目录 NAND Flash 芯片厂技术发展及市场布局 一 NAND Flash 纳米制程技术全面进入 1ynm 时代二 上游芯片厂在 3D NAND Flash 技术布局情况 DRAM 市场的变化对闪存产业的影响 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 嵌入式存储产品 一 主流嵌入式存储产品

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1 国家集成电路设计深圳产业化基地市场平台 国内权威的存储市场资讯平台 中国闪存市场 2014 上半年 闪存市场产业分析报告 年 7 月 15 日 中国闪存市场为您传递最前沿的市场信息 全面 准确的存储市场数据报告 深度解析存储市场行情 提供最新的市场动向 新品展示 全方位提供最专业的市场咨询服务 NAND Flash 纳米制程技术全面进入 1ynm 时代 NAND Flash 芯片厂制程全面进入 1ynm 时代 2014 上半年三星 东芝 / 闪迪 美光 SK 海力士基本都开始量产 1ynm NAND Flash, 并计划于 2014 下半年试产 1znm( 即 12nm-15nm 之间 ),2015 年量产 白牌平板芯片出货量继续增长 :3G 通话 大容量存储 2014 年上半年, 联发科每月出货量在 300 万台, 低端平板市场需求逐步萎缩,WiFi 平板出货量 400 万台, 英特尔平板每月出货接近 30 万台 2014 年中国平板市场规模有望达到 1.1 亿台 DRAM 市场变化影响闪存产业格局 emmc/emcp 嵌入式市场多方面继续发展 TLC emmc 渐成主流, emmc V4.51 大行其道,V5.0 已开始规模上市,8GB 已成主流,16GB 渐成明星产品, 价格下跌催生更多市场需求, 并且在 OTT 盒子 / 智能电视市场也得到广泛应用 闪存价格下跌推动 SSD 市场快速成长 1xnm 制程 TLC 及 3D NAND Flash 技术带来闪存价格不断下滑, 控制芯片由 Marvell 和 SandForce 向台系转化, 推动 SSD 价格不断走低 消费端主流容量从 128GB 向 256GB 过渡, 商用客户端和数据中心搭配比率不断增长 基于安全因素, 军工和政府等只能用国产 SSD, 对国产品牌来说机遇和挑战并存 2014 上半年中国闪存市场网闪存产品综合价格指数走势图 /1/2 2014/2/2 2014/3/2 2014/4/2 2014/5/2 2014/6/2 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 联系方式电话 : 传真 : Service@Chinaflashmarket.com 地址 : 深圳高新区中区科技中二路软件园一期 4 栋 6 楼有请勿以任何形式转载 传输 重制 出版或播送若有任何疑问请与我们联系 Copyright All rights reserved.

2 目录 NAND Flash 芯片厂技术发展及市场布局 一 NAND Flash 纳米制程技术全面进入 1ynm 时代二 上游芯片厂在 3D NAND Flash 技术布局情况 DRAM 市场的变化对闪存产业的影响 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 嵌入式存储产品 一 主流嵌入式存储产品 emmc 的发展 1.1 规格大转移:V4.51 大行其道,V5.0 已开始规模上市 1.2 市场大翻天:TLC emmc 开始渐入主流 1.3 容量大升迁:8GB 已成主流,16GB 渐成明星产品 1.4 应用大渗透:eMMC 加速普及 1.5 供应大繁荣: 百花齐放 1.6 价格大缩水: 催生更多市场需求二 emmc/emcp 市场应用的发展 2.1 emmc/emcp 市场应用综述 2.2 智能手机中 emcp/emmc 的发展 2.3 emmc 和 emcp 嵌入式存储方案分析 2.4 emmc 在平板市场的应用 2.5 emmc 在 OTT 盒子 / 智能电视市场的应用 NAND Flash 相关产品应用市场 - -SSD( 固态硬盘 ) 产品 一 2014 上半年消费类 SSD 市场行情与终端应用 上半年 SSD 平均价格下滑 20%, 预计下半年将下滑 15% 1.2 国际品牌厂 SSD 用 Flash 由 2ynm 全面转向 1xnm, 推动成本降低 1.3 SSD 控制芯片厂 Marvell 跟进 PCIe 和 1znm TLC 工艺布局, 台厂以 1xnm MLC 工艺和 SATAIII 为主 1.4 SSD 在 PC OEM/ODM 市场和零售市场的应用二 SSD 在工业 / 行业类和嵌入式 PC 市场应用广泛三 SSD 在企业服务器市场的应用 3.1 SSD 在服务器市场需求量将超过消费类客户端应用 3.2 三星 闪迪 英特尔加大 SSD 在企业数据中心存储布局 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 闪存卡 U 盘及创新产品 一 2014 上半年闪存卡速度升级, 扩大市场应用领域 1.1 品牌厂推新规范闪存卡, 速度大幅提升, 容量向 32GB 以上推进 1.2 闪存卡价格持续下滑, 促使主流容量从 4/8GB 向 8/16GB 转移二 U 盘差异化应用市场 2.1 USB2.0 市场份额急剧下降,USB3.0 销量未能填补下降份额 2.2 手机 U 盘 : 要从手机端开始做三 创新类闪存产品方兴未艾 3.1 融合 无线 + 存储 优势, 拓展产品应用 2

3 2014 上半年闪存市场价格下滑 35%,6 月开始理性回稳 上游芯片厂三星 东芝 SK 海力士等的 NAND Flash 在 2013 年不断提高产量, 目前已恢复到 2012 年减产前水平, 而美光收购尔必达之后也大幅提升 DRAM 和 Flash 产出,2014 上半年 Flash 纳米制程技术又向 1ynm 转换量产,NAND Flash 市场供货相对充足 作为重要的闪存芯片应用领域之一,2013 下半年高端智能手机需求减弱, 三星出货量开始下滑,2014 上半年受销售淡季影响, 苹果 华为 联想等手机厂首季出货量也均环比下滑 另外一个主要的应用市场, 苹果的 ipad 首季出货量环比下滑 37%, 其他品牌厂也不例外的环比下滑, 就连 2013 年出货惊人的白牌平板也有一定的跌幅 2014 上半年 NAND Flash 产业手机与平板需求衰退, 再加上三星西安工厂 东芝 / 闪迪 (SanDisk) 日本四日市的 Fab 二期开始量产, 导致市场恐慌性杀价, 第一季度整体下滑 20% 左右, 第二季度继续下跌 15% 左右, 合计价格大约下滑 35% NAND Flash 价格持续性下跌导致原厂的 NAND Flash 触及到亏本的底限而开始赔钱, 但是 DRAM 获利丰裕, 一片 12 英寸晶圆做 DRAM 可以销售 4000 美金左右, 做成 Flash 只能销售 1500 美金左右, 并且 Flash 制造难度和成本要大于 DRAM 由于 DRAM 的制程技术在 2xnm 等级,Flash 已经到 1ynm 等级, 原厂开始将部分旧的 2xnm 的制程 Flash 转做 DRAM, 以维持 Flash 的价格,6 月份部分 Flash 产品价格已经开始止跌或微涨 图 1:2014 上半年闪存产品综合价格指数走势图 2014 上半年闪存产品综合价格指数走势图 /1/2 1 月 2014/2/22 月 2014/3/2 3 月 2014/4/24 月 2014/5/25 月 2014/6/2 6 月来源 : 中国闪存市场网 数据截止至 6 月, 仅供参考 NAND Flash 芯片厂技术发展及市场布局 一 NAND Flash 纳米制程技术全面进入 1ynm 时代 NAND Flash 纳米制程技术不断向下延伸, 技术转换难度加大,2D NAND Flash 理论工艺在 8nm, 基本可量产的极限工艺是 12nm 2014 上半年上游芯片厂三星 东芝 / 闪迪 美光 SK 海力士为了追求更低成本, 基本都开始量产 1ynm NAND Flash,2014 下半年开始转向 1znm 工艺 ( 即 12nm-15nm 之间 ), 将在 2015 年大规模量产,2D 生产制造工艺已经到一瓶颈, 为了生产更低成本和更好性能的 NAND Flash, 原厂只有推进 3D Flash 的制程技术 三星 2014 上半年大量使用 19nm 工艺, 单颗 Die 容量从 16Gb 到 128Gb, 16nm 已经在 6 月份小批量出货, 容量从 32Gb 到 64Gb, 并且计划在下半年转向 14nm, 容量从 32Gb 到 128Gb,2014 年第二季度开始在西安工厂专门生产 3D NAND Flash (32nm V-NAND) 东芝/ 闪迪现在量产的是 19nm 19nm NAND Flash, 下半年转向 16nmx16nm 的 1znm 工艺, 值得一提的是 1znm 生产的 128Gb TLC 可以生产 Micro SD 闪存卡, 很容易实现 128GB 的 Micro SD 图 2: 主要 NAND Flash 芯片厂纳米制程技术时程图 (Roadmap) 纳米技术厂商 2011 年 2012 年 2013 年 2014 年 2015 年 2015 年 制程等级 2xnm 2ynm 1xnm 1ynm 1znm 3D NAND 三星 Samsung 27nm 21nm 19nm 16nm 14nm 24nm 东芝 / 闪迪 Toshiba/SanDisk 24nm 19nm 19nm 16nm 12nm 28nm 美光 Micron 25nm 20nm 20nm 18nm 15nm 32nm SK 海力士 SK Hynix 26nm 20nm 20nm 16nm 13nm 32nm 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 3

