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附禄
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1 五洲暨大考研网坚持专业人做专业事, 为广大考研学子奉献专业作品! 推荐指数 : 基本信息教材名称 2016 暨南大学 823 电子技术基础考研专业课复习全书 ( 含真题与答案 ) 编著聚英教育组编页数 308 页字数 128 千字开本 16 开出版日期 2015 年 3 月购买网址咨询电话 : , 咨询 QQ:

2 2016 暨南大学 823 电子技术基础考研专业课复习全书编辑推荐五洲暨大考研网是聚英教育旗下子品牌, 专业做暨南大学考研专业课辅导资料, 以其严谨专业信息精准等广受考研学子称赞五洲暨大考研网秉持专注责任诚信原则, 倾情推出了暨南大学考研专业课复习全书系列丛书, 本书系统全面总结考研专业课知识, 重难点分明, 深度解析历年考研真题并进行命题预测, 为考生节省大量宝贵的复习时间, 帮助考生在扎实基础之上迅速提高专业课成绩, 是 2016 年考生从基础到冲刺阶段必备的考研专业课资料亮点介绍 1. 专业课深度解析部分从考研各知识点历年的考察频率和变化趋势, 明确重要考点和参考书目的重要章节, 从宏观试题分析命题预测全程规划建议复习方法点拨等角度直抵暨南大学专业课考研资讯最前沿, 准确把握专业课的考研规律 2. 核心考点解析部分根据最新官方指定的参考书目编写, 对教材内容进行精简整合, 所有知识点均根据其历年考察的频率进行重要程度评估, 以星号标识其重要性, 并对真题考过的知识点进行明晰, 免去考生自己查阅分析的烦恼, 深入探讨重点考点, 精准洞察知识脉络部分难点附有考点分析和易出考试题型说明本部分内容对前几轮复习具有较大辅助作用, 在考研后期复习阶段可脱离教材结合核心考点解析进行理解和记忆, 提高考生的复习效率和复习效果 3. 历年真题及答案解析部分给出了暨大专业课考试年的考研真题, 内含详细而精准的参考答案和解题分析答题技巧部分对专业课考试考察的每种题型的答题思路或答题技巧进行分析, 熟练运用各种题型的答题技巧, 将使读者在考场上如虎添翼使用说明一复习全书 ( 主要含核心考点和历年真题 ) 的使用建议 ( 一 ) 复习第一招 : 按图索骥, 宏观洞悉 ( 知识思维导图 + 复习纲要 ) 1. 复习基础阶段 : 初步浏览及标识复习中的疑惑点, 此阶段重在对整体知识内容留有印象, 知晓重点, 解决疑惑点 ; 2. 复习深化阶段 : 对应核心考点具体内容, 增加标识, 此阶段可对照具体内容的复习情况, 把未熟练掌握内容进行标识及补充复习中发现的重要内容 ; 3. 复习冲刺阶段 : 可脱离参考书及复习全书中的核心考点解析部分, 单独看框架和纲要回忆知识点并默写, 以此查漏补缺, 落实记忆咨询电话 : , 咨询 QQ:

3 ( 二 ) 复习第二招 : 抽丝剥茧, 十拿九稳 ( 核心考点解析 ) 1. 复习基础阶段 : 结合初试参考书及核心考点进行理解和背诵, 根据核心考点的分析进行初步的学习, 对教材的内容有所熟悉, 并根据真题回顾来了解各章节的历年真题考察情况 ; 2. 复习强化阶段 : 根据核心考点的分析及重点提示, 把知识点归纳为各种考试题型的题目进行记忆, 并辅以课后习题进行练习来巩固知识点 ; 3. 复习冲刺阶段 : 可直接脱离教材而仅使用核心考点解析进行理解和记忆, 提高复习效率和复习效果 ( 三 ) 复习第三招 : 真枪实战, 画龙点睛 ( 历年真题与答案解析 ) 1. 复习基础阶段 : 通过专业课深度解析部分中的考试分析及命题预测, 对专业课笔试真题的出题风格和作答思路有深度把握和宏观了解, 从而提高复习效率和考试命中率 ; 2. 复习深化阶段 : 根据考试真实时限时点进行模拟考试, 可以反复模拟考试, 然后对照参考答案, 不断完善充实答案, 摸索答题方法对于重中之重的知识点结合习题进行总结和拓展 ; 3. 复习冲刺阶段 : 直接背诵前阶段总结的参考答案, 做好考试时间安排, 形成自己的答题思路和答题方法二全真模拟题的使用建议 ( 四 ) 复习第四招 : 查漏补缺, 面面俱到 ( 全真模拟题与答案解析 ) 考研冲刺阶段 : 考前一个月左右模拟考场进行实战演练, 提前适应考场氛围提升应对考场突发状况的能力, 学会合理分配考试作答时间, 把握考试节奏, 提升答题技巧考生评价评价一 : 刚开始备考时, 独自啃着那几本参考书目 ( 厚得跟山似的 ), 不知道重难点在哪里, 等看完了一遍后, 已经是云里雾里后面在同学的介绍下买了五洲暨大考研网的专业课复习全书, 全书的核心考点解析得非常透彻, 在每章的开头还有一个复习提示介绍重难点最让我惊喜的是, 全书标出了那些曾经考过的知识点的年份, 还在其章节的后面附上了历年真题非常感谢本书的编者, 因为他让我在专业课的复习道路上柳暗花明, 让我离我的梦想更近一步评价二 : 我认为选择一本好的专业课辅导资料十分重要 ; 幸运地是当时听了学姐的建议购买了这本复习全书, 很多人都觉得这本书贵, 但是我觉得物超所值, 全书内容本身不论是对参考书目的讲解, 还是真题答案的解析都十分的详细 ; 并且还有超值的售后服务不论我是否可以考上暨大, 我都要感谢五洲陪我一起走过的漫长考研路评价三 : 买这本复习全书主要是为了复习方便, 不然要花费好大的精力来研究真题和考咨询电话 : , 咨询 QQ:

