V3406 SPEC(English)

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; 临 风 池 兮 脑 空 鸣, 穷 窍 阴 兮 完 骨 明 ; 举 浮 白 于 天 冲, 接 承 灵 于 正 营, 目 窗 兮 临 泣, 阳 白 兮 本 神 ; 率 谷 回 兮 曲 鬓 出, 悬 厘 降 兮 悬 颅 承 ; 颔 厌 兮 佳 客 主 人, 听 会 兮 童 子 迎 厥 阴 在 足, 肝

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管脚 管脚描述 管脚号 管脚名称 描述 1 SW 功率管的漏端 2 GND IC 地 3 DIM IC 使能端 模拟调光和 PWM 调光输入端 4 CS 电流采样端, 采样电阻接在 CS 与 VIN 之间 5 VIN 电源输入端, 必须紧挨引脚接旁路电容到地 - Exposed PAD (SOT89

Transcription:

一 概要 : HT0 是一款集成了充电管理模块 电量检测及 指示模块 升压放电管理模块, 完全取代目前市场上的充电管理 IC+MCU+ 升压 IC 方案 二 脚位图及说明 图 HT0 脚位图 序号 名称 描述 0mA 驱动 ( 手电筒功能 ) EXT_CH 充电外扩控制脚 电池电量指示 电池电量指示 电池电量指示 电池电量指示 功能按键 TS 测试模式功能脚 A 信号地 0 外部待机 MOS 使能信号 电压反馈脚 P 功率地 EXT 升压电路外扩驱动 升压电路内部功率管输出 CHARGE 充电输出, 接电池正极 功率电源正极 表 HT0 各个脚位描述 Ver.

Ver. www.hotchip.com.cn 三 典型应用电路 : L USB_OU B BEAD D K R K K K R M R K Battery C 0.uF 00uF C 00pF C 00uF C 0uF 0uF EXT_ CH TS A 0 P EXT CHARGE U HT0 L.uH 图. 内置 MOSFET 应用图 BTP EXT_C H EXT CE P 0 A U HT0 K S G D D G D D U HT USB_OUT.uH D R R K R K Battery C 0.uF C 00uF C 00uF R 00 00P R 0. 大电流经过电阻 R, 使用大封装 CSI OC TD VSS OD U DW0+ G D S D S G U HT0A C 0.uF R K R 00 R0 0 Q TO- 0D R 0. C 0uF 0uF 大电流经过电阻 R, 使用大封装 C 0 图. 外扩 MOSFET 应用图

Q 0D K TO- C 0uF TO- R 0 Q 0D EXT_C H CE 大电流经过电阻 BTP U HT0 EXT P A Battery C 0.uF 0 R, 使用大封装 R 0. C 00uF C 0.uF.uH G U D HT S D G C 0.uF R 00 D D D G U D HT S D G D D R0 0 VSS OD CSI TD C 00uF OC U DW0+ R K 00P 0uF R K R K R G S S D U G D HT0A USB_OUT R 0. U D D S S G G HT0A RA 0. RB 0. 大电流经过电阻 R, 使用大封装 USB_OUT 图. 外扩 MOSFET 应用图 四 功能介绍 : 充电 当 接入 V 电源时,HT0 进入充电状态, 此时升压输出关闭, 指示灯 ~ 做浪涌式充 电指示 ( 详细显示模式请参考规格书 ), 使用内置 MOSFET 充电时最大充电流为 00mA, 可参考图 应 用原理进行设计, 如需要更大的充电电流可按照图 将管脚 处的充电外扩电路连上,Q 按照所需的电 流进行选用不同的三极管, 并调整 R 阻值达到所需要的充电电流值 升压输出 在待机状态时, 短按按键 ( 时间 >0mS), 当 脚 检测到输入低电平脉冲信号时从待机状态唤 醒, 同时启动升压输出 ; 此输出电压值可通过公式 Vout=.V (R/R+) 进行调整 R R 的电阻值得 到所需的电压, 在电池电压欠压 (.V) 或进入限流 / 短路保护时关闭升压输出, 进入待机模式 升压电路 内部集成了 MOSFET, 根据所接外部设备的不同时放电电流为 00~00mA, 如需更大的放电电流可按 照图 在 U 位置选用不同规格的 N 沟道 MOSFET, 这样便可以满足 iphone ipad 等设备充电需要 ; 另 外在对 iphone ipad 设备进行充电时还应该满足 USB 接口的 信号线的电压要求, 可设 ()=.0V, ()=.V 电量检测 当 脚 () 检测到输入低电平脉冲信号时, 对内置电池电量检测 ; 并通过 ~ 对电量显示, Ver. www.hotchip.com.cn

