經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題 類別 : 電機 ( 乙 ) 節次 : 第二節科目 :1. 計算機概論 2. 電子學 注意事項 1. 本試題共 6 頁 ( 含 A3 紙 1 張 A4 紙 1 張 ) 2. 可使用本甄試簡章規定之電子計算器 3. 本試題為單選題共 50 題, 每題 2 分, 共 100 分, 須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答, 於本試題或其他紙張作答者不予計分 4. 請就各題選項中選出最適當者為答案, 各題答對得該題所配分數, 答錯或畫記多於 1 個選項者, 倒扣該題所配分數 3 分之 1, 倒扣至本科之實得分數為零為止 ; 未作答者, 不給分亦不扣分 5. 本試題採雙面印刷, 請注意正 背面試題 6. 考試結束前離場者, 試題須隨答案卡繳回, 俟本節考試結束後, 始得至原試場或適當處所索取 7. 考試時間 :90 分鐘 3 [B] 1. 下列何者為死結 (Dead Lock) 預防方式? (A) 互斥 (B) 允許搶奪資源 (C) 循環等待 (D) 持有並等待 6 [A] 2. 定義一個遞迴公式 :f(0) = 2,f(1)=3,f(j) = f(j-1) + f(j-2),if j>1, 則 f(5) 為下列何者? (A) 21 (B) 13 (C) 27 (D) 35 9 [D] 3. 下列何者不適合陣列 (Array) 來實作 (Implement)? (A) 佇列 (B) 堆疉 (C) 堆積 (D) 鏈結串列 12 [C] 4. 網際網路資料傳輸能使頻寬公平使用且效率高, 傳輸方式屬於那一種 Telecommunication Technology? (A) 電路交換 (B) 訊息交換 (C) 分封交換 (D) 延遲交換 15 [B] 5. IGMP( 網際網路群組管理協定 ) 可用於協助群播路由器, 建置更新與各路由器由介面相關的群組成員清單, 此協定屬 OSI 架構哪一層? (A) 傳輸層 (B) 網路層 (C) 會議層 (D) 資料鏈結層 18 [D] 6. 目前無線網路發展已漸成熟, 請問下列何者的傳輸距離最短? (A) 3G/4G (B) Wi-Fi (C) Bluetooth (D) NFC 21 [D] 7. 下列排序法 (Sorting) 何者平均執行時間最短? (A) 氣泡排序法 (Bubble Sort) (B) 選擇排序法 (Selection) (C) 插入排序法 (Insertion Sort) (D) 快速排序法 (Quick Sort) 24 [A] 8. 一個 NOT 閘最少可用幾個 NAND 門閘來建造? (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4 1 [D] 9. 有一個二元樹, 用前序追蹤得 ABCWX, 用後序追蹤得 CWBXA, 請問用中序追蹤為下列何者? (A) WXABC (B) ABCWX (C) XAWBC (D) CBWAX 4 [B] 10. 有關樹 (tree) 的敘述, 下列何者有誤? (A) 樹是一種資料結構 (B) 樹可以有迴圈 (C) 樹的任兩節點中只存在一條路徑 (D) 若將任意一邊移除, 則此樹會出現不相連的情形 1. 計算機概論 2. 電子學第 1 頁, 共 6 頁 請翻頁繼續作答
7 [A] 11. 下列哪一種搜尋法的搜尋過程中只用到加減法? (A) 費氏搜尋法 (Fibonacci searching) (B) 二分搜尋法 (Binary searching) (C) 循序搜尋法 (Sequential searching) (D) 雜湊搜尋法 (Hashing) 10 [C] 12. 在 SQL 語法中, 下列何者為搭配 GROUP BY 使用之條件篩選關鍵字? (A) WITCH (B) INCLUDE (C) HAVING (D) SELECT 13 [A] 13. 除 一階正規化 之要求外, 二階正規化 的要求是下列何者? (A) 非主鍵之屬性完全功能相依於主鍵 (B) 建立資料表屬性的完整性 (C) 資料表與資料之間, 外部鍵的相依性必須完整 (D) 主鍵之值應唯一, 且不能為虛值 16 [C] 14. 假設有一堆疊, 初始是空的, 當執行下列運算後, 堆疊內的資料由底端至頂端為下列何者? push g ; push o; push o ; push d ; pop ; push g ; push l ; push e; (A) elgoog (B) good (C) google (D) goole 19 [B] 15. 電子商務採用 SET(Secure Electronic Transaction) 最主要的原因是下列何者? (A) 備份資料 (B) 確保交易安全 (C) 防止病毒 (D) 確保資料庫的正確性 22 [C] 16. 下列何者不是一種資料結構 (Data structure)? (A) 佇列 (Queue) (B) 堆疊 (Stack) (C) 資料庫 (Data base) (D) 連結串列 (Linked list) 25 [D] 17. 