Kinetis 512KB Flash

K22P121M120SF7 数据手册 : 技术数据 Rev 5 4/2015 Kinetis K22F 512KB Flash 基于 Cortex-M4 内核的 120 MHz 微控制器, 内置 FPU 成本敏感型应用通常需要低功耗 USB 连接和浮点单元的高处理效率,K22 系列产品针对这些需求进行了优化 这些器件继承了 Kinetis 系列丰富的功能和可扩展性 该产品具有以下特性 : 运行功耗低至 156 µa/mhz, 静态功耗低至 3.8 μa, 并具有全状态保留和 6 μs 唤醒能力 静态功耗可低至 140 na USB LS/FS OTG 2.0, 内置 3.3 V,120 ma LDO 稳压器 USB FS 设备无需外部晶体 MK22FN512VDC12 MK22FN512VLL12 MK22FN512VLH12 MK22FN512VMP12 121 XFBGA (DC) 8 x 8 x 0.5, 间距 0.65 mm 100 LQFP (LL) 14 x 14 x 1.4, 间距 0.5 mm 64 MAPBGA (MP) 5 x 5 x 1.2, 间距 0.5 mm 64 LQFP (LH) 10 x 10 x 1.4, 间距 0.5 mm 性能 120 MHz ARM Cortex-M4 内核, 具有 DSP 指令集,1.25 Dhrystone MIPS/MHz 存储器和存储器接口 512 KB 片内 Flash 和 128 KB RAM FlexBus 外部总线接口 串行编程接口 (EzPort) Flash 上自带有引导加载程序, 用于在出厂时进行一次性在系统编程 系统外设 灵活的低功耗模式, 具有多个唤醒源 16 通道 DMA 控制器 独立外部和软件看门狗监控器 时钟 两个晶振 :32 khz (RTC) 和 32-40 khz 或 3-32 MHz 3 个内部振荡器 :32 khz 4 MHz 和 48 MHz 多用途时钟产生器, 具有 PLL 和 FLL 安全性和完整性模块 硬件 CRC 模块 每个芯片拥有 128 位唯一标识 (ID) 号 硬件随机数生成器 Flash 存取控制可保护专利软件 人机接口 多达 81 个通用 I/O (GPIO) 模拟模块 两个 16 位 SAR ADC( 在 12 位模式下为 1.2 MS/s) 两个 12 位 DAC 两个模拟比较器 (CMP), 含 6 位 DAC 精准的内部电压基准 通信接口 USB 全速 / 低速 On-the-Go 控制器, 带有片载收发器及 120 ma USB LDO 稳压器 USB 全速器件可进行无晶体工作 两个 SPI 模块 3 个 UART 模块和一个低功耗 UART 两个 I2C: 支持高达 1 Mbps 操作 I2S 模块 定时器 两个 8 通道通用 /PWM 定时器 两个 2 通道通用定时器, 具有正交解码器功能 周期性中断定时器 16 位低功耗定时器 (LPTMR) 带有独立电源域的实时时钟 可编程延迟块 工作特性 电压范围 ( 包括 Flash 写入 ):1.71 至 3.6 V 温度范围 ( 环境 ):-40 至 105 C 2014 2015 保留所有权利

订购信息 器件型号 存储器 I/O 最大数量 闪存 (KB) SRAM (KB) MK22FN512VDC12 512 128 81 MK22FN512VLL12 512 128 66 MK22FN512VLH12 512 128 40 MK22FN512VMP12 512 128 40 相关资源 类型选型指南产品简介参考手册数据手册芯片勘误表封装图纸 说明 Freescale Solution Advisor 是一款基于网络的工具, 具有交互式应用向导和动态产品选型器 产品简介 包含简洁的概述/ 总结信息, 便于快速评估器件的设计适用性 参考手册 包含关于器件结构与功能( 操作 ) 的详细说明 本文件是数据手册 其中包含电气特性和信号连接信息 芯片掩模组勘误表 提供特定器件掩模组的额外信息或更正信息 封装图纸中提供了封装尺寸 图 1 显示了芯片中的功能模块 2 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

ARM Cortex -M4 内核 系统 DMA (16ch) 存储器和存储器接口 程序 flash (512 KB) RAM (128 KB) 时钟 锁相环 调试接口 DSP 低漏电唤醒 FlexBus 锁频环 中断控制器 浮点处理单元 (FPU) 内部和外部看门狗 串行编程接口 (EzPort) 低 / 高频振荡器 内部参考时钟 安全性和完整性 CRC 模拟定时器通信接口 16 位 ADC x2 定时器 x2(8 通道 ) x2(2 通道 ) I 2 C x 2 I 2 S 人机接口 (HMI) 高达 81 个 GPIO 随机数生成器 比较器 ( 带 6 位 DAC x2) 可编程延时块 UART x3 USB OTG 低速 / 全速 Flash 访问控制 12 位 DAC x2 周期性中断定时器 LPUART x1 USB LS/FS 收发器 高性能电压参考 16 位低功耗定时器 串行外设接口 (SPI) x2 USB 稳压器 独立实时时钟 图 1. 功能结构框图 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 3

目录 1 极限参数...5 1.1 热处理参数...5 1.2 湿度处理参数... 5 1.3 ESD 操作额定参数...5 1.4 电压和电流工作参数... 5 2 通用...6 2.1 交流电气特性... 6 2.2 静态电气特性... 6 2.2.1 电压和电流工作要求... 6 2.2.2 LVD 和 POR 工作要求... 7 2.2.3 电压和电流特性... 8 2.2.4 功耗模式转换特性...9 2.2.5 功耗特性... 10 2.2.6 EMC 电磁辐射特性... 15 2.2.7 设计时需考虑电磁辐射...16 2.2.8 电容属性... 16 2.3 开关特性... 16 2.3.1 器件时钟特性... 16 2.3.2 通用开关特性... 17 2.4 热学特性... 17 2.4.1 热学操作要求... 18 2.4.2 热学属性... 18 3 外设工作要求与特性...19 3.1 内核模块... 19 3.1.1 SWD 电气特性...19 3.1.2 JTAG 电气特性... 20 3.2 系统模块... 23 3.3 时钟模块... 23 3.3.1 MCG 参数... 23 3.3.2 IRC48M 特性... 25 3.3.3 振荡器电气特性... 26 3.3.4 32 khz 振荡器电气特性... 28 3.4 存储器和存储器接口... 28 3.4.1 Flash 电气特性... 28 3.4.2 EzPort 开关特性... 30 3.4.3 Flexbus 开关特性...31 3.5 安全性和完整性模块... 34 3.6 模拟... 34 3.6.1 ADC 电气特性...35 3.6.2 CMP 和 6 位 DAC 的电气特性... 39 3.6.3 12 位 DAC 电气特性... 41 3.6.4 电压基准电气特性...44 3.7 定时器...45 3.8 通信接口... 45 3.8.1 USB 电气特性...45 3.8.2 USB VREG 电气特性...46 3.8.3 DSPI 开关特性 ( 窄电压范围 )...46 3.8.4 DSPI 开关特性 ( 全电压范围 )...48 3.8.5 I2C 总线时序...50 3.8.6 UART 开关特性... 51 3.8.7 I2S/SAI 开关特性... 51 4 尺寸...57 4.1 获取封装尺寸... 57 5 引脚分配...58 5.1 K22F 信号多路复用和引脚分配...58 5.2 K22 引脚分配... 63 6 器件标识...67 6.1 说明... 67 6.2 格式... 67 6.3 字段... 68 6.4 示例... 68 6.5 121 引脚 XFBGA 器件标记... 69 6.6 64 引脚 MAPBGA 器件标记... 69 7 修订历史记录...69 4 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

极限参数 1 极限参数 1.1 热处理参数 符号说明最小值最大值单位注释 T STG 存储温度 55 150 C 1 T SDR 无铅焊接温度 260 C 2 1. 根据 JEDEC 标准 JESD22-A103 高温存储时间 确定 2. 根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-020 非密封固态表面安装器件的潮湿 / 回流敏感度分级 确定 1.2 湿度处理参数 符号说明最小值最大值单位注释 MSL 湿度灵敏度等级 3 1 1. 根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-020 非密封固态表面安装器件的潮湿 / 回流敏感度分级 确定 1.3 ESD 操作额定参数 符号 说明 最小值 最大值 单位 注释 V HBM 静电放电电压, 人体放电模式 -2000 +2000 V 1 V CDM 静电放电电压, 设备充电模式 -500 +500 V 2 I LAT 105 C 环境温度下的闭锁电流 -100 +100 ma 3 1. 根据 JEDEC 标准 JESD22-A114 静电放电 (ESD) 灵敏度测试人体放电模式 (HBM) 标准 确定 2. 根据 JEDEC 标准 JESD22-C101 微电子组件静电放电耐压阈值的电场感应器件充电模式测试方法 确定 3. 根据 JEDEC 标准 JESD78 IC 闩锁测试 确定 1.4 电压和电流工作参数 符号 说明 最小值 最大值 单位 V DD 数字供电电压 0.3 3.8 V I DD 数字供电电流 169 ma 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 5

通用 符号 说明 最小值 最大值 单位 V DIO 数字输入电压 0.3 V DD + 0.3 V V AIO 模拟 1 0.3 V DD + 0.3 V I D 单引脚最大允许电流 ( 适用于所有数字引脚 ) 25 25 ma V DDA 模拟供电电压 V DD 0.3 V DD + 0.3 V V USB0_DP USB0_DP 输入电压 0.3 3.63 V V USB0_DM USB0_DM 输入电压 0.3 3.63 V VREGIN USB 稳压器输入 0.3 6.0 V V BAT RTC 电池供电电压 0.3 3.8 V 1. 模拟引脚是指与通用 I/O 端口功能无相关的引脚 2 通用 2.1 交流电气特性 除非另有说明, 否则传输延迟在 50% 到 50% 点处测得, 上升时间和下降时间在 20% 和 80% 点处测得, 如下图所示 输入信号 中点 1 V IH 低电平 高电平 80% 50% 20% 下降时间 V IL 上升时间 中点是 V IL + (V IH - V IL ) / 2 图 2. 输入信号测量参考 2.2 静态电气特性 6 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

通用 2.2.1 电压和电流工作要求表 1. 电压和电流工作要求 符号说明最小值最大值单位注释 V DD 供电电压 1.71 3.6 V V DDA 模拟供电电压 1.71 3.6 V V DD V DDA V DD 至 V DDA 差分电压 0.1 0.1 V V SS V SSA V SS 至 V SSA 差分电压 0.1 0.1 V V BAT RTC 电池供电电压 1.71 3.6 V V IH 输入高电压 2.7 V V DD 3.6 V 1.7 V V DD 2.7 V 0.7 V DD 0.75 V DD V V V IL 输入低电压 2.7 V V DD 3.6 V 0.35 V DD V 0.3 V DD V 1.7 V V DD 2.7 V V HYS 输入迟滞 0.06 V DD V I ICIO 模拟和 I/O 引脚直流注入电流 单引脚 V IN < V SS -0.3V( 负电流注入 ) -3 ma 1 I ICcont 连续引脚 DC 注入电流 区域限制, 包括 16 个连续引脚的负注入电流之和或正注入电流之和 负电流注入 -25 ma V ODPU 开漏上拉电平 V DD V DD V 2 V RAM 保持 RAM 数据所需的 V DD 电压 1.2 V V RFVBAT 保持 VBAT 寄存器文件所需的 V BAT 电压 V POR_VBAT V 1. 所有模拟引脚和 I/O 引脚通过 ESD 保护二极管内部钳位至 V SS 上 如果 V IN 小于 V IO_MIN 或大于 V IO_MAX, 则此处需要限流电阻 负直流注入电流的限流电阻计算公式是 :R=(V IO_MIN -V IN )/ I ICIO 2. 开漏输出必须上拉至 VDD 2.2.2 LVD 和 POR 工作要求表 2. V DD 电源 LVD 和 POR 工作要求 符号说明最小值典型值最大值单位注释 V POR VDD 电压下降 POR 检测电压 0.8 1.1 1.5 V V LVDH 电压下降低电压检测门限 高范围 (LVDV=01) 2.48 2.56 2.64 V V LVW1H V LVW2H 低压警告阈值 高范围 1 级压降 (LVWV=00) 2 级压降 (LVWV=01) 2.62 2.72 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 7 2.70 2.80 2.78 2.88 V V 1

