表二 高職數位教材發展與推廣計畫 - 電子學科單元教案設計表 教學目標 單元編號 單元名稱 JFET 之構造及特性對應之課綱 8-1 JFET 之構造及特性預計本單元總教學時間 45 分鐘 1. 以動畫呈現接面型場效應電晶體結構與單一載子運作情形 單元目標 2. 以動畫呈現 JFET 在
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1 表二 高職數位教材發展與推廣計畫 - 電子學科單元教案設計表 教學目標 單元編號 8-- 單元名稱 JFET 之構造及特性對應之課綱 8- JFET 之構造及特性預計本單元總教學時間 45 分鐘. 以動畫呈現接面型場效應電晶體結構與單一載子運作情形 單元目標 2. 以動畫呈現 JFET 在不同偏壓下通道變化情形, 說明壓控電流的工作方式 3. 運用電路模擬方式, 操作得出 JFET 偏壓總表 具體目標. 能分辦 JFET 電路符號與種類 ( 例如 : 能說出 能寫出 能列舉 能運用 ) 教學活動 2. 能了解 JFET 構造與符號差別對應 3. 能了解 JFET 壓控電流工作原理 4. 能運用輸入電壓控制輸出電流教學元件元件內容說明時間編號類型時間 準備活動 內容講解 FET 分類, 結構與符號判別 5 分鐘 8--- 動畫 分鐘. 設計一個互動式場效電晶體 (FET) 分類表 2. 點選 JFET MOSFET 空乏型 MOSFET 增強型 MOSFET, 可顯示 / 隱藏其下分類, 並顯示說明此元件的閘極接觸與工作方式 JFET: 閘極直接 PN 接觸, 閘極工作逆向偏壓 MOSFET: 間隔一層二氧化矽 (SiO2) 間接接觸, 閘極視元件結構與工作模式需求決定正負電壓
2 空乏型 MOSFET: 具有預設通道, 閘極電壓可正可負 增強型 MOSFET: 無實質通道, 閘極電壓視通道決定正負 3. 製作 符號 結構 核取方塊, 供使用者勾選顯示 元件名稱種類符號結構 N 通道 JFET P 通道 空乏型 MOSFET N 通道
3 P 通道 N 通道 增強型 MOSFET P 通道 發 動畫示範 5 分鐘 動畫 3 分鐘. 設計一個互動式 JFET 偏壓設計元件 展活動 JFET 偏壓, 載子流 元件類型 N 通道 JFET P 通道 JFET 汲源極電壓 VDS 正電壓 負電壓 閘源極電壓 VGS 正電壓 負電壓 載子流 工作偏壓表格 填入 檢查 VDS VDS VGS VGS
4 2. 製作 元件類型 群組方塊, 內含 N 通道 JFET P 通道 JFET 圓型按鈕, 供使用者點選切換使用元件類型 3. 製作 汲源極電壓 VDS 群組方塊, 內含 正電壓 負電壓 圓型按鈕, 供使用者點選切換 VDS 正負電源 4. 製作 閘源極電壓 VGS 群組方塊, 內含 正電壓 負電壓 圓型按鈕, 供使用者點選切換 VGS 正負電源 5. 製作 載子流 核取方塊, 供使用者勾選動態顯示 6. 製作 工作偏壓表格 核取方塊, 供使用者勾選顯示 元件類型 VGS VDS N 通道 JFET - + P 通道 JFET + - 按下 填入, 則將目前點選之 VGS 與 VDS 電壓正負填入表格 2 按下 檢查, 則檢查表格內填入資料是否正確 3 若正確, 則出現叮咚聲, 並顯示 O; 若錯誤, 則出現哦喔聲, 並顯示 X, 再出現 正解 7. VGS 滑動軸, 分成三段互動式顯示結構與電流的變化情形 N 通道 JFET VGS VGS 負電壓時 VGS 正電壓時結構變化電流表變化結構變化電流表變化
5 上 ( 中 ( 2 下 (0) 2P 通道 JFET VGS VGS 正電壓時 VGS 負電壓時 結構變化電流表變化結構變化電流表變化 上 ( 中 ( 2
6 下 (0) 發展活動 動畫示範 JFET 通道夾止現象 0 分鐘 動畫 3 分鐘. 設計一個互動式 JFET 通道夾止元件 2. 製作 元件類型 群組方塊, 內含 N 通道 JFET P 通道 JFET 圓型按鈕, 供使用者點選切換使用元件類型 3.VGS 滑動軸與 VDS 滑動軸, 分段互動式顯示結構變化的情形 N 通道 JFET(VGS(P)<0) VGS VDS 結構變化 VGS VDS 結構變化 上 ( 下 ( 低 ) 上 ( 中 ( 2 VGS(P) )
7 中 ( 2 下 ( 低 ) 中 ( 2 中 ( 2 VGS(P) ) 下 (0) 下 ( 低 ) 下 (0) 中 ( 2 VGS(P) ) 上 ( 上 ( VGS(P) ) 中 ( 2 上 ( VGS(P) ) 下 (0) 上 ( VGS(P) ) 2P 通道 JFET(VGS(P)>0) VGS VDS 結構變化 VGS VDS 結構變化
8 上 (VP) 下 ( 低 ) 上 ( 中 (- 2 中 ( 2 下 ( 低 ) 中 ( 2 中 (- 2 下 (0) 下 ( 低 ) 下 (0) 中 (- 2 上 ( 上 (- 中 ( 2 上 (-
9 下 (0) 上 (- 發展活動 動畫示範 JFET 通道夾止物理特性 5 分鐘 動畫 分鐘 以動畫元件 : JFET 通道夾止物理特性 輔助說明以下概念 :. 通道夾止是指空乏區不能夠再繼續延伸, 不表示電流通道被空乏區夾斷, 因此仍有電流通過通道, 夾止現象產生時, 電流達到飽和不再增加 2. 當 VDS> VDS(sat) 時, 通道雖然夾止但並沒有完全封閉, 仍然會有一條微小寬度的通道存在著, 這個微小的通道具有非常大的電阻, 成為限制電流的瓶頸, 導致 IDS 電流趨於飽和, 而不隨著汲極電壓 VDS 的持續升高而增加 2. 當 VDS>VDS(sat) 而超過夾止電壓時, 在通道中的夾止區會往源極延伸, 最後將通道與汲極隔絕, 此時一個很強的平行電場會出現在夾止狀態的隔絕區, 電場方向從空乏區內隔絕層的正游離施體離子 (Nd+) 指向通道內的電子, 這樣強的電場引導通道內的電子到達通道的頂端, 並穿越隔絕區內所剩的微小通道移動到汲極端, 而形成 IDS 電流
