P 型半导体 N 型半导体 P 区 ( 中性区 ) N 区 ( 中性区 ) 负离子区空间电荷区耗尽层阻挡层势垒区正离子区电中性 2) 特性伏安特性单向导电性 ( 正向导通反向截止 ) 什么是正向偏置? 什么是反向偏置? 在正向偏置下, 空间电荷区如何变化? 在反向偏置下, 空间电荷区又如

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弦蓝
5 years ago
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1 模拟电子技术 1 至 4 章小结前面五章的内容结构非常明确, 第一章介绍构成电子线路的半导体器件, 第二章是由基本元器件三极管和场效应管构成的基本放大电路来实现信号的放大功能, 第三章为基本放大电路级联而成的多级放大电路第二三章的内容是来构成分立电路, 而第四章内容就涉及到了集成电路 ( 把分立电路集成到一片硅片上, 利用一个集成芯片来构成具有一定功能的集成电路 ) 前面四章的内容都不考虑电路性能与输入信号频率之间的关系, 第五章内容即为电路的频率响应问题 ( 放大电路的性能如何受到输入信号频率的影响 ) 内容结构 : 连接组成改善性能集成考虑电抗影响半导体器件基本放大电路多级放大电路集成运放频率响应掌握 : 1 半导体的基础知识 ; 第一章半导体器件 2 二极管三极管场效应管的工作原理特性曲线和主要参数 ; 3 二极管电路基本分析方法和应用一半导体 1) 种类 : 本征半导体和杂质半导体 (P 型 N 型 ) 什么是本征半导体? 什么是杂质半导体? 2) 半导体结构 : 内部存在自由电子 ( 带负电荷 ) 和空穴 ( 带正电荷 ) 两种载流子 ( 为什么会产生?) 本征半导体自由电子空穴 P 型半导体自由电子空穴受主原子原因? 如何形成? 浓度关系? N 型半导体自由电子空穴施主原子如何区分三种半导体? 3) 半导体电流 : 扩散电流和漂移电流 ( 产生的机理?) 扩散电流是半导体特有的一种电流 4) 半导体特性 :1) 掺杂性掺入杂质可改变半导体的导电性能 ( 如何改变?) 2) 温度敏感性温度或光照改变会影响半导体的导电性能 ( 如何影响?) 5) 半导体材料 : 硅 (Si) 锗(Ge) 砷化镓(GaAs) 二 PN 结 ( 结构? 如何形成? 特性?) 1) 结构 ( 将 P 型半导体和 N 型半导体背靠背紧密排列, 就可以形成 PN 结 ) 为什么会形成空间电荷区? 空间电荷区中的电流关系? 空间电荷区存在电位差, 称为内建电位差空间电荷区宽度 ( 当 P 型半导体和 N 型半导体掺杂浓度不一样时, 会出现什么情况?) 对称 PN 结和不对称 PN 结? 三种 PN 结 : 突变结超突变结缓变结

2 P 型半导体 N 型半导体 P 区 ( 中性区 ) N 区 ( 中性区 ) 负离子区空间电荷区耗尽层阻挡层势垒区正离子区电中性 2) 特性伏安特性单向导电性 ( 正向导通反向截止 ) 什么是正向偏置? 什么是反向偏置? 在正向偏置下, 空间电荷区如何变化? 在反向偏置下, 空间电荷区又如何变化? 正向电流 : 多子扩散电流 ; 反向电流 : 少子漂移电流牢记两个内容 : 电流方程和 PN 结 i~u 曲线 u 电流方程 : i I T ( e U S 1) Is: 反向饱和电流, 受到多个因素影响 U T : 热电压伏安曲线 : 即 : 为什么会产生单向导电性? 温度特性 PN 结如何受温度影响? 温度变化, 伏安关系会如何变化? 击穿特性击穿是什么? 为何会产生? ( 在什么条件下才会产生击穿?) 两种击穿 : 雪崩击穿和齐纳击穿 ( 产生机理? 碰撞电离和场致击穿 )( 各自特点?) 电容特性 PN 结电容有两部分组成 : 势垒电容和扩散电容分别怎么产生和各自特点? 三半导体器件 1 二极管内容 : 组成结构 > 特性 > 参数 > 等效电路 ( 模型 ) 分析 > 应用 1) 结构利用 PN 结, 从 P 区引出正极 ( 阳极 ), 从 N 区引出负极 ( 阴极 ) 电路符号? 2) 特性 ( 类似于 PN 结特性 ) 区别在哪里? 开启电压? 导通电压? 温度影响? 温度变化, 正向电压降如何变化? 电流如何变化? 伏安特性曲线? 电流方程?

