50 华南师范大学学报 ( 自然科学版 ) 第 46 卷 Ag 在 Si 表面上按 Stranski Krastanov 模式生长 [8]. 对于 Ag 在 Si 表面吸附的理论研究相对较少, 为此, 本文基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理研究了 Ag 在硅惯习面 Si(111) 面和 Si
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1 2014 年 9 月 Sep.2014 华南师范大学学报 ( 自然科学版 ) JOURNALOFSOUTHCHINANORMALUNIVERSITY (NATURALSCIENCEEDITION) 第 46 卷第 5 期 Vol.46 No.5 文章编号 : (2014) Ag 在 Si 表面吸附的第一性原理研究 张苗 1, 侯贤华 1, 王基蕴 1, 赵灵智 2, 胡社军 1 1, 汝强 (1. 华南师范大学物理与电信工程学院, 广东省量子调控工程与材料重点实验室, 广州 ; 2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 ) 摘要 : 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了 Ag 原子在硅惯习面 Si(111) 和 Si(220) 晶面的最佳吸附位置, 并计算了 Ag/Si(111) 和 Ag/Si(220) 体系的表面吸附能和表面态电子结构. 研究表明 :Si 基表面 Ag 原子的最稳定吸附居于 Si(220) 晶面的穴位, 此时的吸附能最低, 其值为 eV, 属于强化学吸附 ; 同时由于在 Ag/Si(220) 体系中,Ag 4d 轨道和表面态 Si 3s 3p 轨道电子的强相互作用, 以及 Ag 4p 轨道的电子云强偏向于 Si 3s 3p 轨道使得体系的能隙宽度变窄, 导电性急剧增大. 关键词 : 表面吸附 ;Ag/Si(111);Ag/Si(220); 第一性原理中图分类号 :O78 文献标志码 :A doi: /j.jscnun FirstPrinciplesStudyofAgAdsorptiononSiSurfaces ZhangMiao 1,HouXianhua 1,WangJiyun 1,ZhaoLingzhi 2,HuShejun 1,RuQiang 1 (1.LaboratoryofQuantumEngineeringandQuantumMaterials,SchoolofPhysicsandTelecommunicationEngineering,SouthChinaNormalUniversity, Guangzhou510006,China;2.InstituteofPhysicsandTelecommunicationEngineering,SouthChinaNormalUniversity,Guangzhou510006,China) Abstract:TheadsorptionofAgonSi(111)andSi(220)crystalsurfacesisstudiedbyfirstprinciples.Prefered adsorptionsites,adsorptionenergy,disociationenergyandelectronicstructureoftheag/si(111)andag/si (220)systemsarecalculatedseparately.ItisfoundthatAgisadsorbedontheSi(220)holowsitemorefavorably thanontheothersitesandthecalculatedadsorptionenergyonthesi(220)holowsiteis5 2569eV,belongingto astrongchemicaladsorption;theboundswouldbeformedbetweenagandthefirstlayer ssi.theelectronsinthe Ag4pstateswouldtransfertoAg5s,4dand3pstates.TheinteractionbetweenAgandSi(220)surfaceisdue mainlytotheag4dandsi3s,3pstates,meanwhile,theadsorptionofagonsisurfacewouldnarowtheenergy regionofthedensityofstatesandag4p,5sstatestransfertoleft. Keywords:surfacesadsorption;Ag/Si(111);Ag/Si(220);firstprinciples [1-2] 由于硅基半导体在微电子领域中的重要应用, 纯净半导体表面吸附金属的特性研究受到人们极大的关注. 特别是在基础研究领域, 它为理解肖特基势垒的组成 薄膜生长 纳米结构组成等物理现象提供了很好的模型.Ag/Si 体系就是研究纯净半导体表面吸附金属特性的一个重要模型. 在实验方面, 国内外研究者已经通过各种实验技术制备了 Ag 原子在 Si 表面的沉积薄膜. 实验表 明, 室温时,Ag 在 Si(111) 面按照 Frenk Vander Merwe 模式逐层生长 [3-6], 单层的 Ag 在 Si(111) 面上的沉积, 即出现 Ag 的凝聚相. 随着 Ag 的覆盖厚度增加,Ag 会在 Si 表明聚集成岛并出现晶体 Ag 的 [7] 结构.Kimura 等报道, 在 Ag 原子的覆盖度为 0 5 温度为 760K 时,Ag 在 Si(001)-(2 1) 表面最稳定的吸附位置是二重桥位. 在 Ag/Si(100) 体系中, 沉积在 Si 表面上的 Ag 使 Si 恢复为理想表面, 收稿日期 : 基金项目 : 国家自然科学基金项目 ( , , , ); 广东省自然科学基金项目 (S , S );2012 年华南师范大学青年教师科研培育基金项目 ; 广东高校优秀青年创新人才培育项目 (2012LYM_0048); 广州市科技计划项目 (11C ); 广州市珠江科技新星专项 (2012J ) 通讯作者 : 侯贤华, 副教授, houxh@scnu.edu.cn.