4 闪存卡市场化 美光 20nm(L8 系列 ) 生产了两年没有新制程更新, 原因是在 2012 年英特尔撤出 IM 合资公司, 导致 20nm 生产品质不稳定和切换到 1xnm 时间过长,2014 年开始少量出货 L9 系列 18nm, 目标是嵌入式和 SSD 市场, 设计的 L95 及 L94 都无法应用到 Micro SD 闪存卡中 ;SK 海力士加强 NAND Flash 技术投入,20nm 工艺很稳定, 切入到 16nm 的品质也较正常, 现在以 16nm MLC 量产为主, 有计划在 2014 年 Q4 交付 16nm 128Gb TLC 3D Flash 是改变 NAND Flash 成本的最有效的工艺, 三星领先量产, 并大量运用到自己的 SSD 产品, 涉及保密因素 ( 其他厂 3D Flash 还在研发中 ), 三星不销售 3D Flash 的颗粒 晶圆和公开技术资料 随着主流闪存产品 emmc/emcp SSD 需求持续升温, 使用 TLC 可以降低成本从而提高嵌入式市场竞争力, 抢占低端市场份额 上游芯片厂中三星 东芝和闪迪开始采用 TLC Flash 生产 emmc/emcp, 其他厂商均供应的是 MLC emmc/emcp 2014 年是 SSD 开始爆发性增长的一年, 低成本的 TLC SSD 被市场接受, 并且控制器的 ECC 纠错技术能够让新制程 Flash 可以使用在 SSD 上, 带动大容量 128Gb 的 TLC 和 MLC 消耗到 SSD 产品上, 避免了原厂新制程高容量 Flash 使用到杀戮价格的 U 盘和闪存卡的市场 随着 3D Flash 技术的成熟和低成本, 三星开始大量将 3D Flash 应用到自己品牌的 SSD 产品上 二 上游芯片厂在 3D NAND Flash 技术布局情况 2014 年三星在西安工厂量产 3D NAND Flash, 现在制程是 32nm 24 层容量 128Gb V-NAND, 到 2015 年 24nm 3D 36 层容量将达到 1Tb, 应用到 SSD 上 1TB 主流容量, 足以取代硬盘 东芝 美光 SK 海力士等均宣布 3D NAND Flash 2015 年量产, 正式拉开了 NAND Flash 新技术的序幕 3D NAND 技术与现有的 2D NAND( 纳米制程技术 ) 截然不同, 简单理解,2D NAND 是平面结构而 3D V-NAND 是立体结构,3D 结构是以垂直半导体通道的方式排列, 多层环绕式栅极 (GAA) 结构形成多电栅级存储器单元晶体管, 可以有效的降低堆栈间的干扰 3D 技术不仅使产品性能至少提升 20%, 而且功耗可以降低 40% 以上 东芝 / 闪迪计划采用 P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable) 技术生产 3D NAND Flash 产品, 于 2015 下半年量产 ; 美光 3D NAND Flash 产品预计 2014 年第二季度就能开始送样, 量产时间待定 ;SK 海力士则使用微调 VSAT(Vertical Stacked Array Transistor) 技术生产 3D NAND Flash, 也于 2015 年迈入量产阶段 虽然各芯片厂都已列出了 3D 技术的量产时程表, 但目前除了三星已开始量产外, 其他芯片厂均在 2015 年量产, 未来 1 年多的时间将依然以 2D NAND 技术生产为主, 直到 1znm 的工艺 3D 技术是采用全新的架构, 上游芯片厂将技术由 2D NAND 转换成 3D NAND, 生产设备需要全部更换, 需要花费很大的资本投入, 而且立体相对平面结构复杂, 量产难度大幅增加, 稳定性也很难把握 4

5 DRAM 市场的变化对闪存产业的影响 由于 NAND Flash 与 DRAM 的生产设备差异不大, 上游芯片厂 DRAM 与 NAND Flash 产线会按照市场的供需及价格的变化而转换生产 全球 Mobile DRAM 主要供应商仅限于三星 美光 SK 海力士三家, 尔必达被美光收购后的产能需要配合 emcp 在手机中的应用, 三星的产能要满足自家的智能手机需求, 市场供应一直紧缺 2013 年智能手机处理器进入四核时代, 推动 Mobile DRAM 平均容量由 1GB/2GB 向 2GB/3GB 发展 三星计划将 Galaxy S6 内存提升到 4GB, 这将消耗多一倍的 Mobile DRAM 产能 同时 Mobile DRAM 的利润比 NAND Flash 高, 三星 SK 海力士等更趋向于把 NAND Flash 生产线改生产 Mobile DRAM, 产能增加在 2014 年得到体现 单片晶圆 2xnm 的 DRAM 比 3xnm 的产量提高 45% 左右 在 2014 年的 DRAM 市场, 原厂更有成本优势, 如果市场需求持续低迷的时候,DRAM 价格可能会持续下跌 三星 19nm 的 NAND Flash 晶圆销售不到 1500 美金, 而 2xnm 的 DRAM 晶圆销售在 4500 美金, 原厂晶圆摊提折旧 + 毛利润 + 材料成本 =1500 美金, DRAM 维持如此高的利润, 也会扩大原厂将部分 NAND Flash 产能转移到 DRAM 产品线上 预计第三季旺季和 iphone 6 新机发售将带动存储器拉货, 会让 DRAM 稳定价格,Flash 涨价 在持续原厂供应产能和第四季开始市场持续疲软的情况下,DRAM 跌势会扩大,NAND Flash 微跌到合理水平 图 3:2013 与 2014 年原厂 DRAM 的变化 DRAM 原厂 2013 年 2014 年三星 S3 内置 1GB DRAM 到 S4 25nm 快速提升产能, 新的 S5 手增加到 2GB, 并且 35nm 转向机依旧内置 2GB DRAM 三星的三星 25nm, 导致三星自己手机需求增 DRAM 第二季必须转向市场销售加, 自己生产供应减少转向外购来消耗产能 DRAM 制程从 36nm 转向 29nm, 无锡无锡工厂 4 月份满载出货, 并且 SK 海力士工厂失火导致产能供应严重不 29nm 顺利大量产出 足 图 4: 主要 DRAM 芯片厂纳米制程技术时程图 (Roadmap) 存储原厂 DRAM 产线 DRAM 制程 Flash 产线 Flash 制程 三星 Samsung YES 25nm YES 16nm SK 海力士 SK Hynix YES 29nm YES 16nm 东芝 / 闪迪 Toshiba/SanDisk NO - YES 19nm 美光 Micron YES 28nm YES 18nm 金士顿 Kingston YES PSC 产线 38nm NO - 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 图 5:NAND Flash 与 DRAM 产品对比表 厂商 南亚 三星 美光 SK 海力士 产品名称 NT5CB256M8GN K9ACGD 3xnm 4Gb 29nm 4Gb 2Gb 256MB *8 8U0B ECB440ABACN-Y 256MB *16 产品尺寸 * *6.42 mm * *6.25 工艺 35nm 19nm 36nm 29nm DIE 数量 DIE 成本 90% 良率 美金 2.07 美金 1.94 美金 1.18 美金 1500 美金 DIE 市场价格 1.7 美金 2 美金 3.5 美金 3.5 美金 总金额 90% 良率 1866 美金 1447 美金 2705 美金 4448 美金 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 南亚 美光 金士顿 三大原厂供应不足, 获得市场机会调整产线和工艺, 将美光新加坡及美国 DRAM 产线转移到日本尔必达 台湾瑞晶 华亚科 美国和新加坡主力 NAND Flash 接手力晶 PSC 产线, 每月 2 万片 38nm 产能 以 LPDDR2 和 PC DDR3 为主, 工艺依旧 3xnm 尔必达主力 Mobile DRAM, 台湾产线主力 PC DRAM,NAND Flash 和 DRAM 产能全开, 没有投资新的工艺, 依旧是 38nm 每月 2 万片产能 5

6 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 嵌入式存储产品 一 主流嵌入式存储产品 emmc 的发展 1.1 规格大转移:V4.51 大行其道,V5.0 已开始规模上市 emmc 规范从 2008 年的 JEDEC V4.2 发展到 JEDEC V4.5, 理论写速度提升至 200MB/s,2013 年 10 月 JEDEC 固态技术协会又发布了 V5.0 规范 (JESD84-B50), 最高写速度升至 400MB/s,V5.0 规范中的重大改进大幅度提升高端移动设备的市场拓展度 市场上各供应厂商 V4.41 产品均已在停产转换或者已经停产状态, 主要规格均已达到 V4.51 甚至 V5.0 规格量产 中国闪存市场网也已经从 5 月份开始停止 V4.41 产品的市场报价 三星 2013 年底已经开始在市场规模销售 V5.0 规范 emmc 产品, 包括目前最新制程的 19nm TLC emmc 也已经是 V5.0 规范 其他 emmc 供应商东芝 闪迪 美光 SK 海力士以生产 V4.51 规范 emmc 为主, 正在逐渐转向 V5.0 规范 emmc 规模供货阶段 国内厂商江波龙目前供货还是以 V4.51 规范为主 在 V4.41 时代, 读速度 20-30MB/s 是正常速度, 而到了 V4.51 时代, 各厂商读速度都普遍达到了 40-50MB/s, 甚至高达 70-80MB/s, 这大大提高了产品的体验效果, 特别是开机时间和程序启动时间等 另外,UFS 2.0 版已经发布, 提供更大的链路带宽以提高性能, 延伸安全功能, 并进一步降低功耗 UFS 2.0 最高传输速度达到每秒 1.2G 字节 这么高速的性能短期还不会真正在 emmc 市场使用, 会先在 SSD 市场应用 虽然各大主流厂家都提出要在 2015 年第二季度推出 UFS 2.0 产品, 但目前能支持 UFS 2.0 的 CPU 只有高通骁龙 805, 且支持 UFS 2.0 主控的成本高很多, 可以预计 2015 年 UFS 2.0 规范因为缺少 CPU 的支持, 而在市场上暂时不会成主流 1.2 市场大翻天:TLC emmc 开始渐入主流在 2013 年底前, 市场上只有两家厂商可以规模量产 TLC emmc, 即 emmc 行业的龙头三星和国产芯片公司江波龙 三星之前借助自己强势的 emcp 产品, 在手机中低端市场也撕开缺口, 全面开始量产和销售 TLC emcp 图 6:eMMC 不同规范特性表 emmc 最高传输主要特性规范速度 104MB/s Multiple V4.41 Trim HPI 104MB/s DDR partition Packed Sanitize Data V4.5 HS200 RTC 200MB/s command command tag Production Firmware V5.0 HS MB/s management update UFS 2.0 6Gbps MIPI 1200MB/s 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 TLC Flash 技术只有三星和东芝最成熟, 这两家也恰恰是目前 NAND Flash 市场技术上最强的供应厂商 而到了 2014 年, 各家厂商均开始高调宣布了 TLC emmc 的研发和量产计划 先是闪迪高调爆出 TLC emmc 在 5-6 月份量产计划, 采用 19Y 最新制程的 TLC NAND Flash, 国际控制芯片龙头 Silicon Motion (SMI) 主控 原本对外计划是 5 月份该产品在市场上开始大规模销售, 而且据说第二季已经通过几家应用处理器 (AP) 大厂如高通 联发科, 全志等的初步认证, 但雷声大雨点小, 截至到 6 月底, 市场上一直未见到其 TLC emmc 产品大量上市销售 据市场反馈, 闪迪 TLC emmc 主推的产品容量是 16GB 为主, 估计和国际大客户的需求有关 而闪迪主动避让低端 4/8GB emmc 市场, 估计也和低容量 TLC emmc 量产技术难度较大, 闪迪公司对产品毛利要求较高, 避免陷入价格战等因素有关 由金士顿和群联合资为主的台湾模组厂商 KSI, 第二季也对客户宣布了自己的 TLC emmc 量产计划, 并在 6 月份开始给客户陆续送样, 主要容量是 8/16GB KSI 已通知终端客户, 希望客户尽快切换到 TLC emmc, 预计到第三季末产品将陆续量产 另外, 东芝也发布了自己的 TLC emmc 计划, 但不知道是因为主控原因还是产品原因, 市场上还没看到东芝 TLC emmc 客户端送样和量产 而单颗的 TLC emmc 产品, 之前最主要的市场还是中低端的通信平板 中低端 OTT 盒子等市场 TLC emmc 市场接受度较低最主要的挑战是 TLC Flash 由于技术原因限制, 自身擦写寿命次数和 Flash 读写速度方面与 MLC Flash 有部分差距 但随着 TLC Flash 技术的更加成熟, 这部分差距正在逐步缩小, 甚至在某些技术细节方面, 采用 TLC Flash 的 emmc 质量已优于某些 MLC emmc 由于目前 6