通用 表 2. V DD 电源 LVD 和 POR 工作要求 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 V LVW3H V LVW4H 3 级压降 (LVWV=10) 2.82 2.90 2.98 V 4 级压降 (LVWV=11) 2.92 3.00 3.08 V V HYSH 低压抑制复位 / 恢复迟滞 高范围 80 mv V LVDL 电压下降低电压检测门限 低范围 (LVDV=00) 1.54 1.60 1.66 V 低压警告阈值 低范围 V LVW1L V LVW2L V LVW3L V LVW4L 1 级压降 (LVWV=00) 2 级压降 (LVWV=01) 3 级压降 (LVWV=10) 4 级压降 (LVWV=11) 1.74 1.84 1.94 2.04 1.80 1.90 2.00 2.10 1.86 1.96 2.06 2.16 V V V V 1 V HYSL 低压抑制复位 / 恢复迟滞 低范围 60 mv V BG 带隙电压参考 0.97 1.00 1.03 V t LPO 内部低功耗振荡器周期 工厂调整 900 1000 1100 μs 1. 上升阈值是下降阈值与迟滞电压之和 表 3. VBAT 电源工作要求 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 注释 V POR_VBAT VBAT 供电电压下降 POR 检测电压 0.8 1.1 1.5 V 2.2.3 电压和电流特性 表 4. 电压和电流特性 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 注释 V OH 输出高电压 常规驱动管脚 (RESET_B 除外 ) 2.7 V V DD 3.6 V, I OH = -5 ma V DD 0.5 V 1 1.71 V V DD 2.7 V, I OH = -2.5 ma V DD 0.5 V V OH 输出高压 高电平驱动管脚 (RESET_B 除外 ) 2.7 V V DD 3.6 V, I OH = -20 ma V DD 0.5 V 1 1.71 V V DD 2.7 V, I OH = -10 ma V DD 0.5 V I OHT 所有端口的总输出高电流 100 ma V OL 输出低电压 常规驱动管脚 (RESET_B 除外 ) 2.7 V V DD 3.6 V, I OL = 5 ma 0.5 V 1 1.71 V V DD 2.7 V, I OL = 2.5 ma 0.5 V V OL 输出低压 高电平驱动管脚 (RESET_B 除外 ) 2.7 V V DD 3.6 V, I OL = 20 ma 0.5 V 1 1.71 V V DD 2.7 V, I OL = 10 ma 0.5 V 下一页继续介绍此表... 8 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

通用 表 4. 电压和电流特性 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 V OL 输出低电压 RESET_B 2.7 V V DD 3.6 V, I OL = 3 ma 0.5 V 1.71 V V DD 2.7 V, I OL = 1.5 ma 0.5 V I OLT 所有端口的总输出低电流 100 ma I IN 全温度范围内的输入漏电流 ( 每引脚 ) 除高驱动端以外的所有引脚 0.002 0.5 μa 1,, 2 高驱动端引脚 0.004 0.5 μa I IN 全温度范围的输入漏电流 ( 所有引脚的总值 ) 1.0 μa 2 R PU 内部上拉电阻 20 50 kω 3 R PD 内部下拉电阻 20 50 kω 4 1. PTB0 PTB1 PTC3 PTC4 PTD4 PTD5 PTD6 和 PTD7 I/O 同时具有高驱动和常规驱动能力, 由相关的 PTx_PCRn[DSE] 控制位进行选择 所有其他 GPIO 都只有常规驱动能力 2. 在 VDD = 3.6 V 的条件下测定 3. 在 V DD 供电电压 = V DD ( 最小值 ) 且 Vinput = V SS 时测量 4. 在 V DD 电源电压 = V DD ( 最小值 ) 且 Vinput = V DD 时测量 2.2.4 功耗模式转换特性 下表中, 除 t POR 和 VLLSx RUN 恢复时间外的所有特性均假定时钟配置如下 : CPU 和系统时钟 = 80 MHz 总线时钟 = 40 MHz FlexBus 时钟 = 20 MHz Flash 时钟 = 20 MHz MCG 模式 :FEI 表 5. 功耗模式转换特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 t POR POR 事件后, 芯片工作温度范围内从 V DD 达到 1.71 V 到执行第一条指令所需的时间 300 μs 1 VLLS0 RUN VLLS1 RUN VLLS2 RUN VLLS3 RUN 140 μs 140 μs 80 μs 80 μs 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 9

通用 表 5. 功耗模式转换特性 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 LLS2 RUN 6 μs LLS3 RUN 6 μs VLPS RUN STOP RUN 5.7 μs 5.7 μs 1. 正常引导 (FTFA_OPT[LPBOOT]=1) 2.2.5 功耗特性 除非另有说明, 下表中的电流参数均为从 Flash 执行 while(1) 循环代码所得 除非另有规定, 否则 IDD 典型值表示的是 25 C 时的统计平均值, 且 RUN WAIT VLPR 和 VLPW 的 IDD 最大值表示的是 125 C 结温时收集到的数据 最大值表示相当于均值加上三倍标准偏差的表征结果 ( 均值 + 3 倍标准差 ) 表 6. 功耗特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 I DDA 模拟供电电流 参见注释 ma 1 I DD_HSRUN I DD_HSRUN I DD_HSRUN I DD_RUN HSRUN 模式电流 禁用所有外设时钟, 从 Flash 执行 CoreMark 基准代码 @ 1.8 V 28.0 29.33 ma 2, 3, 4 @ 3.0 V 28.0 29.33 ma HSRUN 模式电流 禁用所有外设时钟, 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 25.6 26.93 ma 2 @ 3.0 V 25.7 27.03 ma HSRUN 模式电流 启用所有外设时钟, 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 35.5 36.83 ma 5 @ 3.0 V 35.6 36.93 ma 计算过程中的 RUN 模式电流 从 Flash 执行 CoreMark 基准代码 @ 1.8 V 17.5 18.83 ma 3, 4, 6 @ 3.0 V 17.5 18.83 ma 下一页继续介绍此表... 10 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

通用 表 6. 功耗特性 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 I DD_RUN I DD_RUN I DD_RUN 计算过程中的 RUN 模式电流 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 15.10 17.10 ma 6 @ 3.0 V 15.10 17.33 ma RUN 模式电流 禁用所有外设时钟, 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 16.6 17.93 ma 7 @ 3.0 V 16.8 18.13 ma RUN 模式电流 启用所有外设时钟, 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 22.8 24.13 ma 8 @ 3.0 V @ 25 C 22.9 24.23 ma @ 70 C 23.1 24.43 ma @ 85 C 23.5 24.83 ma I DD_RUN @ 105 C 23.8 25.13 ma RUN 模式电流 有运算操作, 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 15.1 16.43 ma 9 @ 3.0 V @ 25 C 15.1 16.43 ma @ 70 C 15.4 16.73 ma @ 85 C 15.6 16.93 ma @ 105 C 16.0 17.33 ma I DD_WAIT I DD_WAIT I DD_VLPR I DD_VLPR I DD_VLPR I DD_VLPR 3.0 V 电压下的待机模式高频电流 所有外设时钟均禁用 3.0 V 电压下的待机模式降频电流 所有外设时钟均禁用 计算过程中的 VLPR 模式电流 从 Flash 执行 CoreMark 基准代码 9.3 10.63 ma 7 5.4 6.73 ma 10 @ 1.8 V 0.88 1.02 ma 3, 4, 11 @ 3.0 V 0.89 1.03 ma 计算过程中的 VLPR 模式电流, 从 Flash 执行代码 @ 1.8 V 0.62 0.77 ma 11 @ 3.0 V 0.63 0.77 ma 3.0 V 电压下的 VLPR 模式电流 所有外设时钟均禁用 3.0 V 电压下的 VLPR 模式电流 所有外设时钟均使能 0.76 0.90 ma 12 1.2 1.34 ma 13 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 11

通用 表 6. 功耗特性 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 I DD_VLPW 3.0 V 时的 VLPW 模式电流 所有外设时钟禁用 0.45 0.59 ma 14 I DD_STOP I DD_VLPS I DD_LLS3 I DD_LLS2 I DD_VLLS3 I DD_VLLS2 I DD_VLLS1 I DD_VLLS0 STOP 模式电流, 在 3.0 V 的电压下 @ -40 C 至 25 C 0.28 0.37 ma @ 70 C 0.34 0.51 ma @ 85 C 0.38 0.55 ma @ 105 C 0.50 0.80 ma VLPS 模式电流, 在 3.0 V 时 @ -40 C 至 25 C 8.7 18.10 µa @ 70 C 31.1 79.55 µa @ 85 C 50.3 110.15 µa @ 105 C 98.6 238.30 µa LLS3 模式电流, 在 3.0 V 时 @ -40 C 至 25 C 3.8 5.65 µa @ 70 C 12.5 28.75 µa @ 85 C 20.2 47.60 µa @ 105 C 39.5 91.25 µa LLS2 模式电流, 在 3.0 V 时 @ -40 C 至 25 C 3.0 4.10 µa @ 70 C 7.8 16.40 µa @ 85 C 12.3 30.15 µa @ 105 C 23.6 55.30 µa VLLS3 模式电流, 在 3.0 V 时 @ -40 C 至 25 C 2.8 3.95 µa @ 70 C 9.5 21.25 µa @ 85 C 15.3 34.65 µa @ 105 C 30.1 66.05 µa VLLS2 模式电流, 在 3.0 V 时 @ -40 C 至 25 C 1.9 2.45 µa @ 70 C 4.5 8.50 µa @ 85 C 6.8 12.15 µa @ 105 C 13.0 25.50 µa VLLS1 模式电流, 在 3.0 V 时 @ -40 C 至 25 C 0.73 1.42 µa @ 70 C 1.8 3.90 µa @ 85 C 3.0 5.25 µa @ 105 C 5.9 10.80 µa 3.0 V 时的 VLLS0 模式电流, 启用 POR 检测电路 @ -40 C 至 25 C 0.43 0.55 µa 下一页继续介绍此表... 12 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

通用 表 6. 功耗特性 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 I DD_VLLS0 I DD_VBAT I DD_VBAT @ 70 C 1.4 2.45 µa @ 85 C 2.6 4.00 µa @ 105 C 5.4 9.30 µa 3.0 V 时的 VLLS0 模式电流, 禁用 POR 检测电路 @ -40 C 至 25 C 0.14 0.24 µa @ 70 C 1.1 2.15 µa @ 85 C 2.3 3.85 µa @ 105 C 5.1 9.00 µa 在 3.0 V 禁用 RTC 和 32 khz 时的平均电流 @ -40 C 至 25 C 0.18 0.21 µa @ 70 C 0.66 0.86 µa @ 85 C 1.52 2.24 µa @ 105 C 2.92 4.30 µa CPU 未访问 RTC 寄存器时的平均电流 @ 1.8 V @ -40 C 至 25 C 0.59 0.70 µa 15 @ 70 C 1.00 1.3 µa @ 85 C 1.76 2.59 µa @ 105 C 3.00 4.42 µa @ 3.0 V @ -40 C 至 25 C 0.71 0.84 µa @ 70 C 1.22 1.59 µa @ 85 C 2.08 3.06 µa @ 105 C 3.50 5.15 µa 1. 模拟供电电流等于器件上每个模拟模块的工作或禁用电流之和 有关其供电电流请参见每个模块的特性 2. 120 MHz 内核和系统时钟 60 MHz 总线时钟 24 MHz FlexBus 时钟和 24 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 PEE 模式 禁用所有外设时钟 3. 基于低级别编译优化进行缓存和预取 4. 通过 IAR 7.2 以低优化级别编译 CoreMark 基准代码 5. 120 MHz 内核和系统时钟 60 MHz 总线时钟 24 MHz FlexBus 时钟和 24 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 PEE 模式 启用所有外设时钟 6. 80 MHz 内核及系统时钟 40 MHz 总线时钟和 26.67 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 PEE 模式 有运算操作 7. 80 MHz 内核和系统时钟 40 MHz 总线时钟 20MHz FlexBus 时钟和 26.67 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 FEI 模式 禁用所有外设时钟 8. 80 MHz 内核和系统时钟 40 MHz 总线时钟 20MHz FlexBus 时钟和 26.67 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 FEI 模式 启用所有外设时钟 9. 80 MHz 内核和系统时钟 40 MHz 总线时钟和 26.67 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 FEI 模式 有运算操作 10. 25 MHz 内核及系统时钟,25 MHz 总线时钟和 25 MHz FlexBus 及 Flash 时钟 MCG 配置为 FEI 模式 11. 4 MHz 内核 系统 FlexBus 及总线时钟和 1 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 BLPE 模式 有运算操作 从 Flash 执行代码 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 13

通用 12. 4 MHz 内核 系统 FlexBus 及总线时钟和 1 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 BLPE 模式 禁用所有外设时钟 从 Flash 执行代码 13. 4 MHz 内核 系统 FlexBus 及总线时钟和 1 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 BLPE 模式 启用所有外设时钟, 但外设未处于工作状态 从 Flash 执行代码 14. 4 MHz 内核 系统 FlexBus 及总线时钟和 1 MHz Flash 时钟 MCG 配置为 BLPE 模式 禁用所有外设时钟 15. 包括 32 khz 振荡器电流和 RTC 操作 2.2.5.1 示意图 : 典型 IDD_RUN 工作特性 下面的数据是在以下条件下测定的 : MCG 处于 FBE 模式, 频率为 50 MHz 或更低 MCG 处于 FEE 模式, 频率在 50 MHz 至 100MHz 之间 MCG 处于 PEE 模式, 频率大于 100 MHz USB 稳压器禁用 无 GPIO 切换 从 Flash 执行代码且使能高速缓存 对于 ALLOFF 曲线, 禁用除 FTFA 外的全部外设时钟 RUN 模式电流与内核频率的关系 温度 (C)=25,VDD=3.6V, 高速缓存 = 启用, 代码运行空间 =Flash VDD 电流消耗 (A) 所有外设时钟门控 全关 全开 时钟比内核 - 总线 -FlexBus-Flash 内核频率 (Mhz) 图 3. RUN 模式供电电流与内核频率 14 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