10 綜合活動 評量 Ⅰ 3 分鐘 動畫 分鐘. 以連連看元件, 將正確的符號與名稱連起來 請將符號與名稱相同者連起來 JFET D-MOS E-MOS 綜合活動 評量 Ⅱ 2 分鐘 動畫 分鐘. 使用拖曳方式, 將元件依 P 通道與 N 通道分類 綜合活動 評量 Ⅲ 5 分鐘 動畫 分鐘. 設計一個互動式題庫元件 2. 功能包含 可供使用選擇測驗題數,2 若正確, 則出現叮咚聲, 並顯示 O; 若錯誤, 則出現哦喔聲, 並顯示 X, 再出現正解 3. 題庫如下 :
11 ( D ).JFET 的工作原理是控制 (A) 通道中的導電係數 (B) 通道接面的電流 (C) 通道中的載子濃度 (D) 通道空乏區的厚度 ( B ) 2. 當 JFET 進入飽和區工作時, 其電流開始維持定值, 此係因通道的哪一端產生夾止? (A) 閘極 (B) 汲極 (C) 源極 (D) 汲極與源極同時 ( D ) 3.P 通道場效電晶體 (FET) 之電荷載子為 (A) 電子 (B) 主載子為電洞 副載子為電子 (C) 主載子為電子 副載子為電洞 (D) 電洞 ( A ) 4.FET 是利用 (A) 電場控制之元件 (B) 磁場控制之元件 (C) 電流控制之元件 (D) 電磁場控制之元件 ( D ) 5. 對 N 通道 JFET 而言, 通道電流為何種載子? (A) 多數載子為電子, 少數載子為電洞 (B) 多數載子為電洞, 少數載子為電子 (C) 單一載子電洞 (D) 單一載子電子 ( A ) 6. 下列哪一種元件是靠單一種載子來傳送電流? (A)FET (B) 雙極性電晶體 (C) 二極體 (D)SCR ( D ) 7. 有關場效電晶體 (FET) 之敘述下列何者錯誤? (A) 一般可分為 JFET 及 MOSFET 二類 (B) 可分成 N 通道及 P 通道兩種 (C)MOSFET 又分成空乏型及增強型兩類 (D) 輸入阻抗較雙極性電晶體為低 ( A ) 8. 下列有關場效電晶體的特性敘述, 何者正確? (A) 單載子元件 (B) 電流控制元件 (C) 雙極性元件 (D) 汲源極之阻抗很大 ( C ) 9. 下列敘述何者正確? (A)FET 為電流控制,BJT 為電壓控制 (B)FET 為雙極性,BJT 為單極性 (C)FET 輸入阻抗高,BJT 輸入阻抗低 (D) 以上皆非 ( C ) 0.FET 之工作原理是控制 (A) 通道中之載子濃度 (B) 流過接面電流 (C) 通道寬度 ( 厚度 ) 大小 (D) 流過閘極電流 合計 : 45 分鐘 合計 : 分鐘 7 個元件可供設計參考資源列表 參考資源 ( 線上資源或參考書籍 ) 簡述 電子學 Ⅱ 王金松, 電子學 Ⅱ, 全華科技圖書有限公司,2009 電子學 Ⅱ 徐慶堂 黃天祥, 台科大圖書股份有限公司,200
12 電子學 ( 上 ) 劉博文, 電子學 ( 上 ), 全威圖書有限公司,2006 Microelectronics:Circuit Analysis and Design,3 rd Microelectronic circuits,6 th Donald A. Neamen, Microelectronics:Circuit Analysis and Design,3 rd ed.,mcgraw-hill,2007 Adel S. Sedra/Kenneth C. Smith, Microelectronic circuits,6 th ed.,oxford University Press,20 中興大學物理系孫允武教授應用電子學上課講義
ch05
物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 授課 老師 : 輔仁 大學物理系副教授張敏娟 2015 spring 1 物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 BJT 電晶體 基本原理 1 BJT 電晶體把 N 型和 P 型半導體, 再組合, 變成電晶體 BJT 電晶體 是一個把訊號放大的元件 3 BJT 電晶體 三端元件 4 BJT 有兩種組成 NPN 型 PNP 型 5 N
Q expert-完成出卷
1. ( ) 下列敘述何者錯誤? 104-1 高二電子學 H5 電晶體直流偏壓電路 (A) 電晶體的工作點又稱為 Q 點 () 更換不同 β 值的電晶體, 會影響電路的工作點 () 電晶 體欲用在線性放大電路時, 須工作於飽和區 (D) 線性放大器常用來做小信號放大 2. ( A ) 電晶體當放大器使用時, 須工作於 (A) 作用區 () 飽和區 () 截止區 (D) 以上皆非 3. ( ) 電晶體當放大器使用時,
電子學(全)大會考題庫
電子學大會考 1 100 學年度電子學 ( 全 ) 大會考題庫 一 請寫出下列英文專有名詞之中文名稱 (1) doping (2) semiconductor (3) diode (4) insulator (5) barrier potential (6) bias (7) Filter (8) rectifier (9) DC power supply (10) ripple (11) Gain
