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1 TECDIA Co., Ltd. (29.JAN) B-32-

2 目录 单层电容 目录 P 基本特征 P 单层电容 P2 单层电容类型 P2 单层电容介电材料特性 P2 检验标准 P3 特性参数 P4 单层电容 A 型 (C l a s s I & Class II / Class IV) P P6 单层电容 B 型 (C l a s s I & Class II) P7 使用说明 P8 单层电容 C 型 (Class I& Class II / Class IV) P9 P 矩形电容 P 二进制电容 P2 双电极电容 P2 多连体电容 P3 IRC 容阻一体电容 P4 单层薄膜芯片电阻 P 短路块 P6 HCT 薄膜陶瓷基板 P7 单层电容选项 P8 包装方法 P8 设计样式 Tecdia 的电容通常是根据单值和二进制数值构成的矩形电容及其他客制形状 根据芯片的厚度变化 ( 通过研磨 ), 以及电容的大小和介电常数而制作电容, 通过此技术可以制作出值极为精准的格式及样式电容 Tecdia 长年致力于制造留边陶瓷电容 运用我们的专业和技术可以制造出格式及容值的留边电容 留边电极设计有助于防止银胶溢胶造成短路 这种设计也减少了因镊子而造成的损害, 也便于自动设备的操作 类型介绍 留边 无留边 A 型 留边 留边 B 型 无留边 无留边 C 型 基本特征 介电规格 陶瓷介电材料 Tecdia 生产的陶瓷芯片电容 9% 是使用独特的钛酸盐配方以及特有工艺而成的陶瓷粉末制成 根据不同的配方, 可以做出一系列具有不同介电常数, 温度特性等性质的电介质 本目录包含了 Class I&II 的常规品 我们亦生产 GBBL 技术的 EIA Class IV 的单层陶瓷电容 EIA 级 *2 TECDIA 介电材料代码 P 4 介电常数 (Nominal) 损耗角正切 MHz MHz MHz 绝缘电阻 6 MΩ 6 MΩ 6 MΩ EIA 温度特性代码 *2 CG S2H U2J 温度特性 (TC) ± 3 ppm / C -33 ± 6 ppm / C -7 ± 2 ppm / C 温度范围 - C to +2 C - C to +2 C - C to +2 C 电极金属构成 将烧结成型的芯片研磨和抛光, 使得光滑平坦, 然后采用溅射镀金工艺, 最大程度减小微波高频损失, 且使得打线变得更容易, 金属覆盖更均匀 F C 28,6 2,8 6, MHz < khz < khz < khz MΩ * MΩ MΩ 4 MΩ M3K X7R X7R X7S - ± 2 ppm / C ± % ± % ± 22% - C to +2 C - C to +2 C - C to +2 C - C to +2 C 电极金属层类型适用金属作用 防扩散层 粘结层 TaN TiW or Ti 防止 Ti 扩散用于 IRC 与芯片电阻的电阻材料 在陶瓷和金属之间建立牢固的粘结 4 4 注 : 商品定制最小可通过 6 MΩ@2 C 注 2: 参见 ELA-98--F 2 3,, < khz < khz 4 MΩ 4 MΩ X7S X7S ± 22% ± 22% - C to +2 C - C to +2 C 阻隔层 导电层 Pt Au 在焊锡时保护粘结层 高导电率且可打线 环境承诺 Tecdia 的环境政策发布在我们的网站上 : 我们的生产设备和产品符合 ISO 4 认证 所有的电容都符合 RoHS2 规范且不含铅 2