3 3) 参数 4) 等效电路 ( 等效模型 )-- 利用该模型来替代二极管直流模型 : 理想模型常数压降模型电池加电阻模型在直流模型下, 当二极管导通后, 二极管正向压降就为它的导通电压只能用于直流分析小信号模型 : U rd I T D 适用条件 :1) 分析叠加在直流信号上的交流信号之间关系的时候用 ; 既分析 U 和 I 间的关系 2) 该交流信号必须叠加在一个直流量上, 即二极管上必须有一个直流量 3) 输入信号为小信号如果是大信号, 则需要要利用二极管的电流方程来建立节点或回路方程来进行求解, 但本书中通常假设为小信号 5) 二极管电路基本分析方法直流分析和交流分析 ( 小信号分析 ) 什么是直流分析? 什么是交流分析? 分析方法 : 图解分析 : 利用二极管的管外电路曲线和二极管的特性曲线求交点求得电路结构等效电路分析 ( 近似分析 ): 利用前面的等效模型替代二极管得到等效电路进行分析分析过程 : 1) 静态分析 ( 直流分析 ): 根据条件 ( 正向导通, 反向截止 ), 利用相应的直流模型替代二极管, 得到直流等效电路, 分析得到静态结果, 此时得到电路中各节点上的直流电压和各支路上的直流电流 ; 要能正确判断二极管状态, 处于导通还是截止 ( 无法判断可以先假设再验证 ) 2) 交流分析 ( 动态分析 ): 利用小信号模型替代二极管, 得到交流等效电路并利用静态分析结果求得小信号模型参数然后分析得到交流结果此时得到电路中各节点上的交流电压和各支路上的交流电流 ; 3) 根据题目要求, 求得最终结果电路中各节点上的瞬时电压和各支路上的瞬时电流就等于直流叠加上交流 6) 二极管应用整流应用利用二极管的什么特性? 如何整流? 稳压应用稳压二极管的机理?( 反向击穿, 电压稳定 ) 牢记 : 只有在被反向击穿后, 才会起到稳定电压的作用否则只有正向导通, 反向截止如何来搭建稳压电路?( 必须确保流过电流在最小电流和最大电流之间 ) 限幅电路变容二极管什么机理? 2 三极管

4 内容 : 结构 > 特性 > 参数 > 等效电路 ( 模型 ) 分析 1) 结构 ( 如何构成三极管? 电路符号?) NPN 型两种类型 :NPN PNP ( 清楚极性和电流方向 ) 三个工作状态 ( 牢记处于不同工作状态时, 电流关系 ): 放大状态 ( 发射结导通集电结截止 ) 饱和状态 ( 发射结导通集电结导通 ) 截止状态 ( 发射结集电结均截止 ) 正确判断工作状态, 两种方法 : 电位判断 ( 根据电压偏置 ) 电流关系判断 : I B =0,I C =0,I E =0 截止 I B >0,I C =βi B,I E =(1+β)IB 放大 I B >0,I C <βi B,I E <(1+β)IB 饱和由各极电位判断三极管性质及结构方法 (1) 由 0.7V 或 0.25V 断定这两个电极为 B 和 E, 并且由 0.7V Si, 0.25 Ge; (2) 剩下的电极必定为 C; (3) U C 电位最高 NPN U B >U E U C 电位最低 PNP U E >U B 2) 特性 ( 牢记输入特性曲线输出特性曲线 ) NPN 型三极管 PNP 型三极管