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Ⅰ Ⅱ1 2 Ⅲ Ⅳ 1 1 2 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ~ 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 ~ 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 ~ 46 47 ~ ~ 48 49 50 51 52 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63
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Ⅰ Ⅱ1 2 Ⅲ Ⅳ 1 2 1 Microsoft Word 四校之八_公告試題_-1.doc
准考證號碼 : ( 請考生自行填寫 ) 專業科目 ( 一 ) 電機類 電子類 電子學與電路學 注意事項 1. 請核對考試科目與報考類別是否相符. 請檢查答案卡 座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷共 40 題, 每題.5 分, 共 100 分, 答對給分, 答錯不倒扣 4. 本試卷均為單一選擇題, 每題都有 () () (C) (D) 四個選項, 請選一個最適當答案,
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100 年務人員特種考試一般警察人員考試 100 年務人員特種考試警察人員考試及 100 年特種考試交通事業鐵路人員考試試題等別 : 佐級鐵路人員考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意 考試時間 :1 小時座號 : 代號 :3909 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 本科目共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
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106 年公務人員特種考試警察人員 一般警察人員考試及 106 年特種考試交通事業鐵路人員 退除役軍人轉任公務人員考試試題 頁次 :101 考試別 : 鐵路人員考試等別 : 佐級考試類科別 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 : 1 小時座號 : 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,
Ⅰ Ⅱ1 2 Ⅲ Ⅳ ! " # $ 交通部臺灣鐵路管理局 108 年營運人員甄試試題 應試類科 : 營運員 - 電務 / 電務 ( 產學合作 ) 測驗科目 2: 電子學概要 作答注意事項 1 應考人須按編定座位入座, 作答前應先檢查答案卡 測驗入場通知書號碼 桌角號 碼 應試科目是否相符, 如有不同應立即請監試人員處理 使用非本人答案
交通部臺灣鐵路管理局 108 年營運人員甄試試題 應試類科 : 營運員 - 電務 / 電務 ( 產學合作 ) 測驗科目 2: 電子學概要 作答注意事項 1 應考人須按編定座位入座, 作答前應先檢查答案卡 測驗入場通知書號碼 桌角號 碼 應試科目是否相符, 如有不同應立即請監試人員處理 使用非本人答案卡作答者, 不予計分 2 答案卡須保持清潔完整, 請勿折疊 破壞或塗改測驗入場通知書號碼及條碼, 亦不得書寫應考人姓名
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Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ 2 2 3 4 5 6 7 8 2 3 4 1 1 5 6 7 8 10 1 2 1 2 11 12 1 1 13 14 1 1 15 16 1 1 1 17 2 3 18 4 19 20 21 1 1 22 1 1 23 1 1 24 25 1 2 3 1 2 3 26 1 2 1 2 27 1 1 29 30 31 ~ 32 1 1 ~ ~ ~ ~ ~ ~ 33 ~
2009高考英语满分作文大全
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認識二極體及電晶體特性曲線 一 實習目的 (1) 了解二極體及電晶體基本結構 (2) 認識二極體及電晶體的種類與特性 (3) 了解二極體及電晶體特性曲線的量測與及描繪 二 使用材料 零件名稱 零件值 數量 電阻 10 Ω 2 電阻 100 Ω 1 電阻 1 KΩ 1 電阻 1.5 KΩ 1 電阻 10 KΩ 1 可變電阻 10 KΩ 1 可變電阻 100 KΩ 1 二極體 1N4004 1 齊納二極體
Microsoft PowerPoint - 03_第一章 了解 TFT LCD_(3)_列印.ppt
第一章了解 TFT LCD (3/3) 大綱 1.1 了解顯示器 1.2 液晶顯示器 (Liquid Crystal Display, LCD) (Thin-Film Transistor, TFT) 1.5 名詞解釋 現今絕大部分的 TFT LCD 中所使用的薄膜電晶體 (Thin-Film Transistor, TFT), 均是採用非晶矽所製成 若無特別聲明, 均是針對非晶矽 (Amorphous
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Ⅰ Ⅱ Ⅲ1 2 Ⅳ1 2?