3 检查 特性参数 Tecdia 的电容可广泛运用于商业通讯, 航空及太空领域并对产品的质量和性能有着严格的把控 电容一致化的生产过程为您提供高可靠性的商业或是工业运用 筛选标准可能根据您的要求而有所不同 电容的筛选分为三类 : 标准等级 商业等级和定制 温度特性 (Class I) 温度特性 (Class II) K=4 K=,6 单层电容的一般规格检查 检查项目外观外观检查电容值损耗角正切 (D F ) 电气特性绝缘电阻 ( I R) 绝缘破坏电压 ( D W V ) 机械特性焊接拉力强度耐高温 4 C 分钟检查长度和厚度 检查数量 Inspection lot AQL II(.%) Inspection lot AQL II(.%) Inspection lot AQL II(.%) 每批次检查 片 *¹ 每批次检查 片每批次检查 3 片每批次检查 片 *² 每批次检查 3 片 不良率上限 Inspection lot AQL II(.%) Inspection lot AQL II(.%) Inspection lot AQL II(.%) *¹ *² 容值变化 ( %) 温度 ( C) K=9 K=4 K=28 容值变化 ( %) 温度 ( C) K=2,8 *¹ ClassIV 产品采用 Inspection Lot AQL I(.%) *² 不适用于 ClassIV 产品 温度特性 (Class IV) 时效变化特性 实验室检查项目 项目温度循环热冲击高温负载电容值及损耗角正切绝缘电阻绝缘破坏电压焊线拉力强度焊线剪切力强度温度特性 实验条件 MIL-STD-883 / Method Cond. A / B / C MIL-STD-22 / Method 7 Cond. A / B / F MIL-STD-883 / Method Cond. A / B / C / F MIL-STD-22 / Method 3 MIL-STD-22 / Method 32 MIL-STD-22 / Method 3 MIL-STD-883 / Method 2 Cond. D MIL-STD-883 / Method 29 less than 3 kg EIA-98 / Method 容值变化 ( %) 温度 ( C) K=6, K=3, K=, 容值变化 ( %) K=,6 K=2,8 K=6, K=3, K=,,, 时间 ( H r s) 浸泡 MIL-STD-22 / Method 4 耐焊接性 MIL-STD-22 / Method 2 Cond. A / B / C / D 耐潮湿 MIL-STD-22 / Method 6 直流偏压特性 典型共振频率 (G H z) 寿命 MIL-STD-22 / Method 8 less than or equal C 温度 ( 稳定状态 ) MIL-STD-22 / Method 3 均匀加速度 MIL-STD-883 / Method 2 Cond. A / B / C / D / E / F / G / H / Y 振动 MIL-STD-22 / Method 2 高频振动 MIL-STD-22 / Method 24 Cond. A / B / C / D 可调振动 MIL-STD-883 / Method 27 Cond. A 如果想要了解更多的产品详情请登陆我们的网站 规格变更不作另行通知, 请谅解 (B-32-) 容值变化 ( %) Class I K=,6 K=2,8 K=6,(6 mil-t) K=6,( mil-t) K=3,(6 mil-t) K=3,( mil-t) K=,(6 mil-t) 共振频率 (GHz) Class I,II Class IV( mil-t) Class IV(6 mil-t) ,, 电压 ( Vd c) 电容值 ( p F ) 3 4

