用户手册 FEBFDD850N10LD_CS001
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1 Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor s product/patent coverage may be accessed at ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. Typical parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customer s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
2 用户手册 FEBFDD850N10LD_CS001 采用 BoostPak 的 LED 驱动用 35 W 升压转换器 有特色的飞兆产品 FDD850N10LD 有关该评测板的问题或意见, 请联系 : 全球直接支持 Fairchild Semiconductor.com 2013 Fairchild Semiconductor Corporation FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
3 目录 1. 引言 描述 特性 FDD850N10LD 示意图 评测板规格 照片 印刷电路板 原理图 材料清单 电感器规格 测试条件 & 测试设备 评测板的性能 开关波形 输出调节特性 损耗分析 效率 温度 电磁干扰 (EMI) 修订记录 Fairchild Semiconductor Corporation 2 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
4 该用户指南支持 FDD850N10LD 评测套件 它需要与 FDD850N10LD 数据表 飞兆半导体应用指南以及技术支持团队配合使用 请浏览飞兆半导体公司网站 1. 引言 1.1. 描述 1.2. 特性 本文介绍升压拓扑中采用 BoostPak (FDD850N10LD) 驱动 LED 应用的推荐解决方案 输入电压范围是 20.4 V 27.6 V, 输出为单通道 55 VDC, 恒定电流为 640 ma 本文简要介绍 FDD850N10LD 转换器规格 原理图 材料清单, 以及典型的工作特性 N 沟道 MOSFET 和 NP 二极管被集成于一个 5 引脚 D-Pak 封装中, 采用了飞兆半导体的 PowerTrench 工艺, 专用于最大程度地减少通态电阻并维持较高的开关性能 二极管为超快恢复整流器, 带低正向压降, 具有出色的开关性能 在低功率 LED 背景灯驱动应用中采用 BoostPak FDD850N10LD, 通过减少部件数量 重量和 PCB 尺寸并提高可靠性 ( 由于采用比肖特基势垒二极管 (SBD) 更低的漏电流 ) 减小产品尺寸并节省成本 更低的导通电阻 : RDS(on) = 61 mω( 典型值 ), 需 VGS = 10 V ID = 12 A RDS(on) = 64 mω( 典型值 ), 需 VGS = 5.0 V ID = 12 A 低栅极电荷 ( 典型值 22.2 nc) 低 Crss( 典型值 42 pf) 快速反向恢复时间 : trr ( 典型值 ) = 11 ns, 条件为 IF = 5 A di/dt = 200 A/µs 快速开关 100% 经过雪崩测试 改善的 dv/dt 处理能力 符合 RoHS 标准 1.3. FDD850N10LD 示意图 图 1. 引脚描述图 2. 框图 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 3 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
5 2. 评测板规格 所有数据都是在 TA= 25 C 条件下测得 表 1. 特性和性能总结 输入电压 说明符号数值说明 VIN, 最小值 VIN, 典型值 VIN, 最大值 20.4 V 24.0 V 27.6 V 开关频率 fsw 200 khz R35 (kω)=15000/fsw (khz) 输出电压 / 电流 VOUT IOUT 55 V 0.64 A 输出功率 POUT 35 W 效率 > 92% 温度 TBoostPak T 电感 TMOSFET < 65 C 初始应用 LED 背光 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 4 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
6 3. 照片 图 3. 俯视图 (114 x 76 mm 2 ) 图 4. 仰视图 (114 x 76 mm 2 ) 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 5 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
7 63.5mm 76.2mm 4. 印刷电路板 114.3mm 图 5. 顶端 114.3mm 图 6. 底端 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 6 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
8 5. 原理图 图 7. 评测板原理图 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 7 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
9 6. 材料清单 项目编号 标号 部件编号 数量 说明 生产厂商 1 Q11 FDD850N10LD 1 BoostPak,D-Pak 5L 飞兆半导体 2 Q12 FDD120AN15A V/14 A/120 Ω,D-Pak 飞兆半导体 3 Q13 KTD A / 60 V / NPN BJT, SOT-89 KEC 4 L1 DYCP µh/0.073 Ω/5 A,SMD 电感器 DONGYANG TELECOM 5 U1 1 主控制器 6 D1,D2 BAT54HT1G A/30 V 小信号二极管,SOD-323 飞兆半导体 7 ZD1 MM3Z12VC 1 12 V/200 mw 齐纳二极管,SOD-323F 飞兆半导体 8 C1 NXH35VB330MTPRB µf/35 V 电解电容 Samyoung 9 C2, C4, C5, C12, C13, C15, C16, C27 GRM21BR71H105KA µf/50 V SMD 电容 2012 Murata 10 C3 GRM31CR71H475KA µf/50 V SMD 电容 3216 Murata 11 C6, C10, C11, C17, C18, C19 GRM188R71H102KA nf/50 V SMD 电容 1608 Murata 12 C7 GRM188R71E221KA pf/25 V SMD 电容 1608 Murata 13 C14 NXQ100VB100MTPRB µf/100 V 电解电容 Samyoung 14 C20, C21, C23, C26, C28, C29, C30, C31 GRM188R71E105KA µf/25 V SMD 电容 1608 Murata 15 C24, C25 GRM188R71E154KA nf / 25 V SMD 电容 1608 Murata 16 R1, R25, R26, R27, R28 MCR10ERTJ kω SMD 电阻 2012 Rhom 17 R2 MCR10ERTJ kω SMD 电阻 2012 Rhom 18 R3, R4 MCR10ERTJ kω SMD 电阻 2012 Rhom 19 R5, R44 MCR03ERTF30R Ω SMD 电阻 1608 Rhom 20 R6 MCR03ERTJ5R Ω SMD 电阻 1608 Rhom 21 R7 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 22 R8 R9 R10 