7 1.3 容量大升迁 :8GB 已成主流,16GB 渐成明星产品 图 7:2014 上半年主要供应商最新 emmc 产品分析 随着市场 Android 4.2 操作系统的迅速普及, 客户产品中需要集成更多的 APP 应用软件 备份资料等, 对存储的需求量越来越大 目前 8GB 已逐渐成 厂商 品牌 emmc 主要规格 工艺 最大 容量 Flash 主要 封装规格 为市场的标准配置,16GB 的需求正在以每个季度 50% 以上的增长速度快速渗透, 特别是品牌平板市场 品牌平板市场四核或者八核的主力机型均开始以搭配 16GB 存储为主 从 5 月份开始, 市场 16GB emmc 询价明显升温, 而据可靠消息, 年底的几个大的标案主流配置也都是以 8/16GB 为主 而在 4GB emmc 市场, 目前的消费类产品领域, 主流的供应厂商实际上只剩下三星和江波龙的 TLC emmc 产品, 由于在平板市场和盒子等市场上价格特别敏感,4GB MLC emmc 价格至少高出 TLC emmc 15% 以上, 明显已失去竞争力 而在部分行业市场, 特别是智能电视 运营商级别的 OTT 盒子等市场, 客户成本非常敏感又要求更保守的质量保证,4GB MLC emmc 依然 三星 Samsung emmc nm 128GB TLC/MLC 东芝 Toshiba emmc nm 128GB MLC/TLC 闪迪 SanDisk emmc5.0 19nm 128GB MLC/TLC 美光 Micron emmc4.5 20nm 32GB MLC SK 海力士 SK-Hynix emmc4.5 20nm 64GB MLC 江波龙 FORESEE emmc4.5 21/19nm 32GB TLC/MLC 金士顿 KSI emmc4.5 21/19nm 32GB MLC/TLC 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 FBGA 11.5*13 12*16 有部分市场, 但需求也逐步在向 8GB 迅速转移 1.4 应用大渗透:eMMC 加速普及除了最低端的 WiFi 平板和山寨盒子市场还在使用 TSOP NAND 为主外, 市场应用几乎一边倒的开始规模使用 emmc 主要原因有几个: 1. 各芯片原厂在策略上都主推 emmc 为主, 主芯片平台对 emmc 的支持越来越好, 参考设计中均已加入对 emmc 的支持, 主要是因为 emmc 为标准接口, 可以大幅加快调试和量产进度, 使产品及早上市 2. TSOP NAND 质量参差不齐, 市场上经常出现良率和批次质量问题, 客 影响到终端买气 为了进一步降低成本, 部分低端客户依然在选择白牌自封, 甚至采用不明来源的冒牌 TSOP NAND, 给产品质量带来很多隐患 市场在慢慢发生变化, 以前各国产芯片平台的参考设计, 都拒绝设计进去 emmc, 觉得成本过贵, 而 2014 年几乎所有主芯片的新平台均默认增加了 emmc 参考设计 而在通讯平板 车载 GPS 智能数字电视 工业控制 游戏机 电子书, 包括中高端四核平板和运营商订制的 OTT 盒子等行业, 越来越多的客户希望有更好性能 更好稳定性的高性价比方案, 基本均已默认采用 emmc 为唯一的 Flash 存储方案 户不堪其扰 市场上出现过国外终端的部分品牌客户, 明确提出要求不允许再使用 TSOP 封装的 Flash 产品等消息 而综合上半年不论泰国政府标案还是欧洲, 美国几个大的标案, 其配置都只选择了 emmc, 而不是 TSOP NAND 3. emmc 持续降价, 价格差距与主流的 TSOP NAND 越来越小 以 8GB 为例, 各家原厂的 TSOP NAND 已在 3.0 美金左右,TLC emmc 市场最低的价格已经到了 3.35 美金左右, 差距已在 10% 左右 而 4GB 的差距则更小, 各家原厂的 TSOP NAND 已在 美金左右,TLC emmc 市场最低的价格已经到了 2.4 美金以内, 差距已在 5-10% 以内 4. 随着主芯片不断升级换代, 终端客户对产品稳定性和综合性能的要求越来越高, 而使用 emmc 可以有更好的技术保障 在市场应用方面, 即使在低端平板和 OTT 网络播放盒等价格非常敏感的市场, 由于终端客户对品质要求的提升, 也开始部分采用 emmc 产品 国产主芯片如全志 瑞芯微 晶晨 炬力等平台, 都还默认支持 TSOP MLC NAND, 低端客户基于成本考虑,4/8GB 产品依然是首选 TSOP MLC NAND, 但市场上的 TSOP NAND 资源参差不齐, 供货更加不稳定, 原厂的价格也一路攀升, 7

8 1.5 供应大繁荣: 百花齐放由于各厂商均看好 emmc, 投入在进一步加大, 在 emmc 供应厂商方面, 市场格局也发生了不小的变化 在 MLC 中高端市场, 三星和东芝继续保持绝对优势占据主要份额, 闪迪紧随其后 这部分需求最主要集中在华为 中兴 联想 酷派 小米等品牌手机市场, 东芝由于没有 DDR 产品, 在 MLC emmc 报价上相对于三星和闪迪更加积极, 一度在某些大厂占据主要份额 而在智能电视等行业市场, 由于三星和美光等 4GB MLC emmc 价格居高不下, 东芝也占据了主要份额 而 SK 海力士, 美光在单颗 emmc 市场上表现平平, 鲜有大客户在使用 在中低端市场, 国产厂商江波龙由于低价和本地化服务等优势, 市场份额增长迅速, 已逐步取代金士顿占据通讯平板和中低端盒子市场的主要市场份额 而在 2014 年第二季度, 又有更多的模组厂商看好 emmc 市场纷纷选择进入, 如台湾的群登 硕达 威刚以及控制芯片厂鑫创等, 但这些厂商的 emmc 还刚刚推向市场, 还未能实现稳定的规模量产, 预计在 2014 下半年还不会对市场整体格局有太大影响 展望 2014 下半年, 随着市场需求回暖, 各厂商 TLC emmc 产品和新制成 1x/1y 产品陆续上市, 市场竞争的格局将更加充分, emmc 供应将更加健康 而不像 DRAM 产业, 实际的供应商只有三大一小, 市场实际上已经在垄断氛围中, 终端客户几乎毫无谈判筹码 1.6 价格大缩水: 催生更多市场需求纵观 2014 上半年, 市场整体需求非常平淡, 而 emmc 供应商很多, 总体供应比较充足, 加之 TLC emmc 对市场渗透加快, 导致整体市场价格出现了不小的跌幅 2014 上半年 V 4.51 规范 emmc 依然是市场主流, 各大厂家并逐渐开始推广 V5.0 规范的 emmc 2014 上半年 emmc 价格走势稳中有降, 受晶圆价格以及市场行情影响, 平均下滑 10% 左右 据中国闪存市场网报价显示,8GB 价格由 4.55 美金下跌至 3.88 美金, 下滑 15%;16GB 价格由 7.9 美金下跌至 7 美金, 下滑 11%; 32GB 价格由 18.7 美金下跌至 16.2 美金, 下滑 13% 而下半年随着需求旺季到来,7 月份市场合约价已出现上涨迹象, 预计第三季总体市场价格平稳微涨, 供应充足 高容量 32/64GB 厂商较少, 价格还比较坚挺 ( 注 :emmc 价格描述以平均价为基准 ) 图 8:2014 上半年 emmc 8GB MLC V4.5/5.0 价格走势图 2014 年上半年 emmc 8GB MLC V4.5/5.0 价格走势图 最低价最高价平均价 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 2014/1/7 2014/2/7 2014/3/7 2014/4/7 2014/5/7 2014/6/7 图 9:2014 上半年 emmc 16GB MLC V4.5/5.0 价格走势图 2014 年上半年 emmc 16GB MLC V4.5/5.0 价格走势图 最低价最高价平均价 2014/1/7 2014/2/7 2014/3/7 2014/4/7 2014/5/7 2014/6/7 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 来源 : 中国闪存市场网 数据截止至 6 月, 单位 : 美金 8