? Ⅰ Ⅱ Ⅲ1 2 Ⅳ1 2? 1 7 1 2 7 2 8 3 3 3 3 4 4,4 4 9 5 5 5 5 6 6 6 6 8 8 8 9 9 10 10 10 10 11 11 1 11 12 12 12 12 21 13 13 13 13 14 24 14 14 25 15 15 15 15 16 16 16 17 17 18 19 19 20 20 20 21 21 22 22 22 23
電機與電子群電機類 電機與電子群資電類專業科目 ( 一 ) 注意 : 考試開始鈴 ( 鐘 ) 響前, 不可以翻閱試題本 105 學年度科技校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗試題本電機與電子群電機類電機與電子群資電類 專業科目 ( 一 ): 電子學 基本電學 公告試題 注意事項 ˉ 1. 請核對考
注意 : 考試開始鈴 ( 鐘 ) 響前, 不可以翻閱試題本 105 學年度科技校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗試題本電機與電子群電機類電機與電子群資電類 專業科目 ( 一 ): 電子學 基本電學 公告試題 注意事項 1. 請核對考試科目與報考群 ( 類 ) 別是否相符 2. 請檢查答案卡 ( 卷 ) 座位及准考證三者之號碼是否完全相同, 如有不 符, 請監試人員查明處理 3. 本試卷分兩部份,
99學年度電機資訊學院－電子與資訊基本能力會考
101 學年度電機資訊學院 - 電子與資訊基本能力會考 系級 : 系年班學號 : 姓名 : 選擇題, 共 60 題 ( 每題 2 分 ) ( B ) 1. 價電子是位於 (A) 最接近原子核的軌道 (B) 距離原子核最遠的軌道 (C) 繞著原 子核的不同軌道 (D) 與任何原子無關 ( C ) 2. 在半導體材料中加入五價雜質的目的是 (A) 降低矽晶體的導電性 (B) 增加電洞 的數目 (C) 增加自由電子的數目
(Microsoft Word -
第一部份 : 基本電學 1. 某手機待機消耗功率為 36 mw, 假設其電池額定規格為.5 /70 mah, 若在理想情況下電池充飽電, 試問最多可待機多少小時? (A) 30 小時 (B) 50 小時 (C) 70 小時 (D) 90 小時. 某直徑為 1.6 mm 單芯線的配線回路, 其線路電壓降為 5%; 若將導線換成相同材質的.0 mm 單芯線後, 則其線路電壓降約為多少? (A) 1.6%
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第一部份 : 基本電學 1. 某一 2 馬力發電機輸入電壓有效值為 110 V, 若其效率為 85%, 則其輸入電流有效值約為多少? (A) 1 A (B) 14 A (C) 15 A (D) 16 A 2. 如圖 ( 一 a) 所示電路, 圖 ( 一 b)( 一 c) 為同材質兩導體電阻 R 1 R 2 之結構圖, 求電路電流 I 為多少? 圖 ( 一 a) 圖 ( 一 b) 圖 ( 一 c) (A)
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(field effect transistor FET) 都 不 理 不 FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) 流 流 不 流 流 洞流 利 流來 n (n-channel FET) 利 洞流來 p (p-channel FET)n FET n (channel) 流 流 p FET 洞 p (channel) 流 流 來 類 1 n p FET
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Ⅰ Ⅱ 1 2 Ⅲ Ⅳ 1 2 3 4 2 ~ 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1 20 1 ~ 21 1 22 1 23 1 24 1 25 1 26 1 27 1 28 1 29 1 30 1 ~ 31 1 32 1 33 1 34 1 35 ~ 1 36 1 37 1 38 1 39 1 40 1 41 ~ 1 42 1 43 1 44
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PowerPoint 演示文稿
教 育 部 高 等 学 校 教 学 指 导 委 员 会 全 国 工 程 教 育 专 业 认 证 电 子 设 计 工 程 师 认 证 与 面 向 工 程 教 育 的 电 子 信 息 类 基 础 课 程 教 学 王 志 功 教 育 部 高 等 学 校 电 工 电 子 基 础 课 程 教 学 指 导 委 员 会 主 任 中 国 工 程 教 育 电 子 信 息 与 电 气 工 程 类 专 业 认 证 分 委
CIP / ISBN Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. - Ⅳ. E CIP ISBN 7-8
2004 CIP /. - 1996. 3 ISBN 7-80023-968-3 Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. - Ⅳ. E297. 4 CIP 96 03988 8796 100080 6 1 18 010 82517246 880 1230 32 14 305 1996 4 1 2004 4 2 1 ISBN 7-80023-968-3 /K888 28. 00 1 1945 8 11 2 1932 1840
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ⅠⅡ 1 2Ⅲ 1 2 Ⅳ Ⅲ Ⅳ Ⅴ ~ ~ Ⅰ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
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一量动…
语 言 教 学 与 研 究,1998(3):102-113. 一 量 VP 的 语 法 语 义 特 点 李 宇 明 根 据 量 词 的 不 同, 一 量 VP 可 以 分 为 三 类 : (1) 畜 力 车, 哪 怕 是 牛 车, 竟 一 辆 没 有 ( 陈 冲 不 自 然 的 黑 色, 十 月 1989 年 6 期 34 (2) 一 刻 都 不 敢 离 开 你 呢 ( 小 牛 上 路 谣, 当 代
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國家圖書館典藏電子全文
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专业主干课程与主要专业课程教学大纲（2009年、2011年）.doc
... 1... 4... 9... 12... 16... 20... 23... 26... 30... 33... 36 Electric Circuits 00440021 64 0 0 4 1 2 Y- 3 4 ZYT H 5 Analog Electronic Technique 00440041 54 14 0 3.5 1. 2. 1. 2. 3. RC 4. 5. 1. 20 2.