通用 超低功耗运行 (VLPR) 电流与内核频率的关系 温度 (C)=25,VDD=3.6V, 高速缓存 = 启用, 代码运行空间 =Flash VDD 电流消耗 (A) 所有外设时钟门控全关 全开 时钟比内核 - 总线 -FlexBus-Flash 内核频率 (Mhz) 图 4. VLPR 模式电源电流与内核频率的关系 2.2.6 EMC 电磁辐射特性表 7. 64 引脚 LQFP 封装的 EMC 电磁辐射特性 参数 条件 时钟 频率范围 级别 ( 典 型值 ) V EME 根据 IEC 61967-2 标准进行器件配置 测试条件和 EM 测试 电源电压 : VREGIN (USB) = 5.0 V VDD = 3.3 V 温度 = 25 C FSYS = 120 MHz FBUS = 60 MHz 外部晶体 = 8 MHz 单位 注释 150 khz 50 MHz 14 dbuv 1, 2, 3 50 MHz 150 MHz 23 150 MHz 500 MHz 23 500 MHz 1000 MHz 9 IEC 级别 L 4 1. 当器件正运行典型应用程序代码时根据 IEC 61967-2 进行测量 2. 在 64LQFP 器件 MK22FN512VLH12 上执行测量 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 15

通用 3. 报告的辐射级别为测定的最大辐射值, 从每个频率范围的测定方向, 向上舍入到下一个整数 4. IEC 级别最大值 :M 18dBmV L 24dBmV K 30dBmV I 36dBmV H 42dBmV 2.2.7 设计时需考虑电磁辐射 如果需要查找应用笔记, 以便于指导系统设计以最大限度减少电磁辐射干扰 1. 请访问 www.freescale.com 2. 输入 EMC design 执行关键字搜索 2.2.8 电容属性 表 8. 电容属性 符号说明最小值最大值单位 C IN_A 输入电容 : 模拟引脚 7 pf C IN_D 输入电容 : 数字引脚 7 pf 2.3 开关特性 2.3.1 器件时钟特性 表 9. 器件时钟特性 符号 说明 最小值 最大值 单位 附注 HSRUN 模式 f SYS 系统和内核时钟 120 MHz f BUS 总线时钟 60 MHz NORMAL RUN 模式 ( 和 HSRUN 模式, 除非上文中另有说明 ) f SYS 系统和内核时钟 80 MHz f SYS_USB 采用全速 USB 时的系统和内核时钟 20 MHz f BUS 总线时钟 50 MHz FB_CLK FlexBus 时钟 30 MHz f FLASH Flash 时钟 26.67 MHz f LPTMR LPTMR 时钟 25 MHz VLPR 模式 1 f SYS 系统和内核时钟 4 MHz f BUS 总线时钟 4 MHz 下一页继续介绍此表... 16 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

通用 表 9. 器件时钟特性 ( 继续 ) 符号 说明 最小值 最大值 单位 附注 FB_CLK FlexBus 时钟 4 MHz f FLASH Flash 时钟 1 MHz f ERCLK 外部参考时钟 16 MHz f LPTMR_pin LPTMR 时钟 25 MHz f LPTMR_ERCLK LPTMR 外部参考时钟 16 MHz f I2S_MCLK I2S 主时钟 12.5 MHz f I2S_BCLK I2S 位时钟 4 MHz 1. 这里介绍的有关 VLPR 模式下的频率限制, 优先于其他任何模块的时序特性中列出的频率特性 2.3.2 通用开关特性 下列通用特性适用于为 GPIO UART 和定时器进行配置的所有信号 表 10. 通用开关特性 符号说明最小值最大值单位注释 GPIO 引脚中断脉冲宽度 ( 数字毛刺滤波器禁用 ) 同步路径 1.5 总线时钟周 期 外部 reset_b 和 NMI 引脚中断脉冲宽度 异步路径 100 ns 3 GPIO 引脚中断脉冲宽度 ( 禁用数字毛刺滤波器, 禁用无源滤波器 ) 异步路径 1, 2 50 ns 4 复位接触断言后的模式选择 (EZP_CS) 保持时间 2 总线时钟周 期 端口上升和下降时间 禁用压摆率参数 1.71 V DD 2.7 V 2.7 V DD 3.6 V 启用压摆率参数 1.71 V DD 2.7 V 2.7 V DD 3.6 V 10 5 30 16 ns ns ns ns 5 1. 这是保证可通过引脚同步电路的最短脉冲宽度 低于该宽度的脉冲有可能不被识别 在 STOP 模式 VLPS LLS 和 VLLSx 各模式中将避开同步器, 所以可识别更短的脉冲 2. 必须满足更高的同步和异步时序要求 3. 这些引脚在输入端启用了无源滤波器 这是保证可识别的最短脉冲宽度 4. 这些引脚在输入端没有无源滤波器 这是保证可识别的最短脉冲宽度 5. 25 pf 负载 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 17

通用 2.4 热学特性 2.4.1 热学操作要求 表 11. 热学操作要求 符号说明最小值最大值单位注释 T J 裸片结温 40 125 C T A 环境温度 40 105 C 1 1. 仅当用户确保 T J 不会超过最大 T J 时才可超过最大 T A 确定 T J 的最简单方法是 :T J = T A + Θ JA X 芯片功耗 2.4.2 热学属性 板类型 符号 说明 121 XFBGA 单层 (1S) R θja 热阻, 连结 到外部环境 ( 自然对流 ) 四层 (2s2p) R θja 热阻, 连结 到外部环境 ( 自然对流 ) 单层 (1S) R θjma 热阻, 连结到外部环境 ( 空气速率为 200 英尺 / 分钟 ) 四层 (2s2p) R θjma 热阻, 连结到外部环境 ( 空气速率为 200 英尺 / 分钟 ) R θjb 热阻, 连结 到板 R θjc 热阻, 连结 到管壳 Ψ JT 热特性参数, 连结到外封装顶部中心 ( 自然对流 ) 100 LQFP 64 LQFP 64 MAPBGA 单位 44.4 61 67 95.7 C/W 1 27.0 48 48 48.8 C/W 2 37.2 51 55 74.4 C/W 3 23.7 42 42 44.0 C/W 3 23.5 34 31 30.3 C/W 4 17.4 16 16 28.0 C/W 5 0.2 3 3 1.0 C/W 6 附注 1. 根据 JEDEC 标准 JESD51-2 集成电路热测试方法的环境条件 自然对流 ( 静止空气 ), 采用单层板水平面确定 板应符合 JESD51-9 规范 2. 根据 JEDEC 标准 JESD51-2 集成电路热测试方法的环境条件 自然对流 ( 静止空气 ) 确定 3. 根据 JEDEC 标准 JESD51-6 集成电路热测试方法的环境条件 强制对流 ( 运动空气 ), 采用水平面确定 4. 根据 JEDEC 标准 JESD51-8 集成电路热测试方法的环境条件 连结到电路板 确定 5. 通过冷板方法测量裸片和管壳顶面之间的热阻 (MIL SPEC-883 Method 1012.1) 18 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

6. 基于 JEDEC JESD51-2 标准, 热特性参数表示封装顶部和结温度之间的温差 3 外设工作要求与特性 3.1 内核模块 3.1.1 SWD 电气特性 表 12. SWD 全电压范围电气特性 符号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压 1.71 3.6 V S1 SWD_CLK 操作频率 串行线调试 0 33 MHz S2 SWD_CLK 周期 1/S1 ns S3 SWD_CLK 时钟脉宽 串行线调试 15 ns S4 SWD_CLK 上升和下降时间 3 ns S9 SWD_DIO SWD_CLK 上升前的输入数据建立时间 8 ns S10 SWD_DIO SWD_CLK 上升后的输入数据保持时间 1.4 ns S11 SWD_CLK 高电平至 SWD_DIO 数据有效时间 25 ns S12 SWD_CLK 高电平至 SWD_DIO 高阻态时间 5 ns SWD_CLK ( 输入 ) S3 S2 S3 S4 S4 图 5. 串行线时钟输入时序 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 19

SWD_CLK S9 S10 SWD_DIO 输入数据有效 S11 SWD_DIO 输出数据有效 S12 SWD_DIO S11 SWD_DIO 输出数据有效 图 6. 串行线数据时序 3.1.2 JTAG 电气特性 表 13. JTAG 窄电压范围电气特性 符号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压 2.7 3.6 V J1 TCLK 操作频率 MHz 边界扫描 JTAG 和 CJTAG 0 0 10 20 J2 TCLK 周期 1/J1 ns J3 TCLK 时钟脉宽 边界扫描 JTAG 和 CJTAG 50 25 ns ns J4 TCLK 上升和下降时间 3 ns J5 TCLK 上升前边界扫描输入数据的建立时间 20 ns J6 TCLK 上升后边界扫描输入数据的保持时间 1 ns J7 TCLK 低电平至边界扫描输出数据有效的时间 25 ns J8 TCLK 低电平至边界扫描输出高阻态的时间 25 ns J9 TCLK 上升前 TMS TDI 输入数据的建立时间 8 ns 下一页继续介绍此表... 20 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 13. JTAG 窄电压范围电气特性 ( 继续 ) 符号 说明 最小值 最大值 单位 J10 TCLK 上升后 TMS TDI 输入数据的保持时间 1 ns J11 TCLK 低电平至 TDO 数据有效的时间 19 ns J12 TCLK 低电平至 TDO 高阻态的时间 19 ns J13 TRST 有效时间 100 ns J14 TRST 建立时间 ( 取反 ) 至 TCLK 高电平 8 ns 表 14. JTAG 全电压范围电气特性 符号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压 1.71 3.6 V J1 TCLK 操作频率 MHz 边界扫描 JTAG 和 CJTAG 0 0 10 15 J2 TCLK 周期 1/J1 ns J3 TCLK 时钟脉宽 边界扫描 JTAG 和 CJTAG 50 33 ns ns J4 TCLK 上升和下降时间 3 ns J5 TCLK 上升前边界扫描输入数据的建立时间 20 ns J6 TCLK 上升后边界扫描输入数据的保持时间 1.4 ns J7 TCLK 低电平至边界扫描输出数据有效的时间 27 ns J8 TCLK 低电平至边界扫描输出高阻态的时间 27 ns J9 TCLK 上升前 TMS TDI 输入数据的建立时间 8 ns J10 TCLK 上升后 TMS TDI 输入数据的保持时间 1.4 ns J11 TCLK 低电平至 TDO 数据有效的时间 26.2 ns J12 TCLK 低电平至 TDO 高阻态的时间 26.2 ns J13 TRST 有效时间 100 ns J14 TRST 建立时间 ( 取反 ) 至 TCLK 高电平 8 ns TCLK( 输入 ) J3 J2 J3 J4 J4 图 7. 测试时钟输入时序 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 21

TCLK J5 J6 数据输入 输入数据有效 J7 数据输出 输出数据有效 J8 数据输出 J7 数据输出 输出数据有效 图 8. 边界扫描 (JTAG) 时序 TCLK J9 J10 TDI/TMS 输入数据有效 J11 TDO 输出数据有效 J12 TDO J11 TDO 输出数据有效 图 9. 测试访问端口的时序 22 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

TCLK J13 J14 TRST 图 10. TRST 时序 3.2 系统模块 对于器件的系统模块, 无特性要求 3.3 时钟模块 3.3.1 MCG 参数 表 15. MCG 参数 符号说明最小值典型值最大值单位注释 f ints_ft Δf ints_t 内部参考频率 ( 慢速时钟 ) 出厂时已在标称 VDD 和 25 C 条件下调整 内部参考频率 ( 慢速时钟 ) 随电压和温度变化的总偏差 32.768 khz +0.5/-0.7 ± 2 % f ints_t 内部参考频率 ( 慢速时钟 ) 用户调整 31.25 39.0625 khz Δ fdco_res_t Δf dco_t Δf dco_t f intf_ft Δf intf_ft f intf_t 在固定电压和温度下, 经调整后的平均 DCO 输出频率的分辨率 使用 SCTRIM 和 SCFTRIM 经调整后的平均 DCO 输出频率随电压和温度变化的总偏差 经调整后的平均 DCO 输出频率在固定电压和温度范围 (0-70 C) 条件下的总偏差 内部参考频率 ( 快速时钟 ) 出厂时已在标称 VDD 和 25 C 条件下调整 内部参考时钟 ( 快速时钟 ) 随温度和电压变化的频率偏差 出厂时已在标称 VDD 和 25 C 条件下调整 内部参考频率 ( 快速时钟 ) 用户在标称 VDD 和 25 C 条件下调整 ± 0.3 ± 0.6 %f dco 1 +0.5/-0.7 ± 2 %f dco 1, 2 ± 0.3 ± 1.5 %f dco 1 4 MHz +1/-2 ± 5 %f intf_ft 3 5 MHz f loc_low 丢失外部时钟的最小频率 范围 = 00 (3/5) x f ints_t khz 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 23