9 二 emmc/emcp 市场应用的发展 2.1 emmc/emcp 市场应用综述目前 emmc 产品主要的应用方向是智能手机 平板电脑, 但因为其性能高, 稳定性好, 在传统的 GPS 电子书等行业继续保持一席之地 市场规模最大的部分还是智能手机应用中的 emcp, 预计占到嵌入式存储市场的 70% 以上,2014 年将有机会首次超过 10 亿片 根据 Gartner 在 6 月份发布的 2013 年全球 emmc / emcp 供应商市场占有率分析数据显示,2013 年全球 emmc 与 emcp 市场营收达到了 亿美元, 其中, 三星占 35.6% 的市占率, 成为全球份额第一的 emmc / emcp 供应商 而 2012 年的总体销售额是 亿美元, 年成长率高达 56.5%, 这主要受益于智能手机的迅速普及和层出不穷的高端机型的更新换代 由此可见 emcp 和 emmc 市场的需求迅猛之势, 各厂商无不摩拳擦掌, 希望占得更多市场先机 综合多个研究机构的调查数据分析, 预计 2014 年三星占全球 emmc+emcp 存储 35% 左右的市场份额, 紧随其后的 SK 海力士和东芝各占 20% 左右, 闪迪加美光 20% 左右, 剩下 5-7% 市场份额为 KSI FORESEE 和其他新进入厂商瓜分 随着 emcp 和单颗 LPDDR2/3 越发流行, 中国闪存市场从 6 月份也开始新增相关部分产品的每周报价, 密切关注市场最新动向 emcp 报价详情点击 : LPDDR2/3 报价详情点击 : 智能手机中 emcp/emmc 的发展据 Gartner 表示,2013 年三星智能手机的销量接近 3 亿部, 市场份额达 31%, 苹果公司的手机销量第二, 为 1.51 亿部, 而华为售出了 4660 万部智能手机, 销量位居全球第三,2013 年智能手机厂商在全球售出 9.68 亿部手机, 同比增长 42.3% 而在不久前举行的高通 QRD 全球大会上, 高通预计未来 4 年全球智能手机的销量将超过 80 亿台 据 Gartner 预测,2014 年全球手机销售将达 亿台, 我们预计其中 65% 以上将是智能手机, 而智能手机的渗透比例还在不断加快 国内手机厂商在全球手机市场占据了越来越大的市场份额和话语权 据小米公司 7 月 2 日官方公布的上半年销售数据是 2611 万台手机, 全年突破 5000 万台看来不会有很大困难, 国内手机厂商华为 联想 中兴 酷派等均制定了 2014 年智能手机年出货目标, 国内手机厂商 2014 年整体销量突破 4.5 亿台应 图 10: 国内主要手机厂商 2014 年智能手机目标出货量 华为联想中兴酷派小米来源 : 中国闪存市场网 单位 : 万, 仅供参考该不是难事 在全球手机市场的销售上, 国内手机厂商已经占据 1/3 份额且还在不断扩大市占, 中国市场已经成为全球最重要的手机市场, 自然也是各存储厂商开拓业务的必争之地 而易观最新数据显示,2013 年中国智能手机销量达到 3.43 亿台, 增长率高达 95.5%, 预计 2014 年中国智能手机销量可以突破 4.2 亿,2016 年销量将突破 5 亿 国内手机厂商立足于全球最大的手机市场, 占尽了地利和人和之势, 2014 年也将是国内手机厂商是否能够挑战三星手机霸主地位的关键时期 [ 智能手机的存储应用分析 ] 在智能手机产业链中, 目前主流的高端配置手机, 主要采用 emmc + POP LPDDR2/3 分离方案做存储, 因为 POP LPDDR2/3 可以保证 CPU 读取 DRAM 信号质量最高 PCB 设计最简单 但因为 POP 封装的产线需要专业设备, 生产成本相对较高, 所以中低端手机只会继续选择传统的 emcp 存储方案 另外有些低端客户出于成本考量, 继续在使用 NAND MCP(NAND SLC: Gb+LPDDR1/2:Gb), 使用的规格是 :4+4 和 4+2, 但低端的 NAND MCP 带来的客户体验较差, 目前 NAND MCP 的市场份额在快速降低, 特别在临界的 4+4 容量预计在下半年将几乎全部被 emcp 4+4 取代掉 9

10 2.3 emmc 和 emcp 嵌入式存储方案分析 [emcp 在智能手机中使用的挑战 ] emcp 与 POP+eMMC 相比, 产品集成度高, 生产工艺更简单, 这也是目前中低端智能手机采用 emcp 作为主流嵌入式存储方案的主要原因,eMCP 依然是中国中低端智能手机市场采用的最普遍方式 目前其主要存储规格有 4+4(eMMC:4GB,LPDDR1/2:4Gb),4+8(eMMC:4GB,LPDDR2:8Gb), 8+8(eMMC:8GB,LPDDR2/3:8Gb),16+16(eMMC:16GB,LPDDR2/3:16Gb), 32+16(eMMC:32GB,LPDDR2/3:16Gb) 等 虽然 emcp 是中低端智能手机主要选用的主流存储方案, 但手机厂商也逐步发现使用 emcp 也有一些弊端和隐患 目前市场上能够大规模供货, 且规格齐全的 emcp 厂家只有三星 SK 海力士和美光, 市场的垄断性很高, 手机方案商没有太多选择, 在 emcp 厂家面前没有太多话语权, 价格和供货谈判没有太多筹码 另外, 虽然三星和 SK 海力士能提供很多规格的 emcp, 但因为手机客户本身订单的不稳定, 导致给 emcp 厂家的订单和预测不够精确, 很容易造成缺货 断货而影响产品销售甚至影响公司的存亡 再一方面如果备货过于激进, 又容易挤压大量库存, 导致资金链断裂而面临经营困难 手机厂商也时常感到困惑, 如需要存储容量的差异化时, 使用 emcp 很难得到满足, 供应厂商常以高价或者无法交货相要挟, 导致设计公司只能使用标准容量的产品 在 2014 年已有多款有影响力的智能手机虽然 CPU 方案是 emcp, 但设计公司研发时没有采用 emcp, 而是选择在 PCB 上同时设计分离的 LPDDR2/3 和 emmc, 联发科在推广 MT6592 平台时, 就有两套存储配置方案, 一个是大容量的 emcp, 另外一个是 emmc+lpddr2/3 分离方案, 经典机型红米 Note 选择的是 emmc+lpddr2 分离方案, 并非使用 emcp [emmc 在智能手机中的发展 ] 高端智能手机平台都是选择 POP LPDDR2/3+ 分离 emmc, 比如高通骁龙 , 三星 Exynos5412, 联发科 MT6595 等无一例外都是选择这种模式, 因为高端智能手机要求性能好 规格配置高, 而 emcp 很难满足这两点要求,eMCP 设计难度也比 emmc+lpddr2/3 分离要大很多 2014 年四核智能手机已逐渐成为主流, 八核 64bit 等高端 CPU 也陆续开始推出, 随着手机 CPU GPU 性能不断提升, 外围硬件规格也快速升级, 智能手机对存储容量 LPDDR2/3 与 CPU 的频率也会提出更高的要求 比如 : VIVO Xplay 3s 手机推出 2K 显示屏, 这就意味着手机的 LPDDR2/3 通讯主频必须尽可能的高,POP LPDDR2/3 的封装成为必然选择 另外高端旗舰机希望内置 emmc 达到 64GB 甚至 128GB, 而对芯片的过高厚度却不能接受, 这也是大容量 emcp 封装的技术难题 目前高端旗舰机也都是按照平台商的建议选择 POP LPDDR2/3+eMMC 作为存储方案, 比如 : 三星的 Note 3/Galaxy S5,OPPO Find 7,VIVO xplay3s, 小米 3 等 图 11:eMMC 和 emcp 嵌入式存储方案配置方案主芯片平台 emmc:4/8gb,lpddr2:4gb 联发科技 :MT6571 系列,MT6572 系列,MT6582 系列 ; emcp emmc:8gb,lpddr2:8gb 高通 :MSM8x25Q 系列,MSM8916 等低端平台 ; 展讯 :SC8810,SC6820; emmc:16gb,lpddr2:8/16gb 联芯科技 :LC1815/1820 等高通 : MSM8x74,MSM8084 MSM8064 系列 POP 封装 emmc MSM8926 等中高端平台 ; 搭配 8GB/16GB/32GB emmc 联发科技 :MT6592,MT6595 等来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 10