瀏覽購物網站時, 在正式結帳前將選購商品預先放入購物車, 請問購物車是利用何種網頁技術製作? (A) Proxy (B) SQL (C) P2P (D) Session 2 [B] 18. 請問下列哪一種檔案系統不支援檔案或資料夾存取權限之設定? (A) EXT2/3/4 (B) FAT (C) NTFS (D) ZFS 5 [D] 19. 嵌入式作業系統通常會設計於下列何種設備中? (A) 隨機存取記憶體 (B) 硬碟 (C) 光碟 (D) 唯讀記憶體 8 [A] 20. 潛藏在.COM 或.EXE 檔案中, 並且會感染其他檔案的病毒屬於哪一種型式? (A) 複合型 (B) 開機型 (C) 巨集型 (D) 特洛依木馬 11 [D] 21. 有關應用於電子郵件之協定敘述, 下列何者有誤? (A) IMAP 有提供伺服端郵件管理指令, 安全性佳 (B) POP3 與 IMAP 皆為 Client-Server 架構 (C) IMAP SMTP 及 POP3 皆為郵件協定 (D) POP3 不占客戶端空間, 適合四處活動的使用者 14 [A] 22. 作業系統中, 程式執行過程中需將虛擬記憶體位址轉換成實體記憶體位址 下列哪一個元件負責執行這個任務? (A) 記憶體管理單位 (Memory Management unit) (B) 記憶體位址暫存器 (Memory Address Register) (C) 程序計數器 (Program Counter) (D) 虛擬機器 (Virtual Machine) 17 [C] 23. 有關固態硬碟之敘述, 下列何者有誤? (A) 有分 SLC( 單層儲存 ) MCL( 多層儲存 ) 及 TLC( 三層儲存 ) 三種類型 (B) 錯誤率 :SLC<MLC<TLC (C) 速度 壽命及成本 :SLC<MLC<TLC (D) 較不適合存放重要資料 1. 計算機概論 2. 電子學第 2 頁, 共 6 頁
20 [B] 24. 16 對 1 之多工器需要幾條選擇線? (A) 2 條 (B) 4 條 (C) 8 條 (D) 16 條 23 [A] 25. 文件中的表示法, 下列何者不是 標籤式 的文件格式? (A) Excel (B) CSS (C) XML (D) HTML 28 [B] 26. 理想二極體組成之箝位器 (Diode Clampers) 電路, 如右圖所示, 若輸入為 0 ~10 V 之方波, 試求其輸出電壓範圍? (A) -10~0 V (B) -7~3 V (C) -3~7 V (D) 3~10 V 31 [D] 27. 若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25 時崩潰電壓為 15 V, 溫度係數為 0.02 %/, 若崩潰電壓升為 15.135 V, 求當時溫度為何? (A) 35 (B) 45 (C) 60 (D) 70 34 [ 一律給分 ] 28. 關於蕭特基二極體 (Schottky Diode) 特性, 下列敘述何者有誤? (A) 並非一般二極體的 pn 接面, 而是半導體與金屬接面 (B) 對於偏壓改變有快速反應能力, 應用於高頻與高速切換 (C) 順向電壓降約為 0.3 V (D) 靠多數載子操作, 有大量逆向漏電流 37 [D] 29. 經過全波整流器 (Full-Wave Rectifier) 之正弦波信號, 輸出電壓平均值 V avg 與輸入電壓峰值 V p 的關係為? (A) V avg = 1 2 V p (B) V avg = 3 4 V p (C) V avg = 1 π V p (D) V avg = 2 π V p 40 [C] 30. 有關於 BJT 電晶體 (npn) 之敘述, 下列敘述何者有誤? (A) 基極 - 射極 基極 - 集極接面皆施與順向偏壓, 電晶體將工作於飽和區 (B) 當基極電流逐漸下降為 0, 電晶體將進入截止區 (C) 在飽和區工作之電晶體,I C = β DC I B (D) 一般 BJT 之電壓增益參數 β DC 會隨著接面溫度 T j 上升而增加 43 [A 或 B] 31. 一 BJT 電晶體直流工作電路如右圖, 若不希望電晶體進入飽和區, 請問 V in 在基極端所產生之電流最大允許增加量為何? (A) 100 μa (B) 150 μa (C) 175 μa (D) 200 μa 46 [D] 32. 若一 BJT 電晶體分壓器偏壓電路如右圖, 若電晶體 β DC =100, 試求 V C? (A) 2 V (B) 4.3 V (C) 5 V (D) 8.5 V 1. 計算機概論 2. 電子學第 3 頁, 共 6 頁 請翻頁繼續作答
