之所以惊人, 低价是最巨大的吸引力 2013 年品牌平板厂之间竞争激烈, 白牌与白牌平板之间拼低价, 白牌平板售价由原先 199 美金降至 149 美金, 甚至进一步下探至 99 美金, 预计 2014 年低端平板市场主流价位将落在 99 美金以下 白牌平板之所以低价, 源于中国庞大的产业零组件供应链和生产制造体系, 除了主要组件处理器 存储器 屏幕等, 中国是其他零组件最大供应地区, 不仅可以把价格做的很低, 又能快速量产并达到质量标准 同时中国还是个庞大的消费群体, 可以有效的, 快速的知晓产品市场反应情况, 做出相对应的改善, 适应市场的发展 虽然白牌平板价格低廉 销售量也非常大, 但产品利润很低, 长期运营很难得到保障, 产品创新业务也受到限制 未来企业长远发展以及产品内容多样化和软件应用的创新, 是国内平板厂商所要面临的考验 3.3 英特尔 BayTrail 低功耗移动处理器 SoC 平台对平板市场的影响正当平板市场战局如火如荼之际, 英特尔发布了首款专门面向平板的凌动芯片 Z3000 系列 ( 研发代号 Bay Trail-T ), 支持 Windows 8.1 和 Android 操作系统, 进入平板市场 英特尔不仅拥有强大的研发实力以及先天供应链优势, 还联袂深圳厂商展开全面部署, 并投资 10 亿美金做推广计划, 定下 2014 年平板芯片出货 4000 万颗的目标量 2013 年英特尔推出代号为 BayTrail 的移动处理器 SoC 平台, 主攻中低端 Windows 平板市场, 这种平板接上键盘就可以当普通笔记本电脑使用, 也可以运行安卓操作系统进行娱乐, 因此也称 2 in 1 device 对于 BayTrail 平台产品的开发, 英特尔给予 PC/ 平板厂商大力的价格和技术支持, 希望有更多的厂商参与进来 BayTrail 平台主要有 BayTrail-M 和 BayTrail-T 两款 CPU, 由于接口和架构的区别, 这两款 CPU 采用的存储方式也不同 BayTrail-M 与传统的 CPU 更相近, 采用 SATA 或 PCIe 作为存储接口 ; 而 BayTrail-T 则采用 emmc 作为存储, 这跟基于 ARM 的移动平台更为相近 emmc 相比 SATA SSD 集成度更高 功耗更低 体积更小, 更适合移动平台的应用 目前只有一线 PC 厂, 如 : 联想 戴尔 华硕等推出了基于 BayTrail-T 的 Windows 平板产品,2014 年会有更多的厂商加入 如果是作为 Windows 平板使用, 则存储以 V4.5 规范 emmc 32GB 和 64GB 为主, 如果是安卓平板, 则存储为 V4.5 规范 emmc 8GB 起 图 21: 英特尔 BayTrail 低功耗移动处理器 SoC 平台 Baytrail-T SoC Baytrail-M SoC 16

17 四 主流嵌入式存储在新兴市场的应用随着手机 平板产品智能化兴起, 个人视频 音乐 通信 分享 娱乐等开始逐渐渗透到家庭 生活应用中, 比如智能电视 穿戴式产品 智能机顶盒, 智能路由器等 此类产品均搭载开放式操作系统, 配备高频 CPU 处理器, 内置 NAND 存储等, 是下一代智能化产品的代表 智能电视经过两年时间的发展, 核心竞争力开始从硬件 软件提升到平台 应用的内容综合服务, 在互联网时代浪潮下, 传统电视品牌厂与互联网企业合作 比如 : 创维和阿里合推 酷开 品牌电视,TCL 和爱奇艺联手推 TV+ 互联网电视等 同为互联网企业的乐视则与富士康建立供应链关系, 与易迅网加强渠道优势, 推出 X40 X50 X60 超级电视, 且首次的预购均在 1 小时以内售完 具有网络营销模式基础的小米也推出了自有品牌电视, 康佳推出互联网品牌 KKTV 互联网企业的加入将使智能电视市场规模不断扩大, 其内嵌 4GB/8GB emmc 需求随之增长 电视智能化发展让盒子市场也热闹起来, 互联网企业小米 乐视 阿里巴巴分别推出小米盒子 乐视盒子 阿里盒子, 为了加强产品推广度, 阿里巴巴还策划在购物狂欢节免费送天猫魔盒等活动 2013 下半年国内盒子市场出现 了爆发性的增长, 出货量从年初的每月 50 万台左右, 激增到年底的每月近 200 万台, 预计 2014 年至少有 2 倍以上的增长幅度 由于 OTT 盒子的主体市场是互联网公司和传统的通讯运营商, 除了对价格敏感外, 也需要系统更加稳定, 达到电信级的运营要求, 因此直接使用 NAND TSOP 很难满足终端客户的需求, 预计低容量 emmc(4/8gb) 在 2014 年在盒子市场将更加普及和加快应用 