5 在相同的电流方向定义以及相同的电压极性定义下, 与 NPN 曲线关于原点对称 ( 得到特性曲线, 必须注意电流方向和电压极性定义 ) 三极管的温度特性 ( 温度变化, 三极管参数如何变化?) 3) 参数 4) 等效模型 ( 第二章中内容 ) 直流模型 : 放大模式 : I B I C I C I B I ( 1 ) I E B U BE U BE(on) I B U CE 饱和模式 U BE =0.7V; U CE =U CES, U CES 为管子饱和压降, 即饱和工作时,CE 间的压降 I B I C U BE U BE(sat) U CE(sat) U CE 截止模式 I B =0, I C =0 I B I C U BE U CE 交流小信号模型 (H 参数模型 ): I b I c I b I c rbb' b' rbb' b' U be r b ' e I b r ce U ce U be r b ' e I b U ce 在不同的条件下, 利用这些模型来替代晶体三极管, 对三极管电路进行分析直流模型 : 进行直流分析时使用, 首先必须正确判断工作模式 H 参数模型 : 分析三极管上动态变化的交流小信号时适用 ; 必须是低频信号 ; 必须有静态工作点支持 3 场效应管场效应管需要掌握的内容与三极管类似参照上面的过程和要点进行复习结构工作原理特性参数等效电路见场效应管比较表三极管和场效应管有哪些不同点? 掌握 : 1) 放大电路的组成, 结构以及工作原理第二章基本放大电路

6 2) 放大电路的分析方法 3) 放大电路的偏置电路 4) 放大电路的组态 5) 场效应管放大电路一放大电路的构成利用基本元件和半导体器件可以实现放大信号的功能电路, 那么怎么来构成放大电路?, 怎么来实现信号的放大? 各个元器件的作用? 1) 构成原则晶体管始终处于放大工作状态 ( 什么来保证?, 合适的静态工作点 ) 输入信号必须能够引起三极管发射结电压的变化 ( 判断 : 交流通路中, 输入信号 Ui 是不是可以加到或连接到三极管的 BE 之间, 如果是其它组态, 则判断 Ui 能够加到两个输入电极之间 ) 晶体管输入电流必须能够转化成电压输出 ( 即必须有负载电阻 Rc) 考虑晶体管的极限参数 ( 比如发射结上不能加太大的电压, 否则会引起管子烧坏, 为什么?) 2) 构成各器件的作用? 信号的变化过程? 为什么可以实现信号的放大? 3) 场效应管有类似的问题二静态工作点 1) 静态工作点什么是静态工作点?(I BQ I CQ U CEQ U BEQ ) 2) 静态工作点的偏置电路什么是静态工作点的偏置电路? 对偏置电路有什么要求? 分压式偏置电路中 Re 电阻的作用? 该电路有什么特点? 温度补偿偏置电路稳定静态工作点的机理? 3) 失真为什么会产生失真?(Q 点不合适 ) 会产生什么失真? 为什么?( 饱和失真截止失真 ) 如何来消除失真? PNP 管和 NPN 管组成的放大电路产生的失真有何不同? 怎么来分析失真的产生?( 利用直流负载线分析还是利用交流负载线来分析失真? 两者有什么区别?) 4) 静态工作点的分析静态时电路运行情况的分析, 即 ui=0 时的分析结果也就放大电路的直流分析分析过程 : 获得放大电路的直流通路 ( 什么是直流通路? 如何获得?) 利用图解分析或等效电路模型方法进行分析获得分析结果, 得到静态工作点, 也可以得到各节点的直流电压各支路的直流电流分析方法 :