表 15. MCG 参数 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 f loc_high 外部时钟的最小频率损耗 范围 = 01 10 或 11 (16/5) x f ints_t khz f fll_ref FLL 参考频率范围 31.25 39.0625 khz f dco f dco_t_dmx3 2 J cyc_fll DCO 输出频率范围 低范围 (DRS = 00) DCO 输出频率低范围 (DRS = 00) FLL 周期抖动 f VCO = 48 MHz f VCO = 98 MHz FLL 640 f fll_ref 20 20.97 25 MHz 3,, 4 中范围 (DRS = 01) 40 41.94 50 MHz 1280 f fll_ref 中高范围 (DRS = 10) 60 62.91 75 MHz 1920 f fll_ref 高范围 (DRS = 11) 80 83.89 100 MHz 2560 f fll_ref 732 f fll_ref 23.99 MHz 5,, 6 中范围 (DRS = 01) 47.97 MHz 1464 f fll_ref 中高范围 (DRS = 10) 71.99 MHz 2197 f fll_ref 高范围 (DRS = 11) 95.98 MHz 2929 f fll_ref t fll_acquire FLL 目标频率获取时间 1 ms 7 f vco VCO 工作频率 48.0 120 MHz I pll I pll PLL 工作电流 96 MHz 下的 PLL(f osc_hi_1 = 8 MHz,f pll_ref = 2 MHz,VDIV 乘数 = 48) PLL 工作电流 48 MHz 下的 PLL(f osc_hi_1 = 8 MHz,f pll_ref = 2 MHz,VDIV 乘数 = 24) PLL 180 150 ps 1060 µa 600 µa f pll_ref PLL 参考频率范围 2.0 4.0 MHz J cyc_pll PLL 周期抖动 (RMS) f vco = 48 MHz f vco = 100 MHz 120 75 ps ps 8 8 9 J acc_pll 1µs 内的 PLL 累加抖动 (RMS) 1350 ps 9 600 ps 下一页继续介绍此表... 24 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 15. MCG 参数 ( 继续 ) 符号说明最小值典型值最大值单位注释 f vco = 48 MHz f vco = 100 MHz D lock 锁定输入频率公差 ± 1.49 ± 2.98 % D unl 锁定退出频率公差 ± 4.47 ± 5.97 % t pll_lock 锁定检测器检测时间 150 10-6 + 1075(1/ f pll_ref ) s 10 1. 测量此参数时, 使用内部参考时钟 ( 慢速时钟 ) 作为 FLL 的参考时钟 (FEI 时钟模式 ) 2. 2.0 V <= VDD <= 3.6 V 3. 这些列出的典型值采用的是慢速内部参考时钟 (FEI), 使用出厂调整值且 DMX32 = 0 4. 最终系统的时钟频率不得超过指定最大值 还应考虑 DCO 频率随电压和温度变化的偏差 (Δf dco_t ) 5. 这些列出的典型值采用的是慢速内部参考时钟 (FEI), 使用出厂调整值且 DMX32 = 1 6. 生成的时钟频率不能超过器件的最大指定时钟频率 7. 此特性适用于以下任意时间 :FLL 参考源或参考分频因子改变时 ; 调整值改变时 ;DMX32 位改变时 ;DRS 位改变时 ; 或从 禁用 FLL (BLPE BLPI) 变为 使能 FLL (FEI FEE FBE FBI) 时 当晶体 / 谐振器用作参考时钟源时, 此规格 假定其已运行 8. 不包括在 PLL 运行期间产生功耗的任何振荡器电流 9. 使用 Freescale 开发的 PCB 得出此特性 PLL 抖动取决于各 PCB 的噪声特性, 且结果会有所不同 10. 此规格适用于以下任意时间 :PLL VCO 分频因子或参考分频因子改变时 ; 或从 禁用 PLL (BLPE, BLPI) 变为 使能 PLL (PBE, PEE) 时 当晶体 / 谐振器用作参考时钟源时, 此规格假定其已运行 3.3.2 IRC48M 特性 表 16. IRC48M 特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 V DD 供电电压 1.71 3.6 V I DD48M 供电电流 400 500 μa f irc48m 内部参考频率 48 MHz Δf irc48m_ol_lv Δ f irc48m_ol_hv Δ f irc48m_ol_hv IRC48M 在低电压 (VDD=1.71V-1.89V) 条件下在全温度范围内的开环频率总偏差 稳压器禁用 (USB_CLK_RECOVER_IRC_EN[REG_EN]=0) 稳压器启用 (USB_CLK_RECOVER_IRC_EN[REG_EN]=1) IRC48M 在高电压 (VDD=1.89V-3.6V) 条件下在全温度范围内的开环频率总偏差 稳压器启用 (USB_CLK_RECOVER_IRC_EN[REG_EN]=1) IRC48M 在高电压 (VDD=1.89V-3.6V) 条件下在温度为 -40 C 至 85 C 时的开环频率总偏差 稳压器启用 (USB_CLK_RECOVER_IRC_EN[REG_EN]=1) 下一页继续介绍此表... ± 0.5 ± 1.5 %f irc48m ± 0.5 ± 2.0 ± 0.5 ± 1.5 %f irc48m ± 0.5 ± 1.0 %f irc48m 1 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 25

表 16. IRC48M 特性 ( 继续 ) 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 注释 Δf irc48m_cl IRC48M 随电压和温度变化的闭环频率总偏差 ± 0.1 %f host 2 J cyc_irc48m 周期抖动 (RMS) 35 150 ps t irc48mst 启动时间 2 3 μs 3 1. 最大值表示相当于均值加上或减去三倍标准偏差的表征结果 ( 均值 ± 3 倍标准差 ) 2. IRC48M 闭环操作仅适用于 USB 设备操作, 不可用于 USB 主机操作 启用方法 : 配置 USB 设备, 选择 IRC48M 为 USB 时钟源, 并激活时钟恢复功能 (USB_CLK_RECOVER_IRC_CTRL[CLOCK_RECOVER_EN]=1, USB_CLK_RECOVER_IRC_EN[IRC_EN]=1) 3. IRC48M 启动时间的定义为 : 从时钟使能操作至时钟可供系统使用之间的时间 可通过下列任一设置启用时钟 : USB_CLK_RECOVER_IRC_EN[IRC_EN]=1, 或者 在外部时钟模式中进行 MCG 操作, 且 MCG_C7[OSCSEL]=10, 或 SIM_SOPT2[PLLFLLSEL]=11 3.3.3 振荡器电气特性 3.3.3.1 直流振荡器电气特性表 17. 直流振荡器电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 V DD 供电电压 1.71 3.6 V I DDOSC 供电电流 - 低功耗模式 (HGO=0) 32 khz 4 MHz 8 MHz (RANGE=01) 16 MHz 24 MHz 32 MHz 500 200 300 950 1.2 1.5 na μa μa μa ma ma 1 I DDOSC 供电电流 - 高增益模式 (HGO=1) 1 32 khz 25 μa 4 MHz 400 μa 8 MHz (RANGE=01) 500 μa 16 MHz 2.5 ma 24 MHz 3 ma 32 MHz 4 ma C x EXTAL 管脚负载电容 2, 3 C y XTAL 管脚负载电容 2, 3 R F 反馈电阻 低频 低功耗模式 (HGO=0) MΩ 2, 4 下一页继续介绍此表... 26 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 17. 直流振荡器电气特性 ( 继续 ) 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 注释 反馈电阻 低频 高增益模式 (HGO=1) 10 MΩ 反馈电阻 高频 低功耗模式 (HGO=0) MΩ 反馈电阻 高频 高增益模式 (HGO=1) 1 MΩ R S 串联电阻 低频 低功耗模式 (HGO=0) kω 串联电阻 低频 高增益模式 (HGO=1) 200 kω 串联电阻 低频 低功耗模式 (HGO=0) kω 串联电阻 高频 高增益模式 (HGO=1) 0 kω V 5 pp 峰峰值 ( 振荡器模式 )- 低频 低功耗模式 (HGO=0) 0.6 V 峰峰值 ( 振荡器模式 )- 低频 高增益模式 (HGO=1) V DD V 峰峰值 ( 振荡器模式 )- 高频 低功耗模式 (HGO=0) 0.6 V 峰峰值 ( 振荡器模式 )- 高频 高增益模式 (HGO=1) V DD V 1. V DD =3.3 V, 温度 =25 C 2. 参见晶体或谐振器制造商的建议 3. C x 和 C y 可选用集成电容或外部组件 4. 选择低功耗模式时,R F 为集成电阻, 不可从外部连接 5. EXTAL 和 XTAL 引脚只应连接到所需的振荡器组件, 而不得连接到其他任何器件 3.3.3.2 振荡器频率特性 表 18. 振荡器频率特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 f osc_lo f osc_hi_1 f osc_hi_2 振荡器晶体频率或谐振器频率 - 低频模式 (MCG_C2[RANGE]=00) 振荡器晶体频率或谐振器频率 - 高频模式 ( 低范围 )(MCG_C2[RANGE]=01) 振荡器晶体频率或谐振器频率 - 高频模式 ( 高范围 )(MCG_C2[RANGE]=1x) 32 40 khz 3 8 MHz 8 32 MHz f ec_extal 输入时钟频率 ( 外部时钟模式 ) 50 MHz 1, 2 t dc_extal 输入时钟占空比 ( 外部时钟模式 ) 40 50 60 % t cst 晶体启动时间 - 32 khz 低频 低功耗模式 (HGO=0) 晶体启动时间 - 32 khz 低频 高增益模式 (HGO=1) 晶体启动时间 - 8 MHz 高频 (MCG_C2[RANGE]=01) 低功耗模式 (HGO=0) 晶体启动时间 - 8 MHz 高频 (MCG_C2[RANGE]=01) 高增益模式 (HGO=1) 750 ms 3,, 4 250 ms 0.6 ms 1 ms 1. 以外部时钟作为 FLL 或 PLL 的参考时钟时, 其他频率限制可能适用 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 27

2. 从 FEI 或 FBI 模式转换到 FBE 模式时, 应限制输入时钟频率, 以便 FRDIV 对其分频时可依然保持在 DCO 输入时钟频率的 限值内 3. 为了达到规格要求, 务必遵循正确的印制电路板布局流程 4. 晶体启动时间定义为从振荡器启动到 MCG_S 寄存器中的 OSCINIT 位置位之间的时间长度 3.3.4 32 khz 振荡器电气特性 3.3.4.1 32 khz 振荡器直流电气特性表 19. 32 khz 振荡器直流电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位 V BAT 电源电压 1.71 3.6 V R F 内部反馈电阻器 100 MΩ C para EXTAL32 和 XTAL32 的寄生电容 5 7 pf V pp 1 峰 - 峰振幅 0.6 V 1. 如果一个晶体连同 32 khz 振荡器使用,EXTAL 和 XTAL 引脚应连接到所需的振荡器组件, 而不能连接到其他任何器件上 3.3.4.2 32 khz 振荡器频率特性表 20. 32 khz 振荡器频率特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 f osc_lo 振荡器晶体 32.768 khz t start 晶体启动时间 1000 ms 1 f ec_extal32 外部提供的输入时钟频率 32.768 khz 2 v ec_extal32 外部提供的输入时钟幅值 700 V BAT mv 2,, 3 1. 为了达到规格要求, 务必遵循正确的印制电路板布局流程 2. 此特性适用于驱动至 EXTAL32 的外部时钟, 不适用于任何其他时钟输入 振荡器保持启用状态, 而 XTAL32 必须悬空 3. 指定参数为峰 - 峰值,V IH 和 V IL 的特性不适用 采用的时钟电压必须在 V SS 至 V BAT 范围内 3.4 存储器和存储器接口 3.4.1 Flash 电气特性 本节介绍 Flash 存储器模块的电气特性 28 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

3.4.1.1 Flash 时序特性 编程和擦除下列规格表示内部电荷泵处于有效状态的时间, 不包括命令执行时间 表 21. NVM 编程 / 擦除时序特性 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 注释 t hvpgm4 长字编程高电压时间 7.5 18 μs t hversscr 扇区擦除高电压时间 13 113 ms 1 t hversall 全部擦除高电压时间 52 452 ms 1 1. 最大时间, 基于循环周期终止时的期望值 3.4.1.2 Flash 时序特性 - 命令表 22. Flash 命令时序特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 t rd1sec2k 读 1s 区 执行时间 ( flash 扇区 ) 60 μs 1 t pgmchk 程序校验 执行时间 45 μs 1 t rdrsrc 读资源 执行时间 30 μs 1 t pgm4 程序长字 执行时间 65 145 μs t ersscr 擦除 Flash 扇区 执行时间 14 114 ms 2 t rd1all 读 1s 所有块 执行时间 1.8 ms 1 t rdonce 读一次 执行时间 30 μs 1 t pgmonce 程序运行一次 执行时间 100 μs t ersall 擦除所有块 执行时间 500 3000 ms 2 t vfykey 验证后门访问密钥 执行时间 30 μs 1 1. 假定 Flash 时钟频率为 25 MHz 2. 擦除参数的最大时间, 基于循环周期终止时的期望值 3.4.1.3 Flash 高压电流特性表 23. Flash 高压电流特性 符号说明最小值典型值最大值单位 I DD_PGM 高压 Flash 编程操作过程中的平均增加电流 2.5 6.0 ma I DD_ERS 高压 Flash 擦除操作过程中的平均增加电流 1.5 4.0 ma Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 29