100 年公務人員特種考試原住民族考試試題 等別 : 五等考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 : 1 小時座號 : 代號 :3506 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 本科目共 40 題, 每題 2.5 分,
100 年公務人員特種考試原住民族考試試題 等別 : 五等考試類科 : 電子工程科目 : 電子學大意考試時間 : 1 小時座號 : 頁次 :8-1 注意 : 本試題為單一選擇題, 請選出一個正確或最適當的答案, 複選作答者, 該題不予計分 本科目共 40 題, 每題 2.5 分, 須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記, 於本試題上作答者, 不予計分 可以使用電子計算器 1 N 通道增強型 (Enhancement
Microsoft Word - 論文目錄_三校_.doc
國立交通大學 理學院應用科技學程 碩士論文 整合型溝渠式功率接面場效電晶體與蕭特基阻障二極體 Power Trench Junction Field Effect Transistor Integrated with Schottky Barrier Diode 研究生 : 劉莒光 指導教授 : 羅正忠教授 龔正教授 中華民國九十八年六月 整合型溝渠式功率接面場效電晶體與蕭特基阻障二極體 Power
(CIP) /. :,2004 ISBN7 5045 4425 6 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 1 2 Ⅳ D922 519 CIP (2004) 007269 ( 1 :100029) : 787 960 32 1 625 30 2004 2 1 2004 2 1 : :4 00 :010 64929211 :0
(CIP) /. :,2004 ISBN7 5045 4425 6 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 1 2 Ⅳ D922 519 CIP (2004) 007269 ( 1 :100029) : 787 960 32 1 625 30 2004 2 1 2004 2 1 : :4 00 :010 64929211 :010 64911190 :htp://www.clas.com.cn 010 64911344 ( )(1953
军事十万个为什么 军事约章
(CIP) /,.- :,2002.7 ( ) ISBN7-80641-489-4 Ⅰ. Ⅱ.1 2 Ⅲ.1 - - 2 - - 3 - - Ⅳ.1E163-492D995-49 CIP (2001)077241 : ( : 66 :0371 5751257 :450002) : : :890mm 1240mm A5 :11.5 :1 :254 :1-3000 :20027 1 :20027 1 :ISBN7-80641-489-4/E
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Microsoft PowerPoint - chapter_10_CH
積體電路偏壓和主動負載 電晶體電流源 具主動負載之電路 小訊號分析 : 主動負載電路 電阻電路不適用於積體電路 電阻需要比電晶體相對較大的面積 電阻需要耦合和旁路電容 於 C 中, 幾乎不可能作出 μf 等級的電容 積體電路中, 可考慮電晶體電路作偏壓和負載元件 電晶體電流源 提供固定輸出電流之各式雙極性電晶體電路 提供固定輸出電流之各式場效電晶體電路 - 電路分析與特性了解 電晶體作負載元件 (
Ⅲ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅱ Ⅱ ~ Ⅲ μ 1 2 1 2 3 1 2 3 4 1 2 3 1 附 件 :2015 年 度 普 通 高 等 学 校 本 科 专 业 备 案 和 审 批 结 果 教 育 部 2016 年 2 月 16 日 抄 送 : 国 家 发 展 改 革 委 财 政 部 国 家 卫 生 计 生 委 国 家 中 医 药 管 理 局 部 内 发 送 : 有 关 部 领 导, 办 公
教 高 函 [2016]2 号 教 育 部 关 于 公 布 2015 年 度 普 通 高 等 学 校 本 科 专 业 备 案 和 审 批 结 果 的 通 知 各 省 自 治 区 直 辖 市 教 育 厅 ( 教 委 ), 新 疆 生 产 建 设 兵 团 教 育 局, 有 关 部 门 ( 单 位 ) 教 育 司 ( 局 ), 部 属 各 高 等 学 校 : 根 据 普 通 高 等 学 校 本 科 专 业
實驗八 數位邏輯 實驗大綱 : 一 邏輯訓練器的介紹簡介 二 LED 的電路操作 三 了解基本邏輯閘的應用邏輯閘的應用 (AND,OR,NOT,NAND,NOR,) 四 邏輯閘的組合應用 ( 數個連接起來做應用, 卡諾圖訓練 ) 實驗原理 : 一 邏輯訓練器的介紹 OFF ON
實驗八 數位邏輯 實驗大綱 : 一 邏輯訓練器的介紹簡介 二 LED 的電路操作 三 了解基本邏輯閘的應用邏輯閘的應用 (ND,OR,NOT,NND,NOR,) 四 邏輯閘的組合應用 ( 數個連接起來做應用, 卡諾圖訓練 ) 實驗原理 : 一 邏輯訓練器的介紹 OFF ON 7 6 5 4 3 2 POWER U-3 STRIGHT HEDER HI :RED LO:NO DISPLY +V -V
99學年度電機資訊學院－電子與資訊基本能力會考
102 學年度電機資訊學院 - 電子與資訊基本能力會考 系級 : 系年班學號 : 姓名 : 選擇題, 共 60 題 ( 每題 2 分 ) ( D ) 1. 在室溫時, 純質半導體中 (A) 沒有自由電子 (B) 沒有電洞 (C) 自由電子比電洞多 (D) 自由電子與電洞一樣多 ( B ) 2. 二極體在順向偏壓下會 (A) 變成開路 (B) 傳導電流 (C) 存在高的阻抗 (D) 產生 很大的電壓降
CIP / ISBN Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. - Ⅳ. C CIP / ISBN /C27
CIP /. - 2005. 6 ISBN 7-80171 - 638-8 Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. - Ⅳ. C933. 2 CIP 2005 032881 1 100007 787 1092 1 /16 2005 5 1 2005 5 1 1-3000 ISBN 7-80171 - 638-8 /C27 998. 00 1 1075 1075 1075 1076 1076 1077 1077 1078
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Microsoft Word - 第1章講義與作業0418.doc
第 1 章半導體材料與特性講義與作業 一 本質半導體 1. 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料 ( 不掺雜, 純矽 Si) 2. 電子與電洞之密度相同, 因皆由熱產生 3. 本質載子濃度 = p = i = BT 3/ 2 e Eg 2kT 其中, B 為常數, 與特定之半導體材導有關 Eg 與溫度之關係不重 k 為 Boltzma 常數 =86 10-6 ev/ K Example 1.1:
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? ⅠⅡⅢ Ⅳ 1 2 1 2 1 2 3 4 5 1 2 3 4 5 6 ~ 7 1 1 8 ~ ~ ~ ~ 9 1 2 10 11 12 2 1 13 2 2 14 15 3 1 16 17 3 2 18 19 4 1 20 4 2 21 22 23 5 1 24 5 2 25 26 6 1 ~ 27 6 2 28 29 30 7 1 31 7 2 32 33 34 8 1 35 8 2 36
