HT647PL

LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 RoHS 规范 HT647PL HT647PLB HT647PL 封装 : H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备 各类核磁共振仪器 粒子加速器 HT647PLB 封装 : H2110-4L Gate A 3 1 Drain A Gate B 4 2 Drain B 3. 订购信息 (Top View) 引脚连接 型号封装描述封装名称 HT647PL Earless flanged ceramic package; 4 leads H2110S-4L HT647PLB Flanged ceramic package; 2 mounting holes; 4 leads H2110-4L 1 / 10

4. 典型性能 HT647PL 200W 射频功率晶体管可应用于 1.8-600MHz 频率范围内各类雷达 通信和 ISM 应用 表 1. 窄带典型射频性能 测试条件 :V DD=28Vdc,I DQ=600mA,CW Signal, 基于华太功放电路测试 频率 (MHz) 线性增益 (db) P1dB (dbm) P1dB 效率 (%) P3dB (dbm) P3dB 效率 (%) 400 24.6 53.5 73.4 54.1 77.2 450 23.3 53.0 67.9 53.6 69.8 500 24.5 52.7 65.7 53.4 68.6 表 2. 宽带典型射频性能 测试条件 :V DD=28Vdc,I DQ=1000mA,CW Signal, 基于华太功放电路测试 频率 (MHz) 线性增益 (db) P1dB (dbm) P1dB 效率 (%) P3dB (dbm) P3dB 效率 (%) 100 26.7 51.6 70.6 52.6 80.2 200 24.2 51.9 65.3 52.6 69.7 300 23.4 51.7 67.3 52.4 71.4 400 23.5 51.1 67.8 51.7 71.0 512 25.4 49.5 65.3 50.0 65.8 5. 极限参数 表 3. 极限参数参数 符号 值 单位 漏源电压 V DSS -0.5, +65 V 栅源电压 V GS -5.0, +10 V 温度存储 T stg -55 to +150 2 / 10

工作结温 T J -40 to +225 6. 热性能 表 4. 热性能 参数符号条件典型值单位 热阻 ( 管芯至封装法兰 ) R θjc 封装管脚温度 :80 CW 输出功率 :200W 0.4 /W 7. 电学特性 表 5. 电学特性 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 击穿电压 V (BR)DSS V GS=0V; I D=108uA 开启电压 漏极漏电电流 栅极漏电电流 V GS(th) I DSS I GSS V DS= V GS; I D=108uA V DS=65V; V GS=0V V DS=0V; V GS= 5V 65 - - V - 1.5 - V - - 10 ua - - 1 ua 表 6. ESD 特性 测试方法 等级 HBM ( 参考 JESD22--A114) 1B MM ( 参考 EIA/JESD22--A115) A CDM ( 参考 JESD22--C101) III 表 7. 负载失配测试 ( 基于华太 Demo PA 测试电路 ) 测试条件 测试结果 3 / 10

VSWR=10:1 at all Phase Angles Pulsed: VDD=28Vdc, IDQ=600mA, f=400mhz, Pout=200W Peak (20W Avg.), 100usec Pulse Width, 10% Duty. 晶体管性能无衰减 8. 参考设计 8.1 400-500MHz 测试电路设计版图 图 1. HT647PL 测试电路元件布局 400-500MHz 表 8. HT647PL 400-500MHz 测试电路元件清单 Part Description Part Number Manufacturer C1, C2, C3 56pF Chip Capacitor ATC100B560JT500XT ATC C4, C7, C9 100pF Chip Capacitors GRM1885C1H101JA01D TDK C5, C8, C10 10nF Chip Capacitors GR321AD72E103KW01D Murata C6 10uF Chip Capacitors Arbitrary Arbitrary C11 12pF Chip Capacitors ATC100B120JT500XT ATC C12, C13, C14, C15, C16 100pF Chip Capacitors ATC100B101JT500XT ATC C17 1000pF Chip Capacitors ATC100B102JT500XT ATC C18 10uF Chip Capacitors 22201C106MAT2A AVX C19 470uF, 50V Electrolytic Capacitors Electrolytic Capacitors Arbitrary R1, R2 50Ohm, 0805 1/4W Chip Resistors Arbitrary Arbitrary R3 1KOhm, Wire Resistors Arbitrary Arbitrary E1, E2, E3 #61 Multi-Aperture Core 2861002402 Fair-Rite Coax1,2,3 16Ohm SR Coax, 40 mm Arbitrary Arbitrary Coax4,5 18Ohm SR Coax, 80 mm Arbitrary Arbitrary 4 / 10