除了电视 电视盒子等产品智能化发展外, 三星 谷歌 索尼 佳明 耐克等抢进穿戴式电子设备领域, 推出的智能手表 智能手腕各具创意 百花齐放,Canalys 曾预计 2013 年智能手表出货达 50 万,2014 年出货量将增 10 倍达 500 万 此外, 小米在 2013 年底推出小米路由器, 其他企业百度 360 和盛大等也在研发智能路由器产品, 预计 2014 年会有更多的新品上市 智能手表 智能路由器均搭载 4GB/8GB emmc 容量,2014 年出货量的增长将带动 emmc 需求翻倍 在众多智能设备上网环境下, 多屏互动 分享 娱乐 游戏等应用开始形成以家庭为单位的移动互联网小时代, 未来会延伸出更多的家庭智能产品, 比如智能监控 智能家庭影院 智能家电等, 届时物联网的催生下, 家庭存储将应运而生,SSD 存储方案或将进入家庭应用 图 22: 新兴智能产品嵌入式存储解决方案 新应用产品主流存储方案主要厂商代表产品 智能电视 4GB/8GB emmc+1gb /2GB DDR3 小米 乐视 TV TCL 等 乐视超级电视, 小米电视等 智能手表 / 手腕 4GB/8GB emmc+1gb /2GB DDR3 索尼 三星 土曼 谷歌等 SW2,Galaxy Gear,T-Fire,Google Gem 等 智能盒子 4GB emmc+1gb DDR3 小米, 阿里, 百度,360 小米盒子, 天猫盒子等 智能路由器 4GB emmc+1gb DDR3 小米, 百度,360, 盛大等小米路由器等 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 17

18 NAND Flash 相关产品应用市场 - -SSD( 固态硬盘 ) 存储产品 一 NAND Flash 技术发展推动 SSD 成本下降 1.1 生产 SSD 的 NAND Flash 由 2xnm 转向 2ynm, 成本降低 2013 年上游芯片厂三星 东芝 美光 SK 海力士将生产 SSD 的 NAND Flash 纳米制程技术由 2xnm 转向 2ynm, 进一步降低了生产成本 以东芝工艺技术为例, 以前采用 24nm 技术可以把 12 吋 64Gb/Die 的 MLC Wafer 切割出 500 多片,19nm 技术能切出 800 多片, 以每个 Wafer 按 1500 美金成本计算, 单个 64Gb Die 价格由 3.5 降低到了 2.5 美金, 那么 128GB(64GbX16) 价格将由 66 美金下滑至 50 美金, 生产成本降低 26% 1.2 SSD 主要供应商大规模生产 2ynm NAND 的 SSD 2013 年 SSD 主要生产商三星 东芝 英特尔 美光等不断推出面向消费 服务器市场的新 SSD 产品, 且将生产 SSD 的 NAND Flash 制程技术推向 2ynm 时代, 估计 2ynm 的 SSD 生产成本较 2xnm 降低 20% 以上,2014 年将全面进入 1xnm 时代, 届时 SSD 生产成本将进一步下滑 2013 年大多数新推出的 SSD 依然以 MLC NAND Flash 生产为主, 三星 2012 年发布 TLC 840 和 840 Pro 系列 SSD 之后,2013 年推出采用 19nm 的 840 Evo 系列新 SSD 面向消费市场, 同时还推出 XS1715/SM843T 等系列 SSD 面向企业级和数据中心服务器市场 东芝也推出面向消费市场采用 19nm 的 THNSNF 系列 SSD, 以及采用 SAS 接口 PX02SM 系列 SSD 面向服务器市场 ; 英特尔推出面向消费市场的新 530 和 335 系列 SSD, 以及应对服务器市场的 DC 3500 系列 SSD, 均采用 20nm NAND Flash; 除此外, 美光 闪迪 金士顿等均推出了面向不同市场的 SSD 产品 图 23: 主要供应商 SSD 最新产品 厂商代表产品 NAND 架构工艺控制芯片容量接口 Samsung Toshiba Intel SanDisk Micron 840 Evo MLC 19nm Samsung MEX 120GB-1TB SATA III 840 Pro MLC 21nm Samsung MDX 64GB -512GB SATA III XS1715 MLC 21nm Samsung MDX 400GB-1.6TB PCIe SM843T MLC 21nm Samsung MDX 120GB-960GB SATA III THNSNF MLC 19nm Toshiba 