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袍浦
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1 DC/DC 升压变换芯片 CMD83 系列一概述 CMD83 系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器该芯片由振荡器 VFM 模式控制电路 Lx 开关驱动晶体管基准电压单元误差比较放大器电压采样电阻及 V LX 限幅电路等组成 CMD83 系列升压转换器采用变频的方式, 因此较国内外同类产品具有更低的纹波更强的驱动能力效率高等特点, 应用时外围只需接三个元件 ( 电感电容及二极管各一个 ) 输入电压最低 0.8V, 并且可以根据要求调整输出电压 3V 6V 可选二芯片特性及主要参数该设计产品 CMD83 系列 DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能 : 1. 外接元件少 : 需肖特基管电感及电容各一个 ; 外接元件建议选择 : 低直流电阻电感 20~220μH, 钽电容 47~ 200μF, 肖特基二极管 2. 极低的静态电流 : 4uA 3. 低噪声及低纹波 : 纹波典型值为 100mV 4. 驱动能力强 : Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时,Iout=100mA 5. 启动工作电压低 : 最大 0.8V 6. 高效率 : 85%(Typ) Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时,Iout=750mA 7. 封装体积小 : SOT89,SOT23( 窄体 ) 三应用范围 CMD83 系列芯片适用于要求大驱动能力低静态电流低电磁辐射的电池供电设备 : 1 电池供电设备的电源部分 2 玩具照相机摄像机 PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分 3 要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分四命名规则内置 MOS 管命名 : 外置 MOS 管命名 : 2

六极限参数对地输入电压 V IN 输出电流 Iout 10V 800mA 功耗 P d SOT-23 0.25W SOT-89 0.

2 五芯片模型及引脚介绍本设计芯片封装样式如下图, 其引脚说明亦如下表所示引脚说明 : Vss: 接地引脚 Lx: 开关引脚 ( 或 Ext 外置 Tr) OUT: 升压输出引脚封装 PIN1 PIN2 PIN3 SOT89 Vss OUT Lx(Ext) SOT23( 窄体, 见封装结构尺寸 ) Vss Lx(Ext) OUT 六极限参数对地输入电压 V IN 输出电流 Iout 10V 800mA 功耗 P d SOT W SOT 工作温度 T A -40 ~145 导线焊接温度 (10 秒 ) 260 七工作原理利用电感对能量的存储, 并通过其与输入端电源共同的泄放作用, 从而获得高于输入电压的输出电压如图 : 3

3 八电性能参数其主要参数测试如下表 : 测试条件 :VIN=2.2V,Vss=0V,Iload=10mA,Topt= 25,Cout=100 µf( 胆电容或使用 100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联 ),L= 47 µh( 内阻 0.1 欧姆 ) 有特别说明除外 CMD8330( 电路见图一 ): 参数符号测试状态最小值典型值最大值单位输出电压 Vout V 开启电压 V start I L =1mA V V IN :0 0.98V 保持电压 V hold I L =1mA V V IN :0.98 0V 无负载输入电流 I IN1 V IN =2.2V 空载 µa 静态输入电流 I IN µa 开关管导通电流 I LX V LX =0.4V 450 ma 开关管漏电流 I Lxleak V LX =6V 1 µa 振荡频率 F OSC khz 占空比 Dty 80 % 效率 η 85 % CMD8333: 参数符号测试状态最小值典型值最大值单位输出电压 Vout V 开启电压 V start I L =1mA V V IN :0 0.98V 保持电压 V hold I L =1mA V V IN :0.98 0V 无负载输入电流 I IN1 V IN =2.2V 空载 µa 静态输入电流 I IN µa 开关管导通电流 I LX V LX =0.4V 450 ma 开关管漏电流 I Lxleak V LX =6V 1 µa 振荡频率 F OSC khz 占空比 Dty 80 % 效率 η 85 % 4

CMD8350: 参数符号测试状态最小值典型值最大值单位输出电压 Vout 4.875 5.000 5.125 V 开启电压 V start I L =1mA 0.5 0.8 0.9 V V IN :0 0.98V 保持电压 V hold I L =1mA 0.5 0.6 V V IN :0.98 0V 无负载输入电流 I IN1 V IN =2.