R11 R12 R13 R14 MCR10ERTJ1R0 7 1 Ω SMD 电阻 2012 Rhom 23 R22, R23, R24 MCR10ERTJ Ω SMD 电阻 2012 Rhom 24 R29 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 25 R30, R54, R55 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 26 R31, R32, R36, R37, R38, R53, R58 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 27 R33 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 28 R34, R56 MCR03ERTF Ω SMD 电阻 1608 Rhom 29 R35 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 30 R40, R43 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 31 R41, R42 MCR03ERTF Ω SMD 电阻 1608 Rhom 32 R45, R46, R47, R48, R49 MCR10ERTJ7R Ω SMD 电阻 2012 Rhom 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 8 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
10 项目编号 标号 部件编号 数量 说明 生产厂商 33 R57 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 34 R59, R60 MCR03ERTF kω SMD 电阻 1608 Rhom 35 R61, R62, R63, R64, R65, R66 MCR10ERTJ Ω SMD 电阻 2012 Rhom 36 CON1 DG301_5.0_2P 1 用于 Vin 的 2 引脚接线板 37 CON2 DG301_5.0_3P 1 用于 LED 的 3 引脚接线板 DEGSON ELECTRONICS DEGSON ELECTRONICS 38 SW1 SS12E17 1 1P2T 开关 VIMEX 39 F1 1 IF=4 A 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 9 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
11 7. 电感器规格 生产厂商 : DONGYANG TELECOM CO., LTD. 总部办公室 & 工厂 中国工厂 泰国工厂 942-5, Dohwa-Dong, Nam-gu, Incheon, Korea 中国山东潍坊凤凰街 28 号 3/3 Moo. 1 T. Napradoo A.Phantong Chonburi 电话 : 传真 : 电话 : 传真 : 电话 : 传真 : 部件编号 : DYCP S : 1, 2 F : 3, 4 : WINDING START POINT 图 8. 电感规格和结构 ( 单位 : mm) 表 2. 编号 俯视图前视图仰视图 绕组规格 绕组 图 9. 引脚 (S F) 尺寸规格 绕线匝数绕组方式 P Φ * ± 2.0 螺线管绕组 表 3. 电气特性 引脚 技术规格 电感量 47.0 µh 阻抗 1, 2 3, Ω 最大电流 5.0 A 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 10 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
12 8. 测试条件 & 测试设备 表 4. 测试条件 & 测试设备 评测板 # FEBFDD850N10LD_CS001 测试日期 测试温度 测试设备 TA=25 C 直流电源 : FinePower 提供的 H-3005D 功率分析仪 : Voltech 提供的 PM3000A 负载 : 100 W 100 ΩJ 可调电阻示波器 : Tectronix 提供的 DPO7104 无源电压探头 - P6139 差分高电压探头 - P5205 电流探头 : TCP0030 温度计 : FLIR SYSTEMS 提供的 Therma CAM SC640 Oscilloscope (DPO7104) DC Power Supply (H-3005D) Power Resistor (100W 85Ω, 100Ω) V Power Analyzer (PM3000A) V A A 图 10. 测试原理框图 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 11 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
13 9. 评测板的性能 9.1. 开关波形 测试条件 将功率电阻 (85 Ω) 连接至 CON2, 并在下述规定的条件下测量 BoostPak (FDD850N10LD) 上的电压和电流应力 表 5. 测试结果 上电 正常 断电 输入电压 (V) MOSFET Vds (V) 二极管 Vca (V) 电感 IL_max (A) IL_min (A) MOSFET Vds (V) 二极管 Vca (V) 电感 IL_max (A) IL_min (A) MOSFET Vds (V) 二极管 Vca (V) 电感 IL_max (A) IL_min (A) 评论 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 12 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
14 上电 波形 : C1 (Vgs: 5 V/div), C2 (Vds: 20 V/div), C3 (IL: 1 A/div), C4 (Vka: 20 V/div) 时间 (20 ms/div) 图 11. VIN=20.4 V 图 12. VIN=24 V 图 13. VIN=24 V 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 13 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
15 正常 波形 : C1 (Vgs: 5 V/div), C2 (Vds: 20 V/div), C3 (IL: 1 A/div), C4 (Vka: 20 V/div) 时间 (10 µs/div) 图 14. VIN=20.4 V 图 15. VIN=24 V 图 16. VIN=24 V 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 14 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
16 断电 波形 : C1 (Vgs: 5 V/div), C2 (Vds: 20 V/div), C3 (IL: 1 A/div), C4 (Vka: 20 V/div) 时间 (50 ms/div) 图 17. VIN=20.4 V 图 18. VIN=24 V 图 19. VIN=24 V 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 15 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
17 Output voltage [V] 9.2. 输出调节特性 测试条件 将功率电阻 (85 Ω 100 Ω) 连接至 CON2, 并在老化 30 分钟后测量 BoostPak (FDD850N10LD) 上的输出电压和电流 表 6. 测试结果 输入电压 (V) Pout=35 W Pout=45 W VOUT (V) IOUT (A) VOUT (V) IOUT (A) 评论 Vout=55V(35W) Vout=65V(45W) Input Voltage, Vin [V] 图 20. 输出调节特性 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 16 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