Microsoft Word - 電路學、電子學試題R3-A
經濟部所屬事業機構 104 年新進職員甄試試題類別 : 電機 ( 甲 ) 儀電 通信節次 : 第二節科目 :1. 電路學 2. 電子學 注意事項 1. 本試題共 6 頁 ( 含 A3 紙 1 張 A4 紙 1 張 ) 2. 可使用本甄試簡章規定之電子計算器 3. 本試題為單選題共 50 題, 前 25 題每題各 1.5 分 其餘 25 題每題 2.5 分, 共 100 分, 須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答,
公職王歷屆試題 (106 經濟部新進職員甄試 ) 共 7 頁第 1 頁 經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題 類別 : 電機 ( 乙 ) 科目 :1. 計算機概論 2. 電子學 下列何者為死結 (Dead Lock) 預防方式? 互斥允許搶奪資源循環等待持有並等待 定義一個遞迴公式 :f(
共 7 頁第 1 頁 經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題 類別 : 電機 ( 乙 ) 科目 :1. 計算機概論 2. 電子學 下列何者為死結 (Dead Lock) 預防方式? 互斥允許搶奪資源循環等待持有並等待 定義一個遞迴公式 :f(0)=2,f(1)=3,f(j)=f(j-1)+f(j-2),if j>1, 則 f(5) 為下列 何者? 21 13 27 35 下列何者不適合陣列
CIP /. - 2005. 8 ISBN 7-80171 - 638-8 Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. - Ⅳ. C933. 2 CIP 2005 032885 1 100007 787 1092 1 /16 2005 8 1 2005 8 1 1-3000 ISBN 7-80171 - 638-8 /C 27 998. 00 1 1426 1426 1426 1430 1451 1451 1455 1457
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Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ 獉獉 獉獉 獉獉獉獉獉 獉 獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉 獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉獉 ~ ~ τεχνη 
Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ ~ 1 2 1 2 1 2 3 4 1 2 ~ 1 2 3 4 5 6 7 Ⅳ 1 2 3 4 5 1 <4D6963726F736F667420576F7264202D20C9BDB6ABD6D0D2BDD2A9B4F3D1A732303132C4EAB1BEBFC6BDCCD1A7D6CAC1BFB1A8B8E63230313330312E646F63>
山 东 中 医 药 大 学 Shandong University of TCM 2012 年 本 科 教 学 质 量 报 告 二 一 三 年 一 月 校 训 博 厚 学 德 笃 怀 行 仁 第 一 部 分 本 科 教 学 基 本 情 况 山 东 中 医 药 大 学 创 建 于 1958 年,1978 年 被 确 定 为 全 国 重 点 建 设 的 中 医 院 校,1981 年 成 为 山 东 省
(CIP) / : 006 7 ISBN7 5035 3487 7 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ A8 69 CIP (006) 06383 : 00 :(00)6805800 ( ) (00)680586 ( ) :0009 :www.dxcbs.net 006 7 006 7 :787 960 /6 : 5 :365 :-5000 :8 00 95 98 9 ( ) 99 6 993 6 996 998 999
臺北捷運公司 103 年 2 月 22 日新進助理工程員 ( 電機類 ) 甄試試題 - 電機概論 選擇題 : 每題 2 分, 共 50 題, 計 100 分 請務必填寫姓名 :. 應考編號 : 三個電阻分別為 4 Ω 8 Ω 及 8 Ω, 串聯的總電阻為 (1) 20 Ω (2) 12
選擇題 : 每題 分, 共 50 題, 計 00 分 請務必填寫姓名 :. 應考編號 :.. 三個電阻分別為 4 Ω 8 Ω 及 8 Ω, 串聯的總電阻為 () 0 Ω () Ω (3) 6 Ω Ω. 4 兩個電容分別為 3 μf 及 6 μf, 串聯的總電容為 () 8 μf () 9 μf (3) 6 μf μf 3. 3 圖 中, 若 V 為 0 V, 則 V 為 () 80 V () 60
99學年度電機資訊學院－電子與資訊基本能力會考
104 學年度電機資訊學院 - 電子與資訊基本能力會考 系級 : 系年班學號 : 姓名 : 選擇題, 共 60 題 ( 每題 2 分 ) ( B ) 1. 在矽材料中加入三價雜質, 就會 (A) 降低矽晶體的導電性 (B) 增加電洞的數目 (C) 增 加自由電子的數目 (D) 產生少數載子 ( D ) 2. 在室溫時, 純質半導體中 (A) 沒有自由電子 (B) 沒有電洞 (C) 自由電子比電洞多
4.1 The MOSFET Amplfer (1 前言 : 線性放大器 : 放大輸入訊號, 產生大於且正比於輸入訊號之輸出訊號 小訊號 (small sgnal 可使 MOSFET 的 ac 等效電路線性化, 因而可使用重疊定理, 即可分開處理 dc 與 ac 分析 圖解技巧 :dc 負載線 ac
Ch4 Basc FET Amplfers Prevew 4.1 The MOSFET Amplfer 4. Basc Transstr Amplfer Cnfguratns 4.3 The Cmmn-Surce Amplfer 4.4 The Cmmn-ran (Surce-Fllwer Amplfer 4.5 The Cmmn-Gate Cnfguratn 4.6 The Three Basc
单位代码：10698
001 机 械 工 程 学 院 含 推 免 生 160. 拟 招 收 推 免 生 人 数 学 术 型 215 以 087200 设 计 学 1 101 思 想 政 治 理 论 复 试 科 目 : 设 计 测 试 01 设 计 学 3 701 工 业 设 计 思 想 基 础 4 801 设 计 能 力 与 经 验 测 试 080200 机 械 工 程 01 机 械 制 造 及 其 自 动 化 1 101
POWER MOSFET與IGBT之基礎知識
POWER MOSFET 與 IGBT 之基礎知識今天,POWER MOSFET(POWER METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR: 大功率金屬氧化物半導體場效電晶體 ) 已成為大功率元件 (POWER DEVICE) 的主流, 在市場上居於主導地位 以電腦為首之電子裝置對輕薄短小化以及高機能化的要求帶動 POWER MOSFET 的發展,
2003 2003 7 1 9 16 27 42 47 52 59 65 70 76 79 82 86 95 99 105 110 117 122 127 132 140 144 149 153 160 165 170 175 181 186 190 194 198 2 204 207 211 217 224 234 3 CIP /. 2003. 10 ISBN 7-81067-519-2 Ⅰ. Ⅱ.