64GB-512GB SATA III PX02SM emlc 24 nm Toshiba 200GB-1.6TB SAS 530 MLC 20nm SandForce 80GB-180GB SATA III 335 MLC 20nm SandForce 80GB-240GB SATA III DC S3700 MLC 25 nm Intel 100GB-800GB SATA III DC S3500 MLC 20nm Intel 80GB-800GB SATA III X110 MLC 19nm Marvell 64GB- 256GB SATA III X210 MLC 19nm Marvell 128/256/512GB SATA III Extreme II MLC 19nm Marvell 120GB-480GB SATA III M500 MLC 20nm Marvell 120GB-960GB SATA III P420m MLC 25nm Marvell 1.4TB, 350GB, 700GB PCIe 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 18

19 1.3 3D NAND Flash 技术将促使 SSD 容量大增, 价格下降上游芯片厂三星 东芝 美光等已经开始规划 3D NAND Flash 技术, 三星首发的 3D NAND Flash 芯片最先用在 SSD 上, 存储容量高达 480GB 960GB, 锁定的是企业级市场 3D NAND Flash 不仅促使 SSD 存储容量能达到 TB 级, 同时性能得到进一步提升, 功耗降低 虽然三星还未公布其 3D SSD 价格, 从 3D NAND 架构考虑, 成熟后的 3D 技术可让 SSD 生产成本降低不少 现在云计算 企业私有云 云端存储兴起, 互联网时代下的数据中心存储规模持续扩大, 更需要大容量高速传输的存储设备才能满足 3D SSD 存储容量向 TB 级发展, 低成本 低功耗 高传输等特点正因应了服务器市场的需求发展 不过, 从目前上游芯片厂 3D NAND Flash 规划来看, 预计到 2015 年才会小批量生产, 想把 3D NAND Flash 技术用在 SSD 上, 还待技术成熟 控制芯片的支持, 以及在实际应用的考验 二 SSD 接口从 SATA III 向 PCIe 过渡无论是普通消费市场, 还是 OEM/ODM 市场, 目前都以 SATA III 接口为主 SATA III 接口的传输速率是 6Gbit/s, 理论带宽为 600MB/s, 再往下发展, 就将过渡到 PCIe 接口, 以 PCIe Gen2 x2 为例, 理论带宽可以达到 1GB/s PCIe 接口的过渡, 有两个推动力 : 第一,2013 年年中苹果推出的新一代 Macbook Air 已经搭载了 PCIe Gen2 x2 SSD, 将 2014 年新一代 Macbook Air 预期升级至 PCIe Gen2 x4 SSD 的可能性很高 在苹果快速将 PCIe Gen2 SSD 导入自家 PC/NB 产品下, 其他 PC 品牌竞争者势必将迅速跟上 第二, 微软的 Windows 8.1 操作系统和英特尔下一代的 CPU 芯片 -Broadwell 在 2014 年也会开始内建支持 PCIe Gen2 SSD 的驱动程序, 意在看好 PCIe Gen2 SSD 的发展潜力, 同时降低了大多数 SSD 控制芯片厂进入 PCIe Gen2 接口的门坎 OEM/ODE PC/NB 厂未来主流的 SSD 形态是 NGFF PCIe 接口, 根据 NGFF 定义, 最多可以支持到 PCIe X4 通道, 如果采用 PCIe Gen3 接口, 最高理论带宽可以达到 4GB/s, 这个规格的定义, 足于满足客户端市场在未来几年对存储接口带宽升级的需求 图 24: 接口最高理论带宽比较接口类型最高理论带宽 SATA III 600MB/s PCIe Gen2 x1 500MB/s PCIe Gen2 x4 2GB/s PCIe Gen3 x1 1GB/s PCIe Gen3 x4 4GB/s 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考图 25: 客户端 SSD 接口发展趋势来源 :Marvell 和市场数据图 26: 存储接口带宽 来源 : 互联网 19