4 单层电容 A 型 Class IV 单层电容在电极留边以帮助设备影像识别的同时也有助于防止银胶溢胶造成的短路 GBBL 电容在电极留边以帮助设备影像识别的同时也有助于防止银胶溢胶造成的短路 TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au A : ±. pf* B : ±. pf* C : ±.2 pf* J : ± % K : ± % M: ± 2% V : - % / + % Z : - 2% / + 8% * 电容值低于. pf AMS A 型电容代码 K 2 K R :. pf R :. pf : pf : pf 介电等级 : Class I (K = 4-28) 2: Class II (K =,6-2,8) 正面 电极金属镀层 TiW - Au, Ti - TiW - Au Ti - Pt- Au Class IV 电容代码 SK : 厚度 4 μm SKT: 厚度. μm SKT A 型电容代码 : pf : pf 2 :, pf 3 :, pf A M A 6 M: ± 2% V : - % / + % Z : - 2% / + 8% 陶瓷处理 A: As Fired 介电代码 : K = 6, : K = 3, 2 : K =, 厚度代码 6: 6 (. ) : (.2 ) 选购指南 R R2 R3 R4 R R6 R8 R R2 R R8 2R2 2R7 3R3 3R9 4R7 R6 6R8 8R B.2.2 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 C F H K P R S.2.2 T K = 4 K = 9 K = 4 K = 28 K =,6 K = 2,8 Class I Class II 选购指南厚度 : 6 ± mil(. ±.2 ) 电容值 ( p F) ,,2,,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7,6 6,8 8,2, 电容值 ( p F) ,,2,,8 2,2 2,7 3, ± ±. 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 厚度 : ± mil(.2 ±.2 ) ± ±. 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 ± ±.3 ± ± ±.. ± ±.. ± ± ± ± ± ± ± ± ±.3 介电材料 额定工作电压 3 3 ± ± ± ± ±.. ± ±.. ±.3 7 ±.2.2 ±.2 7 ±.2.2 ± ±.. ± ±.. ±.2 厚度 K = 6, K = 3, 6 V 6 V V ±.7.7 ± ±.7.7 ±.2 K =, V - Class IV Class IV 6

5 单层电容 B 型 使用说明 电容在电极及留边以帮助设备影像识别的同时也有助于防止银胶溢胶造成的短路 Tecdia 的陶瓷电容被广泛用运于光通讯和无线通讯设备上 其中包含 ( 但不限于 ) A : ±. pf* B : ±. pf* C : ±.2 pf* J : ± % K : ± % M: ± 2% V : - % / + % Z : - 2% / + 8% * 电容值低于. pf BMS B 型电容代码 K 2 K R :. pf R:. pf : pf : pf 介电等级 : Class I (K = 4-28) 2: Class II (K =,6-2,8) 微波 / 光通迅收发器 合成器 振荡器和其他信号发生器 TOSA/ROSA/BOSA( 光纤收发器件 ) 微波 / 光学放大器和调制器 高频信号和射频测量设备 选购指南 在这些设备中, 陶瓷电容功能可以归纳为 3 类 : 直流偏压阻隔, 高频旁路与阻抗匹配 电容值 ( p F) B.2.2 C F H K P R S.2.2 T 直流偏压阻隔 R R2 R3 R4 作为直流偏压阻隔的运用中, 芯片电容器被串联在电路中, 以达到防止其他电路的直流偏压不会影响到另一个电路的运行而造成短路. R R6 R8 R R2 R R8 高频旁路在高频旁路运用中, 芯片电容器被置于电路中的分流 ( 接地 ) 中, 通过短路来消除高频噪声或信号 选择电容时, 高频信号会看到一个低阻抗的接地路径, 而直流偏压或低频信号则会看到一个高阻抗的接地路径, 因此 R2 2R7 沿电路继续保持最低消耗 3.3 3R R9 4R7 R6 6R8 8R Class I Class II 阻抗匹配阻抗匹配应用芯片电容器在电路中提供特定的阻抗 这些电容器可用于许多集成电路中, 当通过具有介电阻抗的元件 / 电路时, 保持信号不受阻抗影响 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 K = 4 K = 9 K = 4 K = 28 K =,6 K = 2,8 7 8