SOCIAL SCIENCES ACADEMIC PRESS CHINA Ⅰ Ⅱ 2 Ⅲ Ⅳ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
( 二 ) 輔 導 店 家 建 立 電 子 商 務 平 台, 發 展 澎 湖 產 業 線 上 行 銷, 以 無 遠 弗 屆 的 電 子 商 務 跨 越 冬 季 遊 客 不 足 的 限 制, 活 絡 產 業 商 機 ( 三 ) 制 訂 影 視 媒 體 行 銷 澎 湖 獎 勵 條 例, 提 供 獎 勵
劉 陳 議 長 藍 副 議 長 各 位 議 員 女 士 先 生 : 欣 逢 貴 會 第 17 屆 第 1 次 臨 時 會, 乾 發 應 邀 前 來 向 貴 會 提 出 施 政 說 明 暨 介 紹 各 局 室 主 管, 至 感 榮 幸 首 先 要 恭 喜 各 位 在 競 爭 激 烈 的 選 戰 中 脫 穎 而 出 新 的 任 期, 期 盼 貴 會 對 縣 政 建 設 推 動 繼 續 給 予 匡 導 與
军事十万个为什么 兵书集粹
(CIP) /.- : 2002.7 ( ) ISBN7-80641-482-7 Ⅰ. Ⅱ.1 2 Ⅲ. - - Ⅳ.E89 CIP (2001)077248 : ( : 66 :0371 5751257 :450002) : : :890mm 1240mm A5 :12.25 :1 :278 :20027 1 :1-3000 :20027 1 :ISBN7-80641-482-7/E 017 :22.00
! EBOOK 27 350001 : 0591-83786691 : 0591-83726980 : www.fep.com.cn Email: webmaster@fep.com.cn Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
23-4cover
NANO COMMUNICATION 23 No.4 15 Effects of Annealing Process on RF poly-si TFTs with Various Channel Wire Widths : : Abstract The high-frequency performance of trigate polycrystalline silicon thin-film transistors
Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ ~ ~ ~ < E6577B0F2C2A6B971B8F42E747066>
農業自動化叢書 12 機電整合 第七章 國立嘉義大學生物機電工程學系暨研究所 / 楊朝旺助理教授 第一節 二極體... 123 第二節 雙極性接面電晶體... 124 第三節 閘流體... 126 第四節 運算放大器... 128 第五節 電源供應器... 129 基礎電路 第一節二極體二極體 (Diode) 是一種單向元件, 僅允許電流從一固定方向流過 在本節中, 您將學會順向與逆向偏壓的意義,
Microsoft Word - 小論文_718437張哲維&718848蔡政霖_.doc
投稿類別 : 工程技術類 篇名 : 作者張哲維私立中山工商綜合高中二年六班蔡政霖私立中山工商綜合高中二年六班 指導老師 : 吳明璋老師 壹 前言 在現今的電子工業的發展之中, 為了達到一些特殊效果, 進而發展出二極體, 這一種半導體電子元件 並且取代早期的真空管, 成為當前電子工業首要的的研發對象 體積小小的一塊半導體晶片, 就有一個功能強大的電子電路系統 而我會選擇以二極體為題的小論文, 住要是因為大多電子產品,
Microsoft PowerPoint - C_Structure.ppt
結構與其他資料型態 Janet Huang 5-1 結構的宣告 struct 結構名稱 struct 結構名稱變數 1, 變數 2,, 變數 m; struct 結構名稱 變數 1, 變數 2,, 變數 m; student; student; 5-2 1 結構變數初值的設定 struct 結構名稱 struct 結構名稱變數 = 初值 1, 初值 2,, 初值 n student="janet","1350901",100,95
Microsoft PowerPoint - STU_EC2_Ch04.ppt
樹德科技大學資訊工程系 Chapter 4: 雙極接面電晶體 (BJTs,Bipolar Junction Transistors) Shi-Huang Chen Spring 2010 1 Outline 4-1 BJT 結構 4-2 BJT 的基本工作原理 4-3 BJT 的特性和參數 4-4 BJT 當作放大器 4-5 BJT 當作開關 4-6 光電晶體 4-7 電晶體的封裝和接腳識別 2 1
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10 6, 地球的熱循環
52 2013 4 484 人類活動與 地球熱循環 46 不斷追求進步的我們, 殊不知在迅猛發展的同時, 已經陸續對地球的整個環境生態引爆一顆顆不定時炸彈, 所造成的傷害正逐漸擴大並增強中 10 6,000 500 地球的熱循環 3 2013 4 484 53 54 2013 4 484 工業革命後, 人類活動產生的熱迅速增加, 使地球原本趨於最適合人類活動的熱平衡必須重新調整 環境變遷 18 280
? 2004 CIP / ISBN Ⅰ. Ⅱ. 1 2Ⅲ. Ⅳ. F230 CIP cn U
XINBIAN CHENGBEN KUAIJI SHIXUN DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY PRESS ? 2004 CIP /. 2. 2004.8 ISBN 7-5611-2145-8 Ⅰ. Ⅱ. 1 2Ⅲ. Ⅳ. F230 CIP 2002 059631 116024 0411-84708842 0411-84701466 0411-84707961 E-mail
(CIP /. :,2007.1 ISBN978 7 5427 3600 0/G 924 Ⅰ.... Ⅱ.... Ⅲ. Ⅳ.Z228.2 CIP (2006 132246 ( 832 200070 htp://www.pspsh.com 890 1240 1/24 7 1 6 140000 2007 1 2007 1 1 ISBN978 7 5427 3600 0/G 924 :20.00 ,,,,,,,,
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C o n t e n t s 1 2 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7 7 1 1 ~ 1 8 2 3 4 1 2 3 4 ~ 9 1 2 3 4 1 2 3 4 ~ 10 11 1 2 3 1 2 3 12 1 1 1 2 13 1 2 14 1 2 1 2 ~ 15 16 1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 17 1 2