3.4.1.4 可靠性特性 表 24. NVM 可靠性特性 符号 说明 最小值 典型值 1 最大值 单位 注释 程序 Flash t nvmretp10k 高达 10000 个周期后的数据保留时间 5 50 年 t nvmretp1k 高达 1000 个周期后的数据保留时间 20 100 年 n nvmcycp 周期寿命 10 K 50 K 周期 2 1. 典型数据保留值基于加速高温和 25 C 恒温用例情况下所测得的响应 此项技术不适用工程通告 EB618 工程通告 EB619 中定义的典型耐受能力 2. 擦写耐受能力表示 -40 C T j 125 C 温度范围内的编程 / 擦除次数 3.4.2 EzPort 开关特性 表 25. EzPort 开关特性 编号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压 1.71 3.6 V EP1 EZP_CK 工作频率 ( 除 READ 外的所有指令 ) f SYS /2 MHz EP1a EZP_CK 工作频率 (READ 指令 ) f SYS /8 MHz EP2 EZP_CS 无效至下次 EZP_CS 有效 2 x t EZP_CK ns EP3 EZP_CS 输入有效至 EZP_CK 高电平 ( 建立 ) 5 ns EP4 EZP_CK 高电平至 EZP_CS 输入无效 ( 保持 ) 5 ns EP5 EZP_D 输入有效至 EZP_CK 高电平 ( 建立 ) 2 ns EP6 EZP_CK 高电平至 EZP_D 输入无效 ( 保持 ) 5 ns EP7 EZP_CK 低电平至 EZP_Q 输出有效 25 ns EP8 EZP_CK 低电平至 EZP_Q 输出无效 ( 保持 ) 0 ns EP9 EZP_CS 无效至 EZP_Q 三态 12 ns 30 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

EZP_CK EP3 EP4 EP2 EZP_CS EP9 EP7 EP8 EZP_Q ( 输出 ) EP5 EP6 EZP_D ( 输入 ) 图 11. EzPort 时序图 3.4.3 Flexbus 开关特性 所有处理器总线时序均同步 ; 给出的输入建立 / 保持时间和输出延时均相对于参考时钟 FB_CLK 的上升沿而言 FB_CLK 频率可能与内部系统总线频率一致, 也可能等于该频率整数分频后的值 下面的时序数字表明数据被锁存或驱动至外部总线的时刻, 相对于 Flexbus 输出时钟 (FB_CLK) 而言 所有其他时序关系均可根据这些值导出 表 26. Flexbus 开关特性 ( 窄电压范围 ) 编号说明最小值最大值单位附注 工作电压 2.7 3.6 V 工作频率 30 MHz FB1 时钟周期 33.3 ns FB2 地址 数据和控制输出有效时间 15 ns FB3 地址 数据和控制输出保持时间 0.5 ns 1 FB4 数据和 FB_TA 输入建立时间 14.5 ns FB5 数据和 FB_TA 输入保持时间 0.5 ns 2 1. 此特性对于所有 FB_AD[31:0] FB_BE/BWEn FB_CSn FB_OE FB_R/W FB_TBST FB_TSIZ[1:0] FB_ALE 和 FB_TS 均有效 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 31

2. 此特性对于所有 FB_AD[31:0] 和 FB_TA 均有效 表 27. Flexbus 开关特性 ( 全电压范围 ) 编号 说明 最小值 最大值 单位 附注 工作电压 1.71 3.6 V 工作频率 30 MHz FB1 时钟周期 33.3 ns FB2 地址 数据和控制输出有效时间 21.5 ns FB3 地址 数据和控制输出保持时间 1.0 ns 1 FB4 数据和 FB_TA 输入建立时间 20.0 ns FB5 数据和 FB_TA 输入保持时间 0.5 ns 2 1. 此特性对于所有 FB_AD[31:0] FB_BE/BWEn FB_CSn FB_OE FB_R/W FB_TBST FB_TSIZ[1:0] FB_ALE 和 FB_TS 均有效 2. 此特性对于所有 FB_AD[31:0] 和 FB_TA 均有效 32 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

FB1 FB_CLK FB_A[Y] FB2 地址 FB4 FB5 FB3 FB_D[X] 地址 数据 FB_RW FB_TS FB_ALE FB_CSn AA=1 AA=0 FB_OEn FB_BEn FB_TA FB4 AA=1 AA=0 FB5 FB_TSIZ[1:0] TSIZ 图 12. FlexBus 读操作时序图 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 33

FB1 FB_CLK FB2 FB3 FB_A[Y] 地址 FB_D[X] 地址 数据 FB_RW FB_TS FB_ALE FB_CSn AA=1 AA=0 FB_OEn FB_BEn FB_TA FB4 AA=1 AA=0 FB5 FB_TSIZ[1:0] TSIZ 图 13. FlexBus 写操作时序图 3.5 安全性和完整性模块 对于器件的安全性和完整性模块, 无特性要求 3.6 模拟 34 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

3.6.1 ADC 电气特性 在表 28 和表 29 中列出的 16 位精度特性可以在差分引脚 ADCx_DPx ADCx_DMx 上实现 其他所有 ADC 通道满足 13 位差分 /12 位单端精度特性 3.6.1.1 16 位 ADC 操作条件表 28. 16 位 ADC 操作条件 符号描述条件最小值典型值 1 最大值单位注释 V DDA 供电电压绝对值 1.71 3.6 V ΔV DDA 供电电压 V DD 的差值 (V DD - V DDA ) -100 0 +100 mv 2 ΔV SSA 接地电压 V SS 的差值 (V SS -V SSA ) -100 0 +100 mv 2 V REFH ADC 高参考电压 1.13 V DDA V DDA V V REFL ADC 低参考电压 V SSA V SSA V SSA V V ADIN 输入电压 16 位差分模式 其他所有模式 C ADIN 输入电容 16 位模式 8 位 /10 位 /12 位模式 VREFL VREFL 8 4 31/32 * VREFH VREFH 10 5 V pf R ADIN 输入串联电阻 2 5 kω R AS 模拟源电阻 ( 外部 ) 13 位 /12 位模式 f ADCK < 4 MHz 5 kω 3 f ADCK f ADCK ADC 转换时钟频率 ADC 转换时钟频率 C rate ADC 转换速率 13 位模式 13 位模式 1.0 24.0 MHz 4 16 位模式 2.0 12.0 MHz 4 无 ADC 硬件平均 C rate ADC 转换速率 16 位模式 连续转换功能使能, 后续转换时间 无 ADC 硬件平均 连续转换功能使能, 后续转换时间 20 1200 Ksps 37 461 Ksps 5 5 1. 除非另有说明, 否则典型值假定 V DDA = 3.0 V,Temp = 25 C,f ADCK = 1.0 MHz 典型值仅供参考, 并未在生产中进行测试 2. 直流电位差 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 35

3. 此电阻是 MCU 的外部电阻 为达到最佳效果, 模拟源电阻必须尽量小一些 此数据手册中的结果来自于模拟源电阻 < 8 Ω 的系统 R AS /C AS 时间常数应当始终 < 1 ns 4. 要使用最大 ADC 转换时钟频率, 必须使 CFG2[ADHSC] 置位, 并使 CFG1[ADLPC] 清零 5. 有关计算转换速率的相应准则和示例, 请下载 ADC 计算器工具 简化的输入引脚等效电路 ZADIN RAS ZAS 由输入保护电路导致的引脚漏电 简化的通道选择电路 RADIN ADC SAR 引擎 VADIN VAS CAS RADIN 输入引脚 RADIN 输入引脚 RADIN 输入引脚 CADIN 图 14. ADC 输入阻抗等效图 3.6.1.2 16 位 ADC 电气特性 表 29. 16 位 ADC 特性 (V REFH = V DDA, V REFL = V SSA ) 符号描述条件 1 最小值典型值 2 最大值单位注释 I DDA_ADC 供电电流 0.215 1.7 ma 3 f ADACK ADC 异步时钟源 ADLPC = 1, ADHSC = 0 ADLPC = 1, ADHSC = 1 ADLPC = 0, ADHSC = 0 ADLPC = 0, ADHSC = 1 1.2 2.4 3.0 4.4 2.4 4.0 5.2 6.2 3.9 6.1 7.3 9.5 MHz MHz MHz MHz t ADACK = 1/f ADACK 采样时间 参见 参考手册 中的章节确定采样时间 TUE 未调整总误差 12 位模式 ±4 ±6.8 LSB 4 5 <12 位模式 ±1.4 ±2.1 DNL 差分非线性 12 位模式 <12 位模式 ±0.7 ±0.2-1.1 到 +1.9 LSB 4 5 下一页继续介绍此表... 36 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 29. 16 位 ADC 特性 (V REFH = V DDA, V REFL = V SSA ) ( 继续 ) 符号描述条件 1 最小值典型值 2 最大值单位注释 INL 积分非线性 12 位模式 <12 位模式 E FS 满量程误差 12 位模式 <12 位模式 E Q 量化误差 16 位模式 13 位模式 ±1.0 ±0.5 4 1.4-1 到 0-0.3 到 +0.5-2.7 到 +1.9-0.7 到 +0.5 5.4 1.8 ±0.5 LSB 4 5 LSB 4 V ADIN = V DDA 5 LSB 4 ENOB 有效位数 16 位差分模式 位 Avg = 32 12.8 14.5 位 Avg = 4 11.9 13.8 16 位单端模式 位位 Avg = 32 Avg = 4 12.2 11.4 13.9 13.1 SINAD 信噪失真比 参见 ENOB 6.02 ENOB + 1.76 db THD 总谐波失真 16 位差分模式 db Avg = 32-94 db 16 位单端模式 -85 Avg = 32 6 7 SFDR 无杂散动态范围 16 位差分模式 Avg = 32 82 95 db db 7 16 位单端模式 78 90 Avg = 32 E IL 输入漏电误差 I In R AS mv I In = 漏电 流 ( 参见 MCU 电压和电流操作极限 ) 温度传感器斜率横跨设备整个温度范围 1.55 1.62 1.69 mv/ C 8 V TEMP25 温度传感器电压 25 C 706 716 726 mv 8 1. 所有精度数字均假定 ADC 已在 V REFH = V DDA 的情况下进行校准 2. 除非另有说明, 否则典型值假定 V DDA = 3.0 V Temp = 25 C f ADCK = 2.0 MHz 典型值仅供参考, 并未在生产中进行 测试 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 37

3. ADC 供电电流取决于 ADC 转换时钟速度 转换速率以及 ADC_CFG1[ADLPC]( 低功耗 ) 要使操作功耗最低, ADC_CFG1[ADLPC] 必须置位,ADC_CFG2[ADHSC] 位必须清零, 且 ADC 转换时钟速度为 1 MHz 4. 1 LSB = (V REFH - V REFL )/2 N 5. ADC 转换时钟 < 16 MHz, 最大硬件平均 (AVGE = %1, AVGS = %11) 6. 输入数据为 100 Hz 的正弦波 ADC 转换时钟 < 12 MHz 7. 输入数据为 1 khz 的正弦波 ADC 转换时钟 < 12 MHz 8. ADC 转换时钟 < 3 MHz 典型 ADC 16 位差分 ENOB 与 ADC 时钟对比 100 Hz,90% 满量程正弦输入 ENOB 禁用硬件平均 4 采样平均 8 采样平均 32 采样平均 ADC 时钟频率 (MHz) 图 15. 典型 ENOB 与 16 位差分模式 ADC_CLK 的关系 38 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

典型 ADC 16 位单边 ENOB 与 ADC 时钟对比 100 Hz,90% 满量程正弦输入 ENOB 4 采样平均 32 采样平均 ADC 时钟频率 (MHz) 图 16. 典型 ENOB 与 16 位单端模式 ADC_CLK 的关系 3.6.2 CMP 和 6 位 DAC 的电气特性表 30. 比较器和 6 位 DAC 的电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位 V DD 供电电压 1.71 3.6 V I DDHS 供电电流, 高速模式 (EN=1,PMODE=1) 200 μa I DDLS 供电电流, 低速模式 (EN=1,PMODE=0) 20 μa V AIN 模拟输入电压 V SS 0.3 V DD V V AIO 模拟输入偏移电压 20 mv V H 模拟比较器迟滞 1 CR0[HYSTCTR] = 00 CR0[HYSTCTR] = 01 CR0[HYSTCTR] = 10 CR0[HYSTCTR] = 11 V CMPOh 输出高电平 V DD 0.5 V V CMPOl 输出低电平 0.5 V t DHS 传播延迟, 高速模式 (EN=1,PMODE=1) 20 50 200 ns t DLS 传播延迟, 低速模式 (EN=1,PMODE=0) 80 250 600 ns 下一页继续介绍此表... 5 10 20 30 mv mv mv mv Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 39