4 试大纲, 这无疑会耽误我复习公共课五洲的复习全书着实给了我一个大大的 surprise 全书的第一部分让我初步了解专业课, 第二部分让我步入了一个系统的复习阶段, 用总分总的方法打牢了专业课的基础, 堪称完美! 后期用历年真题和解析, 让我有了一个质的提高非常庆幸我选择了诚笃, 同样也非常庆幸诚笃没辜负我对它的信任! 咨询电话 : , 咨询 QQ:

5 目录前言第一部分专业课深度解析第一节历年真题考点分布及试卷结构第二节历年试题综分析第三节命题预测第四节专业课全程规划第五节复习方法点拨第二部分核心考点解析序言第二章集成运放及其基本应用第三章半导体二极管及其基本应用电路第四章晶体三极管及其基本放大电路第五章场效应管及其基本放大电路第六章集成运算放大电路第七章放大电路中的反馈第八章信号的运算和滤波第九章波形的发生和变换电路第十章直流电源第三部分历年真题与答案解析 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 2011 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 2012 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 2014 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案及解析 2011 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案及解析 2012 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案及解析 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案及解析 2014 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案及解析答题技巧咨询电话 : , 咨询 QQ:

6 第二部分核心考点解析第三章半导体二极管及其基本应用电路一本章知识框架半导体基础知识 (1) 本征半导体 (2) 杂质半导体 (3)PN 结半导体二极管及其基本应用电路半导体二极管及其基本应用电路稳压二极管及其基本应用电路 (1) 二极管的伏安特性 (2) 二极管的主要参数 (3) 二极管的等效电路 (4) 基本应用电路 (1) 稳压二极管 (2) 稳压管的基本应用电路复习提示本章主要讲述半导体二极管的基本知识以及它的基本应用电路, 考生应重点掌握二极管的伏安特性二极管整流电路稳压管及其基本应用电路本章一般会与电压比较器结合起来考察, 以作图题为主同时, 本章也是整个模拟电子电路的基础, 故要求考生重点掌握二知识点梳理 ( 一 ) 半导体基础知识 1. 本征半导体 (1) 半导体导电性能介于导体和绝缘体之间的物质叫做半导体咨询电话 : , 咨询 QQ:

7 (2) 本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体 (3) 本征半导体中的两种载流子导体导电只有一种载流子, 即自由电子导电 ; 而本征半导体中有两种载流子, 即自由电子和空穴均参与导电其中, 自由电子带负电, 空穴带正电 (4) 本征半导体的浓度 (2010 已考 ) 在一定温度下, 本征半导体中载流子的浓度是一定的, 并且自由电子与空穴的浓度相等当温度升高时, 自由电子和空穴的浓度都升高, 即载流子浓度升高, 因而导电性能增强 ; 反之, 导电性能变差例 1(2010 真题 ) 判断下面话的对错本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等解析 : 这句话是对的因为在一定温度下, 本征半导体中载流子的浓度是一定的, 并且自由电子与空穴的浓度相等温度升高, 二者浓度同时升高 ; 温度降低, 二者浓度同时降低, 维持动态平衡 2. 杂质半导体 (1)N 型半导体在纯净的硅晶体中掺入五价元素 ( 如磷 ), 使之取代晶格中硅原子的位置, 就形成了 N 型半导体 N 型半导体中, 自由电子的浓度大于空穴的浓度, 故称自由电子为多数载流子, 空穴为少数载流子因此 N 型半导体主要靠自由电子导电, 掺入的杂质越多, 自由电子的浓度就越高, 从而导电性能就越强 (2)P 型半导体在纯净的硅晶体中掺入三价元素 ( 如硼 ), 使之取代晶格中硅原子的位置, 就形成了 P 型半导体 P 型半导体中, 空穴为多子, 自由电子为少子, 因此 P 型半导体主要靠空穴导电掺入的杂质越多, 空穴的浓度就越高, 从而导电性能就越强可以认为, 杂质半导体中多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度, 因而受温度的影响很小然而, 少子是由于热运动而产生的, 所以尽管浓度很低, 却对于温度非常敏感, 这是半导体器件温度稳定性差的主要原因 (3)PN 结若将 P 型半导体与 N 型半导体制作在同一块硅片上, 则在它们的交界处就形成 PN 结 PN 结具有单向导电性咨询电话 : , 咨询 QQ:

图 3.1 PN 结的形成 1 PN 结的形成原理物质总是从浓度高的地方向浓度低的运动, 这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动当把 P 型半导体和 N 型半导体制作在一起时, 在它们的交界面, 两种载流子的浓度差很大, 因而 P 区的空穴必然向 N 区扩散, 与此同时,N 区的自由电子也必然向 P 区扩散, 如图 3.

