NAND Flash 市场迈向健康发展淡季或许不淡 中国闪存市场 www.chinaflashmarket.com 2013 年 5 月 27 日 NAND Flash 市场行情走势及市场变化 3 月 NAND Flash 市场行情走入高峰 受到智能型手机 平板电脑等产品需求不断升温, 以及原厂 NAND Flash 供货紧缺消息的影响,2013 年 2 3 月 NAND Flash 整体市场行情走势乐观向上 据中国闪存市场网 2013 年 1 月 -5 月的数据显示,NAND Flash 市场综合价格指数从年初的 1436 上涨至 1929,3 月涨至高点,NAND Flash 相关的产品价格也在 3 月涨至最高价,4 月整体价格指数开始下滑, 5 月整体走势有明显反弹的迹象 2013 年 1-5 月深圳市场综合价格指数走势图 2020 1920 价格指数 1820 1720 1620 1520 1420 2013 年 2013 1 月年 1 月 2013 年 2013 2 月年 22013 月年 2013 3 月年 3 2013 月年 2013 4 月年 42013 月年 2013 5 月年 5 月来源 : 中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 数据截止至 2013 年 5 月 24 日 闪存产品涨价抑制市场需求成长 2013 年 2 3 月由于受到大量供货吃紧消息的影响, 市场部分商家担心后续库存不足, 均纷纷开始备货, 刺激 NAND Flash 相关产品价格涨至最高点 据中国闪存市场网报价显示, 香港市场 Micro SDHC 4GB(CL2-6) 价格在 4 月初涨至最高价 3.92 美金,8GB 在 3 月中旬涨至最高价 4.58 美金, 经过两个多月的涨价, 与 2 月初的价格相比,4GB 和 8GB 单价分别提高了 1.6 美金和 0.9 美金 emmc 4GB 和 8GB 价格比较平稳, 涨跌幅在 5% 以内
2013 年 2 月 -4 月主流 Micro SD 和 emmc 历史价格表 2 月 3 月 4 月 高点 低点 高点 低点 高点 低点 Micro SDHC 4GB(CL2-6) 2.95 2.28 3.83 2.91 3.92 3.56 Micro SDHC 8GB(CL2-6) 3.93 3.66 4.58 3.86 4.25 3.78 emmc 4GB MLC V4.41 3.4 3.3 3.45 3.4 3.5 3.35 emmc 8GB MLC V4.41 6.1 6.05 6.4 5.95 6 5.8 来源 : 中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com emmc 为平均价单位 : 美金 NAND Flash 相关产品价格上涨, 很多厂商均表现获利 然而, 对于手机 平板等采购商来说, 相当于增加了生产成本, 导致产品销售利润下滑或亏本, 所以很多采购商在 4 月不愿多接高价产品的订单, 转而消耗 2 3 月备下的相对较低价格的库存或暂持观望态度 手机 平板商订单缩手, 市场需求随之下滑或买气不振, 影响 NAND Flash 市场整体行情走势向下 5 月部分订单重现市况逐渐好转 不过, 经过一个多月的库存消耗, 很多手机 平板等厂商为了后续出货顺畅,5 月不得不增加采购量, 况且大部分 NAND Flash 相关产品价格在 4 月已有明显向下修正, 小部分产品 5 月持续向下修正 消费类存储产品市场终端库存消化降低, 部分商家开始慢慢的接受高价的 NAND Flash 产品, 市场部分交易也开始慢慢活跃起来 市场接单重现, 带动部分 NAND Flash 相关产品价格在 5 月表现出反弹的趋势 原厂供货策略对 NAND Flash 市场的影响 原厂应对市场发展趋势追求利润最大化 2013 年智能型手机移动处理器进入四核世代, 推动大多 Mobile DRAM 容量由 1GB 向 2GB 提升 以智能机指标性产品三星 Galaxy 系列的手机为例, 三星 Galaxy S3 搭载的是 1GB 低功耗 DDR2 DRAM,Galaxy S4 搭载 2GB 低功耗 DDR2 DRAM,Mobile DRAM 容量较上一代产品提升了一倍