18 Power Loss [W] 9.3. 损耗分析 测试条件 将功率电阻 (85 Ω) 连接至 CON2, 并在老化 30 分钟后测量 BoostPak (FDD850N10LD) 上的输出电压和电流 表 7. 测试结果 输入电压 (V) MOSFET 二极管总 PON (W) POFF (W) PCOND (W) PTOT (W) PON (W) POFF (W) PCOND (W) PTOT (W) PD (W) Power Loss of MOSFET Econd_M 27% Eoff_M 28% Eon_M 45% Power Loss of Diode Econd_D 57% Eon_D 2% Eoff_D 41% Total Power Loss Econd_D 41% Eon_M 12% Eoff_D 30% Eoff_M 8% Econd_M 7% Eon_D 2% 图 21. VIN= 24 V 时的损耗分析 Power distribution MOSFET Diode Conduction loss Turn off loss Turn on loss 图 22. VIN= 24 V 时的损耗分布 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 17 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
19 Power Loss [W] MOSFET Diode Total loss Input Voltage, Vin [V] 图 23. 针对输入电压 VIN 进行的损耗比较 波形 : C1 (Vgs: 5 V/div), C2 (Vds: 20 V/div), C3 (Id: 1 A/div) 4 周期波形, 时间 (2 µs/div) 导通波形, 时间 (500 ns/div) 开通波形, 时间 (50 ns/div) 图 24. VIN= 24 V 时的 MOSFET 波形 关断波形, 时间 (50 ns/div) 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 18 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
20 波形 : C1(Vgs:5V/div), C4(Vak:20V/div), M2(Ia:1A/div) 4 周期波形, 时间 (2 µs/div) 导通波形, 时间 (500 ns/div) 开通波形, 时间 (50 ns/div) 图 25. VIN= 24 V 时的二极管波形 关断波形, 时间 (50 ns/div) 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 19 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
21 Efficiency [%] 9.4. 效率 测试条件 将功率电阻 (85 Ω 100 Ω) 连接至 CON2, 并在老化 30 分钟后测量 BoostPak (FDD850N10LD) 的输出电压和电流 表 8. VOUT = 55 V (35 W) 时的测试结果 输入电压 输入功率 输出功率 效率 备注 20.4 V W W 93.75% 24.0 V W W 94.36% 27.6 V W W 94.78% 表 9. VOUT = 65 V (45 W) 时的测试结果 输入电压 输入功率 输出功率 效率 备注 20.4 V W W 93.23% 24.0 V W W 93.92% 27.6 V W W 94.54% Input Voltage, Vin [V] Vout=55V Vout=65V 图 26. 效率曲线 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 20 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
22 Temperature [ ] 9.5. 温度 测试条件 将功率电阻 (85 Ω) 连接至 CON2, 并测量饱和温度 表 10. VOUT = 55 V (35 W) 时的测试结果 VIN=20.4 V VIN=24 V VIN=27.6 V 备注 BoostPak (Q11) 66.9 C 61.5 C 59.3 C 电感 63.7 C 59.6 C 56.6 C R8~R C 52.8 C 49.8 C PKG 顶部 MOSFET (Q12) 50.8 C 50.0 C 52.1 C R45~R C 57.3 C 60 C Input Voltage, Vin [V] 图 27. 温度曲线 BoostPak(FDD850N10LD, Q11) = 61.5 图 28. VIN= 24 V 时的 IR 图像 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 21 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
23 Level 9.6. 电磁干扰 (EMI) 测试条件频率子范围 : 30 MHz ~ 1000 MHz 负载是 5 个 LED 灯串 [ db(uv/ m)] Vertical Horizontal CISPR22 ClassB Frequency [ MHz] 图 29. 辐射干扰 : VIN=24 V 2013 Fairchild Semiconductor Corporation 22 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
24 10. 修订记录 版本日期说明 年 5 月初版 WARNING AND DISCLAIMER Replace components on the Evaluation Board only with those parts shown on the parts list (or Bill of Materials) in the Users Guide. Contact an authorized Fairchild representative with any questions. This board is intended to be used by certified professionals, in a lab environment, following proper safety procedures. Use at your own risk. The Evaluation board (or kit) is for demonstration purposes only and neither the Board nor this User s Guide constitute a sales contract or create any kind of warranty, whether express or implied, as to the applications or products involved. Fairchild warrantees that its products meet Fairchild s published specifications, but does not guarantee that its products work in any specific application. Fairchild reserves the right to make changes without notice to any products described herein to improve reliability, function, or design. Either the applicable