49 [C] 33. 有一差動放大器,CMRR=2000 共模增益 A CM = 0.2 輸入電壓分別為 200 μv 100 μv, 求輸出電壓? (A) 39.97 mv (B) 40 mv (C) 40.03 mv (D) 40.06 mv 26 [D] 34. 對於電晶體組成共射極放大器 (Common-Emitter Amplifier) 電路特性, 下列敘述何者有誤? (A) 高電壓增益 (B) 加入射極旁路電容可提高電壓增益 (C) 高電流增益 (D) 輸出與輸入電壓同相 29 [B] 35. 關於達靈頓對 (Darlington Pair) 組成之射極隨耦器, 下列敘述何者正確? (A) 輸入阻抗低 (B) 可作為低阻抗負載緩衝器 (C) 高電壓增益 (D) 輸出阻抗高 32 [A] 36. 關於放大器之敘述, 下列敘述何者有誤? (A) A 類放大器效率最高約有 79 % (B) B 類放大器偏壓在截止點 (C) AB 類放大器可改善交越失真現象 (Crossover Distortion) (D) C 類放大器偏壓在截止點以下 35 [B] 37. 有一 AB 類放大器電路如右圖, 試求其交流輸出功率為? (A) 0.5 W (B) 0.9 W (C) 1.25 W (D) 1.5 W 38 [A] 38. 如右圖之 JFET 共源極放大器電路, 若 V GS = 20 V 時 反向漏電流 I GSS = 50 na, 由信號源看入之輸入阻抗為何? (A) 19.05 MΩ (B) 20 MΩ (C) 20.95 MΩ (D) 23.33 MΩ 41 [B] 39. 對 JFET 自給偏壓 (Self-Bias) 電路, 若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點, 意即 I D = 1 I 2 DSS, 下列哪一種方式可達成? (A) V GS = V GS(off) /2 (B) V GS = V GS(off) /3.4 (C) V D = V DD /2 (D) V D = V DD /3.4 44 [A] 40. 有一增強型 MOSFET, 其臨界電壓 V GS(th) =2 V, 當 V GS =8 V 時 對應之 I D(on) =200 ma, 求 V GS =5 V 時之 I D 值? (A) 50 ma (B) 100 ma (C) 125 ma (D) 150 ma 1. 計算機概論 2. 電子學第 4 頁, 共 6 頁 請另頁繼續作答
47 [A] 41. 下列敘述何者有誤? (A) JFET 共源極放大器相較於 BJT 共射極放大器, 輸入阻抗較低 (B) JFET 共源極放大器, 輸入 V GS 與輸出 V DS 電壓呈現 180 反相 (C) JFET 源極隨耦器電壓增益 A V 約略等於 1 (D) JFET 共閘極放大器具有低輸入阻抗 50 [A] 42. 如右圖之 MOSFET 電路架構,V A V B 為輸入,V out 為輸出, 若希望輸出得到高電位 (V DD ), 試問 V A V B 輸入應為何? (A) 0 0 (B) 0 V DD (C) V DD 0 (D) V DD V DD 27 [C] 43. 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大? (A) 耦合電容 (B) 旁路電容 (C) 電晶體內部電容 (D) 反耦合電容 30 [B] 44. 關於負回授與非負回授運算放大器比較, 下列敘述何者有誤? (A) 負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180 反相 (B) 負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益 (C) 負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入 輸出阻抗目的 (D) 負回授運算放大器可以得到較大頻寬 33 [D] 45. 如右圖之理想運算放大器電路, 具有 100 db 開迴路增益和 4 MHz 的單位增益頻寬 f T, 下列敘述何者有誤? (A) 屬於反相放大器 (B) 電壓增益為 -5 (C) 輸入阻抗約為 1 kω (D) 閉迴路頻寬約為 80 khz 請另頁繼續作答 36 [C] 46. 若有一 BJT 電晶體在工作區時, 其基極電流為 0.2 ma 射極電流為 20 ma, 試求其直流增益 β DC 為何? (A) 49 (B) 50 (C) 99 (D) 100 39 [B] 47. 試求如右圖中低通濾波器臨界頻率 f C 為何? (A) 3.98 khz (B) 7.96 khz (C) 12.58 khz (D) 15.92 khz 1. 計算機概論 2. 電子學第 5 頁, 共 6 頁 請翻頁繼續作答
42 [A] 48. 關於振盪器之敘述, 下列敘述何者有誤? (A) 回授信號相位移必須為 180 (B) 柯畢子振盪器 (Colpitts Oscillator) 使用 LC 回授電路 (C) 迴路增益必須為 1 (D) 相移振盪器至少需使用三級 RC 相移電路 45 [B] 49. 有一 MOSFET, 若 I DSS =10 ma V GS(off) = -4 V, 當 V GS = -2 V 時, 試求其轉換電導 g m? (A) 1 ms (B) 2.5 ms (C) 5 ms (D) 9 ms 48 [C] 50. 如右圖 JFET 共源極放大器電路, 試求電壓增益 A V 為何? (A) -5 (B) -4 (C) -1.6 (D) -1.2 1. 計算機概論 2. 電子學第 6 頁, 共 6 頁