6 单层电容 C 型 Class IV 电容无上下留边, 因上下对称大大提升了可焊接性的同时达到电容值最大化并减少寄生电容的产生 我司最受欢迎的 GBBL 电容适用于高电容密度, 低成本去耦 / 旁路应用 TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au A : ±. pf* B : ±. pf* C : ±.2 pf* J : ± % K : ± % M: ± 2% V : - % / + % Z : - 2% / + 8% * 电容值低于. pf CMS C 型电容代码 47 K 2 FC R :. pf R:. pf : pf : pf 介电等级 : Class I (K = 4-28) 2: Class II (K =,6-2,8) 选购指南厚度 : 6 ± mil(. ±.2 ) Class IV 电容代码 SK : 4 μm 厚镀金 SKT:. μm 厚镀金 SKT C 型电容代码 4 C : pf : pf 2 :, pf 3 :, pf 2 M A 6 M: ± 2% V : - % / + % Z : - 2% / + 8% 陶瓷处理 A: As Fired 介电代码 : K = 6, : K = 3, 2 : K =, 厚度代码 6: 6 (. ) : (.2 ) 选购指南 R R2 R3 R4 R R6 R8 R R2 R R8 2R2 2R7 3R3 3R9 4R7 R6 6R8 8R BC.2.2 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 CC FC HC KC PC RC SC.2.2 TC K = 4 K = 9 K = 4 K = 28 K =,6 K = 2,8 Class I Class II ,,2,,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7,6 6,8 8,2, ± ±. 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 选购指南厚度 : ± mil(.2 ±.2 ) ,,2,,8 2,2 2,7 3, ± ±. 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 ± ±.3 ± ± ±.. ± ±.. ± ± ± ± ± ± ± ± ±.3 介电材料 额定工作电压 3 3 ± ± ± ± ±.. ± ±.. ±.3 7 ±.2.2 ±.2 7 ±.2.2 ± ±.. ± ±.. ±.2 厚度 K = 6, K = 3, 6 V 6 V V V ±.7.7 ± ±.7.7 ±.2 K =, V - Class IV Class IV 9

7 矩形电容 二进制电容 GD JD LD 标准二进制电容可在阵列 3,4 和 电极之间的一个共同电极上便于匹配电路 Tecdia 拥有一系列的高长宽比的矩形电容 广泛运用于 GaN 晶体管封装 TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au, TiW Au, TaN TiW Au 电容代码 AMS: A 型 BMS : B 型 J : ± % K : ± % M: ± 2% V : - % / + % Z : - 2% / + 8% AMS K 3 : pf 2: 2 pf 2: 2 pf 底面标准品 TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au, 型号最大 阵列电容容值值 设计类型 A: A 型 B : B 型 A A : ±. pf* * B : ±. pf* * C : ±.2 pf* * K : ± % M M: : ± 2% * 电容值低于. pf () MB 二进制电容代码 R7 B GD 最大 R7:.7 pf R:. pf 3R: 3. pf 6R: 6. pf () GD: 2 x 2 mil (. x. ) JD : 2 x 36 mil (. x.9 ) LD : 36 x 36 mil (.9 x.9 ) 介电等级 : Class I (K = 4-28) 介电值 AMBR7BGD R7.7 /.3 / K = 4 BMBR7BGD R7.7 /.3 / K = 4 标准品 AMBRKGD BMBRKGD R R. /.7 /.38. /.7 / K = 28 K = 28 型号 AMSK3 () t () t 介电值 K = 9 RMV 8 V AMBRKJD BMBRKJD AMB3RKJD BMB3RKJD R R 3R 3R. /.7 /.38 /.9. /.7 /.38 /.9 3. /. /.7 / /. /.7 / K = 4 K = 4 K = 28 K = 28 AMS2K3 AMS4K3 AMS6K K = 9 K = 3 K = 3 8 V 8 V 8 V AMB3RKLD BMB3RKLD AMB6RKLD BMB6RKLD 3R 3R 6R 6R 3. /. /.7 /.38 /.9 3. /. /.7 /.38 /.9 6. / 3. /. /.7 / / 3. /. /.7 / K = 4 K = 4 K = 28 K = 28 AMS8K3 AMS2K3 AMSK6 AMS2K K = 3 K = 3 K = 4 K = 4 8 V 8 V 8 V 8 V 二进制电容按相关电极大小进行配置, 并非按照单独各个电容的实际容值来配置 检验是按照最大电极进行 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考注 2: 本产品不适合第四页上的典型共振频率图表 AMS2K K = 9 8 V AMS24K6 AMS26K6 AMS3K K = 9 K = 9 K = 3 8 V 8 V 8 V 双电极电容 AG BG AMS3K K = 3 8 V AMS4K K = 3 8 V AMS4K K = 3 8 V AMSK K = 3 8 V 双电极电容的构造在单个矩形芯片上, 两个电极在同一上, 在安装阵列时向下提供串联连接, 消除了焊丝电感 Tecdia 可以根据客户的需求进行, 介电常数, 电容值,TC 等其它要求进行定制 以满足客户的各种需求 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 注 2: 本产品不适合第四页上的典型共振频率图表 TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au, 设计类型 A: A 型 B : B 型 A MG R B 2 AG 双电极电容代码 标准品 A : ±. pf* B : ±. pf* C : ±.2 pf* K : ± % M: ± 2% * 电容值低于. pf 最大 R:. pf R:. pf : pf 2: 2 pf AG: 2 x 24 mil (.3 x.6 ) BG : 2 x 33 mil (. x.8 ) 介电等级 2: Class II (K =,6-2,8) 型号 最大 安装 () () 型号 AMGRB2AG R K = 2,8 BMGRB2AG R K = 2,8 AMGRK2AG R K =,6 BMGRK2AG R K =,6 AMGK2BG K =,6 BMGK2BG K =,6 AMG2K2BG K = 2,8 BMG2K2BG K = 2,8 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 注 2: 本产品不适合第四页上的典型共振频率图表 2