三星 Galaxy S4 与 Galaxy S3 参数对比信息 机型 Galaxy S4 i9500 Galaxy S3 i9300 屏幕特性 网络制式 4.99 英寸 1920x1080 分辨率 Super AMOLED HD WCDMA/GSM 4.8 英寸 1280x720 分辨率 Super AMOLED 机身尺寸 140.1x71.8x7.7mm 138g 136.6x70.6x8.6mm 133g 处理器 三星 Exynos 5410 八核 1.8Ghz 三星 Exynos 4412 四核 1.4Ghz 图形芯片 PowerVR SGX 544MP3@533Mhz Mali-400MP4@400Mhz 机身内存 Ram:2GB Rom:16GB Ram:1GB Rom:16GB 摄像头 前置 200 万 / 后置 1300 万 前置 190 万 / 后置 800 万 特色功能 新增智能暂停 / 眼球滚动翻页 / 智能旋屏 / 手势 动作等 S Voice/Direct call/pop up Play/Smart stay 操作系统 Android 4.2.1+TouchWiz Android 4.0+TouchWiz 电池 2600mAh( 可换 ) 2100mAh( 可换 ) 来源 : 中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理 在产品售价方面,Mobile DRAM 的销售利润要较 NAND Flash 高 以单个 12 吋晶圆为例, 三星 ACG(64Gb TLC) 能切割 602 个 NAND Flash Die, 单 good die 售价在 3.5 美金左右, 按照 90% 的良率来看,wafer 的总售价大约为 1896 美金, 而 Elpida LPDDR2 4G 可以切割出 848 个 Die, 单个售价可以达到 4.5 美金, 总售价达到了 3400 美金左右, 高出 ACG 产品售价 1500 美金左右 Mobile DRAM 和 NAND Flash 产品对比表 厂商 产品名称 产品尺寸 X Y Unit 工艺 Qty per wafer(pcs) price 总金额 * 90% 良率 东芝 Toshiba 19nm 32Gb TLC 8232 6944 um 19nm 1114 2.7 2707 三星 K9ACGD8U0A 12680 8050 um 21nm 602 3.5 1896 南亚 NANYA 4Gb DDR3 8046 8573 um 4xnm 888 2.7 2158 尔必达 Elpida LPDDR2 4G ECB440ABACN Rev.A 10460 7100 um 4xnm 848 4.5 3434 来源 : 中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理
全球主要供应 Mobile DRAM 的是三星 SK 海力士 尔必达,Mobile DRAM 市场需求量大增, 利润又高于 NAND Flash,NAND Flash 和 DRAM 的生产设备差异又不大, 所以三星 SK 海力士更趋向于把 NAND Flash 生产线改生产 Mobile DRAM, 更多的投入于生产高利润的产品 此外, 三星的 Galaxy S4 搭载的 Mobile DRAM 由自己供应, 为了满足 Mobile DRAM 市场需求量以及提高获利, 三星在 5 月已将 NAND Flash 部分产线转生产 Mobile DRAM, 这样 6 月开始 NAND Flash 产出量会减少 同时 SK 海力士也增加了 Mobile DRAM 的生产比重, 也可能会减少 NAND Flash 产出量 NAND Flash 纳米制程转换产出量受限 2013 年主要 NAND Flash 芯片厂三星 东芝 美光 SK 海力士已全面稳定生产 2ynm 制程技术, 据中国闪存市场调研的数据显示,2013 年 Q2 各芯片厂已将 2ynm 制程技术的生产比重提升至 85% 左右,Q3 会提升 1xnm 制程技术的生产比重 预计三星 70% 的产能将由 21nm 向 19nm 转进,16nm 可能会在 2013 年年底或 2014 年年初开始量产 ; 东芝主要以 24nm 和 19nm 生产为主, 且 19nm 