电量显示 ~S 后关闭 ; 手电照明 只要在 0.S 内连续按按键 两下, 打开 手电照明功能 ; 同样再连续按 按键两下即可关闭 手电照明 待机模式 : 长按按键 ( 大于 S) 进入待机模式 智能检测没有充电输入 没有放电输出 (<00mA) 没有打开 手电 分钟内进入待机模式 待机功耗可控制在 0uA 内 在待机时 HT0 通过第 0 脚 () 控制 U 处的 N 沟道 MOSFET 将升压输出回路完全断开, 此 MOSFET 的选型也要根据所需的放电电流进行选择 五 演示板实物图 : C 0uF R0 0. R Q MOSFET P (HT/HT) C 0.uF C 00uF Battery B BEAD D L R 0K EXT_ CH CHARGE TS U HT0 EXT P A 0 L.uH D Q MOSFET N (HT) C 00pF R M 00uF R 0K 0uF K K K R K USB_OUT Q MOSFET N (HT) RA 0. RB 0. 图 : 演示板原理图 图 正面图 Ver. www.hotchip.com.cn

图 反面图 六 元件清单 序号 料号 型号 封装 数量 U HT0 SOP D SK SMC/DO-AB C 0uF/0V 0 C 00uF/0V B() C NC 或 0uF/0V 0 C 00P 00 0.uF 00 00uF/0V B() R K/±% 00 0 R K/±% 00 R K±% 00 R.KΩ±% 00 R KΩ±% 00.KΩ±% 00 ~ 灯 ( 红 / 蓝 ) 00 L.uH CD 0mA 高亮 Ф A 型 Mini_USB 母口 USB_OUT A 型 USB 母口 0 K SMD Ver. www.hotchip.com.cn

表 使用内置 MOSFET 方案 BOM 序号 料号 型号 封装 数量 U HT0 SOP Q HT SOP Q,Q HT SOP D,D SK SMC/DO-AB C 0uF/0V 0 C 00uF/0V B() C NC 或 0uF/0V 0 C 00P 00 0.uF 00 0 00uF/0V B() R K/±% 00 R K/±% 00 R K±% 00 R.KΩ±% 00 R KΩ±% 00.KΩ±% 00 ~ 灯 ( 红 / 蓝 ) 00 L.uH CD 0mA 高亮 Ф 0 A 型 Mini_USB 母口 USB_OUT A 型 USB 母口 K SMD 表 外扩 MOSFET 扩流方案 BOM 七 注意事项 ( 以图 为例 ): PCBLAYOUT:. C C 尽量靠近 脚,C 尽量靠近 CHARGE 脚, 并且走线时都经过电容再到 IC 管脚. 连接分压电阻 R R 的线尽量短, 不要太粗, 并远离电感等器件. A 和 P 必须分开走线, 最后在 C 负极一点接地 ;A 到 C 的线不要太粗, 远离电感等器件,P 尽量粗短, 有必要需要做露铜处理. 连到 IC CHARGE 脚和 脚的走线需经 C 正极后分开走线 Ver. www.hotchip.com.cn

. 功率环路面积尽量小 元器件选择 :. 升压电路输出电容的选择 输出电容的选择决定于输出电压纹波 在大多数场合, 要使用低 ESR 电容, 如陶瓷和聚合物电解电容 如果使用高 ESR 电容, 就需要仔细查看转换器频率补偿, 并且在输出电路端可能需要加一额外电容. DC-DC 升压电路电感材质 值 的选择 因为电感值影响输入和输出纹波电压和电流, 所以电感的选择是感性电压转换器设计的关键 等效串联电阻值低的电感, 其功率转换效率最佳 要对电感饱和电流额定值进行选择, 使其大于电路的稳态电感电流峰值. 升压转换器要选快速正向压降低的肖特基整流二极管 使其功耗低并且效率高 肖特基二极管平均电流额定值应大于电路最大输出电流.MOSFET N 尽量选用内阻小, 开关速度快的, 使其功耗低并且效率高, 并且做好散热处理 八 演示板规格介绍 : Micro USB 输入 USB 输出 图 : 端口介绍 产品规格 产品型号 HT0 Micro USB 输入 DC V,A 产品尺寸 0*mm USB 输出 DC V,A Ver. www.hotchip.com.cn