4 CMD8350: 参数符号测试状态最小值典型值最大值单位输出电压 Vout V 开启电压 V start I L =1mA V V IN :0 0.98V 保持电压 V hold I L =1mA V V IN :0.98 0V 无负载输入电流 I IN1 V IN =2.2V 空载 µa 静态输入电流 I IN µa 开关管导通电流 I LX V LX =0.4V 570 ma 开关管漏电流 I Lxleak V LX =6V 1 µa 振荡频率 F OSC khz 占空比 Dty 80 % 效率 η 85 % CMD8356X( 电路见图二 ): 参数符号测试状态最小值典型值最大值单位输出电压 Vout V 无负载输入电流 I IN1 V IN =2.2V 空载 µa 静态输入电流 I IN µa CMOS 驱动输出管 I EXT N V DS =0.4V 22 ma 导通电流 I EXT P V DS =-0.4V 20 ma 振荡频率 F OSC khz 占空比 Dty 80 % 工作特性曲线如下 : 测试条件 :L=47uH( 内阻 0.1 欧姆 ) Cout=100uF( 胆电容或使用 100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联 ) 5

5 九 CMD83 系列升压芯片应用实例典型应用电路 : L=47uH( 内阻 0.1ohm) Cout=100uF 电解电容并接 0.1uF 陶瓷电容 Diode 为肖特基二极管 CMD8330 典型应用电路 : ( 测试输入电流时, 输入电容 Cin=47uF 必须接入 ) 图一 :CMD8330 典型应用电路 CMD8356X 典型应用电路 ( 外置 NMOS 管为低阈值开启电压, 例 GE2300): 图二 :CMD8356X 典型应用电路 6

6 升压 / 降压电路 : 降压电路注 : 以上电路中的启动电路十使用注意事项外围电路对 CMD83 系列升压转换芯片性能影响很大, 需合理选择外部器件 : 1) 外接电容值不宜小于 47μF( 电容值过小将导致输出纹波过大 ), 同时要有良好的频率特性 ( 最好使用钽电容或高频电容 ) 此外, 由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压, 电容的容压值至少为设计输出电压的 3 倍 ;( 普通的铝电解电容 ESR 值过高, 所以可选购专门应用于开关式 DC/DC 转换器的铝电解电容 ) 2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够的能量, 同时, 电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的 LX 开关时间时 ILXMAX 超出最大额定值此外, 外接电感的直流阻抗要小容流值要高且工作时不至于达到磁饱和 3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管 4) 客户若驱动大电流负载 ( 大于 150mA), 而纹波要求不高, 则可以减小电感 (22uH 左右 ); 客户若驱动小电流负载 ( 小于 50mA) 并想得到低纹波的输出电压, 则可增大电感值 7

7 注意事项 : 1) 该芯片为驱动大负载而设计, 所以外围元器件与芯片距离越小越好, 连线越短越好特别是接到 OUT 端的元器件应尽量减短与电容的连线长度 ; 2) 特别建议使用钽电容 ; 如果在芯片 OUT 和 Vss 两端并接电解电容时需要并接 0.1-1µ 的陶瓷电容 3)Vss 端应充分接地, 否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化, 造成工作状态不稳定十一封装结构尺寸图示 8

8 SOT-23( 窄体 ) 9

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TP83 dsh_无页脚.doc DATASHEET (TP83 升压系列 ) 1 DC/DC 升压变换芯片 TP83 系列一概述 TP83 系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器该芯片由振荡器 VFM 模式控制电路 Lx 开关驱动晶体管基准电压单元误差比较放大器电压采样电阻及 V LX 限幅电路等组成 TP83 系列升压转换器采用变频的方式, 因此较国内外同类产品具有更低的纹波