11 2.4. emmc 在平板市场的应用 [Android 与 IOS 之争, 逐渐开始占上风 ] 据国外媒体称,2014 年第一季度苹果 ipad 的出货量为 1585 万台, 无论是环比还是同比均出现下降, 非 ipad 平板出货量为 2231 万台, 环比下降 20%, 但同比增长 30%, 这主要归功于消费者对三星 联想和华硕 Windows 平板的强劲需求 此外, 山寨平板电脑的出货量在 2014 年第一季度仅达到 2040 万台, 这主要由季节性原因以及农历新年假期间劳动力短缺造成 2014 年第一季度, 苹果和三星仍是最大的两家平板供应商, 但是这两家公司的市场份额差距已缩小至不到 6% 联想是全球第三大平板电脑供应商, 紧随其后的是华硕, 亚马逊和谷歌则分别跌至第七和第十 台湾 ODM 厂商 2014 年一季度的平板电脑出货量为 2215 万台, 占据全球出货量的不到 60% 其中最大的制造商为富士康以及第二大的和硕联合科技均呈现了显著的出货量下滑, 主要是由于 ipad 的需求低于预期 相反, 华硕 T100 平板电脑使广达在第一季度实现了出货量的增长, 从而重返台湾第三大平板电脑制造商的地位 仁宝的出货量也出现了大幅下滑, 这主要是因为亚马逊 Kindle Fire 系列平板电脑正接近其产品生命周期末尾, 而宏碁正转向与国内大陆的制造商进行合作 根据易观发布的 2014 年第一季度中国平板电脑市场季度监测报告 数据显示,2014 年第 1 季度中国平板电脑的销量为 万台, 环比下跌 14.1%, 同比增长 48%, 品牌平板市场在中国还是在继续快速增长 [ 平板市场增长增速首次放缓, 竞争进入白热化 ] 据 IDC 报告预估,2013 年全球平板出货量大约 亿, 较 2012 年增长 50%, 可以说是平板行业发展的黄金时期, 而 2014 年第 1 季度全球平板电脑出货量约 5040 万台, 近期还将之前预计的 2014 年全球平板出货量 2.6 亿下调至 2.45 亿, 增长率急速下滑至 12%, 到 2017 年出货量很可能每况愈下, 增长率恐只剩下个位数 平板市场逐渐饱和, 必然引起国产平板市场的加速洗牌 如 2013 年市场上至少有近 10 家主芯片厂商在厮杀的混乱局面已经结束, 目前已清晰形成几大势力阵营 以英特尔为首占据商务平板的高端市场 ; 以联发科为首牢牢占据通讯平板的中高端市场, 并且联发科已经通过最新产品 MTK8127 等芯片开始大力渗透进 WiFi 平板市场, 使其他厂商感觉到了前所未有的狼来了的压力 ; 在中低端市场则以瑞芯微和全志为首, 通过完整的产品线 高性价比 完整的产业链布局继续占领市场的主要份额 而 2013 年较活跃的晶晨已基本退出平板市场, 炬力也基本退出平板市场而转战到盒子等市场 其他中小品牌的主芯片几乎从市场上快消失殆尽了 图 12: IDC 关于 2014 年平板出货量预测 IDC 将 2014 年平板出货预估量由 2.65 亿下调至 2.45 亿 (1) 2014(2) 数据来源 :IDC, 单位百万, 注 :2014 年 (1) 是 3 月估值,(2) 是 2014 年 6 月估值 图 13: 平板主流嵌入式存储解决方案芯片平台芯片型号存储配置市场定位 emmc 8/16/32GB 英特尔 Baytrail-T 系列高端商务平板 V4.51/V /8382,8127, emmc 通话平板, 联发科 /8/16GB 开始渗透 WiFi 平板 AM8726-M3/M6, emmc/nand TSOP 晶晨 WiFi 平板少数客户 M802 4/8/16GB emmc/nand TSOP 全志 A33/A20/A10,A8 WiFi 平板中低端 4/8/16GB RK3026/RK3188/R emmc/nand TSOP 瑞芯微 WiFi 平板中高端 K3288 4/8/16GB 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考除了联发科开始利用强势的完整产品线向下蚕食中高端 WiFi 平板市场外, 需要特别关注的是英特尔的动作 2014 上半年英特尔多次对外高调宣布平板电脑年出货目标是 6000 万台 业内都认为这个目标过于激进, 但英特尔在市场推广和销售的力度确认很大 2013 年还只有一线 PC 厂联想 戴尔 华硕等推出基于 BayTrail-T 的 Windows 平板产品,2014 年会有更多的厂商加入, 而到了 6 月份, 国内已经有接近 15 家有实力的设计公司和品牌厂商开始批量生产基于英特尔 Baytrail-T 平台的平板电脑 为了节省成本, 各厂商更多的是选择了 Android 系统而不是 Windows 系统, 默认使用 16/32GB emmc 11

12 平板市场上, 单核芯片已几乎退出主流市场, 低端市场以双核芯片为主, 四核芯片在加速普及, 预计到年底四核芯片将超过 50%, 再加上部分芯片厂八核芯片的迅速推出, 主流存储容量将会从目前的 4/8GB 提升至 8/16GB, emmc 需求量将出现跳跃性的增长 如果加上联想 小米等品牌平板客户, 联发科在上半年已经成为名副其实的平板芯片王, 预计每月出货量在 300 万台左右 而低端平板市场由于性能和客户体验较差, 上半年市场需求在逐步萎缩, WiFi 平板的出货量已由之前每月高峰期的 700 万降至 400 万台左右, 再加上高端英特尔平板目前每月接近 30 万台还在快速增长, 中国平板 2014 年总体市场规模有望达到 1.1 亿台左右 在这当中将有 45% 左右采用 emmc 作为存储, 约 5500 万台 2.5 emmc 在 OTT 盒子 / 智能电视市场的应用与平板市场需求饱和, 增长放缓不同, 盒子市场继续呈现快速增长势态, 预估目前每月仅中国市场已达到 万台的需求量, 全年有望实现 2500 万台的销售目标 除了自由品牌盒子 互联网盒子外, 运营商 OTT 盒子也呈快速增长趋势 2013 年 OTT 盒子市场除了小米 乐视等少数互联网品牌盒子使用 emmc 外, 市场主流都是使用 NAND TSOP 为主 但 2014 上半年市场需求已经发生很大变化, 除少数自由品牌和白牌盒子外, 几乎清一色已经转到 emmc 上来 OTT 盒子由于要求 24 小时运行, 对散热 连续读写 擦写寿命等要求很高, 特别是开关机多次断电的稳定性, 传统的 NAND TSOP 已无法完全满足性能的要求 盒子市场的最主流厂商之一的晶晨, 在 M3/M6 产品时代主要采取 SPI NOR+NAND TSOP 的解决方案, 在 2014 年八核 802 上市后直接去掉 NAND TSOP, 而采用 emmc 存储的方式 2014 年传统机顶盒芯片厂商海思 晨星等最新量产的芯片也是支持 emmc, 预计到年底盒子市场整体会有超过 75% 以上使用 emmc 作为存储 在盒子市场上供应商比较分散, 品牌客户以三星 东芝和闪迪供应为主, 自由品牌市场是江波龙的 emmc 和 FSD 产品市场份额较大 在智能电视市场上, 预估 2014 年全球出货约每季度 6000 万, 全年预估有 2.5 亿台左右 ( 预测中包含了部分白牌市场 ), 其中 Android 平台智能电视市占在全球将超过 50% 中国市场每季度约生产 万, 预计全年生产 5000 万台左右 ( 包含了部分白牌市场 ),Android 平台智能电视在中国目前占据 40% 左右, 预计到年底比例将达到 50% 以上 国际智能电视品牌三星 索尼 LG, 加上国内 5 大品牌海信 TCL 创维 康佳 长虹, 这 8 家厂商占据整体市场 75% 以上的供应 新兴智能电视 厂商主要集中在以乐视和小米为首的互联网厂商领域 乐视最近刚宣布已出货 100 万台智能电视, 小米的销量不明, 但预估也超过 20 万台 这部分厂商的市场份额还很低, 但后续发展的潜力不可低估, 也有可能如手机领域的颠覆式创新一样, 通过整合上下游资源, 特别是横向整合电视新媒体 影视资源 运营商资源等杀出一片新的天地 据网络官方数据统计, 创维 2014 年智能电视出货预计 1200 万台左右, 其中 Android 智能电视占 40%, 预估超过 500 万台 海信第一季度销售 250 万台 TCL 1-5 月份销售 678 万台,5 月份销售 113 万台, 其中智能电视 38 万台 由此可见智能电视的比例正在进一步扩大 智能电视平台的主要芯片方案为晨星, 联发科,Releatek, 晶晨等 存储方式均默认采用 4GB MLC emmc 为主, 高端机型已开始转向 8GB 由于电视研发周期长, 客户需要保证至少 1 年以上不换物料的交货方式, 产品验证需要 3-6 月周期, 以及季度平稳价格和供货保证和较高的品质稳定性 目前主要的供应厂商是东芝 三星和美光等 预计 2014 年智能电视使用 emmc 有望超过 2000 万台的出货量, 已经成为继智能手机 平板 OTT 盒子之后的 emmc 需求第四大应用 此外,eMMC 在车载导航 学习机 电子书 游戏机 广告机等各类工业设备应用上也在逐步越来越普及 相信随着 Android 系统和智能设备的更多普及,eMMC 也将得到更广泛的应用 图 14:OTT 盒子主流嵌入式存储解决方案芯片平台芯片型号存储配置典型客户 NAND TSOP/eMMC 小米, 阿里, 百视通, AM8726-M3/M6 晶晨 4/8GB 百度 S802/S805( 八核 ) emmc 8/16GB 小米, 乐视 NAND TSOP/eMMC 全志 A31S,A20 开博尔, 迈乐 4/8GB NAND TSOP/eMMC 瑞芯微 RK3188,RK3288 开博尔, 先冠 4/8GB 海思 3798M/3798C emmc 4/8GB 海美迪英伟达 Tegra-4 emmc 8/16GB 小米晨星 9180,6A801 emmc 4/8GB 乐视, 百度 Realtek 1195/1815/1805 emmc 4/8GB 迈乐 NAND TSOP/eMMC 炬力 A7029 特纳, 天敏 4/8GB 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 12