![50 华南师范大学学报 ( 自然科学版 ) 第 46 卷 Ag 在 Si 表面上按 Stranski Krastanov 模式生长 [8].](/docs-images/74/71224376/images/2-0.jpg "对于 Ag 在 Si 表面吸附的理论研究相对较少, 为此, 本文基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理研究了 Ag 在硅惯习面 Si(111) 面和 Si(220) 面的吸附性质, 以期从电子结构层次上寻找 Ag 在 Si 表面上的最佳吸附位置, 研究其吸附构型, 从而揭示 Ag 与 Si 的作用机理, 为实验研究提供理论指导. 豫, 优化后的结构如图 1B G 所示.")
2 50 华南师范大学学报 ( 自然科学版 ) 第 46 卷 Ag 在 Si 表面上按 Stranski Krastanov 模式生长 [8]. 对于 Ag 在 Si 表面吸附的理论研究相对较少, 为此, 本文基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理研究了 Ag 在硅惯习面 Si(111) 面和 Si(220) 面的吸附性质, 以期从电子结构层次上寻找 Ag 在 Si 表面上的最佳吸附位置, 研究其吸附构型, 从而揭示 Ag 与 Si 的作用机理, 为实验研究提供理论指导. 豫, 优化后的结构如图 1B G 所示. 1 计算模型与方法 采用 MaterialStudio4.1 软件包中的 CASTEP 程 [9] 序进行计算,CASTEP 为基于密度泛函理论 (DFT) 的平面波赝势方法的量子力学程序. 计算中, 选用广义梯度近似 (GGA) 下的 PW91 泛函来描述电子间交换能 [10], 平面波截止能取 270eV, 不可约布里渊区的 K 点取为 3 3 1, 体系中各原子核内层电子对外层电子之间的库仑吸引势采用超软 (ultrasoft) 赝势, 在进行各项计算之前均采用 BFGS 方法对构建模型进行几何优化, 以获取其局域最稳定结构. 自洽计算时, 原子的总能量收敛值取为 ev/atom, 平均原子力低于 0 5eV/nm, 最大原子位移容差小于 nm,ag 和 Si 原子的原子轨道分别取为 Ag4p 6 4d 10 5s 1 和 Si3s 2 3p 2. 纯硅为面心立方结构, 对其进行 X- 射线衍射, 分析其衍射图谱发现其最强衍射峰对应于 (111) 衍射晶面, 相应的 2θ 为 ; 次强峰对应于 (220) 衍射晶面, 相应的 2θ 为 利用 BFGS 方法优化 Si 的原胞, 并构建 Si(111) 和 Si(220) 表面结构, 表面层选用超原胞 (2 2 1) 的三层结构, 另外, 表面层上方加 1nm 真空层, 取 6 层纯 Si 原子层 ( 图 1A F). 对 Si(111) 和 Si(220) 表面超原胞进行几何优化, 计算时, 允许所有 6 层原子进行表面弛 A B 优化前后的 Si(111) 清洁表面 ;C D E Ag 在 Si(111) 面的顶 桥 穴位吸附图 ;F G 优化前后的 Si(220) 清洁表面 ;H I J Ag 在 Si(220) 面的顶 桥 穴位吸附图图 1 构造的 Si 表面以及 Ag 在 Si 表面 ( 顶位 桥位 穴位 ) 的吸附图 Figure1 ConstructedSisurfaceandadsorptionfigure(top site,bridgesite,holowsite)ofagonsisurfaces 在 Si 表面, 固定最低 2 层原子, 选择 3 个不同初始位置对 Ag 进行吸附. 在图 1C H 中,Ag 原子垂直于 Si 原子顶部 (top),ag 原子有 1 个最近邻 Si 原子, 此位置称为顶位 ; 在图 1D I 中,Ag 原子垂直吸附于表面 2 个 Si 原子中间,Ag 原子有 2 个最近邻 Si 原子, 此位置称为桥位 (bridge); 在图 1E J 中,Ag 原子垂直于表面 4 个 Si 原子的中心, 此位置称为穴位 (holow).ag 在 Si 表面吸附前后超原胞的晶格参数如表 1 所示. 表 1 Ag 在 Si 表面吸附前后超原胞的晶格参数 Table1 ThelaticeparametersofsupercelbeforeandafterAgadsorptiononSisurfaces Ag 的位置 a/nm b/nm c/nm α/( ) β/( ) γ/( ) 未吸附 Ag 的 (111) 面 (111) 面顶位 (111) 面桥位 (111) 面穴位 未吸附 Ag 的 (220) 面 (220) 面顶位 (220) 面桥位 (220) 面穴位