7 图解法 ( 利用晶体管的输入特性曲线和输出特性曲线以及输入输出管外直流负载线求交点获得静态工作点, 然后利用静态工作点求其他节点和支路上的直流信号 ) 等效模型法 ( 获得直流通路后, 利用相应的三极管的直流等效模型来替换三极管, 得到直流等效电路, 然后利用基本电路理论来对该直流等效电路进行分析得到直流结果 ) 注意模型的应用条件三放大电路的分析放大电路的分析是最重要的一个内容 1) 直流分析 ( 同上面静态分析 ) 2) 交流分析 ( 动态分析 ) 分析内容 : 通常要来分析放大电路的增益输入电阻输出电阻等 ( 必须了解放大电路的性能指标定义 ) 分析过程 : 获得放大电路的交流通路 ( 什么是交流通路? 如何获得?) 利用图解分析或等效电路模型方法进行分析获得分析结果, 得到各节点的交流电压各支路的交流电流将每个节点上的直流电压和交流电压叠加就得到该节点的瞬时电压, 将每条支路上的直分析方法 : 流电流和交流电流叠加就得到该支路的瞬时电流图解法 ( 利用晶体管的输入特性曲线和输出特性曲线以及输入输出管外交流负载线获得动态信号 ) 等效模型法 ( 获得交流通路后, 利用相应的三极管的小信号等效模型来替换三极管, 得到交流等效电路, 利用静态结果求得模型参数, 然后利用基本电路理论来对该交流等效电路进行分析得到交流结果 ) 注意模型的应用条件交流负载线直流负载线? 一个放大电路的负载怎么来影响交流负载线? 四放大电路的组态有三种不同的组态 ( 如何判断一个放大电路的组态?): CE CC CB 必须清楚每种组态各自的特点 CE 组态具有电压电流放大能力, 反向放大电路输入输出电阻处于居中位置, 通常用作多级放大电路中的中间级来实现信号的放大作用输入电阻与负载无关, 输出电阻与信号源内阻无关 ( 在 CE 组态电路中, 有旁路电容 Ce 和没有 Ce 有什么区别, 对电路性能有什么影响? 为什么?) CC 组态不具备电压放大能力, 但可以来放大电流信号同相放大, 输入电阻较高, 与负载有关 ; 输出电阻较低, 与信号源内阻有关通常用作射随器 CB 组态不具有电流放大, 但可以放大电压信号, 同相放大输入电阻低, 与负载无关, 输出电阻高, 与信号源内阻无关, 通常用作电流接续器记住各个组态基本电路的一些结果有助于加快对电路的分析但必须注意结果跟电路的偏置也有一定的关系, 不能够死记五复合管如何来构成复合管? 主要满足两个条件 :1) 因为必须工作在放大状态, 因此两个管子的电流有合适的通路 ( 即一个管子, 包括 PNP 和 NPN, 一旦它工作在放大状态, 那么它的电流方向就确定, 因此两个管子的电流之间不能产生矛盾 ),2) 前一个管子的发射极或集电极必须连接到后一个管子的基极

8 通常 : 如果两个管子构成一个复合管, 则该复合管的类型应该与第一级的管子的类型相同六了解场效应管类似的内容第三章多级放大电路及集成运放掌握 : 1) 多级放大电路的耦合方式 2) 多级放大电路的分析方法 3) 差分放大电路的结构性能和分析 4) 了解互补输出电路的原理一耦合方式通过将基本放大电路进行级联可以得到多级放大电路为什么要使用多级放大电路? 有什么好处? 有四种耦合方式 : 直接耦合 ( 直接耦合会产生什么问题? 怎么解决?) 阻容耦合通过电容进行连接有什么好处? 变压器耦合 ( 通过变压器进行连接 ) 优缺点? 光电耦合什么是零点漂移? 二多级放大电路的分析 1) 系统组成信号源输入级中间级输出级负载多级放大电路输入级通常会采用什么放大电路? 为什么?( 差分放大电路 ) 中间级会采用什么放大电路?(CE 组态放大电路, 利用恒流源做有源负载 ) 输出级会采用什么电路?( 互补输出放大电路 ) 2) 多级放大电路的分析多级放大电路是由基本放大电路进行级联得到, 因此最好的分析方法是利用单级放大电路的知识来分析多级放大电路分析过程 : 明确放大电路的级数 ; 明确放大电路的耦合方式 ( 关系到静态工作点的分析 ) 明确各级放大电路的组态利用多级性能跟单级性能之间的关系得到结果直流分析 : 如果是阻容耦合, 则可以每级独立分析, 得到各级静态工作点 ( 具体分析同第二章单级放大电路的直流分析 ); 如果是直接耦合, 则需要建立联立方程进行求解 ( 比较复杂 ) 交流分析 : n 放大倍数 : A u A uj 如何计算各级放大倍数???( 需要考虑后级的负载效应 ) i 1 三差分放大电路 1 结构( 怎么构成差分放大电路?)

9 +V CC R c1 U o R c2 R b1 T 1 T 2 R b2 U i1 R e U i2 -V EE 2 输入输出方式 1) 四种输入输出方式双端输入双端输出双端输入单端输出四种输入输出方式的不同单端输入双端输出单端输入双端输出 2) 特性 ( 特性跟输入输出方式相关 ) 直流特性共模特性什么是共模什么是差模? 为什么要分共模和差模差模特性 3 分析三个分析 : 直流分析共模分析和差模分析双端输出 : 零输入零输出 ; 如何分析得到静态工作点??? 共模特性 ( 完全抑制共模信号 ) 如何分析共模性能?( 即如何得到共模通路? 为什么?) Auc=0;K CMR 为无穷大 ; 差模特性 ( 对差模信号有放大作用 ) 如何分析差模性能?( 即如何得到差模通路? 为什么?) u o A (u u ) 在双端输出时, 只有两个输入端之间有差值信号, 差分放大器才会 ud I1 I2 有信号输出单端输出 : 零输入非零输出 ; 如何分析得到静态工作点??? 共模特性如何分析共模性能?( 即如何得到共模通路? 为什么?) Auc 不为 0;K CMR 为有限值 ; 差模特性 ( 对差模信号有放大作用 ) 如何分析差模性能?( 即如何得到差模通路? 为什么?) ui1 ui2 uo A ud (ui1 ui2) A uc( ) 2 单端输出与双端输出相比, 在性能上有什么样的变化? 4 共模抑制比什么是共模抑制比? 怎么改善共模抑制比? 5 横流源偏置的差分放大电路