13 NAND Flash 相关产品应用市场 - -SSD( 固态硬盘 ) 产品 一 2014 上半年消费类 SSD 市场行情与终端应用 上半年 SSD 平均价格下滑 20%, 预计下半年将下滑 15% 2014 上半年消费类 SATAIII 接口 SSD 平均价格持续下滑, 其中 2.5 英寸 SATAIII 接口的主流容量 128GB 平均价格由 69 美金下跌至 53.3 美金, 下滑 23%,256GB 平均价格由 120 美金下跌至 美金, 下滑 14%,64GB 平均价格由 42 美金下滑至 32.2 美金 2014 上半年 SSD 受生产商新系列采用的 NAND Flash 工艺升级且陆续上市影响, 价格下滑 15%-25%, 预计下半年仍有 15% 左右的跌幅, 但下滑幅度趋缓, 主要是三星 闪迪 美光 英特尔及其看好 SSD 需求市场, 对其备有足够的 NAND Flash 产能, 但也不排除价格因旺季需求倍增而出现短暂性缓涨 1.2 国际品牌厂 SSD 用 Flash 由 2ynm 全面转向 1xnm, 推动成本降低 [ 三星 SSD 全面向 TLC 架构和 3D 技术升级 ] 2014 上半年国际品牌厂三星 东芝 美光 英特尔等均推出了 SSD 新品, 搭载的 NAND Flash 工艺由 2ynm 向 1xnm 迈进, 除了三星其他厂商依然以 MLC 为主 三星 SSD 均采用自主控制芯片,2013 年面向消费类市场推出 TLC 840 EVO 系列之后,2014 上半年加推 msata 接口 840 EVO 系列 SSD, 且采用 1xnm TLC Flash 技术 据国内最大 B2C 电商京东 128GB SSD 售价显示, 三星 2xnm MLC 工艺的 840Pro 系列售价为 759 元 ( 人民币含税 ),1xnm TLC 工艺的 840 EVO 系列售价为 479 元 ( 人民币含税 ), 容量和读取速度相近, 售价却相差 37% 三星消费类 SSD 全面向 1xnm TLC 工艺升级, 是促使价格下滑的主因 于此同时, 三星还加大 3D V-NAND 技术 SSD 投产量,2013 年推出基于 35nm 24 层 Cell 堆叠的 3D V-NAND SSD,2014 年 6 月又推出一款基于 30nm 32 层 Cell 堆叠的 3D V-NAND 技术 850 Pro 系列 SSD 针对高端个人 PC 和工作站存储 与 20nm 级 MLC Flash 相比,3DV-NAND 存储密度和读写入速度均提高 2 倍, 耐久度提高 10 倍, 功耗能降低 50% 2014 上半年三星 SSD 全面向 TLC 架构和 3D 技术升级, 其价格和容量优势将激励其他品牌厂加快研发步伐 此外, 三星推出的 SM1715 和 XP951 系列消费级 PCIe SSD,Gen3 x4(4gb/s) 传输速度将引领消费类市场向 PCIe 高速存储迈进 图 15:2014 上半年 GB 和 256GB SSD 价格走势图 2014 年上半年 2.5" SSD SATAIII 128GB 价格走势图 最低价最高价平均价 2014/1/1 2014/2/1 2014/3/1 2014/4/1 2014/5/1 2014/6/1 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 来源 : 中国闪存市场网 单位 : 美金, 仅供参考 2014 年上半年 2.5" SSD SATAIII 256GB 价格走势图最低价最高价平均价 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 来源 : 中国闪存市场网 单位 : 美金, 仅供参考 13

14 [ 东芝 闪迪 美光 英特尔等 SSD 向 1xnm 工艺转进 ] 东芝 闪迪 美光 英特尔 SSD 采用自主或第三方控制芯片, 第三方以 SandForce 和 Marvell 为主, 东芝 2014 上半年面向消费类市场推出 2.5 英寸 msata M.2 多形态规格的 HG6 系列, 还针对戏玩家等高端用户推出 SATAIII 接口 QPro 系列 SSD, 均采用第二代 19nm MLC NAND Flash 闪迪在 2014 上半年面向消费类市场推出 Extreme II 升级版 Extreme Pro 系列, 以及针对企业级用户推出 2.5 英寸和 M.2 规格的 X300s 系列 SSD, 也搭载东芝第二代 19nm MLC NAND Flash 英特尔和美光在 2014 上半年推出的 SSD 依然以 20nm MLC NAND Flash 为主, 英特尔采用自主或 SandForce 控制芯片,330 和 335 系列 SSD 是消费类市场主打产品 美光和 Lite on 均采用 Marvell 控制芯片, 并开发自己的 Firmware, 能够快速满足新工艺 Flash 和 Host 的变化 美光 2014 上半年推出具有 2.5 英寸 msata 和 M.2 三种形态规格的 M550 系列面向消费类市场, 还推出一款采用 16nm 工艺 MX100 系列 SSD, 预示 SSD 采用的 Flash 工艺将向 1ynm 迈进 1.3 SSD 控制芯片厂 Marvell 跟进 PCIe 和 1znm TLC 工艺布局, 台厂以 1xnm MLC 工艺和 SATAIII 为主 2013 年 SandForce 推出 SF-3700 系列 SSD 控制芯片, 不仅支持 PCIe 和 SATAIII 两种接口, 还支持 TLC Flash 工艺, 其中 SF3719 型号已在 2014 上半年大规模量产, 在支持 SATAIII 接口 SSD 上 SF2281 型号依然是主流应用 跟随 SandForce 步伐,Marvell 也在 2014 上半年推出支持双通道 PCIe Gen2 和 1znm TLC/MLC Flash 工艺的 88SS1083 且已在 2014 年量产, 88SS9187 控制芯片应对 SATAIII 接口 SSD 需求 2014 上半年台系控制芯片厂慧荣 智微分别以 SM2246EN JMF667H 出货为主, 且支持 SATAIII 接口和 1xnm 工艺, 至于支持 PCIe 接口的控制芯 片可能要晚一些才会上市 现在国际大厂 SSD 控制芯片厂增加对 1znm TLC 工艺和 PCIe 接口支持, 台系控制芯片厂以支持 SATAIII 接口和 1xnm MLC 工 艺为主, 新工艺技术提升, 将推动东芝 闪迪 美光 SSD 向 1znm TLC 和 PCIe 接口发展 图 17:SSD 控制芯片厂产品参数 控制芯片厂 型号 接口 带宽 Flash 支持制程工艺 时间 SandForce PCIe 1znm SF Gb/s 28nm 2014 年 Gen2x2 MLC/TLC 1xnm SF2281 SATAIII 6Gb/s 25nm 2011 年 MLC Marvell 88SS1083 PCIe 1znm 10Gb/s Gen2x2 MLC/TLC 28nm 2014 年 SMI SM2246EN SATAIII 6Gb/s 1xnm MLC 55nm 2013 年 JMicron JMF667H SATAIII 6Gb/s 1xnm MLC 55nm 2013 年 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 图 16: 主要国际品牌厂消费类市场最新 SSD 产品参数 厂商代表产品 NAND 架构工艺控制芯片容量接口 Samsung Toshiba Intel SanDisk Micron 850 Pro 3D VNAND 30nm Samsung 128GB-1TB SATA III 845DC EVO TLC 1xnm Samsung 240GB -960GB SATA III 840 EVO TLC 19nm Samsung 120GB-1TB SATAIII/mSATA HG6 MLC 二代 19nm Toshiba 60GB-512GB SATAIII/mSATA/M.2 Q Pro MLC 二代 19nm Toshiba GB SATAIII THNSNF MLC 19nm Toshiba 64GB-512GB SATAIII 530 MLC 20nm SandForce 80GB-180GB SATAIII/mSATA/M MLC 20nm SandForce 80GB-240GB SATAIII X300s MLC 二代 19nm Marvell 64GB- 1TB SATAIII/M.2 Extreme Pro MLC 19nm Marvell GB SATAIII Extreme II MLC 19nm Marvell 120GB-480GB SATAIII M500 MLC 20nm Marvell 120GB-960GB SATAIII M550 MLC 20nm Marvell 64GB-1TB SATAIII/mSATA/M.2 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 14

15 1.4 SSD 在 PC OEM/ODM 市场和零售市场的应用 [ 超轻薄 PC 产品推动 SSD 在 PC OEM/ODM 市场应用增加 ] PC OEM/ODM 市场主要是一线 SSD 供应商三星 闪迪 英特尔 东芝 美光和 Lite on 在耕耘, 为了应对不同终端产品需求, 除了 2.5 英寸规格 SSD 生产商还加推 msata M.2 形态规格的 SSD, 一般供货给联想 戴尔 惠普 华硕 苹果等 PC OEM/ODM 系统厂 近几年传统 PC 出货量一蹶不振,Gartner 预计 2014 年传统 PC 出货量为 2.76 亿, 下滑 6.7%,2015 年将再度下滑 5.3% 英特尔和 OEM/ODM 厂为了提振 PC 需求, 以轻薄 便携为亮点大力推行超极本, 后来衍生出触控 2 合 度翻转等多形态笔记本, 预计 2014 年超轻薄 PC 产品将较 2013 年 2152 万成长 50% 至 3225 万台 2014 上半年 OEM/ODM 厂联想 Miix2 11-ITH 戴尔 XPS 12 惠普 Pavilion 华硕 Transformer Book Duet TD300 和 LG Ultra PC//Tab-Book 东芝 Satellite Click 2 Pro 索尼 VAIO Fit 11A Flip 等 2 合 1 或变形笔记本均搭载 128GB 或 256GB 大容量 SSD, 联想推出的 14/15.6 英寸 FLEX 2 和华硕 4K 分辨率 UHD 屏幕 Zenbook NX500 也可选择 128GB 或 256GB SSD 存储 另外, 华硕新款 Transformer Book T100T/ TP500 宏碁 Aspire Switch 10 联想 Yoga2 11/13-IFI 开始采用小容量 8GB-64GB SSD 存储方案, 分析师曾预计 2015 年 2 合 1 变形机市场规模有望挑战 1000 万台 这些超轻薄 PC 产品将带动 SSD 在消费类市场应用持续增加 [ 具有价格优势的国内 SSD 品牌厂在零售 SSD 市场情况 ] 除了三星 东芝 英特尔 美光等国际 SSD 品牌厂, 国内零售 SSD 市场还涌现出影驰 (Galaxy) 金泰克(Tigo) 金胜(KingShare) 等二 三线本土品牌 国内品牌厂与一线国际品牌厂营销模式不同, 由于入驻国美 苏宁 百货商场等运营成本太高, 于是放弃传统的实体店营销模式, 而通过京东商城 天猫等电商渠道销售, 再加上促销 抢购等活动冲量, 国品牌厂 SSD 销量上表现也不俗 二线 三线品牌包括一线品牌中的金士顿 创见 威刚, 以前主要采用 SandForce 控制芯片方案, 目前已经转向台系厂 SSD 控制芯片方案, 以慧荣 群联和智微三家为主, 原因主要是 Seagate 对 LSI 的收购 2014 年 5 月 Seagate 以 4.5 亿美元现金收购 Avago 旗下 LSI 的加速解决方案部门 (ASD) 以及闪存组件部门 (FCD) 的资产, 闪存组件部门 (FCD) 就是指 SandForce SSD 控制芯片部分,SandForce SSD 控制芯片对除 Seagate 之外的第三方厂商的支持将到 2014 年底结束 另外, 台系控制芯片厂在 SATAIII 接口 SSD 控制芯片上能够提供更有价格竞争力的解决方案和技术支持也是其中一个原因 图 18: 2012 年和 2013 年 PC OEM 市场份额对比 来源 : 互联网, 仅供参考 图 19: 全球 PC 与移动设备出货量变化 2013 年 2014 年 2015 年 传统 PC( 台式 / 个人笔记本 ) 296, , ,657 混合 / 变形式超薄产品 21,517 32,251 55,032 PC 合计 317, , ,689 平板 206, , ,964 手机 1,806,964 1,862,766 1,946,456 其他移动超薄产品 2,981 5,381 7,645 合计 2,334,400 2,432,927 2,591,753 来源 :Gartner, 单位 : 千台, 仅供参考 零售 SSD 市场用于满足游戏玩家 企业商用等高端消费者对高速享受 轻薄体验的需求, 主要包括 DIY 装机 笔记本 / 台式机 / 一体机对 HDD 硬盘存 储的升级,2014 上半年市场主流需求还是 2.5 英寸 128GB 容量 SATAIII 接口 的 SSD 国内品牌厂在零售 SSD 市场占有一定的份额主要是 SSD 售价有绝 对的优势, 以 2.5 英寸规格 128GB 容量为例, 一线品牌 ( 三星 金士顿等 ) 目前零售价格在 元之间 ( 人民币含税 ), 二线 三线品牌零售价格均 在 元之间 ( 人民币含税 ), 下半年 128GB 容量依然是市场需求, 但 随着 256GB 价格的不断降低, 搭载量将不断增加, 年底 256GB 零售价格可以 到 600 元 ( 人民币含税 ) 以内, 将刺激主流需求向 256GB 转移 15