CIP /. - 1996. 11 ISBN 7-80107-115-8 Ⅰ. Ⅱ. 1 2 Ⅲ. - - - Ⅳ. D262. 6 CIP 96 23601 1 100813 850 1168 1 /32 14. 75 450 1997 1 1 1997 1 1 15000 21. 50 1 殐 檭檭檭檭檭 殐 殐 檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭檭 殐
,020 HRM HRM HRM 20
HRM HRM HRM HRM HRM HRM HRM HRM 2014 12 16 1 19 2009 9 301,020 HRM HRM HRM 20 HRM HRM HRM HRM HRM HRM 1 2 3 2014 12 16 1 21 HRM HRM HRM HRM HRM HRM HRM 43 22 HRM Oxford University Press 2,494 17 2014 12
ICTQ Question 6
電子學有效教學示範 ( 電晶體小訊號分析 ) 主講人 : 古紹楷指導教授 : 戴建耘 Psntaton By Tzu-W Chn 1 Dpatmnt of Industal duaton Natonal Tawan Nomal Unvsty 重點闗鍵詞 : 小訊號分析 英文闗鍵詞 :small sgnal analyss 教學重點 : 1. 學生能了解電晶體交流等效電路 2. 學生能理解小訊號分析步驟
無投影片標題
第六章 光伏元件 261 目錄 6-1 太陽能光譜 6-2 光伏元件的原理 6-3 pn 接面光伏 I-V 特性 6-4 串聯電阻和等效電路 6-5 溫度效應 6-6 太陽能電池材料, 元件和效率 262 6-1 太陽能光譜 263 Spectral Intensity dw cm -2 (µm) -1 or kw m -2 (µm) -1 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 Black body
100% 50% 50% 80% 20% 60% 40% 80% 20% 60% 40% 20
2 II 19 100% 50% 50% 80% 20% 60% 40% 80% 20% 60% 40% 20 22 3 3 6 6 5 6 5 7 4 5 50 4 4 3 3 6 5 6 6 6 6 4 5 50 5 3 3 6 7 5 6 4 7 4 5 50 6 2 4 6 7 5 6 4 7 4 5 50 7 2 4 6 7 5 6 4 7 5 4 50 8 2 4 6 7 5 6 4 7
CIP / ISBN Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. Ⅳ. F CIP www. economyph. com com A
CIP /. 2005. 1 ISBN 7-5017 - 6780-7 Ⅰ. Ⅱ. Ⅲ. Ⅳ. F713. 50-49 CIP 2004 122389 037 3 www. economyph. com barbarian80@sina. com A5 7 140 2005 1 1 2005 1 1 ISBN 7-5017 - 6780-7 /F5405 22. 80 68359418 68319282
Microsoft Word - 2013.12.12(医院论证会 讨论后修改稿) 昆明医科大学 四年制 康复治疗学专业 人才培养方案 2013.12.12（敖修）.doc
一 专 业 简 介 昆 明 医 科 大 学 四 年 制 康 复 治 疗 学 专 业 人 才 培 养 方 案 (100307) 昆 明 医 科 大 学 康 复 治 疗 学 专 业 于 2005 年 经 教 育 部 批 准 设 置 并 面 向 全 国 招 生 以 建 立 与 国 际 接 轨 课 程 体 系 为 目 标, 完 善 教 学 资 源, 与 香 港 理 工 大 学 合 作 按 照 国 际 惯 例
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? Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ ~ ~ ~ 1 1 1 1 1 2 3 4 5 1 2 3 4 1 2 3 4 5 1 2 1 1 2 3 4 5 6 7 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 1 2 1 2 1 2 1 1 2 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 1 2 3
第 5.1 節 5 章 雙極接面電晶體 基本雙極接面電晶體 5.1 (a) 偏壓在順向主動模式下之雙極電晶體的基極電流為 ib = 6.0 µa 而集極電流為 ic = 510 µa 求出 β α 及 ie (b) 若 ib = 50 µa 且 重做 (a) 部分 5.2 (a) 某特定種類電晶體之
430 設計電晶體電路之直流偏壓以符合特定直流電流及電壓 並穩定 Q 點使其抵抗電晶體參數之變動 應用直流分析與設計技巧於多級電晶體電路中 復習問題 1. 欲使電晶體偏壓於順向主動模式下 加在 npn 雙極電晶體上所需 之偏壓電壓為何 2. 定義 pnp 雙極電晶體操作在截止 順向主動模式 飽和模式下之 條件 3. 定義共基極電流增益及共射極電流增益 4. 討論交流及直流共射極電流增益之差別 5.
qing shao nian cheng cai bao dian 瑔瑣 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ 1 女性视野下的明清小说
(CIP) /. :, 2009.7 ISBN978-7-5333-2227-4 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ I207.41-53 CIP (2009) 111873 39 250001 www.qlss.com.cn qlss@sdpress.com.cn 850 1168 1/32 9.75 260 2009 7 1 2009 7 1 ISBN978-7-5333-2227-4 26.00 1 16 28
二 戶外教學的性質
285 一 戶外教學的意涵 價值及其面對的挑戰 1999 1994174 1. 286 2. 3. 二 戶外教學的性質 6 1999 26 1. 2. 3. 287 4. 5. 三 鄉土戶外教學的教學目標 10-1 1. (curriculum) (subject material) 288 (1998) 10-2 (conceptualizing) (generalizing) 2. (Educational
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單元名稱 : 9 三角函數的積分 教學目標 : 使學生了解三角函數的積分 三角函數積分的類型及一些積分技巧 學習時數 : 約一小時 教學內容 :. [ 第一類型 ] 六個三角函數本身的積分. [ 第二類型 ] sin n 及 os n 的積分 sin os m n. [ 第三類型 ] 的積分 4. [ 第四類型 ] n 及 ot n 的積分 5. [ 第五類型 ] n 及 s n 的積分 m 6.