10 为什么要采用横流源偏置? 利用横流源的什么特点来达到目的? 如何来分析横流源差分放大电路? 6 了解互补输出电路的工作原理, 为什么会产生交越失真? 如何消除? 集成运放掌握 : 1) 电流源电路 2) 集成运放的内部结构框图 3) 集成运放的外部特性参数及简化等效电路 4) 了解集成运放的种类和使用一电流源电路 ( 镜像电流源 ) 1 镜像电流源的结构 ( 为什么可以实现恒流源的功能??) +V CC I R R I o T 0 T 1 2 三种电流源基本镜像电流源结构? 电流关系 :Io 近似等于 I R 为什么是近似?I R =? 那么又如何来提高这个精度? 比例电流源电路结构? 电流关系? 条件? 微电流源结构? 输出电流? 多路电流源电路 3 电流源的应用可以作为放大电路的有源负载 ( 什么是有源负载? 有什么好处?) 主要利用电流源的什么特点? 二集成运放在本章中, 只是来认识什么是集成运放, 不涉及集成运放搭建的电路集成运放是直接耦合的多级放大电路, 主要实现高增益的电压放大 1 内部结构图四部分组成 : 输入级电路中间级电路输出级电路偏置电路输入级电路 : 差分放大电路 ( 为什么?) 中间级电路 : 以电流源作为有源负载的 CE 组态放大电路输入级电路 : 互补输出电路 ( 有什么特点?) 偏置电路 : 恒流源电路 2 外部结构图电路符号

11 +V CC u id 两个输入端 :Up 和 UN ( 分别称为同相端和反向端, 为什么?); 一个输出端 ; 双电源供电 V EE 3 端口特性( 电压传输特性 ) 对于集成运放, 我们不需要太了解他的内部具体实现, 我们只要知道他的端口特性就可以, 即只要知道他的输入和输出之间的关系就可以, 我们可以把它作为一个基本器件来使用, 虽然他并不是真正意义上的基本器件因为是电压放大器, 所以需要了解输入电压和输入电压的关系, 即它的电压传输特性因为输入级为差分放大电路, 他对共模信号有很强的抑制作用, 所以我们主要关心它的差模电压传输特性即 : Uo~Uid 的关系 Uo=f(Up-Un) 集成运放特点 : 高增益高输入电阻低输出电阻 Uom 称为集成运放的饱和电压,+Uom 通常比 +Vcc 略小,-Uom 通常比 -Vee 略大 u O +U OM O -U OM u P -u N 1 当 Up-Un 非常小时,Uo=Aod(Up-Un), 实现线性放大 ; 既曲线的中间部分, 该斜线的斜率就是 Aod, 定义为集成运放的开环差模增益该值通常非常大这部分区域称为线性区或放大区 2 当 Up-Un 大于某个值后,Uo=+/-Uom, 饱和输出即不管输入信号多大, 输出始终为 +/-Uom 大小, 所以称为饱和区或限幅区什么时候集成运放会达到饱和输出?( 只要某个输入信号通过集成运放放大后的输出信号幅度达到饱和电压, 那么此时集成运方就进入饱和区 ) 线性区 : Up-Un <Uom/Aod; 由于 Aod 通常非常大, 所以线性区非常小 4 集成运放的参数差模参数共模参数直流参数频率参数需要清楚每个参数的定义比如差模输入电阻和共模输入电阻就有不同的定义方式第四章频率响应掌握 : 1) 频率指标 2) 频率响应的描述