16 二 SSD 在工业 / 行业类和嵌入式 PC 市场应用广泛工业 / 行业类和嵌入式 PC 市场是一个相对细分的市场, 客户数量庞大, 集中度低, 应用类型丰富而分散, 如车载嵌入式设备 监控设备 瘦客户机 教育 军用设备等 工业 / 行业类和嵌入式应用平台也多样化分布, 除了使用与消费类 PC 一样的英特尔 / 超微 X86 架构平台, 还包括 Freescale Hisilicon 等嵌入式 SoC 平台 对于这些嵌入式平台的工业应用,SATAII 接口的 SSD 基本可以满足应用的需求, 因为这些平台的主机接口通常是 SATAII 或 SATA I 的 目前主要由台系品牌宜鼎 宇瞻和国内品牌江波龙 佰维等在耕耘这个市场 工业 / 行业类和嵌入式 PC 市场主要利用 SSD 的抗震性 耐高温性 ( 工业级 SSD 产品能够在 85 度的高温下正常工作, 而 HDD 机械硬盘无法做到 ) 容量差异性等特征, 这些特性都是 HDD 机械硬盘无法比拟的 如在车载应用上面, 由于 HDD 机械应用采用电动马达驱动磁头扫描磁盘盘片来读取数据, 在机车震动的时候容易划伤盘片, 导致数据丢失 硬盘故障等问题, 而 SSD 不是机械装置, 数据读取依赖电子信息的变化不会因为震动而伤害存取数据, 因此受到车载系统客户的欢迎 容量成本方面的因素也成为工业用市场使用 SSD 的重要原因 很多工业应用设备上只需要用到 8GB -64GB 存储容量, 而目前市场在售 HDD 机械硬盘最小容量为 500GB, 售价在 300 元 ( 人民币, 下同 ) 左右,64GB 的 SSD 售价只需要 200 多元,32GB 售价更低, 使用 HDD 显得性能过剩而价格高昂, 对于这部分客户来讲, 装备 SSD 不仅可以提高系统性能和可靠性 降低系统功耗, 并且还能够节省系统成本 图 20: 主要 HDD 生产商主流容量硬盘含税价格 GB 500GB 1TB 希捷西数东芝日立 来源 : 京东购物商城, 单位 : 元 ( 人民币 ), 仅供参考 图 21:2014 上半年 msata SSD 32GB 价格走势图 2014 上半年 msata SSD SATAII 32GB 价格走势图 最低价最高价平均价 /1/1 2014/2/1 2014/3/1 2014/4/1 2014/5/1 2014/6/1 1 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 来源 : 中国闪存市场网 单位 : 美金, 仅供参考 16

17 三 SSD 在企业服务器市场的应用 3.1 SSD 在服务器市场需求量将超过消费类客户端应用智能手机 平板等移动上网智能设备持续增加趋势下, 网上购物 社交互动 分享 / 观看影片等应用迅速膨胀起来, 人们对互联网访问量爆炸性增长, 这不仅使服务器承载量增加, 对访问请求反应速度要求提高, 云计算服务器更是把是否有明显的响应延时作为重要指标 传统硬盘 HDD 随着技术发展存储容量可以达到 1TB 以上, 价格也比较低, 但是在数据请求处理延时 功耗等方面突破性不够 对于亚马逊 阿里巴巴等电商在促销活动期间, 每 100 毫秒的延迟可能会消耗 1% 的销售额, 对于 Facebook 等社交网站, 网页浏览以及动态更新反应迟缓直接影响到客户体验感, 显然传统 HDD 存储方案已不能很好的处理客户访问请求, 密集区域存储 图 22: 商用客户端和数据中心搭配 SSD 增长率 60% 50% 40% 30% 20% 10% 商用客户端 数据中心存储 服务器迫切需要更好解决方案 SSD 存储传输速率可以是传统硬盘 400 倍, 延迟可提升 500 倍, 再加上低功耗等先天性优势, 恰恰能解决传统 HDD 硬盘所存在的不足 SSD 在服务器存储市场需求增加且量大, 据 IDC 数据显示, 预计 % 来源 :IDC, 单位 : 百分比, 仅供参考 年所有消费类客户端和数据中心服务器搭载 SSD 市场规模分别超过 3 亿和 12 亿, 配售率分别超过 15% 和 30%, 而到 2017 年市场规模将分别增长至 4 亿 和 16 亿, 服务器市场应量将远远超过消费类客户端应用 3.2 三星 闪迪 英特尔加大 SSD 在企业数据中心存储布局 [ 三星 3D V-NAND 技术强化 SSD 在企业数据中心布局 ] SSD 所在的企业服务器市场主要是 Flash Vender 厂商在耕耘, 三星 英特尔 闪迪三家独大 三星认为 2014 年 SSD 全球需求可望增加 30% 以上, 且看好消费类和数据中心存储市场 2014 上半年三星面向数据中心存储市场 图 23: 三星 850 Pro SSD 基于第二代 V-NAND 技术 V-NAND 第二代技术 32 层堆叠, 较第一代 24 层提高 33% NAND Flash 30nm 制程 单层容量 2.6Gb 单颗晶圆容量 10.75GB 推出 SATAIII 接口 845DC EVO 系列 SSD, 且采用 1xnm TLC Flash 技术, 与英特尔 DC 3500 系列 SSD 展开竞争 为了强化 SSD 市场布局, 三星曾在 2013 年推出基于 35nm 24 层 Cell 堆叠的 3D V-NAND SSD,2014 年 6 月又推出一款基于 30nm 32 层 Cell 堆叠的 3D V-NAND 技术 850 Pro 系列 SSD 针对高端个人 PC 和工作站存储, 而且三 850 Pro SSD 采用 3 核主控 DDR2 缓存 星西安工厂采用 3D V-NAND 技术投产,NAND Flash 产能也是为 SSD 做准备 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参考 17

18 [ 东芝 闪迪以收购方式加强企业数据中心领域 SSD 布局 ] 东芝 2014 年 1 月以 3500 万美金收购 OCZ, 获得 OCZ 控制芯片技术和专利以及在企业数据中心等领域的 SSD 业务, 并在 4 月推出面向专业工作站和游戏玩家且采用东芝第二代 19nm Flash 的 RevoDrive 350 系列 PCIe SSD 东芝此次收购不仅可以增强 SSD 研发实力而且扩大了在企业数据中心市场布局 闪迪则以 11 亿美元买下 Fusion-io,Fusion-io 一直致力于设计企业数据中心 SSD 存储解决方案, 还拥有 Facebook 阿里巴巴等 SSD 采购量庞大的客户, 闪迪此举可以实现 SSD 从芯片到终端的垂直供应链 闪迪也曾表示 2016 年要实现商用 SSD 10 亿美金的营收贡献,2017 年实现全球第一的目标 [ 英特尔数据中心用 SSD 传输速度向 PCIe Gen3 x4 升级 ] 英特尔 2014 上半年面向数据中心存储市场推出 SATAIII 接口的 730 系列 SSD,6 月又发布了三款符合 NVMe 标准的 PCIe SSD, 分别面向写入密集区域存储的 DC P3700 系列, 混合工作负载存储的 DC P3600 系列, 以及适合读取密集型应用的 DC P3500 系列, 实现技术从 SATA 向 PCIe/NVMe 过渡, 传输速度从 PCIeGen2 x4(2gb/s)2gb/s 向 PCIeGen3 x4(4gb/s) 提升, 应用从消费类到数据中心存储的全面覆盖 图 24: 英特尔 DC 3X00 系列数据中心存储应用 SSD 规格参数 系列 DC P3500 DC P3600 DC P3700 Flash 英特尔 20nm MLC NAND Flash 容量 (GB) 400, 1200, 400, 800, 1200, , , 800, 1600,2000 接口 NVMe PCIe 3.0 x4 连续读速度最高 2500 最高 2600 最高 2800 连续写速度最高 1700 最高 1700 最高 2000 (MB/s) 4K 随机读最高 450 最高 450 最高 460 4K 随机写最高 35 最高 56 最高 175 速度 (KIOPS) 耐久度 最高 1095TBW 3 Drive Writes Per Day 10 Drive Writes Per Day 平均读写延迟 20µs / 20µs 来源 : 中国闪存市场网 整理, 仅供参 图 25: 主要国际品牌厂企业数据中心市场最新 SSD 产品参数 厂商代表产品 NAND 架构工艺控制芯片容量接口 XP Samsung 1TB PCIe Samsung Toshiba SM Samsung 1.6 TB-3.2TB PCIe 850 Pro 3D VNAND 30nm Samsung 128GB-1TB SATAIII RevoDrive 350 MLC 二代 19nm SandForce 240GB-960GB PCIe Z-Drive 4500 MLC 二代 19nm SandForce 800GB-3.2TB PCIe 730 MLC 20nm Intel 240GB,480GB SATAIII Intel DC P3700 MLC 20nm Intel 400GB-2TB PCIe DC P3600 MLC 20nm Intel 400GB-2TB PCIe DC P3500 MLC 20nm Intel 400GB-2TB PCIe SanDisk X300s MLC 二代 19nm Marvell 64GB- 1TB SATAIII/M.2 Micron M500DC MLC 20nm Marvell 120GB-800GB SATAIII P420m MLC 25nm PMC 1.4TB, 350GB, 700GB PCIe 来源 : 中国闪存市场网 仅供参考 18

