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4 级半导体器件物理期末试题 (A 卷 ) ( 共 8 题, 满分 1 分, 考试时间 :15 分钟 可以使用简单计算器 ) 1 1 分 证明小注入情况下在 PN 结空间电荷区边界上有 ( x ) e ( x ) e 成立 15 分 共基极连接双极结型晶体管 (J): (1) 5 分 画出电流分量示意图 () 5 分 写出各个极电流表达式 (3) 5 分 写出各个极电流之间满足的关系式 3 15 分

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模拟电子技术 蒋乐天 http://nuedc-sh.sjtu.edu.cn/analog/analog.htm Jiangletian@163.com QQ 群 :545196085 主要内容 半导体器件 放大电路 集成运放电路 负反馈 波形的发生及信号转换 功放电路 直流电源 第一章半导体器件 1.1 半导体基础 1.2 二极管 1.3 双极型晶体管 ( 三极管 ) 1.4 场效应管 1.1 半导体基础

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第 6 章 MOFET 的电气特性 本章目录 6. MO 物理学 6. FET 电流 - 电压方程 6.3 FET 的 R 模型 6.4 pfet 特性 6.5 小尺寸 MOFET 模型 08-9-5 第 6 章 MOFET 的电气特性 6. MO 物理学 NMO 的电流和电压 D D ( G, D 08-9-5 第 6 章 MOFET 的电气特性 6. MO 物理学 MO 的结构 ε 4 ε 3.9ε

电子技术基础 ( 第 版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图 整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B

直流稳压电源 第 4 章 4.1 整流电路及其应用 学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路

器之 间 向一致时为正 相反时则为负 ③大量电荷的定向移动形成电 流 单个电荷的定向移动同样形成电流 ３ 电势与电势差 １ 陈述概念 电场中某点处 电荷的电势能 Ｅ ｐ 与电荷量 ｑ Ｅｐ 的比值叫做该点处的电势 表达式为 Ｖ 电场中两点之间的 ｑ 电势之差叫做电势差 表达式为 ＵＡＢ Ｖ Ａ ＶＢ ２ 理解概念 电势差是电场中任意两点之间的电势之差 与参考点的选择无关 电势是反映电场能的性质的物理量

知识目标 1. 掌握 PN 结的单向导电性和伏安特性 半导体二极管的模型及其伏安特性与主要参数 稳压二极管的稳压原理及稳压电路 三极管的工作状态及伏安特性与主要参数 2. 熟悉 PN 结的特性 电流分配及放大作用 能力目标 1. 通过学习半导体二极管基础知识, 具备二极管的识别和检测能力 2. 通过

知识目标 1. 掌握 PN 结的单向导电性和伏安特性 半导体二极管的模型及其伏安特性与主要参数 稳压二极管的稳压原理及稳压电路 三极管的工作状态及伏安特性与主要参数 2. 熟悉 PN 结的特性 电流分配及放大作用 能力目标 1. 通过学习半导体二极管基础知识, 具备二极管的识别和检测能力 2. 通过学习半导体三极管基础知识, 具备三极管的识别和检测能力 学习重点 1. 半导体二极管的模型及其伏安特性

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第四章金属半导体结 一名词概念术语问 题 整流接触 整流结 欧姆接触 非整流结 肖特基势垒高度 : 金属 - 半导体结从金属到半导体的势垒 肖特基效应 : 镜象力使势垒降低的效应 画出金属和 N 型半导体在形成理想接触前后的能带图并说明肖特基势垒的形成 解 : 图 图 4.1 为金属和型半导体在形成接触之前的理想的能带图 其中金属功函数 N 大于半导体的功函数 为半导体的电子亲和势 图中假设了半导体表面

课程简介

第三章双极型晶体管及 其基本放大电路 郭圆月 2014 年 10 月 9 日 本章主要内容 3.1 双极型晶体管 3.2 JT 基本放大电路直流分析方法 3.3 JT 基本放大电路交流分析方法 3.4 三种组态放大器的中频特性 3.5 单级共发放大器的频率特性 3.6 多级放大电路 2 3.1 双极型晶体管 1. 结构与功能 2. 放大工作原理 3. bers-moll 数学模型 4. 静态工作伏安特性曲线