20 三 控制芯片厂推动 SSD 成本降低, 接口由 SATA III 向 PCIe 过渡 3.1 台系控制芯片厂推出低成本 SATA III 芯片推动 SSD 成本降低 SATA III SSD 市场之前主要有三款代表性控制芯片 :LSI 的 SF-2281 Marvell 的 88SS9187/88SS9174 和三星的 SATA3 控制芯片 ( 满足三星全系列 SATA SSD 产品 ), 这三颗控制芯片实现了 SSD 从 SATA II 到 SATA III 接口的过渡, 并让 SATA III 接口 SSD 得以普及, 但是对于非 Flash 原厂的模组厂, 采用这些控制芯片来生产 SSD 存在一定门槛 采用 LSI 或 Marvell 控制芯片生产 SSD 的门槛和困难 : 1. 价格昂贵, 刚推出的时候控制芯片价格在 20 美金以上, 现在也还在 10 美金以上 ; 2. LSI 主要精力在于支持英特尔 东芝等大厂, 对中小型厂商支持力度不够, 又不开放固件 ; 中小型厂商无法快速响应 OEM/ODM 厂商的服务需求, 迅速解决问题快速出货 ; 3. Marvell 开放固件, 但需要昂贵的 LICENCE 费用和较大的研发投入, 很多厂商望而止步, 但这其中也有成功案例, 如 Lite-On 公司 ; 2013 年台系控制芯片厂纷纷推出低成本 SATA III 控制芯片, 降低控制芯片成本的同时能够提供接近 Marvell LSI 解决方案的性能, 并且能够支持主流工艺制程的 MLC NAND Flash, 这让很多的 Flash 产品厂商能够有开发生产有竞争力 SATA III 接口 SSD 产品的可能 代表性的控制芯片型号有智微的 JMF667H 慧荣的 SM2246EN 和群联的 PS3108/PS3109 智微和慧荣只提供控制芯片和 SATA III SSD 解决方案给客人, 而群联还自主生产 SSD 并进行销售推广 相比 LSI 和 Marvell 控制芯片的高门槛, 台系厂能够提供更有竞争力的解决方案和技术支持, 控制芯片价格可以降到 6 美金以内 图 27:SF-3700 结构图 来源 : 仅供参考 图 28: 主要控制芯片厂控制芯片情况 控制芯片厂 型号 支持接口 支持支持最 NAND 大容量 ECC 技术 LSI-SandForce 3700 系列 SATA III/PCIe SLC/MLC 2TB LDPC 或 TLC Marvell 88SS9187 SATA I/II/III SLC/MLC 960 GB BCH 慧荣 SM2246EN SATA I/II/III SLC/MLC 256GB BCH 群联 PS3109 SATA I/II/III SLC/MLC 256GB BCH 智微 JMF667H SATA I/II/III SLC/MLC 256GB BCH 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 3.2 控制芯片厂开始支持 PCIe 接口和 TLC NAND SSD 接口将从 SATA III 向 PCIe 过渡, 而存储介质则由目前的 MLC 向 TLC 和 3D NAND 过渡, 这个技术的升级和过渡, 同样需要控制芯片技术的推动, 在 PCIe 控制芯片上面,Marvell 三星和 LSI 依旧是业界领先者 Marvell 先后推出了 88NV9145 控制芯片 (PCIe Gen2 x1) 和 88SS9183 控制芯片 (PCIe Gen2 x2), 2013 版 MacBook Air 11 采用的 PCIe SSD 就是基于 88SS9183 控制芯片 三星针对 Client 市场推出 2.5 英寸 PCIe Gen2 SSD, 支持 AHCI Command set 和 512GB/256GB/128GB 容量 ; 针对数据中心市场, 推出 XS 英寸 SFF-8639 FORM FACTOR SSD, 支持 400GB/800GB/1600GB 容量, 为 PCIe Gen3 x4 接口并支持 NVMe Command set 20