8 多连体电容 IRC 容阻一体电容 在一个芯片上放置 2 个以上或多个电容的排列电容, 能提升电容密度的同时达到放置较少的元件和最佳的封装精度 采用 Tecdia 的 Class IV(K=6,) 介电材质, 使电容与电阻一体化并减少了打线及材料 TiW - Au, Ti - TiW - Au L2 Class IV 电容代码 SK : 4 μm 厚镀金 SKT:. μm 厚镀金 SKT A N A 6 电极数 L2: 2 电极 L3: 3 电极 L4: 4 电极陶瓷处理 A: As Fired A 型电容代码 : pf : pf 2 :, pf N: ± 3% 介电代码 : K = 6, : K = 3, 2: K =, 厚度代码 6: 6 (. ) TaN - TiW - Au SKTR IRC 电容代码 SK : 4 μm 厚镀金 SKT:. μm 厚镀金 A 型电容代码 3 A 27: 27 pf 27 M: ± 2% Z : - 2% / + 8% V : - % / + % M 介电代码 : K = 6, A - 2 R K 陶瓷处理 A: As Fired 厚度代码 : (.2) 电阻代码 电阻值代码 K : ± % M: ± 2% 电阻代码 : Ω : Ω 选购指南厚度 : 6 ± mil(. ±.2 ) 选购指南厚度 : ± mil(.2 ±.2 ) 电极 ± 4 ± 2..2 ± 4 ± ± 4 ± 4.. ± 6 ± ± 8 ± ± ± ± ± ± ± ± ±.. ± ±..76 ± ±..88 ±. ±. ±. ±. ±. ±. ±. ±. ±.2 ±. ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ±.3 ± 电极 ± 4 ± ± ± ± 8 ± 4.2. ± 8 ± ± ± ±. ±. ±.2 ±. ±.2 ±. ±.2 ±. ±.2 ± 电极 ± 6 ± 2..2 ± 6 ± ± 8 ± ± ± ± 2 ± ±. ±. ±. ±. ±.2 ±. ±.2 ±. ±.3 ±. 电阻值 (Ω) 电阻代码 * 未提供电容值 V 介电材料额定工作电压 K = 6, V 电阻温度特性 (TCR) - ± ppm / C(@ - C to + 8 C ) 电阻额定功率 < 7 C 7 < 8 C ** < 7 C **3 < 8 C 耐热性 32 C 分钟 (N2 环境 ) 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 注 2: 本产品不适合第四页上的典型共振频率图表 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 注 2: 本产品不适合第四页上的典型共振频率图表 注 3: 电气特性在和电极之间测量, 不应在电极间施加偏置电压 介电材料额定工作电压 K = 6, V K = 3, 6 V K =, V 3 4