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半导体器件物理 第二章 P-N 结 科学出版社高等教育出版中心 引言 PN 结是几乎所有半导体器件的基本单元 除金属 - 半导体接触器件外, 所有结型器件都由 PN 结构成 PN 结本身也是一种器件 - 整流器 PN 结含有丰富的物理知识, 掌握 PN 结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础 由 P 型半导体和 N 型半导体实现冶金学接触 ( 原子级接触 ) 所形成的结构叫做 PN 结 任何两种物质

第 3 章分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路

第 3 章分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路 3.1 共发射极放大电路 3.1.1 电路组成 3.1.2 静态分析 3.1.3 动态分析 3.1.4 静态工作点的稳定 3.1.5 频率特性 3.1.1 电路组成 基极电阻 输入电容 u i C C 2 C 1 CE E 晶体管 集电极电阻 u 0 CC 直流电源

場效電晶體簡介.doc

(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET

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第 2 章 MOSFET 逻辑设计 本章目录 2.1 理想开关 2.2 MOSFET 开关 2.3 基本的 CMOS 逻辑门 2.4 CMOS 复合逻辑门 2.5 传输门电路 2.6 时钟控制和数据流控制 2017-9-7 第 2 章 MOSFET 逻辑设计 1 2.1 理想开关 1 高电平有效的控制开关 2 低电平有效的控制开关 y = x? 2017-9-7 第 2 章 MOSFET 逻辑设计

考生编号政治政治分外语外语分科目 1 科目 1 分科目 2 科目 2 分总分专业代码专业名称专业排名考试方式报名号 思想政治理论 62 英语一 78 数学一 108 普通物理 ( 包括力学 电磁学 光学 ) 物理电子学 1 全国统考 11

100019000480001 思想政治理论 62 英语一 78 数学一 108 122 370 080901 物理电子学 1 全国统考 110199199 100019000480002 思想政治理论 49 英语一 44 数学一 0 电子线路 0 93 080902 电路与系统 3 全国统考 110189851 100019000480003 59 英语 ( 单考 63 高等数学 100 电子线路

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23 年研究生入学考试试题半导体物理与器件 一. 简单回答 :(2 分 ) 1. 在原子间距为 a 的一维单原子晶格中, 波矢 q=1/4(2π/a), 和 q=1/4(2π/a)+2π/a 的两种格波所描述的原子振动的情况有何 异同? 2. 含施主浓度为 Nd=21cm, 受主浓度为 Na=21 cm 的硅样品, 温度 为 3K 和温度为 5K 时该样品的载流子浓度各是多少? 已知 : i (3K)

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功率 MOSFET 简介 由于世界市场的激烈竞争, 各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计 改进新的工艺开发新的产品 好些产品甚至每个季度都有新的发展, 品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度 参考多家位专家的相关文章, 本简介从功率 MOSFET 的结构原理, 工作原理, 应用基础等多方面着手, 全面而简要地介绍了以功率 MOSFET 为代表的新一代功率半导体器件 功率 MOSFET

第 卷第 期 年 月 东南大学学报 自然科学版!"#$%&#% '$$ & "! ' $ $(& 功率 ( 67 热载流子退化机理及环境温度影响 张 艺 张春伟 刘斯扬 周雷雷 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京 摘要 研究了横向绝缘栅双极型晶体管 92 的热载流子退化机理及

第 卷第 期 年 月 东南大学学报 自然科学版!"#$%&#%'$$& "! '$ $(& 功率 (67 热载流子退化机理及环境温度影响 张 艺 张春伟 刘斯扬 周雷雷 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京 摘要 研究了横向绝缘栅双极型晶体管 92 的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响 结果表明 器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生 从而导致饱和区阳极电流

第五章生活中的电子-电子门铃

第五章生活中的电子 - 电子门铃 5.1 概述 5.2 器件原理 - 三极管 5.2.1 概述 5.2.2 BJT 的结构原理 5.2.3 双极型三极管的特性曲线 5.2.4 三极管的主要参数 5.2.5 温度对 BJT 参数及特性的影响 5.3 电路分析及测量 5.3.1 电路原理分解 5.3.2 电路测量方法 5.1 概述 1. 门铃的历史 2. 现代电子门铃作用及延伸 3. 简单电子门铃电路模型

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烟 台 市 综 合 实 践 教 育 研 究 室 文 件 烟 教 实 研 发 2016 4 号 烟 台 市 综 合 实 践 教 育 研 究 室 关 于 公 布 第 二 届 全 市 中 小 学 综 合 实 践 活 动 优 课 及 优 质 课 程 资 源 评 选 获 奖 名 单 的 通 知 各 县 市 区 教 体 局 教 研 室, 开 发 区 综 合 实 践 教 育 中 心, 高 新 区 教 育 办 公

