技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedalues 集电极 发射极电压 Collector-emittervoltage CES 连续集电极直流电流
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1 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData CES = 7 IC nom = A / ICRM = A 典型应用 中压变流器 TypicalApplications MediumoltageConverters 电气特性 低CEsat Tvjop= C ElectricalFeatures LowCEsat Tvjop= C 机械特性 绝缘的基板 标准封装 MechanicalFeatures IsolatedBasePlate StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
2 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedalues 集电极 发射极电压 Collector-emittervoltage CES 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = C, Tvj max = C 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent tp = ms 总功率损耗 Totalpowerdissipation TC = C, Tvj max = C 栅极 发射极峰值电压 Gate-emitterpeakvoltage 7 IC nom A ICRM A Ptot W GES +/- 特征值/Characteristicalues min. typ. max.,9,,,8, 集电极 发射极饱和电压 Collector-emittersaturationvoltage IC = A, GE = IC = A, GE = 栅极阈值电压 Gatethresholdvoltage IC =, ma, CE = GE, 栅极电荷 Gatecharge GE = QG, µc 内部栅极电阻 Internalgateresistor RGint 8, Ω 输入电容 Inputcapacitance f = MHz,, CE =, GE = Cies, nf 反向传输电容 Reversetransfercapacitance f = MHz,, CE =, GE = Cres, nf 集电极-发射极截止电流 Collector-emittercut-offcurrent CE = 7, GE =, ICES, ma 栅极-发射极漏电流 Gate-emitterleakagecurrent CE =, GE =, IGES na CE sat GEth, 开通延迟时间(电感负载) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = A, CE = 9 GE = ± RGon =, Ω td on,, 上升时间(电感负载) Risetime,inductiveload IC = A, CE = 9 GE = ± RGon =, Ω tr,, 关断延迟时间(电感负载) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = A, CE = 9 GE = ± RGoff =, Ω td off,, 下降时间(电感负载) Falltime,inductiveload IC = A, CE = 9 GE = ± RGoff =, Ω tf,9, 开通损耗能量(每脉冲) Turn-onenergylossperpulse IC = A, CE = 9, LS = nh GE = ±, di/dt = 9 A/ RGon =, Ω Eon 9,, 关断损耗能量(每脉冲 Turn-offenergylossperpulse IC = A, CE = 9, LS = nh GE = ±, du/dt = / RGoff =, Ω Eoff,, 短路数据 SCdata GE, CC = CEmax = CES -LsCE di/dt A 结 外壳热阻 Thermalresistance,junctiontocase 每个IGBT/perIGBT RthJC 外壳 散热器热阻 Thermalresistance,casetoheatsink 每个IGBT/perIGBT λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions tp, ISC Tvj op preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:., K/W, - K/W C
3 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 二极管,逆变器/Diode,Inverter 最大额定值/MaximumRatedalues 反向重复峰值电压 Repetitivepeakreversevoltage RRM 连续正向直流电流 ContinuousDCforwardcurrent 正向重复峰值电流 Repetitivepeakforwardcurrent tp = ms It-值 I²t-value R =, tp = ms, 7 IF A IFRM A I²t 9 A²s 特征值/Characteristicalues min. typ. max.,8,9, 正向电压 Forwardvoltage IF = A, GE = IF = A, GE = 反向恢复峰值电流 Peakreverserecoverycurrent IF = A, - dif/dt = 9 A/ (Tvj= C) R = 9 GE = - IRM 7 A A 恢复电荷 Recoveredcharge IF = A, - dif/dt = 9 A/ (Tvj= C) R = 9 GE = - Qr,, µc µc 反向恢复损耗 每脉冲 Reverserecoveryenergy IF = A, - dif/dt = 9 A/ (Tvj= C) R = 9 GE = - Erec, 7, F 结 外壳热阻 Thermalresistance,junctiontocase 每个二极管/perdiode RthJC 外壳 散热器热阻 Thermalresistance,casetoheatsink 每个二极管/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:.,8 K/W, - K/W C
4 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 模块/Module 绝缘测试电压 Isolationtestvoltage RMS, f = Hz, t = min. ISOL, k Cu 模块基板材料 Materialofmodulebaseplate 内部绝缘 Internalisolation 基本绝缘(class,IEC) basicinsulation(class,iec) AlO 爬电距离 Creepagedistance 端子至散热器/terminaltoheatsink 端子至端子/terminaltoterminal,, mm 电气间隙 Clearance 端子至散热器/terminaltoheatsink 端子至端子/terminaltoterminal,, mm 相对电痕指数 Comperativetrackingindex CTI 杂散电感,模块 Strayinductancemodule 模块引线电阻,端子-芯片 Moduleleadresistance,terminals-chip TC= C,每个开关/perswitch 储存温度 Storagetemperature nh RCC'+EE', mω Tstg - C, Nm, Nm M, 端子联接扭距 Terminalconnectiontorque 螺丝M根据相应的应用手册进行安装 ScrewM-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M, G dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. max. 螺丝M根据相应的应用手册进行安装 ScrewM-Mountingaccordingtovalidapplicationnote preparedby:mk typ. LsCE 模块安装的安装扭距 Mountingtorqueformodulmounting 重量 Weight > min. g