21 LSI 近期推出了 SF-3700 系列控制芯片, 可以支持 PCIe Gen2 x4 和 SATA III 两种接口, 亦可支持 NVMe 和 AHCI 两种 Command set, 此控制芯片将像过去 SF-2281 推动 SSD 从 SATA II 向 SATA III 过渡一样, 推动 SSD 从 SATA III 向 PCIe 过渡 在 Client 市场更低价格和更高容量需求的推动下,SSD 开始采用 TLC NAND,TLC NAND 可实现成本更低 存储密度更大, 但成本降低的同时采用 TLC NAND 生产 SSD 的 endurance 和 performance 问题需要通过控制芯片技术来解决 TLC SSD 的典型代表就是三星的 PM841 系列 Client SSD, 目前已经得到广泛应用 目前由 SATA III 控制芯片搭配 MLC NAND 还是主流, 包括三星 21nm/19nm MLC 东芝 19nm MLC 和美光 20nm MLC NAND Flash 为了满足 SATA III 600MB/s 的高带宽需求, 厂商往往采用同步接口 Flash 芯片生产 SSD 产品, 一般为 Toggle 2.0 接口或 ONFI 3.0 接口, 搭配 MLC 的 SSD 控制芯片采用传统的 BCH 纠错算法 台系控制芯片厂也在规划 TLC SATA III 和 PCIe 控制芯片, 预计会在 2014 上半年推出支持 TLC NAND 和 SATA III 接口的控制芯片, 而支持 PCIe 接口会在下半年推出 对于 TLC SATA III 控制芯片, 部分厂商采用 LDPC 纠错算法, 能够进一步延长 TLC Flash 的使用寿命, 使得低成本 TLC BASE 的 SSD 产品更有竞争力 四 SSD FORM FACTOR 转向 NGFF 和 SATA EXPRESS SATA SSD 的 FORM FACTOR 包括 2.5 英寸 half-slim msata M.2 (NGFF) BGA 等多种形态 目前 OEM/ODM 的市场, 主流还是 SATA III 的 msata, 并已经在向 SATA III 的 M.2(NGFF) 过渡,2014 年 SSD 接口开始过渡到 PCIe,OEM/ODM 市场将主要采用 NGFF PCIe, 最多可以支持到 PCIe x4, 如果是 PCIe Gen3 x4 理论带宽可以到 4GB/s 2.5 英寸部分, 随着接口到 PCIe 的过渡,FORM FACTOR 也将过渡到 SATA EXPRESS, 类似 M.2 NGFF 的方式,SATA EXPRESS 在同一个物理接口上面定义了各种不同信号, 包括 SATA SAS 和 PCIe 图 29:mSATA 和 M.2 大小对比 来源 : 互联网 图 30:SFF-8639 接口信号定义 来源 : 互联网 图 31: 接口和 FORM FACTOR 趋势 来源 : 互联网 21

22 五 SSD 主要应用市场的发展 2013 年 SSD 在 PC NB 等电子产品为主的消费性市场需求稳定增长, 随着移动互联网对数据存储要求的提高,SSD 在服务器市场需求大增, 同时价格降低促使 SSD 在行业应用增加 消费性市场 服务器市场 行业应用为主的三大领域推动 SSD 市场规模不断扩大, 据 IHS isuppli 预计,2013 年 Q3 SSD 季度销量超过 1800 万台, 年出货有望超过 6000 万台,2014 年出货量将持续增加 消费性市场 - -[ 未来 PC 维持 3 亿左右出货量,SSD 需求稳定增加 ] 2013 年 SSD 主要生产商三星 东芝 英特尔等不断面向消费市场推出新系列 SSD, 比如 : 三星 840 Evo 系列, 英特尔 335 系列, 美光 M500 系列等 SSD 凭借传输速度快 尺寸小 功耗低 稳定性高等优势在消费市场的应用逐步提高, 带动 SSD 出货量一直表现为增长的趋势 进一步分析,SSD 在消费市场的应用主要体现在台式 PC NB 超极本等电子产品上, 2013 年 OEM/ODM 厂联想 华硕 惠普 戴尔等为了满足高端消费客户对高速享受 轻薄体验的需求, 均不断推出搭载 SSD 的笔记本 超极本等产品, 容量从 GB 不等 同时为了实现小部分消费者对开机 程序加载等提速要求, 采用小容量 32GB/64GB SSD+HDD 混合存储 ; 据 IDC 预计 2013 年全球 PC( 笔记本 + 台式 PC 等 ) 出货量将达 3.15 亿台, 虽然 PC 出货量受平板 智能型手机需求冲击持续下滑, 但是平板 智能型手机仅限于通信 娱乐 网页浏览等应用, 日常办公依然需要通过 PC 来完成, 未来几年 PC 依然维持 3 亿左右的出货量,PC 庞大的出货量奠定了 SSD 的需求量 另外, 为了实现平板便捷式操作优势,OEM/ODM 厂还研发出二合一笔记本, 既可当平板用, 也可以当电脑用, 比如 : 联想 Yoga11S 微软 Surface Pro 索尼 Tap 11/Duo 13 戴尔 XPS 11 等, 此类组合产品的存储均搭载 64GB-512GB SSD 市场现有的很多高端游戏玩家 企业用户的商用电脑等通过零售渠道购买 SSD 替换 HDD 机械硬盘, 达到速度升级的目的 这些市场需求一直持续推动 SSD 在消费性市场的成长 图 32:2013 年全球 SSD 季度出货量 2013 年全球 SSD 季度出货量 年 Q 年 Q 年 Q 年 Q 年 Q 年 Q 年 Q3 数据来源 :IHS isuppli, 单位 : 万 图 33: 未来几年 PC 将维持一定的出货量 年全球 PC 出货量走势图 注 :PC 出货量包括笔记本, 台式 PC, 数据来源 :IDC, 单位 : 百万 22