TONE RINGER

4A 700V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 4A,700V,R

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PowerPoint 演示文稿

教 育 部 高 等 学 校 教 学 指 导 委 员 会 全 国 工 程 教 育 专 业 认 证 电 子 设 计 工 程 师 认 证 与 面 向 工 程 教 育 的 电 子 信 息 类 基 础 课 程 教 学 王 志 功 教 育 部 高 等 学 校 电 工 电 子 基 础 课 程 教 学 指 导 委 员 会 主 任 中 国 工 程 教 育 电 子 信 息 与 电 气 工 程 类 专 业 认 证 分 委

材料物理学

第 9 章输运性质 9.2 半导体的输运性质 9.2.4 霍尔效应 9.2.4 霍尔效应 1879 年霍尔 (E. H. Hall) 研究在磁场中的载流导体, 发现当磁场 B ( 设沿 z 方向 ) 垂直于电流 j x 时, 在垂直于电流和磁场方向导体两边 ( 沿 y 方向 ) 有电压降 将一半导体放在磁场中, 磁场沿 z 方向, 如在半导体中沿 x 方向通以电流, 电流密度为 J x, 则沿 y

功率开关管的寄生参数及对开关过程的影响 新能源 新生活 王振存 北京

功率开关管的寄生参数及对开关过程的影响 新能源 新生活 王振存 2013.04 北京 wzcun@139.com 提纲 一 功率开关管的极间电容 二 功率开关管体二极管的寄生特性 三 功率开关管的寄生电感 四 双脉冲测试 2 一 MOSFET 的极间电容 功率 MOSFET 的极间电容包括 CGS( 栅源电容 )CGD( 栅漏电容 ) CDS( 漏源电容 ), 其中 CGS CGD 是由 MOS 结构的绝缘层形成的,CDS

模拟电子技术基础

第二章 PN 结二极管及其应用 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 二极管应用电路 1 半导体基础知识 一 本征半导体二 杂质半导体三 PN 结的形成及其单向导电性四 PN 结的电容效应 一 本征半导体 1 什么是半导体? 什么是本征半导体? 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体 导体 -- 铁 铝 铜等金属元素等低价元素, 其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动, 形成电流

MCU产品规格书

2A 600V N 沟道增强型场效应管 描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3.

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Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV) Average

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Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V

VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000

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14 东南大学学报 ( 自然科学版 ) 第 48 卷 的模型以及基于反型层电荷的模型 [46], 极少数是以表面势为基础的模型 [79], 完整的由表面势表征的碳化硅基 VDMOS 器件模型则更为缺乏. 本文为了更准确地描述器件的物理参数变化对器件电学特性的影响, 根据 VDMOS 器件的工作原理,

第 48 卷第 1 期 2018 年 1 月 东南大学学报 ( 自然科学版 ) JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalScienceEdition) Vol.48 No.1 Jan.2018 DOI:10.3969/j.isn.1001-0505.2018.01.003 基于表面势的碳化硅基 VDMOS 器件模型 李秀军刘斯扬李胜孙伟锋 ( 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip

DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG20N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,

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附 件 :2015 年 度 普 通 高 等 学 校 本 科 专 业 备 案 和 审 批 结 果 教 育 部 2016 年 2 月 16 日 抄 送 : 国 家 发 展 改 革 委 财 政 部 国 家 卫 生 计 生 委 国 家 中 医 药 管 理 局 部 内 发 送 : 有 关 部 领 导, 办 公

教 高 函 [2016]2 号 教 育 部 关 于 公 布 2015 年 度 普 通 高 等 学 校 本 科 专 业 备 案 和 审 批 结 果 的 通 知 各 省 自 治 区 直 辖 市 教 育 厅 ( 教 委 ), 新 疆 生 产 建 设 兵 团 教 育 局, 有 关 部 门 ( 单 位 ) 教 育 司 ( 局 ), 部 属 各 高 等 学 校 : 根 据 普 通 高 等 学 校 本 科 专 业

CHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能

CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax

Microsoft Word - 部分习题参考答案.doc

部分习题参考答案 第 1 章 1.1 (1) U ab 5 (2) U ab 5 () I 2 () I 2 1.2 (a)-10w(b)-8w,0w(c)-50w,25w 1. () P 560 W, P 50 W, P 600 W, P 20 W, P 180 W 1. I 2 m U 60 1.5 P 50 W 1.6 U 26, U 7 ac bd 1.7 U ab 11, I, I 2,

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第三章 半导体三极管及其应用

第三章 双极结型三极管及其放大电路 ------Part 吉林大学电子科学与工程学院李传南 2013 Oct. 3.1 BJT- 双极结型晶体管 BJT 是双极结型三极管或双极结型晶体三极管 (Bipolar Junction Transistor), 又称为晶体管, 或晶体三极管 : 是通过一定的工艺将两个 PN 结结合在一起的器件 由于 PN 结之间的相互影响, 使 BJT 表现出 不同于单个

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绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current -pul

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

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(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 85mΩ Qg-typ 103nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.18Ω Qg-typ 47nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 7.0 A 600 V 1.3Ω 32 nc APPLICATIONS High frequency switching mode power supply

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甘 组 通 2016 68 号 关 于 在 全 州 党 员 中 开 展 正 反 典 型 学 习 教 育 活 动 的 通 知 各 县 ( 市 ) 委, 州 委 各 部 委, 州 级 各 部 门 党 组 ( 党 委 党 工 委 ), 省 州 属 行 政 企 事 业 单 位 党 委 ( 党 组 ): 为 深 入 推 进 全 州 两 学 一 做 学 习 教 育, 教 育 引 导 全 州 党 员 以 身 边

度定生老病死

溫度決定生老病死作者: 馬悅淩 江蘇文藝出版社 1 受寒涼的途徑 我遇到的許多患癌症或其他重病的人 都有受寒涼的經歷 一位 44 歲的女士 患有肺癌 骨癌 腎癌 該女士總是發低熱 常規治 療一個月後效果不明顯 CT 檢查發現肺部有兩個腫塊 又繼續做進一步檢查 結果令所有人大吃一驚 腫瘤已全身轉移 3 個月後去世 家人不能理解 說 她身體一向不錯 很少生病 只是這一兩年身體弱一些 怎麼會突然得這麼重

按 照 卫 计 委 的 规 划, 对 于 县 级 医 院 主 要 做 一 下 工 作 加 强 临 床 重 点 专 科 建 设, 提 升 县 级 医 院 医 疗 技 术 水 平, 并 配 备 与 专 科 建 设 目 标 一 致 的 适 宜 设 备 1. 县 医 院 除 了 将 健 全 一 级 诊 疗

首 批 卫 计 委 重 点 扶 持 500 家 县 医 院 名 单 公 布 新 医 改 以 来, 分 级 诊 疗 强 基 层 一 直 都 是 重 点, 县 级 医 疗 市 场 增 长 快 速, 但 是 离 最 理 想 的 状 态 仍 有 较 大 的 差 距, 大 医 院 尤 其 是 知 名 的 三 甲 医 院 仍 是 人 满 为 患, 离 达 到 县 域 就 诊 率 达 到 90%, 基 本 做 到

专科疾病诊治（二十四）

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改 觀 王 碧 雲 顏 面 麻 痺, 臉 腫 如 水 月, 雙 目 無 神, 左 眼 圓 瞠 暴 突, 右 眼 凹 陷 崩 垂, 下 顎 頦 部 鬆 弛 右 傾, 笑 起 來 嘴 歪 眼 斜, 兩 頰 連 接 頸 項 一 帶 猶 有 灼 傷 過 的 痕 跡 一 張 令 人 見 識 過 後 猶 帶 了 個 揮 之 不 去 的 夢 魘 般 的 鬼 臉, 正 張 牙 舞 爪 地 衝 擊 著 我 乍 然 回

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何 祚 庥 : 中 医 理 论 的 核 心 是 伪 科 学 环 球 人 物 记 者 路 琰 何 祚 庥 曾 经 有 言 : 中 国 传 统 文 化 有 90% 是 糟 粕 这 句 话 曾 引 起 的 一 场 笔 战 这 段 时 间, 一 些 学 者 发 布 告 别 中 医 的 言 论 再 次 引 起 了 何 祚 庥 对 中 医 的 关 注 开 始 谈 话 之 前, 他 手 里 拿 着 两 份 资 料