8 图 3.1 PN 结的形成 1 PN 结的形成原理物质总是从浓度高的地方向浓度低的运动, 这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动当把 P 型半导体和 N 型半导体制作在一起时, 在它们的交界面, 两种载流子的浓度差很大, 因而 P 区的空穴必然向 N 区扩散, 与此同时,N 区的自由电子也必然向 P 区扩散, 如图 3.1 (a) 所示图中 P 区标有负号的小圆圈表示除空穴外的负离子,N 区标有正号的小圆圈表示除自由电子外的正离子由于扩散到 P 区的自由电子和空穴复合, 而扩散到 N 区的空穴与自由电子复合, 所以在交界面附近多子的浓度下降,P 区出现负离子区,N 区出现正离子区, 它们是不能移动的, 称为空间电荷区, 从而形成内电场随着扩散运动的进行, 空间电荷区加宽, 内电场增强, 其方向由 N 区指向 P 区, 正好阻止扩散运动的进行在电场力的作用下, 载流子的运动称为漂移运动当空间电荷区形成后, 在内电场的作用下, 少子产生漂移运动, 空穴从 N 区向 P 区运动, 而自由电子从 P 区向 N 区运动在无外电场和其它激发作用下, 参与扩散运动的多子等于参与漂移运动的少子数目, 从而达到动态平衡, 形成 PN 结, 如图 3.1(b) 所示此时, 看见电荷区具有一定的宽度, 正负电荷的咨询电话 : , 咨询 QQ:

9 数量相等, 电流为零 2 PN 结的单向导电性当电源正极接到 PN 结的 P 端, 负极接到 PN 结的 N 端时, 称 PN 结外加正向电压, 也称正向偏置此时外电场将多数载流子推向空间电荷区, 使其变窄, 消弱了内电场, 使扩散运动加剧, 而漂移运动减弱由于电源的作用, 扩散运动将源源不断地进行, 从而形成正向电流,PN 结导通当电源负极接到 PN 结的 P 端, 正极接到 PN 结的 N 端时, 称 PN 结外加反向电压, 也称反向偏置此时外电场使空间电荷区变宽, 加强了内电场, 阻止扩散运动的进行, 而加剧漂移运动的进行, 形成反向电流, 也称为漂移电流因为少子的数目极少, 即使所有的少子都参与漂移运动, 反向电流也非常小, 所以在近似分析中常将它忽视不计, 认为 PN 结外加反向电压时处于截止状态 3 PN 结的伏安特性 PN 结电流 i 与电压 u 的关系曲线, 称为 PN 结的福安特性, 如图 3.2 所示其中,u>0 称为正向特性,u<0 称为反向特性伏安特性很好的反应了 PN 结的单向导电特性当反向电压超过一定数值 U(BR) 后, 共价键遭到破坏, 使价电子脱离共价键束缚, 产生电子空穴, 反向电流急剧增加, 称之为反向击穿图 3.2 PN 结的伏安特性考点分析 PN 结的内容, 若出题, 一般是以简答题的形式出现, 所占分值也较小但是, 本部分内容是理解二极管和三极管原理的基础, 因此应当重点掌握例 2(2010 真题 ) 判断下面话的对错咨询电话 : , 咨询 QQ:

10 空间电荷区内的位移电流是少数载流子在内电场作用下形成的解析 : 当空间电荷区形成后, 在内电场的作用下, 少子产生漂移运动, 空穴从 N 区向 P 区运动, 而自由电子从 P 区向 N 区运动, 形成位移电流, 因此这句话正确 ( 二 ) 半导体二极管及其基本应用电路 1. 半导体二极管的符号将 PN 结用外壳封装起来, 并加上电极引线就构成了半导体二极管, 简称二极管, 由 P 区引出的电极为阳极, 由 N 区引出的电极为阴极其符号如下图 3.3 所示图 3.3 二极管的符号 2. 二极管的伏安特性与 PN 结一样, 二极管具有单向导电特性, 二极管只有在正向电压足够大时, 正向电流才从零随端电压按指数规律增大二极管的伏安特性如下图 3.4 所示图 3.4 二极管的伏安特性使二极管开始导通的临界电压称为开启电压当二极管所加反向电压数值足够大时, 反向电流为 S, 反向电压太大将使二极管击穿下表列出了两种不同材料小功率二极管的开启电压正向导通电压范围反向饱和电流的数量级材料开启电压导通电压反向饱和电流咨询电话 : , 咨询 QQ:

11 硅 Si 0.5V 0.6~0.8V 1µA 以下锗 Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十 µa 重要提示一般认为, 硅材料二极管的导通电压为 0.7V, 锗材料二极管的导通电压为 0.5V, 希望考生能够牢记 3. 二极管的等效电路 (1) 伏安特性的折线化及等效电路在分析中, 一般将二极管的伏安特折线化, 图 3.5 给出了三种情况下的折线化伏安特性图中粗实线为折线化的伏安特性, 虚线表示实际伏安特性下边为等效电路, 即等效模型 (a) (b) (c) 图 3.5 二极管伏安特性的折线化及等效电路图 (a) 所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降为 0, 截止时电流为 0, 称为理想二极管, 用空心的二极管符号表示图 (b) 所示的折线化伏安特性表明二极管正向导通时正向压降为一个常量 U 时电流为 0, 因而等效电路是理想二极管串联电压源 U 图 (c) 所示的折线化伏安特性表明当二极管正向电压 u 大于 U on on on, 截止后其电流 i 与 u 成线性关系, 直线斜率为 1/ r 二极管截止时电流为 0, 因此等效电路是理想二极管串联电压源 U on 和电阻 r, 且 r U / 咨询电话 : , 咨询 QQ:

近似分析中, 三个等效电路中 (a) 误差最大,(c) 误差最小, 一般情况下多采用 (b) 所示电路 (2) 低频小信号作用下的等效电路 (2010 已考 ) 当二极管在一定的直流电压和电流下 ( 即静态工作点 Q 下 ) 在低频小信号作用时的等效电路为一个动态电阻, 也就是微变等效电路如图 3.6 所示图 3.6 二极管在低频小信号作用下的等效电路在图 3.

12 近似分析中, 三个等效电路中 (a) 误差最大,(c) 误差最小, 一般情况下多采用 (b) 所示电路 (2) 低频小信号作用下的等效电路 (2010 已考 ) 当二极管在一定的直流电压和电流下 ( 即静态工作点 Q 下 ) 在低频小信号作用时的等效电路为一个动态电阻, 也就是微变等效电路如图 3.6 所示图 3.6 二极管在低频小信号作用下的等效电路在图 3.6(a) 所示电路中, 若在 Q 点的基础上外加微小的低频信号, 二极管产生的电压变化量和电流变化量如图 3.6(b) 所示, 则二极管等效成一个动态电阻 r d, 其表达式为 u rd i U 通常 U T 为 26mV, 为静态工作电流, 越大, r d 将越小图 3.6(c) 为二极管的动态电阻 T 例 3(2010 真题 ) 正偏二极管端电压增加 5%, 通过二极管的电流 A. 增大约 5% B. 增大小于 5% C. 增大大于 5%. 基本不变解析 : 此时将二极管等效成动态电阻, 那么动态电阻由于 u rd i 和 U T 都不变, 故 r d 也基本不变, 而且 U rd U T T r d u i 咨询电话 : , 咨询 QQ:

13 故二极管端电压增加 5%, 通过二极管的电流也增大约 5%, 选 A 4. 基本应用电路 (1) 整流电路 (2010 已考 ) 将交流电压转换为直流电压, 称为整流 ; 利用二极管的单向导电性实现上述目的的电路称为整流电路图 3.7(a) 为半波整流电路, 设输入电压 ui 2U i sint 当 u i >0 时, uo 2U i sint ; 当 u i <0 时, u o 0, 因此输入输出波形如图 3.7(b) 所示图 3.7 半波整流电路图 3.8(a) 为全波整流电路,50Hz 220V 交流电经变压器变换成适合的副边电压, 设 u2 2U 2 sint, 当 u 2 >0 时, 即 A 为正 C 为负时,1 导通,2 截止, 电流由 A 经过 1. R L 至 B 点, uo 2U 2 sint ; 当 u 2 <0 时, 即 A 为负 C 为正时,2 导通,1 截止, 电流由 C 经过 2. R L 至 B 点,R L 中电流方向不变,uo 2U 2 sin t ; 即 uo u2, 因此输入输出波形如图 3.8(b) 所示 (a) (b) 图 3.8 全波整流电路咨询电话 : , 咨询 QQ:

14 (2) 集成运放输入端保护电路图 3.9(a) 所示为过零比较器中, 集成运放的净输入电压等于整个电路的输入电压, 即 u up un, 因而当 u 大到超过集成运放输入端的耐压值是, 将造成集成运放的损坏利用二极管可以实现输入端的过压保护, 如图 3.9(b) 所示当 u 大到一定程度时二极管导通, 使集成运放的净输入电压限定在二极管的导通电压 (b) 中 R 为限流电阻, 确保二极管不会因为过流而烧坏图 3.9 集成运放输入端过压保护电路重要提示在分析中, 如无特别说明, 二极管均为理想二极管 ( 三 ) 稳压二极管及其基本应用电路 1. 稳压二极管 (1) 稳压管的伏安特性稳压管的正向特性和普通二极管一样, 当外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿, 击穿区的曲线很陡, 几乎平行于纵轴, 具有稳压特性图 3.10(a) 为稳压管的伏安特性, 3.10(b) 为其电路符号咨询电话 : , 咨询 QQ:

15 图 3.10 稳压管的伏安特性及其符号 (2) 稳压管的主要参数 1 稳定电压 U Z : 在规定电流下稳压管的反向击穿电压 2 稳定电流 Z : 稳压管工作在温度状态时的参考电流, 电流低于此值时稳压管稳压效果变差, 甚至不稳定 3 额定功耗 :P ZM = ZM U Z, 即稳压管的稳定电压与最大稳定电流 ZM 的乘积稳压管功耗超过此值, 会因温度过高而损坏 (3) 稳压管的基本应用电路 1 稳压电路 (2007 已考 ) 图 3.11 为稳压管稳压电路, 由限流电阻 R 和稳压管 Z 组成, 其输入为变化的直流电压 U, 输出为稳压管的稳定电压 U, 因在输入电压和负载电阻一定的变化范围内输出电压基本不变, 故称为稳压电路 Z 图 3.11 稳压管稳压电路例 4 在上图所示稳压管稳压电路中, 已知输入电压 U =10~12V, 稳压管的稳定电压 U Z =6V, 最小稳定电流 Z min =5mA, 最大稳定电流 Z max =25mA; 负载 RL =600Ω 电阻求解限流电阻 R 的取值范围解析 : 从电路可知, 稳压管中电流 Z 等于 R 中电流 R 和负载电流 L 之差, 即 Z = R - L, 其中 L =U Z / RL =(6/600)A=0.01A=10mA 由于 U =10~12V, U Z =6V, U R = 4~6V, 其电流将随 U 的变化而变当 U =U min =10V 时, R 最小, Z 也最小,R 的取值应保证 Z > Z min, 即 Z min = RZ min - L > Z min, 代入数据 = 得到 R 的上限值 R 当 U =U R max - L < max Z max max 267Ω =12V 时, R 最大, Z 也最大,R 的取值应保证 Z < Z max, 即 Z max, 代入数据咨询电话 : , 咨询 QQ:

得到 R 的上限值 R 171Ω max 限流电阻 R 的取值范围为 171Ω~267Ω 2 限幅电路 (2010 已考 ) 在电压比较器中, 为满足不同负载对电压幅值的要求, 常利用稳压管组成限幅电路图 3.12 为各种不同限幅电路的过零比较器及其电压传输特性图中各稳压管的稳定电压均小于集成运放输出端的最大电压 U OM,R 为限流电阻在 3.

16 得到 R 的上限值 R 171Ω max 限流电阻 R 的取值范围为 171Ω~267Ω 2 限幅电路 (2010 已考 ) 在电压比较器中, 为满足不同负载对电压幅值的要求, 常利用稳压管组成限幅电路图 3.12 为各种不同限幅电路的过零比较器及其电压传输特性图中各稳压管的稳定电压均小于集成运放输出端的最大电压 U OM,R 为限流电阻在 3.12(a) 左边所示电路中, 稳压管 Z1 的稳定电压为 U Z1, 正向导通电压为 U 1 ; Z2 的稳定电压为 U Z2, 正向导通电压为 U 2 若 U <0, 则 U = U, 使得 Z1 工作在稳定状态, 且 Z2 正向导通, 因而输出电压 U = U Z1 + U 2 ; 若 U >0, 则 U = U U U U 0, O ' O OM ' O RL RH o 使得 Z2 工作在稳定状态, 且 Z1 正向导通, 因而输出电压 U = (U Z2 + U 1 ), 故电路具有右边的电压传输特性 O U Z 当两只稳压管的稳定电压相等时, 可选用制作在一起的对管, 它们导通时的端电压标为, 如图 3.12(b) 所示在 3.12(c) 左边的电路中, 稳压管 Z 的稳定电压为 U, 正向导通电压为 U 若 U <0, 则 U = U OM, 使得 Z 工作在稳定状态, 因而输出电压 U O = U Z ; 若 U >0, 则 U = UOM, ' O 使得 Z 正向导通, 因而输出电压 U = U, 故电路具有右边所示电压传输特性 O Z ' O 咨询电话 : , 咨询 QQ:

17 图 3.12 电压比较器中稳压管组成的限幅电路例 5(2010 真题 ) 窗口比较器如图所示, U RL U RH, 试求传输特性曲线解析 : 当 U 低于 U RL 时, 必然更低于 U RH, 因而 A 1 输出低电平, 1 截止 ;A 2 输出高电平, 2 导通, 电流如图中虚线所示, U o U z 当 U 高于 U RH 时, 必然更高于 U RL, 因而 A 2 输出低电平, 2 截止 ;A 1 输出高电平, 1 导通, 电流如图实线所示, U o U z 当 U 高于 U RL 且低于 U RH 时,A 1. A 2 均输出低电平, 1. 2 均截止, 因而 U o 0 由此可得电压传输特性如下图所示考点分析本章若出题, 二极管基本应用电路考察的可能性最大, 而且一般会以作图题的形式出现解这类题时, 考生应弄清普通二极管和稳压二极管的伏安特性, 然后从其特性入手逐步分析电路还有, 作图时, 若有输入信号波形, 最好将输入信号和输出信号对应起来画, 这点在前面已经提到过具体的内容, 详见 2016 暨南大学 823 电子技术基础考研专业课复习全书咨询电话 : , 咨询 QQ:

18 第三部分历年真题与答案解析 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 ******************************************************************************************** 学科专业名称 : 通信与信息系统信号与信息处理电子与通信工程研究方向 :01 光电子与光通信 02 通信网络与信息系统 03 微电子器件与集成电路设计 04 多媒体技术与信息安全 05 无线通信与传感技术 ;01 机器人与测控系统 02 量子信息与量子系统 03 信息技术与智能仪器 04 通信信号处理及 SoC 设计 05 图像处理与应用系统 ; 01 光通信与无线通信 02 网络与多媒体技术 03 微电子技术与集成电路设计 04 测控系统与智能仪器 05 信息系统与信息处理技术考试科目名称 :823 电子技术基础考生注意 : 所有答案必须写在答题纸 ( 卷 ) 上, 写在本试题上一律不给分一判断下列说法是否正确, 凡对者打, 错者打,( 答案必须写在答题纸上 ) ( 共 10 小题, 每小题 2 分, 共 20 分 ) 1. 一个理想对称的差分放大电路, 既能放大差模输入信号, 也有可能放大共模输入信号 2. 场效应管依靠电场控制漏极电流, 故不能称为电压控制器件 3. 电流源作为放大电路的有源负载可以取代大直流供电电源 4. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等 5. 空间电荷区内的位移电流是少数载流子在内电场作用下形成的 6. 放大电路的输出电阻与负载有关 7. 由对称晶体管构成的 OCL 互补电路不会产生交越失真 8. 采用通用型集成运放组成的有源滤波电路常作为高频滤波电路 9. 放大电路级数越多, 引入负反馈后就越难产生高频自激振荡 10. 理想集成运放总是具有虚开路特性二填充 ( 答案须写在答题纸上 )( 共 5 小题, 每小题 2 分, 共 10 分 ) 咨询电话 : , 咨询 QQ:

19 1. 由双极型晶体管构成的单级放大器, 如果将发射极与集电极对调, 它们的增益会 2. 如果输入信号的频率为 10kHz~ 12kHz, 为了防止干扰信号的混入, 应选用滤波电路 3. 某差分放大器的共模增益为 0.01, 差模增益为 1000, 其共模抑制比为 db 4. 为了使滤波电路的选频特性不随输出电阻变化, 应选用滤波电路 5. 某电压放大电路, 其输出端接 1kΩ 的电阻负载, 输入正弦信号电压和电流的峰 - 峰值分别为 10mV 和 10μA, 现测量到输出正弦电压信号的峰 - 峰值为 2V, 则该放大电路的功率增益为 db 三单项选择题 ( 答案必须写在答题纸上 )( 共 5 小题, 每小题 2 分, 共 10 分 ) 1. 欲得到电压电流转换电路, 应在放大电路中引入 A. 电压串联负反馈 B. 电流并联负反馈 C. 电流串联负反馈. 电压并联负反馈 2. 中的集成运放一般宜引入负反馈 A. 运算电路 B. 正弦波振荡器 C. 电压比较器. 以上都不是 3. 目前在正弦波振荡器中没有被广泛应用的振荡器是 A.RC 振荡器 B.RL 振荡器 C.LC 振荡器. 石英晶体振荡器 4. 晶体管工作在工作状态时的效率最高 A. 甲类 B. 乙类 C. 丙类. 甲乙类 5. 正偏二极管端电压增加 5%, 通过二极管的电流 A. 增大约 5% B. 增大小于 5% C. 增大大于 5%. 基本不变四简答题 ( 答案须写在答题纸上 )( 共 6 小题, 每小题 5 分, 共 30 分 ) 1. 图示电路中, 低频正弦电压 vs ( t) 15sint (V),Si 稳压管 VZ 8 V 试画出稳压管两端的电压 v O 的波形咨询电话 : , 咨询 QQ:

20 2. 电路如图所示 T 1. T 2 和 T 3 分别构成什么电路? 1 和 2 在电路中起什么作用? +V CC R 3 R 2 1 T 2 2 R 1 T 3 R L u o T 1 u -V CC 3. 画出普通过零比较器电路, 并举例画出输入一正弦信号时输出信号的波形 4. 负反馈可改善放大器的一些什么特性? 5. 已知 741 型运放的 f0db=10 6 Hz, 现用这类运放构成一个带宽至少为 4 khz 增益为的放大电路, 问 : 用一级同相电压放大电路能否达到要求? 若不能, 说明原因, 并给出解决方案 6. 假定某放大器工作是稳定的, 其电压增益函数的幅频特性波特图如图所示, 试写它的电压增益频率特性函数 AV(jf) 的表达式五综合题 ( 答案须写在答题纸上, 共 8 小题, 每小题 10 分, 共 80 分 ) 1. 以理想运放和模拟乘法器为基本单元, 设计一个电路, 实现 u o K u u 2 的运算功能 2. 窗口比较器如图所示,URL<URH, 试求传输特性曲线咨询电话 : , 咨询 QQ:

21 b 3. 如图电路中, va 10sin( 2 2k t) 0.2sin( 2 1k t 90, )(V) v 10 sin(2 2k t) 0.1sin(2 1k t 90 )(V) 要含有什么频率成分?, 求 vo, 并指出 va vb 和 vo 主 4. 在图所示的两个反馈电路中, 集成运放都具有理想的特性, 判断电路中的反馈是正反馈还是负反馈, 并指出是何种反馈组态 ; 求出和的大小 ; 写出各电路闭环放大倍数的表达式 ( 要求对电压反馈写出表达式, 对电流反馈写出表达式 ) (a) (b) 咨询电话 : , 咨询 QQ:

22 5. 正弦波振荡电路如图所示,A 为理想运放, 请标出 A 的同相端 + 和反本端 - ; 若电路起振, 估算振荡频率温度系数? f 0? 为稳幅的需要, 非线性电阻 R t, 应具有正温度系数还是负 6. 一共射放大电路如图所示,β=150,R b1=500kω,r b2=250kω, R e1=100ω,r e2=1.9k Ω,R c=2kω,r L=2kΩ,V cc=15v,r be=200(ω)+β26(mv)/ e(ma) 粗略估算直流工作点 (U BE 0); 粗略估算电压放大倍数 Au +V CC R c R b1 R s C i NPN C o v s R e1 R L v o R b2 R e2 C e 7. 如图所示电路中, 已知 NMOS 管的 U GS(th)=2V, O=0.2mA V =20V R g1=8.3m, R g2=1.7m,r d=100k 计算电路的直流工作点, A 和 R. u o +V R g1 R d C o C i u o u R g2 8. 图示电路中, 各晶体管的参数均相同,β=100,R 1 =R c=10kω, V cc=v EE=10V,r be=200(ω)+ β26(mv)/e(ma),ube= 0 用虚线框标出图中的镜像电流源 ; 粗略估算 E C1 C2 ; 粗略估算差模电压增益咨询电话 : , 咨询 QQ:

23 +V CC R C1 C1 C2 R C2 v o Q a Q b v A v B E R 1 Q R Q M -V EE 咨询电话 : , 咨询 QQ:

24 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案及解析一判断下列说法是否正确, 凡对者打, 错者打 1. 本题考查理想差分放大电路的性能特点理想对称的差分放大电路, 既能放大差模输入信号, 也有可能放大共模输入信号 2. 本题考查场效应管的基本工作原理场效应管的漏极电流是受栅- 源电压的电场效应所控制的, 故称为电压控制器件 3. 本题考查电流源的常识很多考生易望文生义, 以为电流源就是电源, 实际上, 电流源是由晶体管等有源器件构成的, 它工作时必须由直流电源提供能量 4. 本题考查本征半导体的基本概念一定温度下, 本征半导体中载流子的浓度是一定的, 并且自由电子与空穴的浓度相等温度升高, 二者浓度同时升高 ; 温度降低, 二者浓度同时降低, 维持动态平衡 5. 本题考查 PN 结的形成原理当空间电荷区形成后, 在内电场的作用下, 少子产生漂移运动, 空穴从 N 区向 P 区运动, 而自由电子从 P 区向 N 区运动, 形成位移电流 6. 本题考查输出电阻的基本概念放大电路的输出电阻与负载无关二填充 1. 减小本题考察三极管的内部结构晶体三极管的发射区掺杂浓度高, 所以拥有大量的自由电子 ; 集电区的面积很大, 能够收集大量的自由电子正是基于这个原因, 晶体三极管的系数一般很大当发射极和集电极对调后, 参与导电的载流子数量必然降低, 因此晶体管的系数也必然随之变小, 电路的增益会减小 2. 带通本题考察滤波电路的分类及选用输入信号的频带范围为 10kHz~12kHz, 故应选用带通滤波电路本题考察差分放大电路的共模抑制比的概念差分放大电路的共模抑制比等于差模增益比共模增益, 因此 KCMR 1000/0.01 = , 转化成分贝 db 为单位, 有 20lg(100000)=(20 5) db = 100dB 4. 有源本题考察有源滤波电路的基本特性有源滤波电路的最大特性就是选频特性不随输出电阻变化咨询电话 : , 咨询 QQ:

25 三单项选择题 1. C 本题考查负反馈四种组态的基本概念欲得到电压电流转换电路, 因此输入为电压, 输出为电流, 即输入端采用电压方式叠加, 反馈量取自输出电流, 因此采用电流串联负反馈 2. A 本题考查运算电路的基本构成原理运算电路一般工作在线性区, 因此需要引入负反馈 3. B 本题考查正弦波振荡器的种类及应用目前在正弦波振荡器中没有被广泛应用的振荡器是 RL 振荡器, 其它三种都应用得比较广泛 4. C 本题考查功率放大电路的各种工作状态及其相应效率晶体管工作在甲类状态效率最低, 其次为甲乙类, 再为乙类, 再为丙类, 最高为丁类 5. A 本题考查二极管的低频小信号动态等效电路的知识此时将二极管等效成动态电阻, 那么动态电阻由于且 u rd i 和 U T 都不变, 故 r d 也基本不变, 而 U rd U T u rd i 故二极管端电压增加 5%, 通过二极管的电流也增大约 5%, 选 A T 四简答题 1. 解析本题考查稳压管的基本工作原理解 : 当 VS ( t ) 为上正下负 : 若 VS ( t ) < 8V, 此时稳压管截止, 输出电压 VO ( t) VS ( t) ; 若 VS ( t ) >= 8V, 此时稳压管工作在稳压状态, 输出电压 VO ( t) 8V 当 VS ( t ) 为下正上负 : 此时稳压管相当于普通二极管若 VS ( t ) 小于二极管导通电压 U, 二极管截止, VO ( t) VS ( t) ; 若 VS ( t ) >= U, 此时二极管导通, 输出电压 V ( t) U O 因此, VO ( t ) 波形如下 : 咨询电话 : , 咨询 QQ:

26 2. 解析本题考查带有消除交越失真功能的 OCL 电路解 :T1 管基极作为输入, 集电极作为输出, 因此构成共射放大电路 ;T2. T3 管构成互补输出级 1. 2 在电路中用来消除交越失真 3. 解析本题考查过零比较器的电路构成及其工作原理解 : 普通过零比较器电路如下图所示输入正弦信号时, 输出信号的波形如下咨询电话 : , 咨询 QQ:

27 五综合题 1. 解析本题综合考查乘方运算电路求和运算电路开方根运算电路解 : 因为要实现 u o K u u 2, 因此电路必须要有乘方运算单元求和运算单元以及开方运算单元设计的电路图如下图中取 R 1等于 R 2, R f =10R 2,k1=k2=k3=+0.1 V 1 对于集成运放 A1 构成的求和运算电路, 其输入分别为两个乘法器的输出, 可得等式 2 2 k1u 1 k2u 2 u R R R 1 2 o1 f 咨询电话 : , 咨询 QQ:

28 整理可得 u ( u u ) 2 2 o1 1 2 对于 A2 构成的开方运算电路, 有如下等式代入 u o1, 可得取 K 10R R 3 4, 即可实现 u uo o u R o1 0.1u R o R4 ( u1 u 2) R u 2 K u 2. 解析本题考查窗口电压比较器的工作原理及其传输特性解 : 当 U 低于 U RL 时, 必然更低于 U RH, 因而 A 1 输出低电平, 1 截止 ;A 2 输出高电平, 2 导通, 电流如图中虚线所示, U o U z 当 U 高于 U RH 时, 必然更高于 U RL, 因而 A 2 输出低电平, 2 截止 ;A 1 输出高电平, 1 导通, 电流如图实线所示, U o U z 当 U 高于 U RL 且低于 U RH 时,A 1. A 2 均输出低电平, 1. 2 均截止, 因而 U o 0 由此可得电压传输特性如下图所示 3. 解析本题综合考查集成运算电路的计算解 : 由 v a v b 的表达式可知, v a v b 含有两种频率的信号, 即 f1 2kHz 和 f2 1kHz 的信号, 且 f1 2kHz 信号的幅值远大于 f2 1kHz f 1 2 khz 的信号信号的幅值, 故 v a v b 主要含有 u 由 P un 可知, v 1 v a v 2 v b, 故 i C v v R 1 2 a b C v v R C 咨询电话 : , 咨询 QQ:

29 所以 v v v v v v i R v R v R a b a b Y 2 C b 2 b b b RC RC v v v v v v i R v R v R a b a b X 1 C a 1 a a a RC RC A3 构成加减运算电路, 且 R / / R R / / R, 故代入 v X v Y 的值, 可得 m n m n Rn vo ( vx vy ) R m Rn Ra Rb o vo (1 ) 0.1sin(2 1k t 90 ) V R R 因此, 在 v O 中主要含有 f2 1kHz 的信号 m C 4. 解析本题考查集成运放中引入反馈的组态的判断及闭环放大倍数的计算解 :a) 令输出电压为 0, 反馈量也随之为 0, 故反馈量取自输出电压 ; 引入反馈后, 反馈量与输入量以电压的方式相叠加, 净输入电压变小因此, 电路中引入的反馈为电压串联负反馈因为引入的是电压串联负反馈, 故 r if =, r of =0 由图可知, 该电路为电压跟随器, 故 u O u (b) 令输出电压为 0, 反馈量依旧存在, 故反馈量取自输出电流 ; 引入反馈后, 反馈量与输入量以电压的方式相叠加, 净输入电压变小因此, 电路中引入的反馈为电流串联负反馈 i 1 因为引入的是电流串联负反馈, 故 r if =, r of = 对于集成运放, 同相输入端电压为 U P u i 反相输入端电压为 U i R N o 2 因为理想集成运放具有虚短特性, 即 U N U P 咨询电话 : , 咨询 QQ:

30 故 u i i R o 2 即 i O u i 1 R 2 5. 解析本题考查 RC 正弦波振荡电路的构成工作原理及计算解 : 图为 RC 桥式正弦波振荡电路, 因此 RC 串并联网络引入的是正反馈, 故集成运放的输入端为上 + 下负 f z z RC H H 电路放大部分是同相比例运算电路, 其放大倍数为 UO Rt Au 1 U R1 P 因此 R 应具有负温度系数因为当某种原因引起输出电压的增大, 那么反馈电流也增 t 大, R 的温度升高, 由于 R 具有负的温度系数, 故 R 电阻减小, 放大电路部分增益变小, t t 输出电压也随之变小, 抵消了输出电压的增大, 从而达到了稳定输出电压幅值的目的反之, 若输出电压变小, 那么反馈电流也变小, R 的温度降低, 由于 R 具有负的温度系数, 故 R t 电阻增大, 放大电路部分增益变大, 输出电压也随之变大, 抵消了输出电压的减小, 从而也达到了稳定输出电压幅值的目的 t t t 完整答案解析, 请购买 2016 暨南大学 823 电子技术基础考研专业课复习全书咨询购买 1. 五洲暨大考研网 : 2. 现场购买 : 厦门市思明区民族路 47 号海峡电子商务创业园咨询 QQ: 咨询电话 : 购买网址 : 咨询电话 : , 咨询 QQ:

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电子技术基础 ( 第版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B 直流稳压电源第 4 章 4.1 整流电路及其应用学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路