23 消费性市场 - - [ 成本降低, 加速 SSD 在消费市场的渗透率 ] 虽然 SSD 出货量一直在上升, 但是除部分高端消费者采用 SSD 存储外, 其他普通消费者依然采用 HDD 存储, 因为消费市场对产品性价比很敏感 虽然搭配 SSD 的笔记本性能优越, 但是售价较高, 而 HDD 性能基本满足大多数消费者使用需求, 而且售价相对较低, 以致 SSD 在消费市场渗透率缓慢, 暂时还无法大规模取代 HDD 成为市场主流 随着 2013 年 SSD 采用的 NAND Flash 生产成本以及控制芯片厂 SATA III 控制芯片价格降低,SATA III 接口的 SSD 价格进一步下滑 据中国闪存市场网的报价显示,64GB 价格由年初的 46.8 美金下跌至 42.7 美金, 下滑 9% 左右 ;128GB 价格由 80 美金下跌至 70 美金, 下滑 13%;256GB 价格由 美金下跌至 124 美金, 大幅下滑 20%,512 价格由 368 美金下跌至 美金, 下滑 15% ( 注 :SSD 跌幅以平均价为基准 ) 2013 年 SATA III 接口的 SSD 价格下滑 10%-20%,2014 年将持续走跌, 同时 SSD 控制芯片厂在 2014 年不断增加对 TLC NAND Flash 和 PCIe 接口的支持, 预计下半年低价 TLC SSD 将进入消费性市场应用, 年底 PCIe 接口的 SSD 会在高端笔记本上成为主流 图 34:2013 年 SSD 128GB 256GB 价格行情走势图 2013 年 2.5" SSD SATA3 128GB 价格走势图 最低价最高价平均价 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月来源 : 中国闪存市场网 整理, 数据截止至 12 月 25 日, 单位 : 美金 2013 年 2.5" SSD SATA3 256GB 价格走势图 170 最低价最高价平均价 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 来源 : 中国闪存市场网 整理, 数据截止至 12 月 25 日, 单位 : 美金 23

24 服务器市场 - -[ 移动互联网时代刺激下, 服务器市场 SSD 需求增 ] 服务器市场对 SSD 的需求量在 2013 年的成长是最大的, 随着智能型手机 平板等移动产品销量持续增长,IDC 预计 2013 年全球智能上网设备出货量达 15 亿,2014 年将超 17 亿 与此同时 2013 年 2G 用户向 3G 转移趋势明显, 就连餐厅 肯德基 电影院等场所也与时俱进提供 WIFI 上网功能 在智能设备云集, 移动上网环境下, 网上购物 社交互动 移动存储 移动支付 分享 / 观看影片等应用迅速膨胀起来, 移动互联网时代迫切需要快速访问, 实时动态更新 要提高多访问请求高效率处理 快速回应, 需要服务器 I/O 高性能的支持, 即降低服务器延迟 增加带宽 同为存储设备的 HDD SSD 以及 DRAM,I/O 延迟分别为秒级 微秒级 毫秒级,DRAM 的 I/O 延迟是最低的, 但是 TB 容量的 DRAM 价格超过万元而且断电数据消失,SSD 虽然延迟无法达到毫秒级别, 但 TB 容量价格相对便宜而且断电数据依然保存 SSD 与 HDD 比较,I/O 延迟小 带宽高, 功耗方面, 当高负载运转的时候, 机械硬盘需要消耗更多的电力驱动机械组件运转, 企业需长期大量的电力支持, 随着时间的推移, 运作成本也随之增大,SSD 耗电方面比较有优势 现在移动互联网信息资源与日俱增, 服务器资料存储规模日益壮大, 再加上企业云端计算 云端存储等服务崛起,HDD 存储的服务器 I/O 性能只会削弱云计算应用提供快速 低延迟数据访问的能力,SSD 恰恰能提供不同存储方案以及更高的 I/O 性能 一直致力于服务器存储解决方案的 Fusion-io,SSD 存储方案容量均达到 TB 级, 采用 PCIe 高带宽传输接口, 每秒超过 100 