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目 录 第 一 章 认 识 亚 健 康 (1) 第 二 章 亚 健 康 状 况 (19) 第 三 章 与 亚 健 康 相 关 的 疾 病 (57) 第 四 章 防 治 亚 健 康 (65) 第 五 章 新 森 田 疗 法 (112) 摆 脱 亚 健 康 的 困 扰 第 一 章 认 识 亚 健 康 第 一 节 亚 健 康 的 症 状 亚 健 康 状 态 涉 及 的 内 容 很 广 泛, 各 种 内 脏

把生命托付给谁？

把 生 命 托 付 给 谁? 一 个 癌 症 患 者 的 重 生 感 悟 本 报 首 席 评 论 徐 迅 雷 2012-11-11 癌 症, 不 等 于 绝 症 癌 症, 不 等 于 死 亡 著 名 作 家 记 者 凌 志 军, 将 自 己 5 年 抗 癌 的 经 历, 写 成 重 生 手 记 一 个 癌 症 患 者 的 康 复 之 路 一 书, 日 前 出 版 在 有 个 购 书 网 站 上, 我

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《中老年男性养生保健》

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江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip

DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG12N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,

Microsoft PowerPoint - vlsi_chapter03

第 3 章 CMOS 集成电路的物理结构 本章目录 3.1 集成电路工艺层 3. MOSFET 3.3 CMOS 工艺层 3.4 FET 阵列设计 018-9-5 第 3 章 CMOS 集成电路的物理结构 1 3.1 集成电路工艺层 硅集成电路 (IC) 分层的一个主要特点 : 形成图形的导体层在绝缘体的上面 018-9-5 第 3 章 CMOS 集成电路的物理结构 3.1 集成电路工艺层 叠放过程完成后的各层情形

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绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 数值 Value 符号 V/R S/B/C F 单位 Symbol Unit V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Curr

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=0V) 0.4Ω Qg-typ 22nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 22pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt

PSpice MOSFETs 文档 得克萨斯大学泰勒分校电气工程系 Department of Electrical Engineering University of Texas at Tyler 编译 : 陈拓 2010 年 12 月 12 日 原文作者 :David M. Beams, 25

PSpice MOSFETs 文档 得克萨斯大学泰勒分校电气工程系 Department of Electrical Engineering University of Texas at Tyler 编译 : 陈拓 2010 年 12 月 12 日 原文作者 :David M. Beams, 25 October 2007, Tyler, TX 75799 下载网址 :http://ee.uttyler.edu/david_beams/projects/pspice%20archives/mosfets.zip

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单位代码：10698

001 机 械 工 程 学 院 含 推 免 生 160. 拟 招 收 推 免 生 人 数 学 术 型 215 以 087200 设 计 学 1 101 思 想 政 治 理 论 复 试 科 目 : 设 计 测 试 01 设 计 学 3 701 工 业 设 计 思 想 基 础 4 801 设 计 能 力 与 经 验 测 试 080200 机 械 工 程 01 机 械 制 造 及 其 自 动 化 1 101

第一章三角函数 1.3 三角函数的诱导公式 A 组 ( ) 一 选择题 : 共 6 小题 1 ( 易诱导公式 ) 若 A B C 分别为 ABC 的内角, 则下列关系中正确的是 A. sin( A B) sin C C. tan( A B) tan C 2 ( 中诱导公式 ) ( ) B. cos(

第一章三角函数 1. 三角函数的诱导公式 A 组 一 选择题 : 共 6 小题 1 ( 易诱导公式 ) 若 A B C 分别为 ABC 的内角 则下列关系中正确的是 A. sin( A B) sin C C. tan( A B) tan C ( 中诱导公式 ) B. cos( B C) cos A D. sin( B C) sin A sin60 cos( ) sin( 0 )cos( 70 ) 的值等于

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半导体物理与器件原理 课程翻转作业学生模板 04 ( 每个组撰写的内容不少于 4 页, 关键是态度要认真 ) 日期 :2017 年 4 月 17 日星期一 ( 表格根据内容可以自动加长, 分页 ) 小组成员组号 4 组长鲁之崟组员贺子成 钱嘉栋 课程名称 任务章节 学习内容 半导体物理与器件原理 8