表 30. 比较器和 6 位 DAC 的电气特性 ( 继续 ) 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 模拟比较器初始化延迟 2 40 μs I DAC6b 6 位 DAC 增加电流 ( 使能 ) 7 μa INL 6 位 DAC 积分非线性 0.5 0.5 LSB 3 DNL 6 位 DAC 差分非线性 0.3 0.3 LSB 1. 在输入电压范围限定为 0.6 至 V DD 0.6 V 的条件下测定典型迟滞 2. 比较器初始化延迟是指从软件执行写操作来改变控制输入 ( 写入 CMP_DACCR[DACEN] CMP_DACCR[VRSEL] CMP_DACCR[VOSEL] CMP_MUXCR[PSEL] 和 CMP_MUXCR[MSEL]) 到比较器输出达到稳定电平的时间 3. 1 LSB = V reference /64 0.08 0.07 0.06 0.05 HYSTCTR 设置 CMP 迟滞 (V) 0.04 0.03 00 01 10 11 0.02 0.01 0 0.1 0.4 0.7 1 1.3 1.6 1.9 2.2 2.5 2.8 3.1 Vin 电平 (V) 图 17. 典型迟滞与 Vin 电平 (VDD = 3.3 V, PMODE = 0) 40 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

0.18 0.16 0.14 CMP 迟滞 (V) 0.12 0.1 0.08 0.06 HYSTCTR 设置 00 01 10 11 0.04 0.02 0 0.1 0.4 0.7 1 1.3 1.6 1.9 2.2 2.5 2.8 3.1 Vin 电平 (V) 图 18. 典型迟滞与 Vin 电平 (VDD = 3.3 V, PMODE = 1) 3.6.3 12 位 DAC 电气特性 3.6.3.1 12 位 DAC 操作要求表 31. 12 位 DAC 操作要求 符号描述最小值最大值单位注释 V DDA 电源电压 1.71 3.6 V V DACR 参考电压 1.13 3.6 V 1 C L 输出负载电容 100 pf 2 I L 输出负载电流 1 ma 1. DAC 基准电压可选用 V DDA 或 V REFH 2. 小负载电容 (47 pf) 有助于改善 DAC 的带宽性能 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 41

3.6.3.2 12 位 DAC 特性 表 32. 12 位 DAC 特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 I DDA_DACL P I DDA_DACH P t DACLP t DACHP t CCDACLP V dacoutl V dacouth 电源电流 - 低功耗模式 330 μa 电源电流 - 高速模式 1200 μa 满量程建立时间 (0x080 到 0xF7F)- 低功耗模式 满量程建立时间 (0x080 到 0xF7F)- 高功耗模式 代码 - 代码建立时间 (0xBF8 到 0xC08)- 低功耗模式和高速模式 DAC 输出电压范围低电平 - 高速模式, 无负载,DAC 设为 0x000 DAC 输出电压范围高电平 - 高速模式, 无负载,DAC 设为 0xFFF 100 200 μs 1 15 30 μs 1 0.7 1 μs 1 100 mv V DACR 100 V DACR mv INL 积分非线性误差 - 高速模式 ±8 LSB 2 DNL 差分非线性误差 - V DACR > 2 V ±1 LSB 3 DNL 差分非线性误差 V DACR = VREF_OUT ±1 LSB 4 V OFFSET 偏移误差 ±0.4 ±0.8 %FSR 5 E G 增益误差 ±0.1 ±0.6 %FSR 5 PSRR 电源纹波抑制比,V DDA 2.4 V 60 90 db T CO 温度系数偏移电压 3.7 μv/c 6 T GE 温度系数增益误差 0.000421 %FSR/C Rop 输出电阻 ( 负载 = 3 kω) 250 Ω SR 压摆率 -80h F7Fh 80h 高功率 (SP HP ) 低功率 (SP LP ) 1.2 0.05 1.7 0.12 V/μs BW 3dB 带宽 khz 高功率 (SP HP ) 550 低功率 (SP LP ) 40 1. ±1 LSB 建立时间 2. INL 在 0 + 100 mv 至 V DACR 100 mv 范围内测得 3. DNL 在 0 + 100 mv 至 V DACR 100 mv 范围内测得 4. DNL 在 0 + 100 mv 至 V DACR 100 mv (V DDA > 2.4 V) 范围内测得 5. 在 V SS + 100 mv 至 V DACR 100 mv 范围内, 利用最佳拟合曲线计算 6. V DDA = 3.0 V, 为 V DDA 选择基准 (DACx_CO:DACRFS = 1), 高功耗模式 (DACx_C0:LPEN = 0),DAC 设为 0x800, 温 度范围为器件的整个范围 42 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

数字码 图 19. 典型 INL 误差与数字码 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 43

DAC12 半量程码电压 温度 图 20. 半量程失调与温度 3.6.4 电压基准电气特性 表 33. VREF 全范围工作条件 符号 说明 最小值 最大值 单位 注释 V DDA 供电电压 1.71 3.6 V T A 温度 器件的工作温度范围 C C L 输出负载电容 100 nf 1,, 2 1. 如果使用 VREF_OUT 功能作为内部或外部参考电压, 则 C L 必须连接至 VREF_OUT 2. 负载电容应不超过该器件工作温度范围内指定 C L 标称值的 +/-25% 44 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 34. VREF 全范围特性 符号说明最小值典型值最大值单位注释 V out V out 在标称 V DDA 和 25 C 温度下, 出厂前调整的电压基准输出 在标称 V DDA 和 25 C 温度下, 用户调整的电压基准输出 1.1920 1.1950 1.1980 V 1 1.1945 1.1950 1.1955 V 1 V step 电压基准微调量 0.5 mv 1 V tdrift 温度漂移 ( 全温度范围内的 Vmax -Vmin) 15 mv 1 I bg 仅带隙电流 80 µa I lp 低功率缓冲器电流 360 ua 1 I hp 高功率缓冲器电流 1 ma 1 ΔV LOAD 负载调节 电流 = ± 1.0 ma 200 T stup 缓冲器启动时间 100 µs T chop_osc_st up 启用斩波振荡器时的内部带隙启动延时 35 ms µv 1,, 2 V vdrift 电压漂移 ( 全电压范围内的 Vmax -Vmin) 2 mv 1 1. 关于 VREF 状态和控制寄存器的正确设置, 请查看芯片的参考手册 2. 负载调节电压是空载 VREF_OUT 电压和带特定负载的电压之间的差值 表 35. VREF 窄范围工作条件 符号说明最小值最大值单位注释 T A 温度 0 70 C 表 36. VREF 窄范围特性 符号说明最小值最大值单位附注 V tdrift 温度偏移 ( 窄温度范围内的 V max -V min ) 10 mv 3.7 定时器 参见通用开关特性 3.8 通信接口 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 45

3.8.1 USB 电气特性 USB On-the-Go 模块的 USB 电气特性符合通用串行总线设计论坛上发布的标准 有关最新标准请访问 usb.org 注 MCGPLLCLK 符合设备和主机模式下用作外部时钟 / 晶体的 USB 抖动认证规格 MCGFLLCLK 不符合认证所需的 USB 抖动特性 IRC48M 符合 USB 时钟恢复模式使能时设备模式下的 USB 抖动认证规格 它不符合主机模式操作认证所需的 USB 抖动特性 3.8.2 USB VREG 电气特性表 37. USB VREG 电气规格 符号说明最小值典型值 1 最大值单位注释 VREGIN 输入电源电压 2.7 5.5 V I DDon 静态电流 - RUN 模式, 负载电流等于 0, 输入电源电压 (VREGIN) > 3.6 V 125 186 μa I DDstby 静态电流 - 待机模式, 负载电流等于 0 1.1 10 μa I DDoff 静态电流 关断模式 VREGIN = 5.0 V 且温度 =25 C 在操作电压和温度范围内 I LOADrun 最大负载电流 - RUN 模式 120 ma I LOADstby 最大负载电流 - 待机模式 1 ma V Reg33out 调节器输出电压 - 输入电源电压 (VREGIN) > 3.6 V RUN 模式 待机模式 V Reg33out 调节器输出电压 - 输入电源电压 (VREGIN) < 3.6 V, 直通模式 3 2.1 650 3.3 2.8 4 3.6 3.6 na μa 2.1 3.6 V 2 C OUT 外部输出电容器 1.76 2.2 8.16 μf ESR 外部输出电容器的等效串联电阻 1 100 mω I LIM 短路电流 290 ma V V 1. 除非另有说明, 否则典型值假定 VREGIN = 5.0 V Temp = 25 C 2. 在直通模式下操作 : 调节器输出电压等于输入电压减去电压降 ( 与 I Load 成正比 ) 46 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

3.8.3 DSPI 开关特性 ( 窄电压范围 ) Deserial 串行外设接口 (DSPI) 可为主从操作提供同步串行总线 多数传输属性均可编程 下列表格提供了典型 DSPI 时序模式的时序特性 如需了解与慢速外设器件通信所用的修正传输格式, 请参见芯片参考手册中的 SPI 章节 表 38. 主模式 DSPI 时序 ( 窄电压范围 ) 编号说明最小值最大值单位附注 工作电压 2.7 3.6 V 工作频率 30 MHz DS1 DSPI_SCK 输出周期 2 x t BUS ns DS2 DSPI_SCK 输出高 / 低电平时间 (t SCK /2) 2 (t SCK /2) + 2 ns DS3 DSPI_PCSn 有效至 DSPI_SCK 延时 (t BUS x 2) 2 DS4 DSPI_SCK 至 DSPI_PCSn 无效延时 (t BUS x 2) 2 ns 1 ns 2 DS5 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 有效时间 8.5 ns DS6 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 无效时间 -2 ns DS7 DSPI_SIN 至 DSPI_SCK 输入建立时间 16.2 ns DS8 DSPI_SCK 至 DSPI_SIN 输入保持时间 0 ns 1. 此延时可通过 SPIx_CTARn[PSSCK] 和 SPIx_CTARn[CSSCK] 编程 2. 此延时可通过 SPIx_CTARn[PASC] 和 SPIx_CTARn[ASC] 编程 DSPI_PCSn DS3 DS2 DS1 DS4 DSPI_SCK (CPOL=0) DS7 DS8 DSPI_SIN 第一个数据 DS5 数据 DS6 最后一个数据 DSPI_SOUT 第一个数据数据最后一个数据 图 21. DSPI 典型 SPI 时序 主模式表 39. 从模式 DSPI 时序 ( 窄电压范围 ) 编号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压 2.7 3.6 V 工作频率 15 MHz DS9 DSPI_SCK 输入周期 4 x t BUS ns DS10 DSPI_SCK 输入高 / 低电平时间 (t SCK /2) 2 (t SCK /2) + 2 ns 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 47

表 39. 从模式 DSPI 时序 ( 窄电压范围 ) ( 继续 ) 编号 说明 最小值 最大值 单位 DS11 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 有效时间 21.4 ns DS12 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 无效时间 0 ns DS13 DSPI_SIN 至 DSPI_SCK 输入建立时间 2.6 ns DS14 DSPI_SCK 至 DSPI_SIN 输入保持时间 7 ns DS15 DSPI_SS 有效至 DSPI_SOUT 驱动时间 17 ns DS16 DSPI_SS 无效至 DSPI_SOUT 未驱动时间 17 ns DSPI_SS DS10 DS9 DSPI_SCK (CPOL=0) DS15 DS12 DS11 DS16 DSPI_SOUT 第一个数据 数据 最后一个数据 DS13 DS14 DSPI_SIN 第一个数据数据最后一个数据 图 22. DSPI 典型 SPI 时序 从模式 3.8.4 DSPI 开关特性 ( 全电压范围 ) Deserial 串行外设接口 (DSPI) 可为主从操作提供同步串行总线 多数传输属性均可编程 下列表格提供了典型 DSPI 时序模式的时序特性 如需了解与慢速外设器件通信所用的修正传输格式, 请参见芯片参考手册中的 SPI 章节 表 40. 主模式 DSPI 时序 ( 全电压范围 ) 编号说明最小值最大值单位附注 工作电压 1.71 3.6 V 1 工作频率 15 MHz DS1 DSPI_SCK 输出周期 4 x t BUS ns DS2 DSPI_SCK 输出高 / 低电平时间 (t SCK /2) - 4 (t SCK/2) + 4 ns DS3 DSPI_PCSn 有效至 DSPI_SCK 延时 (t BUS x 2) 4 DS4 DSPI_SCK 至 DSPI_PCSn 无效延时 (t BUS x 2) 4 下一页继续介绍此表... ns 2 ns 3 48 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 40. 主模式 DSPI 时序 ( 全电压范围 ) ( 继续 ) 编号 说明 最小值 最大值 单位 附注 DS5 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 有效时间 10 ns DS6 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 无效时间 -4.5 ns DS7 DSPI_SIN 至 DSPI_SCK 输入建立时间 24.6 ns DS8 DSPI_SCK 至 DSPI_SIN 输入保持时间 0 ns 1. 此 DSPI 模块可以在处理器的整个工作电压范围内操作, 若要在全电压范围内运行, 其最大工作频率将会降低 2. 此延时可通过 SPIx_CTARn[PSSCK] 和 SPIx_CTARn[CSSCK] 编程 3. 此延时可通过 SPIx_CTARn[PASC] 和 SPIx_CTARn[ASC] 编程 DSPI_PCSn DS3 DS2 DS1 DS4 DSPI_SCK (CPOL=0) DS7 DS8 DSPI_SIN 第一个数据 DS5 数据 DS6 最后一个数据 DSPI_SOUT 第一个数据数据最后一个数据 图 23. DSPI 典型 SPI 时序 主模式表 41. 从模式 DSPI 时序 ( 全电压范围 ) 编号 说明 最小值 最大值 单位 工作电压 1.71 3.6 V 工作频率 7.5 MHz DS9 DSPI_SCK 输入周期 8 x t BUS ns DS10 DSPI_SCK 输入高 / 低电平时间 (t SCK /2) - 4 (t SCK/2) + 4 ns DS11 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 有效时间 29.5 ns DS12 DSPI_SCK 至 DSPI_SOUT 无效时间 0 ns DS13 DSPI_SIN 至 DSPI_SCK 输入建立时间 3.2 ns DS14 DSPI_SCK 至 DSPI_SIN 输入保持时间 7 ns DS15 DSPI_SS 有效至 DSPI_SOUT 驱动时间 25 ns DS16 DSPI_SS 无效至 DSPI_SOUT 未驱动时间 25 ns Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 49