万的 I/O 吞吐量, 低至 15 微秒的延迟, 是阿里巴巴 Google 谷歌 Facebook 社交网等大型数据中心服务器提高读取密集区域响应速度的最佳存储解决方案 同时服务器厂商 IBM AMD 思科 华为 戴尔 惠普等服务器也均支持 SSD 存储方案, 京东 易迅等在线购物网站的服务器也迫切需要通过 SSD 进行提速, 尤其是在营销活动期间 除了 Fusion-io, 英特尔推出 DC3700 DC3500 系列 SSD, 三星推 SM843T 系列 SSD, 以及东芝 SAS 接口的 PX02SM 系列 SSD, 是专为数据中心和企业服务器市场设计的高端存储方案 随着服务器对传输速度要求不断提高, 预计 2014 年服务器市场搭载的 SSD 将由 SATA III 接口向高带宽 PCIe 过渡, 实现速度的升级 行业市场 - -[SSD 独特的优势在行业应用需求增加 ] 除了消费市场和服务器市场,SSD 在军用 航天 医疗 监控 车载 教育等行业领域的需求也逐渐增长起来 在行业存储应用中客制化需求大, 比较看重存储数据的可靠性 稳定性 高速传输以及产品抗震 耐高 / 低温 低噪音等, 以前考虑到 SSD 价格较高等因素, 存储以 HDD 和 CF/SD 存储卡为主, 近几年 SSD 价格持续降低, 行业存储成为 SSD 新兴市场应用 在行业存储 ( 比如 : 在车载 瘦客户机 一体机 广告机等 ) 容量上, 一般只需要 8GB-64GB 等小容量,HDD 存储容量大部分从 500GB 起跳而且售价均在 300 元以上,SSD 存储有 8GB 16GB 32GB 等小容量,32GB msata 接口的 SSD 价格不超过 150 元,16GB 和 8GB 价格更低, 相比之下 SSD 在价格 容量上更适合存储需要, 更何况 SSD 的传输速度比 HDD 高 应对行业存储的客制化需求,SSD 所具有的特性更突显其存储优势, 比如 : 在车载存储上,HDD 因为有马达 磁头 碟片等机械零件, 需要增加固件提高防震能力, 这样变相增加了生产成本, 而 SSD 本身就具有抗震 耐高温的优势 ; 在广告机存储上, 需要温度范围大,HDD 如果在特别冷的环境中工作会出现停止运转的情况, 而在高温下工作出现错误的频率会增加,SSD 在 区间温度下依然能稳定运行 ; 在医疗器材应用上,SSD 的高速传输以及低噪音则发挥了作用 至于 CF 所在的高速传输应用领域, 被超高速且价格较低的 SD 闪存卡所取代 24

25 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 传统存储产品 图 35:SD 规范的发展 一 闪存卡销量依然在成长, 超高速大容量开辟新应用市场 1.1 新 SD 规范将最低写入速度提升至 30MB/s SD 规范从 1.0 最低 2MB/s 的写入速度发展到 SD 3.0 规范,UHS Speed Class 1(U1) 保证最低 10MB /s 的写入速度,SD 协会 (SD Association) 又在 2013 年 11 月初发表了最新的 UHS Speed Class 3(U3) 规范, 将最低写入速度提升到 30MB/s SD 规范的发展将提供更大的储存空间以及更高的读写性能, 可以更好的支持消费性电子设备 移动设备及工业设备的存储需求 2013 年 UHS Speed Class 1(U1) 规范的闪存卡跃居市场主流, 以三星 东芝 闪迪 创见 江波龙 胜创等厂商推出新品比较积极, 主流存储容量为 8GB-64GB, 不过也有很多厂商推出 256GB 高容量的闪存卡产品, 预计各厂商 2014 年初开始推 UHS Speed Class 3(U3) 规范的闪存卡产品,2014 年下半年将成为市场主流产品 来源 : 互联网 图 36:2013 年主流 Micro SD 4GB 8GB 价格行情走势图 2013 年 Micro SDHC 4GB/8GB(CL4) 价格走势图 1.2 主流闪存卡 Micro SD 价格行情走势 2013 上半年主流闪存卡 Micro SD 价格波动幅度较大,1 月 -3 月受 TLC NAND Flash 供货短缺影响, 闪存卡 USB 闪存盘 NAND Flash 颗粒等价格表现大涨, 其中 Micro SDHC 4GB(CL4) 深圳市场价格累积 3 月涨幅高达 90%, 4GB(CL4) 涨幅在 30% 左右 4 月 5 月价格有一定的回落, 不过 5 月底 NAND Flash 缺货消息再次涌入市场, 刺激整体价格小涨 2013 下半年,7 月 8 