半导体物理与器件原理 翻转教学任务 04 大纲 章节内容 时长 小组分工 备注 第八章 p-n 结 8.1 平衡 p-n 结特性 8.1.1p-n 结的形成及杂质分布 6.5 8.1.2 空间电荷区 5.5 4 8.1.3 平衡 p-n 结能带图 6.3 8.1.4p-n 结接触电势差 4.1 8.1.5p-n 结的载流子分布 12.9 8.2p-n 结电流电压特性 8.2.1p-n 结中的电场和电势分布

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N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies

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1 功率半导体器件的发展历程半导体的发现可以追溯到 19 世纪 30 年代, 法拉第发现硫化银晶体的电导特性会随着温度变化而变化 [3] ; 而半导体器件的诞生可以追溯到 20 世纪 30 年代后期对于两种现象的物理解释 1938 年, 贝尔实验室的 Walter Schottky 以半导体与金属表

从功率半导体器件发展看电力电子技术未来 胡强王思亮张世勇 东方电气集团中央研究院, 成都 611731 摘要 : 电力电子在工业生产中的重要地位日益凸显, 相对落后的技术水平常使相关产业的发展受到限制 功率半导体器件是电力电子产业的控制核心, 也是电子产业的有机组成部分 本文在电子技术发展大背景下, 从半导体器件的源头开始, 对功率半导体器件的发展历程进行梳理, 进而从技术发展的内在规律出发, 对电力电子未来的发展方向做出理性的判断

半导体 PROD U C T L I S TIN G S 整流器 Superectifier 高功率二极管和晶闸管 小信号二极管 PIN 齐纳和抑制二极管 TVS TRANSZORB ESD 被动器件 电阻产品 Power Metal Strip NTC PTC FET TrenchFET MOSF

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图书在版编目 <CIP) 数据 医学电子学基础与医学影像物理学 / 潘志达主编 - 北京 z 科学技术文献出版社, 医学影像专业必修课考试辅导教材 ISBN 医 II. 潘 ffi. 1 医用电子学 - 医学院校 - 教材 2 影像诊断 - 医用物理

医学影像专业必修课考试辅导教材 医学电子学基础与 医学影像物理学 主编潘志达副主编伍建林盖立平王保芳 编者 ( 以姓氏笔画为序 丁晓东王保芳宁殿秀伍建林陈艳霞盖立平潘志达主审洪洋 科学技术文献出版社 Scientific and Technical Documents Publishing H 因 e 北京 图书在版编目

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2014 10 October 2014 + ( 沈阳理工大学环境与化学工程学院, 辽宁沈阳 110165) 沈阳理工大学环境工程专业改革人才培养模式采取的措施及取得的成效在遵循 实施工程教育, 突出工程实践和 社会实践, 提高学生的创新能力 的人才培养模式的基础上, 通过教学模式改革优化课程设置校企结合建立工程实践能力四年连 续培养体系导师负责制的科研创新能力训练体系, 培养 创新 + 工程实践

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习题解答 第一章.4. 解 : 由图可知, ( ) L +, + s s () 0, 0 时, s L L 0 s ( s + ), 0 0 + L L s 00 / 8.6 /0 s () s (3) s (4) s 5.5 s 0 / 0.086 /0 s 0 / 0.86 /0 s.5.5 解 : 输入级 : 高输入电阻型放大电路 减小对信号源的衰减中间级 : 高增益型放大电路 提高信号的放大倍数输出机

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N-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830

特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高 符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:

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糖尿病知识问答

1. 什 么 是 糖 尿 病? 答 : 糖 尿 病 中 医 称 之 为 消 渴, 现 代 医 学 认 为 糖 尿 病 是 由 于 胰 岛 素 相 对 或 绝 对 不 足 引 起 糖 脂 肪 蛋 白 质 等 代 谢 紊 乱, 是 一 种 全 身 进 行 性 疾 病 临 床 表 现 为 血 糖 升 高 尿 糖 阳 性 及 糖 耐 量 降 低, 典 型 症 状 为 多 饮 多 尿 多 食 消 瘦 头 晕

考生编号政治政治分外语外语分科目 1 科目 1 分科目 2 科目 2 分总分专业代码专业名称专业排名考试方式报名号 思想政治理论 缺考 英语一 缺考 数学三 缺考 思想政治理论 60 英语一 78 数学三

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数学分析（Ｉ）短课程 [Part 2] 4mm 自然数、整数和有理数

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Microsoft Word - 参数符号汇总 doc

Diode 普通二极管 (Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC blocking voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS reverse voltage 反向电压有效值 I O Average rectified