DSPI_SS DS10 DS9 DSPI_SCK (CPOL=0) DS15 DS12 DS11 DS16 DSPI_SOUT 第一个数据 数据 最后一个数据 DS13 DS14 DSPI_SIN 第一个数据数据最后一个数据 图 24. DSPI 典型 SPI 时序 从模式 3.8.5 I 2 C 总线时序 表 42. I 2 C 时序 特性符号标准模式快速模式单位 最小值最大值最小值最大值 SCL 时钟频率 f SCL 0 100 0 400 1 khz 重复 START 条件的保持时间 此周期后生成第一个时钟脉冲 t HD ; STA 4 0.6 µs SCL 时钟的 LOW 周期 t LOW 4.7 1.25 µs SCL 时钟的 HIGH 周期 t HIGH 4 0.6 µs 重复 START 条件的建立时间 t SU ; STA 4.7 0.6 µs I 2 C 总线器件的数据保持时间 t HD ; DAT 0 2 3.45 3 0 4 0.9 2 µs 数据建立时间 t SU ; DAT 250 5 100 3, 6 ns SDA 和 SCL 信号的上升时间 t r 1000 20 +0.1C b 7 300 ns SDA 和 SCL 信号的下降时间 t f 300 20 +0.1C b 6 300 ns STOP 条件的建立时间 t SU ; STO 4 0.6 µs STOP 和 START 条件之间的总线空闲时间 t BUF 4.7 1.3 µs 输入滤波器必须抑制的尖峰脉宽 t SP N/A N/A 0 50 ns 1. 在采用最大总线负载的快速模式下, 仅当在全电压范围内使用高电流驱动引脚以及使用正常驱动引脚且 VDD 2.7 V 时, 才能获得最高 SCL 时钟频率 2. 主机模式 I 2 C 在 SCL 下降沿的同时使地址字节的 ACK 变为无效 如果没有从机应答此地址字节, 则产生负保持时间, 具 体取决于 SDA 和 SCL 线的边沿速率 3. 只有在器件不延长 SCL 信号的 LOW 周期 (tlow) 时, 才必须满足最大 thd; DAT 4. 输入信号压摆率 = 10 ns, 输出负载 = 50 pf 5. 如果 TX FIFO 为空, 则从机 - 发送器模式下的建立时间为 1 个 IPBus 时钟周期 6. 可在标准模式 I2C 总线系统中使用快速模式 I 2 C 总线器件, 但此时必须满足 t SU; DAT 250 ns 的要求 器件不延长 SCL 信 号的 LOW 周期时, 将自动适用该情形 如果此类器件确实延长了 SCL 信号的 LOW 周期, 则它必须在释放 SCL 线之前, 将下一个数据位输出至 SDA 线 t rmax + t SU; DAT = 1000 + 250 = 1250 ns( 根据标准模式 I 2 C 总线规范 ) 7. C b = 一条总线线路的总电容, 单位为 pf 50 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 43. I 2 C 1 Mbps 时序 特性符号最小值最大值单位 SCL 时钟频率 f SCL 0 1 1 MHz 重复 START 条件的保持时间 此周期后生成第一个时钟脉冲 t HD ; STA 0.26 µs SCL 时钟的 LOW 周期 t LOW 0.5 µs SCL 时钟的 HIGH 周期 t HIGH 0.26 µs 重复 START 条件的建立时间 t SU ; STA 0.26 µs I 2 C 总线器件的数据保持时间 t HD ; DAT 0 µs 数据建立时间 t SU ; DAT 50 ns SDA 和 SCL 信号的上升时间 t r 20 +0.1C b, 2 120 ns SDA 和 SCL 信号的下降时间 t f 20 +0.1C b 2 120 ns STOP 条件的建立时间 t SU ; STO 0.26 µs STOP 和 START 条件之间的总线空闲时间 t BUF 0.5 µs 输入滤波器必须抑制的尖峰脉宽 t SP 0 50 ns 1. 在全电压范围内使用高驱动引脚时,1 Mbp 最大 SCL 时钟频率支持最大总线负载 2. C b = 一条总线线路的总电容, 单位为 pf SDA t SU; DAT t f t f t 低电平 t r t HD; STA t SP t r t BUF SCL S HD; STA t HD; DAT t 高电平 t SU; STA t SU; STO SR P S 图 25. I 2 C 总线器件上的时序定义 3.8.6 UART 开关特性 请参见通用开关特性 3.8.7 I2S/SAI 开关特性 本节将描述 I2S/SAI 模块在主模式 ( 时钟为内部驱动 ) 和从模式 ( 时钟信号为输入 ) 中的交流时序 所有给出的时序均针对同相串行时钟极性 (TCR2[BCP] 为 0,RCR2[BCP] 为 0) 和同相帧同步 (TCR4[FSP] 为 0, RCR4[FSP] 为 0) 如果时钟极性和 / 或帧同步置为反相, 通过反转下图所示的位时钟信号 (BCLK) 和 / 或帧同步 (FS) 信号, 可使所有时序仍然有效 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 51

3.8.7.1 在窄工作电压范围内 NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式的性能 本节中将描述该器件在窄工作电压范围内进行 NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式的操作性能 表 44. NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式中的 I2S/SAI 主模式时序 ( 窄电压范围 ) 编号特性最小值最大值单位 工作电压 2.7 3.6 V S1 I2S_MCLK 周期时间 40 ns S2 I2S_MCLK 高 / 低电平脉宽 45% 55% MCLK 周期 S3 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 周期时间 ( 输出 ) 80 ns S4 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 高 / 低电平脉宽 45% 55% BCLK 周期 S5 S6 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 至 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输出有效时间 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 至 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输出无效时间 15 ns 0 ns S7 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD 有效时间 15 ns S8 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD 无效时间 0 ns S9 S10 I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_RXD/I2S_RX_FS 输入建立时间 I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_RXD/I2S_RX_FS 输入保持时间 18 ns 0 ns I2S_MCLK( 输出 ) S1 S2 S2 S3 I2S_TX_BCLK/ I2S_RX_BCLK( 输出 ) S5 S4 S4 S6 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输出 ) S9 S10 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输入 ) I2S_TXD S7 S8 S7 S8 S9 S10 I2S_RXD 图 26. I2S/SAI 时序 主模式 52 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 45. NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式中的 I2S/SAI 从模式时序 ( 窄电压范围 ) 编号特性最小值最大值单位 工作电压 2.7 3.6 V S11 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 周期时间 ( 输入 ) 80 ns S12 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 高 / 低电平脉宽 ( 输入 )45% 55% MCLK 周期 S13 S14 S15 S16 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输入建立时间 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输入保持时间 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD/I2S_TX_FS 输出有效时间 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD/I2S_TX_FS 输出无效时间 4.5 ns 2 ns 20 ns 0 ns S17 I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_RXD 建立时间 4.5 ns S18 I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_RXD 保持时间 2 ns S19 I2S_TX_FS 输入有效至 I2S_TXD 输出有效时间 1 25 ns 1. 适用于每帧数据的第一位, 且 TCR4[FSE] 位必须已清零 S11 I2S_TX_BCLK/ I2S_RX_BCLK( 输入 ) S15 S12 S12 S16 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输出 ) S13 S14 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输入 ) I2S_TXD S15 S19 S16 S15 S16 S17 S18 I2S_RXD 图 27. I2S/SAI 时序 从模式 3.8.7.2 在全工作电压范围内 NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式的性能 本节中将描述该器件在全工作电压范围内进行 NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式的操作性能 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 53

表 46. NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式中的 I2S/SAI 主模式时序 ( 全电压范围 ) 编号特性最小值最大值单位 工作电压 1.71 3.6 V S1 I2S_MCLK 周期时间 40 ns S2 I2S_MCLK 高 / 低电平脉宽 45% 55% MCLK 周期 S3 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 周期时间 ( 输出 ) 80 ns S4 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 高 / 低电平脉宽 45% 55% BCLK 周期 S5 S6 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 至 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输出有效时间 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 至 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输出无效时间 15 ns -1.0 ns S7 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD 有效时间 15 ns S8 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD 无效时间 0 ns S9 S10 I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_RXD/I2S_RX_FS 输入建立时间 I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_RXD/I2S_RX_FS 输入保持时间 27 ns 0 ns I2S_MCLK( 输出 ) S1 S2 S2 S3 I2S_TX_BCLK/ I2S_RX_BCLK( 输出 ) S5 S4 S4 S6 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输出 ) S9 S10 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输入 ) I2S_TXD S7 S8 S7 S8 S9 S10 I2S_RXD 图 28. I2S/SAI 时序 主模式 表 47. NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式中的 I2S/SAI 从模式时序 ( 全电压范围 ) 编号特性最小值最大值单位 工作电压 1.71 3.6 V S11 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 周期时间 ( 输入 ) 80 ns 下一页继续介绍此表... 54 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

表 47. NORMAL RUN WAIT 和 STOP 模式中的 I2S/SAI 从模式时序 ( 全电压范围 ) ( 继续 ) 编号特性最小值最大值单位 S12 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 高 / 低电平脉宽 ( 输入 ) 45% 55% MCLK 周期 S13 S14 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输入建立时间 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输入保持时间 5.8 ns 2 ns S15 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD/I2S_TX_FS 输出有效时间 28.5 ns S16 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD/I2S_TX_FS 输出无效时间 0 ns S17 I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_RXD 建立时间 5.8 ns S18 I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_RXD 保持时间 2 ns S19 I2S_TX_FS 输入有效至 I2S_TXD 输出有效时间 1 26.3 ns 1. 适用于每帧数据的第一位, 且 TCR4[FSE] 位必须已清零 S11 I2S_TX_BCLK/ I2S_RX_BCLK( 输入 ) S15 S12 S12 S16 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输出 ) S13 S14 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输入 ) I2S_TXD S15 S19 S16 S15 S16 S17 S18 I2S_RXD 图 29. I2S/SAI 时序 从模式 3.8.7.3 在全工作电压范围内进行 VLPR VLPW 和 VLPS 模式的性能 本节中将描述该器件在全工作电压范围内进行 VLPR VLPW 和 VLPS 模式的操作性能 表 48. VLPR VLPW 和 VLPS 模式中的 I2S/SAI 主模式时序 ( 全电压范围 ) 编号特性最小值最大值单位 工作电压 1.71 3.6 V S1 I2S_MCLK 周期时间 62.5 ns S2 I2S_MCLK 高 / 低电平脉宽 45% 55% MCLK 周期 S3 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 周期时间 ( 输出 ) 250 ns 下一页继续介绍此表... Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 55

表 48. VLPR VLPW 和 VLPS 模式中的 I2S/SAI 主模式时序 ( 全电压范围 ) ( 继续 ) 编号特性最小值最大值单位 S4 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 高 / 低电平脉宽 45% 55% BCLK 周期 S5 S6 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 至 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输出有效时间 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 至 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输出无效时间 45 ns -1 ns S7 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD 有效时间 45 ns S8 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD 无效时间 0 ns S9 S10 I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_RXD/I2S_RX_FS 输入建立时间 I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_RXD/I2S_RX_FS 输入保持时间 45 ns 0 ns I2S_MCLK( 输出 ) S1 S2 S2 S3 I2S_TX_BCLK/ I2S_RX_BCLK( 输出 ) S5 S4 S4 S6 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输出 ) S9 S10 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输入 ) I2S_TXD S7 S8 S7 S8 S9 S10 I2S_RXD 图 30. I2S/SAI 时序 主模式 表 49. VLPR VLPW 和 VLPS 模式中的 I2S/SAI 从模式时序 ( 全电压范围 ) 编号特性最小值最大值单位 工作电压 1.71 3.6 V S11 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 周期时间 ( 输入 ) 250 ns S12 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 高 / 低电平脉宽 ( 输入 ) 45% 55% MCLK 周期 S13 S14 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输入建立时间 I2S_TX_BCLK/I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS 输入保持时间 下一页继续介绍此表... 30 ns 7 ns 56 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