19 NAND Flash 相关产品应用市场 - - 闪存卡 U 盘及创新产品 一 2014 上半年闪存卡速度升级, 扩大市场应用领域 1.1 品牌厂推新规范闪存卡, 速度大幅提升, 容量向 32GB 以上推进 2013 年 11 月 SD 协会 (SD Association) 发布最新的 UHS Speed Class 3(U3) 规范,2014 上半年闪迪 金士顿 创见等存储厂均推出支持新规范的闪存卡新品抢市, 其中闪迪推出 Extreme Pro 系列最高读 / 写速度分别高达 280MB/250MB/ 秒 ; 创见和金士顿推出的 U3 规范闪存卡也均达到读取 90MB/ 秒, 写入 80MB/ 秒的速度 存储厂推出的支持 U3 规范的闪存卡, 其速度不仅适合高性能数码单反相机和数码单镜头 / 无反光镜相机数据存储, 而且也适合摄像机 4K 和 3D 超高清视频录制, 以及 3D 游戏的加载和运行, 而且现在手机厂也不断推出支持 4K 摄影的智能手机 在高质量, 高速传输 大容量存储等趋势推动下, 闪存卡所需的存储容量向 32GB 以上推进, 对 NAND Flash 消耗量增加 1.2 闪存卡价格持续下滑, 促使主流容量从 4/8GB 向 8/16GB 转移闪存卡市场需求随着智能手机内嵌存储容量不断提升, 手机工厂订单大幅萎缩, 虽然闪存卡应用领域广泛, 在视频监控 行车记录 导航仪等领域渠道销售不错, 但终不敌以往手机搭载需求量大 2014 年初大陆春节节后市场需求复苏迟缓, 再加上受智能手机和平板出货下滑影响,2 月份大部分贸易商在高库存压力下开始降价抛货清库存, 主流容量 4GB 8GB 闪存卡价格累积跌幅超过 20%, 持续跌价让大部分市场贸易商业绩陷入亏损 3 月市场需求依然未见明显好转, 为避免跌价导致业绩亏损加大, 大部分厂商采购动作转为保守, 同时一部分商家有明显控货动作, 刺激闪存卡价格在短时间内上涨 15% 以上, 但 3 月下旬又迅速回跌了 智能手机 平板需求持续增长, 上游芯片厂三星 东芝 美光等 NAND Flash 产能大部分都供给 emmc/emcp 和 SSD 出货, 对传统闪存卡 U 盘等 NAND Flash 供应量减少 1-3 月价格持续下滑, 已逼近上游片厂生产成本价, 为了维持产品一定的销售利润, 上游芯片厂在 4 月底开始控制市场供应量并拉涨价格 由于市场需求未见起色, 上游控货及拉涨影响并不明显, 同时下游贸易商经调整后的库存水位也不高,4 月和 5 月价格也没有大跌, 在旺季需求带动下 6 月初价格才逐步缓涨 图 26:MicroSD 4/8GB 2013 年和 2014 上半年的价格走势图 2013 年 Micro SDHC 4/8GB(CL4) 价格走势图 4GB 开盘 4GB 收盘 8GB 开盘 8GB 收盘 月 2 月 3 月 4 月 5 月 6 月 7 月 8 月 9 月 10 月 11 月 12 月 2014 年上半年 Micro SDHC 4/8GB(CL4) 价格走势图 4GB 4GB 8GB 8GB /1/11 月 2014/2/1 2 月 2014/3/13 月 2014/4/14 月 2014/5/15 月 2014/6/16 月 来源 : 中国闪存市场网 单位 : 元 ( 人民币 ) 据中国闪存市场网报价显示,2014 年 1-6 月 Micro SD (CL4) 4GB 价格由 16.3 元下跌至 11.5 元, 下滑 30%,8GB 价格由 18.1 元下滑至 15.3 元, 下滑 16%,16GB 价格则由 37.8 元下滑至 30.8 元 在低价优势推动下, 未来 8GB 16GB 等更高容量将成为市场主流 19

20 二 U 盘差异化应用市场 2.1 USB2.0 市场份额急剧下降,USB3.0 销量未能填补下降份额从 2014 年开始, 传统的 USB2.0 的市场份额延续 2013 年的状况, 急剧下降, 据业内人士初步估计, 下降的份额高达 30%-50% 左右, 主要原因是市场需求下降 U 盘容量基础容量还在 4GB 止步不前, 移动电源抢去了部分的礼品市场等等原因, 因此传统 USB2.0 的产品已经进入衰退期 USB3.0 未能如大家预期填补下降的市场份额, 究其原因是价格偏高, 从 PCBA 的市场来看, U3 比 U2 的纯粹生产成本高出 0.6 美金左右, 而 PCBA3.0 和黑豆干 3.0 的市场差距在高容量 64GB 的差距在 5 美金左右, 使得黑豆干 3.0 的销售量更不容乐观, 第二个原因是 U3 的速度并未像前期预期那样, 对于速度有极大的提升, 在各大厂家的标准 SPEC 定位上, 比如 32GB 的产品, 基础写速度只是在 15-20MB/S 左右, 读速比 U2 有明显的提升, 但是用户更在意的是写速 因此, U3 的急剧上量只有等待生产成本的下降与 U2 相差 0.2 美金才会是放量的时候 2014 年上半年, 各大厂家的 WiFi U 盘也开始蠢蠢欲动, 存储的多样性发展将会是未来 U 盘的形式,WiFi U 盘的目前表现形式多样, 比如直接带小容量移动电源存储的 U 盘, 直接插在移动电源上的 U 盘等等 并且苹果 U 盘也被很多厂家开始提上日程, 当然未来哪一种是市场所欢迎的, 我们还是值得期待 2.2 手机 U 盘 : 要从手机端开始做手机 U 盘, 经过前期 PCBA 的时间酝酿, 手机黑豆干有了重大的突破, PCBA 的市场已经稳固, 黑豆干的市场已经跟着迅速推进 2014 年上半年手机黑豆干大厂的方向不一, 有专注于 U3 接口, 有专注于 U2 接口的, 但是有消息称, 专注于 U3 接口的厂家已经调转方向向 U2 接口调整, 这对于市场来说是比较好的消息, 从手机黑豆干诞生之日起, 各个厂家有各个标准的 Micro USB 头, 目前市场上还存在至少 3 种以上的不同接口, 因此对于模具厂来说, 一个款式必须开 3 套不同的模具来满足不同的客户需求, 这将严重影响到产能, 大家都期望手机黑豆干会在下半年有所爆发, 但是不同接口的确不利于发展, 因此, 期望市场上不同接口能有统一标准, 才能让这个市场有所突破 手机 U 盘未来的发展还是不容忽视, 手机已经变成人们日常生活所需, 目前大部分手机的 Micro SD 闪存卡都是要开盖之后才能使用, 并且要导出里面的数据需要用读卡器, 这对于用户来讲极度不方便, 而手机 U 盘却很好的解决此问题, 只需要将数据从手机导出后直接利用他的 USB 接口传到 PC 上 但是目前各个厂家的推广重心放在的 USB 端口, 要想手机 U 盘的销售量增大, 必须从手机端开始做, 弱化 USB 端口 对于手机黑豆干来讲更好的消息就是产品品质会有很好的提升,2014 年上半年有很多国内厂家尝试做出品质稍差的豆干, 但是遗憾的是,Andriod 系统并不买单, 目前国产的并不能像常规豆干可以供用户在 Andriod 系统上正常使用 很有可能手机黑豆干会在 U 盘市场上代表着高大上 三 创新类闪存产品方兴未艾 3.1 融合 无线 + 存储 优势, 拓展产品应用随着智能终端的加速普及, 人们对音乐 视频的需求快速增长, 但手机和平板电脑目前大部分的存储容量为 16/32GB, 无线 + 存储的产品很好地解决了存储的瓶颈 无线存储类的产品主要分为以下 2 类 : 私人云存储 : 如联想无线掌中宝 PWR-G60, 集无线存储 路由器 移动电源 3G 转 WiFi 多功能于一身, 因很好的解决了目前智能手机或平板电脑上使用上存储空间和电源问题, 使用非常方便, 很多大厂也推出了类似的产品, 如闪迪 金士顿 索尼等, 目前已经发展为一条独立的产品线系列 WiFi U 盘 : 分为软 AP 和硬 AP 产品, 如目前 360 率先推出的随身 WiFi U 盘产品为软 AP 产品, 驱动软件可以存入 U 盘内, 插入电脑后可以自动安装并运行,U 盘内还可以存入其它定制的内容 目前其它厂商紧随 360 也会很快相继推出类似产品, 成为继随身 WiFi 后又一创新的产品 U 盘已是比较成熟的产品, 市场上需要有一些差异化功能的产品,WiFi U 盘产品刚好可以满足这种需求, 本身是硬 AP, 只需供电即可通过 WiFi 分享 U 盘内的数据, 也可以作为 WiFi 中继功能, 插入电脑又是一个普通 U 盘, 存储大厂闪迪也推出了这种产品, 后续 U 盘增加 WiFi 功能将成为必然趋势 20