生产比重一直在不断提升,2013 年底将转进 16nm,2014 年 Q1 开始量产 ; 美光和 SK 海力士则由 20nm 向 18nm 转进, 将在 2014 年中分别以 16nm 15nm 开始量产 一年中 Q1 Q2 被视为市场需求淡季,Q3 是旺季 为了因应旺季需求的到来, 原厂均选择在淡季提升制程技术的生产比重和转换,Q3 稳定生产 而生产比重的提升和技术转换在实现的过程中, 良率和稳定性间接的影响了 NAND Flash 的产出量, 导致整体产出量受限 主要 NAND Flash 芯片厂纳米制程表 制程等级 Samsung Toshiba Micron SK Hynix 2xnm 27nm 24nm 25nm 26nm 2ynm 21nm - 20nm 20nm 1xnm 19nm 19nm 18nm 18nm 1ynm 16nm 16nm 16nm 15nm 来源 : 中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com 整理
NAND Flash 市场供应量不大恐再现缺货潮 三星是 NAND Flash 最大供应商,2013 年致力于发展手机和平板产品, 其中新机 Galaxy S4 发售不到一个月销量就已破千万, 自家手机和平板就消耗了大量的产能, 而且部分存储芯片还向东芝 SK 海力士采购, 可见三星 NAND Flash 相关产品确实供货紧缺 三星销售到市场渠道减少, 只供货给有限的几家客户, 目的是集中资源支持重点客户, 和维系市场价格稳定 主流供应容量集中在 TLC64Gb 32Gb 上,MLC 供应量很少, 主要给自己嵌入式及 SSD 产品使用 据了解, 东芝和 Sandisk 也没有多余的 MLC Wafer 供给市场,TLC 64Gb 32Gb Wafer 的数量很少流到渠道市场 SK 海力士 M11 和 M12 所生产的 NAND Flash, 除了部分供应给三星之外, 产能都被苹果和自己的嵌入式产品所包下, 也有少量 64Gb MLC TSOP 出到 PAD 市场和低容量 16Gb MLC Wafer 以维系几家模组厂客户 综上所述, 三星 东芝 SK 海力士并没有太多的货供应到市场上, 市场供货量较多的应该是美光 5 月是美光第三季财报截止月, 市场预期美光会清掉部分库存填财报, 届时会有大量的 Micron 和 Spectek 库存货供应到市场, 所以大部分渠道和工厂在 4 月和 5 月初都不想向美光购买较高价的产品, 导致市场购买意愿不强 但是事实上, 美光为了提高获利计划将 L83 封装成 TSOP 销售到市场, 不以 Wafer 的形式销售,L72 因为停产因素不对外销售 L74 供应给 SSD 部门自己使用, 美光的嵌入式产品 emmc 和 emcp 开始要规模化生产,L84 也储备留给自己嵌入式产品 现在 5 月已到月底, 市场越来越多的信息传出美光在这个季度没有货供到市场, 缺货预警逐渐浮出水面, 很多渠道商和工厂均大跌眼镜, 预计 6 月会有急速追货动作出现, 市场也将出现交易活跃, 需求复苏的情景 市场需求反弹, 三星 SK 海力士 6 月 NAND Flash 产出量减少, 淡季恐将现缺货潮 NAND Flash 市场淡季不淡市场迈向健康发展 2013 年智能型手机 平板电脑等移动产品需求持续发烧, 带动 emmc/emcp 高容量闪存卡 Mobile DRAM 移动处理器等需求量大增, 而且受惠移动产品上网需求的带动,SSD 在缓存服务器的需求也逐渐升温 此类产品的供应商相对集中, 且都是高利润产品, 所以原厂生产线逐渐均衡生产, 不再像以前生产的产品相对单一, 可见 NAND Flash 整体发展趋势较好 对于传统的存储产品闪存卡和 U 盘,Micro SD 高容量产品因为智能机的配置而需求增长, 低容量产品需求则每况日下 USB3.0 在增长,USB2.0 需求在衰退 不过原厂主力生产高容量的 Wafer, 低容量市场供应量比较少, 供应紧缺足以维持稳定的市场走势 这种供应紧缺趋势不仅表现在低容量产品上, 更体现在 2013 年淡季, 从而支撑市场淡季不淡, 同时也反映出 NAND Flash 市场迈向健康发展
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