sales contract signed by Fairchild and Buyer or, if no contract exists, Fairchild s standard Terms and Conditions on the back of Fairchild invoices, govern the terms of sale of the products described herein. DISCLAIMER FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. LIFE SUPPORT POLICY FAIRCHILD S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein: 1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user. 2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness. ANTI-COUNTERFEITING POLICY Fairchild Semiconductor Corporation's Anti-Counterfeiting Policy. Fairchild's Anti-Counterfeiting Policy is also stated on our external website, under Sales Support. Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. All manufacturers of semiconductor products are experiencing counterfeiting of their parts. Customers who inadvertently purchase counterfeit parts experience many problems such as loss of brand reputation, substandard performance, failed applications, and increased cost of production and manufacturing delays. Fairchild is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the proliferation of counterfeit parts. Fairchild strongly encourages customers to purchase Fairchild parts either directly from Fairchild or from Authorized Fairchild Distributors who are listed by country on our web page cited above. Products customers buy either from Fairchild directly or from Authorized Fairchild Distributors are genuine parts, have full traceability, meet Fairchild's quality standards for handling and storage and provide access to Fairchild's full range of up-to-date technical and product information. Fairchild and our Authorized Distributors will stand behind all warranties and will appropriately address any warranty issues that may arise. Fairchild will not provide any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. Fairchild is committed to combat this global problem and encourage our customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors. EXPORT COMPLIANCE STATEMENT These commodities, technology, or software were exported from the United States in accordance with the Export Administration Regulations for the ultimate destination listed on the commercial invoice. Diversion contrary to U.S. law is prohibited. U.S. origin products and products made with U.S. origin technology are subject to U.S Re-export laws. In the event of re-export, the user will be responsible to ensure the appropriate U.S. export regulations are followed Fairchild Semiconductor Corporation 23 FEBFDD850N10LD_CS001 Rev
25 ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor s product/patent coverage may be accessed at Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. Typical parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customer s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado USA Phone: or Toll Free USA/Canada Fax: or Toll Free USA/Canada orderlit@onsemi.com Semiconductor Components Industries, LLC N. American Technical Support: Toll Free USA/Canada Europe, Middle East and Africa Technical Support: Phone: Japan Customer Focus Center Phone: ON Semiconductor Website: Order Literature: For additional information, please contact your local Sales Representative
T stg -40 to 125 C V cc 3.8V V dc RH 0 to 100 %RH T a -40 to +125 C -0.3 to 3.6V V -0.3 to VDD+0.3 V -10 to +10 ma = 25 = 3V) VDD
1/16 T stg -40 to 125 C V cc 3.8V V dc RH 0 to 100 %RH T a -40 to +125 C -0.3 to 3.6V V -0.3 to VDD+0.3 V -10 to +10 ma (@T = 25 C, @Vdd = 3V) VDD 1.8 3.0 3.6 V (1) 0.08 0.3 µa Idd 300 450 500 µa 0.25
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