微孔型超音波霧化片驅動晶片 概述 特點 為一款霧化片驅動晶片, 專門用於微孔型超音波霧化片, 提供加濕片自動偵測共振頻率達到最佳的霧化效率 晶片工作電壓 2.4V ~ 5.5V 待機典型工作電流, 無負載 < 2.0uA@=5V( 停機 ) 適用微孔型霧化片, 中心共振頻率範圍 90KHz ~180KHz ( 需搭配外部電阻調整 ) 自動調整共振頻率範圍 ±15% 待機省電功能可用於電池供電 提供按鍵 ON/OFF(Toggle) 或按鍵 ON (Hold) 頻率輸出,PWM DUTY 50% 可靠的低電壓偵測功能 LVD 3.2V ( 精準度 ±5%), 保護電池 應用範圍 各種消費性霧化加濕產品或霧化器 IC 腳位圖 1 2 8 7 VSS 封裝功能選擇 -BO8 : 按鍵 ON/OFF(Toggle) -CO8 : 按鍵 ON (Hold) 3 4 6 5 2018/11/16 Page 1 of 7 Version:1.2
方塊圖 PWM_OSC 4MHz~ 8MHz LOGIC Circuit PWM Out 6 Bits AD / control circuit LVD Band Gap 腳位定義 腳位順序腳位名稱 I/O 類型腳位定義 1 P 正電源供應 2 OD ON/OFF 指示 輸出腳 3 I 調整 PWM 頻率震盪輸入腳 4 I-PH ON/OFF 輸入腳 5 O 共振片輸出控制腳 6 I 電流偵測 7 I 偏壓電容 8 VSS P 負電源供應, 接地 接腳類型 I CMOS 單純輸入 I-PH CMOS 輸入內置上拉電阻 O CMOS 輸出 I-PL CMOS 輸入內置下拉電阻 I/O CMOS 輸入 / 輸出 OD 開漏輸出, 無二極體保護電路 P 電源 / 接地 2018/11/16 Page 2 of 7 Version:1.2
電氣特性 最大絕對額定值 參數符號條件值單位 工作溫度 T OP -20~+70 儲存溫度 T STG -50~+125 電源供應電壓 Ta=25 C VSS-0.3~VSS+5.5 V 輸入電壓 V IN Ta=25 C VSS-0.3~+0.3 V 芯片抗靜電強度 HBM ESD 5 KV 備註 :VSS 代表系統接地 DC / AC 特性 :( 測試條件為室溫 = 25 ) 參數符號測試條件最小值典型值最大值單位 工作電壓 2.4 5.0 5.5 V 低電壓偵測 LVD 3.04 3.2 3.36 V 工作電流 I OFF =5.0V System Off( 待機 ) - - 2.0 ua 輸入埠 V IL 輸入低電壓 0-0.2 輸入埠 V IH 輸入高電壓 0.8-1.0 輸出埠灌電流 Sink Current 輸出埠源電流 Source Current I OL =5V, V OL =1.0V - 16 - ma I OH =5V, V OH =4.0V - 14 - ma 輸入腳位上拉電阻 R PH =5V - 100K - ohm 2018/11/16 Page 3 of 7 Version:1.2
功能描述 1. -BO8: 按鍵 ON/OFF (Toggle) 說明 : 按 鍵 OFF ON OFF ON OFF..ON/OFF 循環 2. -CO8 : 按鍵 ON (Hold) 說明 : 按 鍵 ON, 放開 OFF 3. 每次開機 ON 時進行掃描頻率 (PWM duty 50%) 約 2 秒完成掃描頻率完成後 取最佳 頻率輸出, 之後工作中不再進行掃描頻率 4. 低電壓偵測功能 LVD 3.2V ( 精準度 ±5%) 在 有輸出時, 當 IC 偵測 小於 3.2V, 由恆亮轉為閃亮 > 3.2V < 3.2V 3.2V 亮 t1 亮 亮 t1 t1 t1 t2 t1 亮 亮 t1 t1 t1 t1= 0.125sec, t2=0.5sec 2018/11/16 Page 4 of 7 Version:1.2
共振頻率匹配 1. IC 與霧化片中心共振頻率的匹配可透過 腳位外接電阻值 (R1) 調整 調整方法 : 上電前時先將 腳位接地, 上電後 0.3 秒 腳位便輸出 IC 的 PWM 中心頻率 如下圖所示 Time 0s 0.3S 2. =5V, 阻值 (R1) 和 腳位輸出 PWM 中心頻率如下表 : 阻值 PWM =5.0V (R1) 中心頻率 30KΩ 33KΩ 36KΩ 39KΩ 43KΩ 47KΩ 51KΩ 179 KHz 163 KHz 151 KHz 140 KHz 125 KHz 118 KHz 109 KHz R1 1 2 3 4 8 7 6 5 VSS 56KΩ 101 KHz 62KΩ 92 KHz 2018/11/16 Page 5 of 7 Version:1.2
應用電路 -BO8 / -CO8 Reference only =5.0V L1 10uH C3 220uF C1 0.1uF L2 ATO RL M1 D1 1 8 VSS R2 1Ω R1 2 3 4 7 6 5 C2 10uF 註 : 1. 在 PCB 上, 要注意 M1 散熱 2. C2 須盡量靠近 IC 3. L2 線圈比請依霧化片驅動電壓選擇 4. M1 NMOS 電晶體驅動能力依霧化片功率選擇 BOM 表 器件標示 器件名稱 器件參數 C1 滌綸電容 0.1uF (*1) C2 電解電容 10uF/16V C3 電解電容 220uF/16V (*1) R1 碳膜電阻 阻值請參考 Page 5 R2 碳膜電阻 1Ω RL 碳膜電阻 依 D1 規格選擇 D1 發光二極管 L1 色環電感 10uH L2 高頻變壓器 線繞比 ( 依霧化片規格 ) M1 場效應管 NMOS 管 依霧化片規格 開關 按鍵開關 ATO 微孔型超音波霧化片 共振頻率 90KHz~180KHz (*2) 說明 : (*1) 電源濾波元件視情況安裝 (*2) 電路中請選一個中心頻率的霧化片 2018/11/16 Page 6 of 7 Version:1.2
封裝外觀尺寸 SOP 8 SYMBOL DIMENSION IN MM DIMENSION IN INCH MIN MAX MIN MAX A 1.35 1.75 0.0532 0.0688 A1 0.10 0.25 0.0040 0.0098 B 0.33 0.51 0.013 0.020 C 0.19 0.25 0.0075 0.0098 e 1.27 BSC 0.050 BSC D 4.80 5.00 0.1890 0.1968 H 5.80 6.20 0.2284 0.2440 E 3.80 4.00 0.1497 0.1574 L 0.40 1.27 0.016 0.050 h 0.25 0.50 0.0099 0.0196 θ 0 8 0 8 訂 購 資 訊 封裝型號 晶片型號 晶圓型號 -BO8 --- --- -CO8 --- --- 訂 --- 購資訊 REVISION HISTORY: 2018/10/24: Initial version V1.1 2018/11/16: modify 封裝外觀尺寸 version V1.2 2018/11/16 Page 7 of 7 Version:1.2