Coax6 50Ohm SR Coax, 146 mm Arbitrary Arbitrary Q1 LDMOS transistor HT647PL Kunshan Huatai Electronics Ltd. PCB 30mil, εr=3.50 RF 35 Taconic 400-500MHz 参考设计典型性能 测试条件 :V DD=28Vdc, I DQ=600mA, CW Signal 55 50 Pout(dBm) 45 40 400MHz 450MHz 500MHz 35 15 20 25 30 35 Pin(dBm) 图 2. Pout vs. Pin 5 / 10

28 80 26 D 70 Gain (db) 24 22 20 18 16 14 Gain 400MHz 450MHz 500MHz 60 50 40 30 20 10 Drain Efficiency (%) 12 35 40 45 50 55 Pout (dbm) 图 3. Gain and Eff vs. Pout 0 8.2 100-512MHz 宽带测试电路设计版图 图 4. HT647PL 测试电路元件布局 100-512MHz 表 9. HT647PL 100-512MHz 宽带测试电路元件清单 Part Description Part Number Manufacturer 6 / 10

C1, C2, C3 56pF Chip Capacitor ATC100B560JT500XT ATC C4, C7, C9 100pF Chip Capacitors GRM1885C1H101JA01D TDK C5, C8, C10 10nF Chip Capacitors GR321AD72E103KW01D Murata C6 10uF Chip Capacitors Arbitrary Arbitrary C11 3pF Chip Capacitors ATC100B3R0JT500XT ATC C12, C13, C16, 100pF Chip Capacitors ATC100B101JT500XT ATC C14, C15, C17 1000pF Chip Capacitors ATC100B102JT500XT ATC C18 10uF Chip Capacitors 22201C106MAT2A AVX C19 470uF, 50V Electrolytic Capacitors Electrolytic Capacitors Arbitrary R1, R2 50Ohm, 0805 1/4W Chip Resistors Arbitrary Arbitrary R3 1KOhm, Wire Resistors Arbitrary Arbitrary E2, E3 #43 Multi-Aperture Core 2843000302 Fair-Rite E1, E4, E5, E6, E7 #61 Multi-Aperture Core 2861000202 Fair-Rite Coax1,7 50Ohm SR Coax, 120 mm Arbitrary Arbitrary Coax3,4,5,6 25Ohm SR Coax, 120 mm Arbitrary Arbitrary Q1 LDMOS transistor HT647PL Kunshan Huatai Electronics Ltd. PCB 30mil, εr = 3.50 RF 35 Taconic 100-512MHz 参考设计典型性能 测试条件 :V DD=28Vdc, I DQ=1000mA, CW Signal 55 50 Pout(dBm) 45 40 100MHz 300MHz 512MHz 35 15 20 25 30 35 Pin(dBm) 7 / 10

图 5. Pout vs. Pin 30 80 28 70 D Gain(dB) 26 24 22 20 18 16 Gain 100MHz 300MHz 512MHz 60 50 40 30 20 10 Drain Efficiency (%) 14 35 40 45 50 55 Pout(dBm) 图 6. Gain and Eff vs. Pout 0 Gain and Eff VS. Pout 8 / 10

9. 封装尺寸 H2110S-4L 9 / 10

H2110-4L Symbol Dimesions in Milimeters Dimesions in Inches Min. Mon. Max. Min. Mon. Max. A 3.55 3.71 3.86 0.140 0.146 0.152 B 3.68 3.81 3.94 0.145 0.150 0.155 C 0.04 0.11 0.18 0.002 0.004 0.007 D 19.61 19.81 20.01 0.772 0.780 0.788 D1 19.61 19.81 20.01 0.772 0.780 0.788 E 9.28 9.40 9.52 0.365 0.370 0.375 E1 9.28 9.40 9.52 0.365 0.370 0.375 F 0.95 1.02 1.09 0.037 0.040 0.043 H 18.93 19.43 19.93 0.745 0.765 0.785 H1 12.57 12.70 12.83 0.495 0.500 0.505 L 4.71 4.83 4.95 0.185 0.190 0.195 P 3.12 3.25 3.38 0.123 0.128 0.133 Q 1.43 1.53 1.63 0.056 0.060 0.064 q - 27.94 - - 1.10 - U1 33.91 34.04 34.16 1.335 1.340 1.345 U2 9.71 9.78 9.85 0.382 0.385 0.388 e - 8.89 - - 0.35-10 / 10