9 单层薄膜芯片电阻 短路快 SA Series - SA Series - 2 SA Series - 3 MB Series 用于偏置和无线终端等各种应用的打线电阻 Tecdia 短路块是可定制的导电陶瓷垫片, 适用于光学和微波行业的微型组件 TaN - TiW - Au TiW - Pt - Au 电阻型号 SAW : 一个电阻 MBW: 两个电阻 SAW 电阻代码 : Ω : Ω 2 :, Ω 电阻值代码 J : ± % K : ± % M: ± 2% K 额定功率 2A: ma 2A 2 H 厚度代码 2: (.2 ) F : 6 x 6 (.4 x.4 ) H : 2 x 2 (. x. ) P : 3 x 3 (.8 x.8 ) HR: 2 x 4 (. x. ) : 无镀层 : TiW - Pt - Au 2 : TiW - Pt TGB 短路快代码 2 3 长度代码 2:.2 :. :. 厚度代码 宽度代码 3:.3 2:.2 :. :. 2:.2 标准品 标准品 型号 电阻值 (Ω) 电阻代码 () () 配置 型号 () t () t SAWK2A2H SA Series - TGB SAW2K2A2F SA Series - TGB SAW2K2A2H SA Series - TGB SAWK2A2F SA Series - TGB SAWK2A2H SA Series - TGB SAWK2A2HR SA Series - TGB SAWK2A2P SA Series - TGB SAW7K2A2HR SA Series - TGB SAWK2A2H SA Series - TGB SAWK2A2HR SA Series - TGB SAW2K2A2H SA Series - 2 SAW2M2A2H SA Series - 3 MBW2K2A2P MB Series MBW2K2A2P MBWK2A2P MB Series MB Series 客户定制指南 MBW7K2A2P MBWK2A2P MB Series MB Series 参数 可定制规格 注 : 按公制单位 () 制造, 英制单位 () 仅供参考 长 : L.2-2. 电阻温度特性 (TCR) - + / - ppm / C(@ - C to + 8 C) 宽 : W 厚 : t 电阻额定功率 < 7 C 阻抗率 3 - Ωm ( 名义值 ) 耐热性 32 C 分钟 (N2 环境 ) 6

10 HCT 薄膜陶瓷基板 单层电容选项 HCT 是结合了 4 多年的陶瓷, 机械加工, 晶圆加工及金属薄膜化技术制作而成的薄膜陶瓷基板 针对于小型化的高速通信设备, 我们提供高精度的电路制作, 侧面镀金, 薄膜电阻嵌入与 AuSn 焊接点预留 金锡焊料预置 金锡焊料可以预置到任何 Tecdia A 型 ( 留边 ) 和 C 型 ( 无留边 ) 电容上, 以便更容易和更快地进行共晶焊工艺 侧面镀金 预置金锡焊料点 底面镀金 底面不镀金是指底面层不含金镀层 可以降低成本但是只能用银胶贴装 包装方法 包装方法 标准包装 材质 颜色 盒装 ABS White / Natural 2 inch 99.6% 氧化铝或氮化铝 7 W/m*K 集成薄膜电阻 定制包装 盒装 材质 Conductive PC 颜色 Black 2 inch 厚度 :. - 3 蓝膜包装 ( 有环 ) 蓝膜包装 ( 无环 ) PVC PVC Blue Blue Φ 6 inch 7.87 inch * 如您有指定盒装的请与我们联系 7 8

SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :

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