CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax 栅极 - 源极间电压最大值 -10/+25 V VGSop 栅极 - 源极间电压建议驱动值 -5/+20 V ID ID(pluse) 连续漏极电流 漏极脉冲电流 VGS=20V,TC=25 480 A VGS=20V,TC=110 288 A Pulse width tp=us Repetition rate limited by Tjmax,Tc=25 0 A PD 最大功耗 Tc=25,Tj=175 2540 W
MOSFET 的电学特性 (TC=25 除非有规定 ) 符号描述测试条件最小值典型值最大值单位 V(BR)DSS 漏极 - 源极间击穿电压 VGS=0V, IDS = A 1 V VGS(th) 阈值电压 VDS = 10 V, ID = 0 ma 2. 2.85 V IDSS 漏极 - 源极间漏电流 VDS = 1.2 kv, VGS = 0V 0 μa VDS = 1.2 kv, VGS = 0V, TJ = C 0 μa IGSS 栅极 - 源极间漏电流 VGS = 20 V, VDS = 0V na RDS(on) Ciss 导通电阻 输入电容 VGS = 20 V, IDS = A 4.7 VGS = 20 V, IDS = A, TJ = C VGS=0V, VDS=800V Coss 输出电容 1.2 f =1MHz, VAC=25mV Crss 转移电容 0.3 8.7 23.5 mω nf RG(int) 内部寄生电阻 f = 1MHz, VAC = 25 mv 0.12 Ω QGS 栅极 - 源极间电荷 VDD= 800 V, VGS = -5V/+20V, QGD 栅极 - 漏极间电荷 528 ID= 240A, QG 栅极总电荷 1830 Eon Eoff 开通损耗 关断损耗 VDD = 600 V, VGS = -5V/+20V, ID = A, RGon = 2.5 Ω, di/dt=4206a/μs, 感性负载 VDD = 600 V, VGS = -5V/+20V, ID = A, RGoff = 2.5 Ω, du/dt=7173v/μs, 感性负载 546 nc 9.6 mj 8.4 mj td(on) 开通延迟时间 85 ns tr 上升时间 VDD = 600V, VGS = -5/+20V, 57 ns td(off) 关断延迟时间 ID = A, RGon = RGoff = 2.5 Ω, 感性负载, 238 ns 备注 : 依据 IEC 60747-9 定义 tf 下降时间 62 ns RG 内部电阻 0.78 Ω RθJCM MOSFET 的结壳热阻 0.059 /W 续流 SiC 肖特基二极管的最大值 (TC=25 ) VRRM 可重复的最大尖峰电压 1 V IF 二极管连续正向电流 8 A www.cengol.com Page 2 REV. 01
IFM 二极管最大正向电流待定 A 续流 SiC 肖特基二极管的电学特性 (TC=25 除非有规定 ) 符号描述测试条件最小值典型值最大值单位 VFM 正向压降 IF=A TJ=25 1.70 TJ= 2.20 V trr 反向恢复时间 TJ=25 114 TJ= 99 ns Irr Qrr 反向恢复峰值电流 反向恢复电荷 IF=A, -dif/dt=2394a/μs(tj= ), VR=600V, VGS = -5V TJ=25 78 TJ= 69 TJ=25 5.9 TJ= 4.8 A µc Erec 反向恢复损耗 TJ=25 1.9 TJ= 1.6 mj RθJC 二极管的结壳热阻 0.064 /W 模块 符号描述最小值典型值最大值单位 Viso 绝缘电压 ( 所有端子短接 ) f =Hz, 1minute 4.0 kv 模块底板材质 内部绝缘材质 铜 氮化铝 LsCE 模块寄生电感 14 nh TJ 最大结温 175 TJOP 最大工作结温范围 -55 + Tstg 储存温度 -55 + CTI 相对电痕指数 RθCS 壳到散热器热阻 ( 涂有导热硅脂 ) 0.03 /W M 功率端子螺丝 :M6 3.0 5.0 N m M 底板安装螺丝 :M6 4.0 6.0 N m G 重量 g www.cengol.com Page 3 REV. 01
IF(A) VGS=20V TJ=25 TJ= 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 VDS(V) TJ= VGS=10V VGS=12V VGS=14V VGS=16V VGS=18V VGS=20V 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VDS(V) Fig.1 MOSFET 输出特性 ( 典型 ) Fig.2 MOSFET 输出特性 ( 典型 ) VDS=20V TJ=25 TJ= 600 0 TJ=25 TJ= 400 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VGS(V) 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 VF(V) Fig.3 MOSFET 转移特性 ( 典型 ) Fig.4 二极管正向压降特性 ( 典型 ) www.cengol.com Page 4 REV. 01
ZthJC(k/W) ZthJC(k/W) E(mJ) E(mJ) 30 25 VDD=600V,VGS= -5/+20V, RGon=4.7ohm,RGoff=4.7ohm TJ= Eon Eoff Erec 110 90 80 VDD=600V,VGS= -5/+20V ID=A,TJ= Eon Eoff Erec 20 70 15 60 10 40 30 5 20 10 0 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 RG(ohm) Fig.5 电流与损耗的关系 ( 典型 ) Fig.6 驱动电阻与损耗的关系 ( 典型 ) 0.06 0.07 ZthJC:Mosfet ZthJC:Diode 0.05 0.06 0.04 0.05 0.04 0.03 0.03 0.02 0.02 0.01 0.01 0.00 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 time(s) Fig.7 瞬态热阻 (MOSFET) 0.00 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 time(s) Fig.8 瞬态热阻 (DIODE) www.cengol.com Page 5 REV. 01
Load Current(A) 3 Duty Cycle:%, TJ=,TC=80, RGon=4.7ohm,RGoff=4.7ohm VGS= -5/+20V 1 10 Frequency(kHz) Fig.9 开关频率与负载电流关系 ( 典型 ) Duty Cycle:% TJ=,f=10kHz RGon=4.7ohm,RGoff=4.7ohm VGS= -5/+20V 0 20 40 60 80 120 TC( ) Fig.10 额定电流与壳温的关系 www.cengol.com Page 6 REV. 01
电路拓扑结构 封装外形图 ( 单位 : mm): www.cengol.com Page 7 REV. 01
日期 版本号 备注 08/07/2019 01 初次发布 声明 本文件中的信息被认为是准确可靠的 但是, 对于此类信息的准确性或完整性,Cengol 不作任何明示或暗示的陈述或保证, 且对使用此类信息的后果不承担任何责任 变更权 Cengol 保留随时更改本文件中发布信息的权利, 包括但不限于规范和产品说明, 恕不另行通知 本文件取代并代替本文件出版前提供的所有信息 www.cengol.com Page 8 REV. 01