月智能型手机 平板需求降温,Q3 需求表现也不如预期,Micro SD 市场需求更显清淡, 价格跌势较为明显 不过在 9 月受 SK 海力士中国无锡工厂爆炸消息以及 Q3 旺季需求逐渐升温的影响,Micro SD 整体价格涨幅在 5% 左右,10 月下旬开始整体市场需求表现低迷, 价格持续走跌, 下半年 Micro SD 产品价格整体跌幅大约在 20% 以上 GB 开盘 4GB 收盘 8GB 开盘 8GB 收盘 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 1.3 闪存卡应用广泛, 带动整体销量增加现在闪存卡在智能型手机 平板中以辅助存储为主要需求, 据 IDC 统计 2013 年智能型手机出货量将超过 10 亿, 平板销量将超 2 亿, 带动一定的配卡需求, 而且现在智能型手机配置都普遍较高, 刺激消费者对游戏 娱乐 拍照等兴趣的增加, 部分消费者用闪存卡提高存储容量 ; 同时在安全记录方面的需求也不断增加, 从公交系统的车内视频监控, 到私家车上的行车记录仪, 由于图像分辨率不断提高和使用市场的不断扩大, 对闪存卡需求也在不断提升 ; 其它数码相机 导航仪 电子书等电子产品存储也需要配闪存卡 闪存卡凭借价格低 尺寸小 便携方便 容量大等特点在消费性电子产品中被广泛应用 来源 : 中国闪存市场网 数据截止至 12 月 20 日, 单位 : 元随着高质量生活 娱乐的兴起,4k/2k 高清视频 / 影片已作为电视 摄影机等高品质的标准, 同时单反相机对画面的要求也在升级, 新推出的 UHS Speed Class 3(U3) 规范最低写入速度提升至 30MB/s, 符合此规范的 SDXC 或 SDHC 设备将能录制 4K/2K 超高分辨率的影片 视频, 未来 UHS Speed Class 3(U3) 规范的产品成熟, 将在此领域发挥其优势, 更重要的是闪存卡成本与可以支持 4K/2K 视频拍摄的同类存储产品价格要便宜, 吸引消费者将存储目标转向闪存卡产品 25

26 二 USB 闪存盘市场需要改革性的创新刺激需求 2.1 USB 3.1 规范理论传输速率升至 10Gbps 随着新技术的发展和创新思维的不断进步, 消费者对高品质生活的享受越来越高, 高清视频 影片 游戏等容量越来越大, 移动互联网时代下的信息产生量也日益增加, 增大存储空间已是刻不容缓, 短时间内快速传输更为重要 2013 年 8 月 USB-IF 组织发布了 USB 3.1 标准规范,USB 3.1 规范使用了更高效的数据编码技术, 并提供一倍以上的有效数据吞吐量, 理论传输速度从 USB 3.0 的 5Gbps 增至 10Gbps, 且向下兼容, 以满足消费者对高速传输的要求 2013 年大部分存储模块厂全面推出 USB 3.0 闪存盘新品, 其主流存储容量为 32GB-128GB, 逐渐停止 USB 2.0 闪存盘新品推出, 预计 2014 年 USB 3.0 闪存盘将成为市场主流 USB 3.0 新规范发布后, 在 2013 年英特尔信息技术峰会 (IDF2013) 上, 很多厂商演示了采用全新的 USB3.1 技术的设备, 大部分模组厂也将陆续布局 USB 3.1 闪存盘产品, 预计在 2014 年会有新产品出现在市场上 2.2 手机 U 盘 : 是新的潜在大存储市场 USB 闪存盘产品主要用于 PC 的移动存储, 近几年 PC 销量持续下滑, 同时云存储 云服务 企业微云等网络存储的兴起, 消费者对 USB 闪存盘的存储需求减弱, 未来只有扩大 USB 闪存盘应用范围, 才有绝处逢生的机会 虽然网络存储便利, 但是基于互联网的存储有一定的安全隐患, 同时需要大流量网络的支持 USB 闪存盘虽性能同质化严重, 而且应用领域单一, 但是也有其不可取代的优点, 比如 : 隐私性高, 存储容量大, 体积小, 携带 / 使用方便, 价格便宜等 由于智能型手机和智能终端的快速发展, 标准接口从 Micro USB2.0 转向 Micro USB3.0, 并且 PC 的内容基本上都可以在双核以上智能型手机上使用 在移动办公 娱乐 共享等数据交换 存储等需求日益增长的趋势下, 很多制造商开始把 USB 闪存盘应用到手机中, 制造出含 Micro USB 接口的手机 U 盘, 不仅实现手机和电脑之间快速数据传输, 而且可多人共享, 备份数据, 加密信息, 同时支持跨平台操作, 最重要是扩大了手机容量 而且成本能够达到普通 U 盘的价格, 将会极大普及双界面闪存盘的市场需求, 预计在 2014 年手机 U 盘能够达到 1 亿的数量, 成为可期的市场 26