12 3) 单级放大电路的频率响应分析 4) 多级放大电路的频率响应分析一频率指标频率特性是表示增益与输入信号的频率之间的关系, 即如果输入不同频率的信号, 放大电路所具有的增益也会不同为什么会有这种现象, 由于什么原因引起放大电路的增益是一个频率的函数? 频率特性包括 : 幅频特性和相频特性 ( 定义?) 要牢记下面的放大电路的频率响应图 ( 包括两个图 : 幅频响应图和相频响应图 ) 三个频段 : 低频区中频区高频区三个频段有什么特点?( 中频区增益与频率无关, 低频区随频率减小, 增益下降, 高频区随频率增大, 增益下降 ) 为什么? 分别是由什么原因引起这个下降? 频率指标 : 上下限频率中频增益通频带根据放大电路的频率响应图的不同, 可以有四种不同的放大电路 : 高通低通带通带阻要实现不失真的放大信号, 通频带和输入信号的频率之间应该有什么关系? 二传输函数和波特图频率响应有两种表示方法 : 传输函数 ( 用输出与输入的关系式来表示 ) 和波特图 ( 用图形表示, 半对数坐标来表示 ) 用波特图表示有什么优势? 什么是波特图? 怎么从一个传输函数来画出渐进波特图? 从一个波特图上可以了解到放大电路的什么信息? 三单级放大电路的频率响应要得到一个放大电路的频率响应, 无非就是来得到考虑电路中的所有电抗元件后的放大电路的增益函数 1 晶体三极管的高频模型( 即考虑三极管中两个 PN 结结电容后的等效模型 ) I b C I c I b rbb' b' I c U be r b ' e g mu b ' e U ce U be r b ' e g mu b ' e U ce C C t 混合 Π 模型单向化模型注意与 H 参数模型的差别适用条件 : 当晶体三极管上所加的信号频率较高时, 节电容会产生较大影响, 而当频率较低时, 该电

13 容影响较小, 所以该模型适用于所加信号频率较高时使用, 因此称为高频模型与之对应,H 参数模型称为低频模型 2 三极管的频率特性需要了解三极管的频率特性, 即三极管参数 β,α 与频率之间的关系 β 参数的频率特性? α 参数的频率特性? ω T 三极管的几个频率参数及其关系 : T ( 三个参数的定义?) 如何来获得这三个参数? 通常 :f T 参数手册中会给出, Cμ 参数手册也会给出因此 Cπ 可以通过该式计算得到 : g βω m 0 β C C π μ 3 单级放大电路的频率响应要得到整个放大电路的频率响应, 通常可以把放大电路按低频段中频段和高频段分别来进行分析, 得到每个频段的频率特性, 然后再把这三个结果合并得到整个放大电路的频率响应 ( 为什么可以分开来分析?) 1) 低频段 ( 主要受到哪些电抗元件的影响? 具有什么特点?) 2) 中频段 ( 哪些电容会产生影响? 具有什么特点?) 3) 高频段 ( 原因? 特点?) 20lg A usm A us (w)(db) H w L H w L f L 和 f H 怎么计算得到? 增益带宽积 :GBW= A usm f bw, 对于一个放大电路来说, 增益带宽积有什么特点? 单管放大电路频率响应的分析过程 : 计算中频增益 ( 按照基本放大电路分析方法进行分析? 为什么?) 计算上限截止频率 ( 利用放大电路高频时的等效电路进行分析, 如何得到高频等效电路?) 得到所有影响高频段的电容 C i 以及该电容所在回路的等效电阻 R i, 求得 f Hi =1/(2πR i C i ), 则上限截止频率为 f f f f H H1 计算下限截止频率 ( 利用放大电路低频时的等效电路进行分析, 怎么得到低频等效电路?) 然后得到各个电容 C i 以及该电容所在回路的等效电阻 R i, 求得 f Li =1/(2πR i C i ), 则下限截止频率为 : f L 1. 1 fl1 fl2 fl n H2 Hn 计算带宽 :fbw=fh-fl 通过上面计算得到的几个参数, 我们基本上可以掌握一个放大电路所具有的频率特性四多级放大电路频率响应的分析分析过程仍然同上面单管分析过程, 计算这几个参数不同的是需要利用单极的频率响应参数来计算多级的频率响应参数, 如何计算?

第 3 章分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路

第 3 章分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路 3.1 共发射极放大电路 3.1.1 电路组成 3.1.2 静态分析 3.1.3 动态分析 3.1.4 静态工作点的稳定 3.1.5 频率特性 3.1.1 电路组成基极电阻输入电容 u i C C 2 C 1 CE E 晶体管集电极电阻 u 0 CC 直流电源