尺寸 表 49. VLPR VLPW 和 VLPS 模式中的 I2S/SAI 从模式时序 ( 全电压范围 ) ( 继续 ) 编号 特性 最小值 最大值 单位 S15 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD/I2S_TX_FS 输出有效时间 63 ns S16 I2S_TX_BCLK 至 I2S_TXD/I2S_TX_FS 输出无效时间 0 ns S17 I2S_RX_BCLK 之前的 I2S_RXD 建立时间 30 ns S18 I2S_RX_BCLK 之后的 I2S_RXD 保持时间 4 ns S19 I2S_TX_FS 输入有效至 I2S_TXD 输出有效时间 1 72 ns 1. 适用于每帧数据的第一位, 且 TCR4[FSE] 位必须已清零 S11 I2S_TX_BCLK/ I2S_RX_BCLK( 输入 ) S15 S12 S12 S16 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输出 ) S13 S14 I2S_TX_FS/ I2S_RX_FS( 输入 ) I2S_TXD S15 S19 S16 S15 S16 S17 S18 I2S_RXD 图 31. I2S/SAI 时序 从模式 4 尺寸 4.1 获取封装尺寸 封装图纸中提供了封装尺寸 如要查找封装图, 请访问 freescale.com, 并搜索封装图的文档编号关键字 : 如果需要此封装的图纸 64 引脚 LQFP 98ASS23234W 64 引脚 MAPBGA 98ASA00420D 100 引脚 LQFP 98ASS23308W 121 引脚 XFBGA 98ASA00595D 请使用此文档编号 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 57

引脚分配 5 引脚分配 5.1 K22F 信号多路复用和引脚分配 下表显示的是各引脚上的信号以及这些引脚在本文档中所支持器件上的位置 端口控制模块 负责选择每个引脚上的复用功能 121 BGA 100 LQFP 64 LQFP 64 MAP BGA E4 1 1 A1 PTE0/ CLKOUT32 K E3 2 2 B1 PTE1/ LLWU_P0 E2 3 PTE2/ LLWU_P1 Pin Name 默认值 ALT0 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 EzPort ADC1_ SE4a ADC1_ SE5a ADC1_ SE6a F4 4 PTE3 ADC1_ SE7a H7 5 PTE4/ LLWU_P2 禁用 ADC1_ SE4a ADC1_ SE5a ADC1_ SE6a ADC1_ SE7a PTE0/ CLKOUT32 K PTE1/ LLWU_P0 PTE2/ LLWU_P1 SPI1_PCS1 UART1_TX I2C1_SDA RTC_ CLKOUT SPI1_ SOUT SPI1_SCK UART1_RX I2C1_SCL SPI1_SIN UART1_ CTS_b PTE3 SPI1_SIN UART1_ RTS_b PTE4/ LLWU_P2 SPI1_PCS0 LPUART0_ TX G4 6 PTE5 禁用 PTE5 SPI1_PCS2 LPUART0_ RX F3 7 PTE6 禁用 PTE6 SPI1_PCS3 LPUART0_ CTS_b E6 8 3 C5 VDD VDD VDD G7 9 4 C4 VSS VSS VSS L6 VSS VSS VSS F1 10 5 E1 USB0_DP USB0_DP USB0_DP F2 11 6 D1 USB0_DM USB0_DM USB0_DM G1 12 7 E2 VOUT33 VOUT33 VOUT33 G2 13 8 D2 VREGIN VREGIN VREGIN H1 14 ADC0_DP1 ADC0_DP1 ADC0_DP1 H2 15 ADC0_DM1 ADC0_DM1 ADC0_DM1 J1 16 ADC1_DP1/ ADC0_DP2 J2 17 ADC1_ DM1/ ADC0_DM2 K1 18 9 G1 ADC0_DP0/ ADC1_DP3 K2 19 10 F1 ADC0_ DM0/ ADC1_DM3 ADC1_DP1/ ADC0_DP2 ADC1_ DM1/ ADC0_DM2 ADC0_DP0/ ADC1_DP3 ADC0_ DM0/ ADC1_DM3 ADC1_DP1/ ADC0_DP2 ADC1_ DM1/ ADC0_DM2 ADC0_DP0/ ADC1_DP3 ADC0_ DM0/ ADC1_DM3 FTM3_CH0 SPI1_ SOUT I2S0_MCLK FTM3_CH1 USB_SOF_ OUT 58 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

引脚分配 121 BGA 100 LQFP 64 LQFP 64 MAP BGA L1 20 11 G2 ADC1_DP0/ ADC0_DP3 L2 21 12 F2 ADC1_ DM0/ ADC0_DM3 Pin Name 默认值 ALT0 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 EzPort ADC1_DP0/ ADC0_DP3 ADC1_ DM0/ ADC0_DM3 ADC1_DP0/ ADC0_DP3 ADC1_ DM0/ ADC0_DM3 F5 22 13 F4 VDDA VDDA VDDA G5 23 14 G4 VREFH VREFH VREFH G6 24 15 G3 VREFL VREFL VREFL F6 25 16 F3 VSSA VSSA VSSA J3 ADC1_ SE16/ ADC0_ SE22 H3 ADC0_ SE16/ CMP1_IN2/ ADC0_ SE21 L3 26 17 H1 VREF_ OUT/ CMP1_IN5/ CMP0_IN5/ ADC1_ SE18 K5 27 18 H2 DAC0_ OUT/ CMP1_IN3/ ADC0_ SE23 K4 DAC1_ OUT/ CMP0_IN4/ ADC1_ SE23 L7 RTC_ WAKEUP_ B ADC1_ SE16/ ADC0_ SE22 ADC0_ SE16/ CMP1_IN2/ ADC0_ SE21 VREF_ OUT/ CMP1_IN5/ CMP0_IN5/ ADC1_ SE18 DAC0_ OUT/ CMP1_IN3/ ADC0_ SE23 DAC1_ OUT/ CMP0_IN4/ ADC1_ SE23 RTC_ WAKEUP_ B ADC1_ SE16/ ADC0_ SE22 ADC0_ SE16/ CMP1_IN2/ ADC0_ SE21 VREF_ OUT/ CMP1_IN5/ CMP0_IN5/ ADC1_ SE18 DAC0_ OUT/ CMP1_IN3/ ADC0_ SE23 DAC1_ OUT/ CMP0_IN4/ ADC1_ SE23 RTC_ WAKEUP_ B L4 28 19 H3 XTAL32 XTAL32 XTAL32 L5 29 20 H4 EXTAL32 EXTAL32 EXTAL32 K6 30 21 H5 VBAT VBAT VBAT H5 31 PTE24 ADC0_ SE17 J5 32 PTE25 ADC0_ SE18 H6 33 PTE26/ CLKOUT32 K 禁用 ADC0_ SE17 ADC0_ SE18 PTE24 I2C0_SCL EWM_ OUT_b PTE25 I2C0_SDA EWM_IN PTE26/ CLKOUT32 K RTC_ CLKOUT USB_ CLKIN Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 59

引脚分配 121 BGA 100 LQFP 64 LQFP 64 MAP BGA J6 34 22 D3 PTA0 JTAG_ TCLK/ SWD_CLK/ EZP_CLK H8 35 23 D4 PTA1 JTAG_TDI / EZP_DI J7 36 24 E5 PTA2 JTAG_ TDO/ TRACE_ SWO/ EZP_DO H9 37 25 D5 PTA3 JTAG_ TMS / SWD_DIO J8 38 26 G5 PTA4/ LLWU_P3 Pin Name 默认值 ALT0 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 EzPort NMI_b / EZP_CS_b PTA0 UART0_ CTS_b FTM0_CH5 JTAG_ TCLK / SWD_CLK EZP_CLK PTA1 UART0_RX FTM0_CH6 JTAG_TDI EZP_DI PTA2 UART0_TX FTM0_CH7 JTAG_ TDO / TRACE_ SWO PTA3 PTA4/ LLWU_P3 UART0_ RTS_b K7 39 27 F5 PTA5 禁用 PTA5 USB_ CLKIN E5 40 VDD VDD VDD G3 41 VSS VSS VSS FTM0_CH0 JTAG_ TMS / SWD_DIO EZP_DO FTM0_CH1 NMI_b EZP_CS_b FTM0_CH2 I2S0_TX_ BCLK J9 PTA10 禁用 PTA10 FTM2_CH0 FTM2_QD_ PHA J4 PTA11 禁用 PTA11 FTM2_CH1 FTM2_QD_ PHB JTAG_ TRST_b K8 42 28 H6 PTA12 禁用 PTA12 FTM1_CH0 I2S0_TXD0 FTM1_QD_ PHA L8 43 29 G6 PTA13/ LLWU_P4 禁用 PTA13/ LLWU_P4 FTM1_CH1 I2S0_TX_ FS K9 44 PTA14 禁用 PTA14 SPI0_PCS0 UART0_TX I2S0_RX_ BCLK L9 45 PTA15 禁用 PTA15 SPI0_SCK UART0_RX I2S0_RXD0 J10 46 PTA16 禁用 PTA16 SPI0_ SOUT H10 47 PTA17 ADC1_ SE17 ADC1_ SE17 L10 48 30 G7 VDD VDD VDD K10 49 31 H7 VSS VSS VSS UART0_ CTS_b PTA17 SPI0_SIN UART0_ RTS_b L11 50 32 H8 PTA18 EXTAL0 EXTAL0 PTA18 FTM0_ FLT2 K11 51 33 G8 PTA19 XTAL0 XTAL0 PTA19 FTM1_ FLT0 J11 52 34 F8 RESET_b RESET_b RESET_b FTM_ CLKIN0 FTM_ CLKIN1 I2S0_RX_ FS I2S0_MCLK LPTMR0_ ALT1 H11 PTA29 禁用 PTA29 FB_A24 G11 53 35 F7 PTB0/ LLWU_P5 ADC0_SE8/ ADC1_SE8 ADC0_SE8/ ADC1_SE8 PTB0/ LLWU_P5 I2C0_SCL FTM1_CH0 FTM1_QD_ PHA FTM1_QD_ PHB 60 Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015

引脚分配 121 BGA 100 LQFP 64 LQFP 64 MAP BGA G10 54 36 F6 PTB1 ADC0_SE9/ ADC1_SE9 G9 55 37 E7 PTB2 ADC0_ SE12 G8 56 38 E8 PTB3 ADC0_ SE13 F11 PTB6 ADC1_ SE12 E11 PTB7 ADC1_ SE13 Pin Name 默认值 ALT0 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 EzPort ADC0_SE9/ ADC1_SE9 ADC0_ SE12 ADC0_ SE13 ADC1_ SE12 ADC1_ SE13 PTB1 I2C0_SDA FTM1_CH1 FTM1_QD_ PHB PTB2 I2C0_SCL UART0_ RTS_b PTB3 I2C0_SDA UART0_ CTS_b D11 PTB8 禁用 PTB8 LPUART0_ RTS_b E10 57 PTB9 禁用 PTB9 SPI1_PCS1 LPUART0_ CTS_b D10 58 PTB10 ADC1_ SE14 C10 59 PTB11 ADC1_ SE15 ADC1_ SE14 ADC1_ SE15 60 VSS VSS VSS 61 VDD VDD VDD PTB6 PTB7 PTB10 SPI1_PCS0 LPUART0_ RX PTB11 SPI1_SCK LPUART0_ TX B10 62 39 E6 PTB16 禁用 PTB16 SPI1_ SOUT UART0_RX FTM_ CLKIN0 E9 63 40 D7 PTB17 禁用 PTB17 SPI1_SIN UART0_TX FTM_ CLKIN1 D9 64 41 D6 PTB18 禁用 PTB18 FTM2_CH0 I2S0_TX_ BCLK C9 65 42 C7 PTB19 禁用 PTB19 FTM2_CH1 I2S0_TX_ FS FB_AD23 FB_AD22 FB_AD21 FB_AD20 FB_AD19 FB_AD18 FB_AD17 FB_AD16 FB_AD15 FB_OE_b FTM0_ FLT3 FTM0_ FLT0 FTM0_ FLT1 FTM0_ FLT2 EWM_IN EWM_ OUT_b FTM2_QD_ PHA FTM2_QD_ PHB F10 66 PTB20 禁用 PTB20 FB_AD31 CMP0_OUT F9 67 PTB21 禁用 PTB21 FB_AD30 CMP1_OUT F8 68 PTB22 禁用 PTB22 FB_AD29 E8 69 PTB23 禁用 PTB23 SPI0_PCS5 FB_AD28 B9 70 43 D8 PTC0 ADC0_ SE14 D8 71 44 C6 PTC1/ LLWU_P6 ADC0_ SE15 C8 72 45 B7 PTC2 ADC0_ SE4b/ CMP1_IN0 B8 73 46 C8 PTC3/ LLWU_P7 ADC0_ SE14 ADC0_ SE15 74 47 E3 VSS VSS VSS 75 48 E4 VDD VDD VDD ADC0_ SE4b/ CMP1_IN0 PTC0 SPI0_PCS4 PDB0_ EXTRG PTC1/ LLWU_P6 CMP1_IN1 CMP1_IN1 PTC3/ LLWU_P7 SPI0_PCS3 UART1_ RTS_b PTC2 SPI0_PCS2 UART1_ CTS_b USB_SOF_ OUT FB_AD14 FTM0_CH0 FB_AD13 I2S0_TXD0 LPUART0_ RTS_b FTM0_CH1 FB_AD12 I2S0_TX_ FS SPI0_PCS1 UART1_RX FTM0_CH2 CLKOUT I2S0_TX_ BCLK LPUART0_ CTS_b LPUART0_ RX Kinetis K22F 512KB Flash, Rev 5 4/2015 61