5 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 输出特性IGBT,逆变器 典型) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE= 输出特性IGBT,逆变器 典型) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj= C 9 9,,,,, CE [],,,, 传输特性IGBT,逆变器(典型) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=,,,,,, CE [],,,, 8 9 E [] 8 7 Eon, Eoff,, 开关损耗IGBT,逆变器 典型) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±,RGon=.Ω,RGoff=.Ω,CE=9 IC [A] GE = GE = GE = GE = GE = 9 GE = 8 IC [A] IC [A] 8 9 GE [] preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. IC [A]
6 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 开关损耗IGBT,逆变器 典型) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±,IC=A,CE=9 瞬态热阻抗IGBT,逆变器 transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) Eon, Eoff, ZthJC : IGBT ZthJC [K/W] E [], i: ri[k/w]:,,88,, τi[s]:,,,, RG [Ω],, 开关损耗二极管,逆变器 典型) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.Ω,CE=9 Erec, E [] IF [A], t [s] 正向偏压特性二极管,逆变器 典型) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) 9,,,,, F [],,, preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. IF [A]
7 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 开关损耗二极管,逆变器 典型) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=A,CE=9 瞬态热阻抗二极管,逆变器 transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) Erec, ZthJC : Diode 8 ZthJC [K/W] E [], 8 i: ri[k/w]:,8,,7,97 τi[s]:,,,, RG [Ω],,,, t [s] preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. 7
8 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 接线图/Circuitdiagram 封装尺寸/Packageoutlines screwing depth max. 9mm plug in depth max. 7mm,8 Ø, Ø8, 9, 8, M 9, preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. 8
9 技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData 使用条件和条款 使用条件和条款 产品规格书中的数据是专门为技术人员提供的 您和您的技术部门应该针对您的应用来评估产品及产品的所有参数是否适合 产品规格书中所描述的产品特性是被保证的 任何这种保证严格依照供货协议中所涉及的条件和条款 除此之外 产品和产品的特性没有任何的保证 请注意安装及应用指南中的信息 如果您有超出规格书所提供的产品信息的要求或者对我们的产品针对的特殊应用有疑虑的话 请联系我们负责你的销售部门 详情查询 对那些特别感兴趣的问题我们将提供相应的应用手册 由于技术需要 我们的产品可能含有危险物质 如果需要查询类似问题请联系我们负责你的销售部门 如果您想将我们的产品用于航天 健康 危及生命或者生命维持等应用 请申明 请注意 对这类应用我们强烈建议 -执行联合的风险和质量评估 -得到质量协议的结论 -建立联合的测试和出厂产品检查 我们可以根据测试的实际情况供货 如果有必要 请根据实际需要将类似的说明给你的客户 保留产品规格书的修改权 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:mk dateofpublication:-9-7 approvedby:mk revision:. 9
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SGNUM * 6, 8 6, 8 6, 8 8 : : : : ( ) Ø22mm 6, 8 6, 8 6, 8 8 : : : : ( ) 7, 10 7, 9 7, 8 : (2 /3 ) RNS ( SB) : : CES / BKS : ( / ) 10 7, 8 : (2 /3 ) RNS ( 360012K1) : : MR : 7 Ø22mm 16 16 16 16 : : : :
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1. 2100 6.3 1.5% -1, 1 1.9 2.5 -2, -3 94% 50-60% CB-A22 2.8 -4 30% -5 60 -6 >1.3 16 1.15 3 4 2. 11 -1 5 10 -2 8 6000 500 -3 OBS 3. 120 4 8 -1 4 1 : 1 : 0.5-1.0 95%, 81 : : -2 18, 5 55 300 3500 -3 12 5m
More informationA B B DG V--*N AB P T A AB B P T DG V--*A A P B T DG V--*A L A B DG V--*C AB P T A DG V--*B DG V--*B L T A T B A.
Vickers 9./E N/9/A DGV-,........... bar ( psi)................ L/min ( US gpm),............. IS O NF PA D DIN (NG ) IS O (DIN ) A. A B B DG V--*N AB P T A AB B P T DG V--*A A P B T DG V--*A L A B DG V--*C
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N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
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MICROMASTER 420 MICROMASTER 420 MICROMASTER 420 CD-ROM 1 3 2 4 3 5 4 MICROMASTER 420 6 4.1 4.2 7 4.3 7 4.4 8 4.5 BOP / AOP 9 5 10 5.1 P0010 P0970 10 5.2 11 5.3 BOP (P0700=1) / 11 5.4 (AOP) 11 5.5 11 5.6
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D51.2 2003 MICROMSTER 410/420/430/440 D51.2 2003 micromaster MICROMSTER 410/420/430/440 0.12kW 250kW MICROMSTER 410/420/430/440 MICROMSTER 410 0.12 kw 0.75 kw 0.12kW 250kW MICROMSTER 420 0.12 kw 11 kw
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