3 第 5 期张苗等 :Ag 在 Si 表面吸附的第一性原理研究 51 2 计算结果与讨论 2.1 吸附构型和吸附能表 2 给出了 Ag 原子在 Si(111) 晶面和 Si(220) 晶面各吸附位置的几何及能量参数的优化结果, 其中 r Ag Si 表示 Ag 原子与最近邻 Si 原子之间的距离, E ads 为吸附能,E 为吸附后超原胞的总能量, 吸附能定义为 : E ads =- 1 N [E Ag/slab-E clean -NE Ag ], 其中 E Ag/slab 为体系总能量,E clean 为清洁表面总能, E Ag 为 Ag 原子总能,N 为原胞中 Ag 原子的数目 [11]. 根据定义, 吸附能为正时, 吸附过程是放热过程, 则吸附属于稳定吸附 ; 反之, 吸附能为负时, 吸附过程是吸热过程, 则属于非稳定吸附. 表 2 Ag/Si 表面体系优化后的几何及能量参数 Table2 Thegeometryandenergyparametersaftersystemopti mizationofag/sisurfaces Ag 的初始位置 r Ag Si /nm E ads /ev E/eV 游离 Ag (111) 面顶位 (111) 面桥位 (111) 面穴位 (220) 面顶位 (220) 面桥位 (220) 穴位 从表 2 可知,Ag 原子与最近邻 Si 原子的距离整体表现为 r Ag Si(220) >r Ag Si(111),Ag 在 Si(220) 面不同位置的吸附能均大于 Ag 在 Si(111) 面相对应位置的吸附能, 且 Ag 在 Si(220) 面空穴的吸附能高达 eV, 属于最稳定的超强化学吸附. 同时,Ag 在 (111) 面顶位的吸附能为负值, 表明 Ag 在 Si(111) 面吸附过程是吸热过程, 属于非稳定吸附. 此外,Ag 在 Si(111) 桥 穴位置的吸附能均为正值, 表明 Ag 在 Si(111) 桥 穴位置的吸附过程是放热过程, 属于稳定吸附, 且其吸附能远大于物理化学吸附临界值 (0 415eV), 因此,Ag 在 Si(111) 桥 穴位置的吸附是强化学吸附 [12]. 表 2 中,Ag 在 Si(220) 面的顶 桥 穴位的吸附能均大于物理化学吸附临界值 0 415eV, 均为强化学吸附. 对比各晶面在不同位置的吸附能可知,Ag 在穴位的吸附能大于 Ag 在桥位和顶位的吸附能, 说明 Ag 在穴位比在桥位和顶位更容易吸附. 2.2 Ag/Si(220) 吸附体系的 Muliken 电荷布局 Ag 原子在 Si 表面吸附, 必然伴随着原子间的 电荷转移和表面电子结构的变化. 因此, 根据 Ag 原 子在 Si 表面吸附前后的 Muliken 电荷布局, 可以得 出 Ag 原子与 Si 表层原子间的相互作用信息 [13]. 计 算表明,Ag 原子在 Si(220) 表面穴位吸附时最稳定, 因此, 进一步研究了 Ag 原子在 Si(220) 表面穴位吸 附前后不同 Si 表层原子的电荷布局数 ( 表 3). 第 1 层和第 2 层 Si 原子的电荷变化较大, 第 3 层至第 6 层的电荷基本无变化, 表明 Ag 原子主要与 第 1 层和第 2 层 Si 原子相互作用, 同时也说明, 采 用 6 层 Si 原子层晶体来模拟 Ag/Si(220) 体系可以 满足计算要求.Ag 原子 4p 轨道的电子向 Ag 原子 的 5s 轨道和 4d 轨道以及第 1 层 Si 原子的 3p 轨道 均有转移.Ag 原子在 Si(220) 面吸附后,Si(220) 面 得到电子带负电 (-0 39e), 即表面电势降低, 功函 数减小, 从而使 Si 更活泼, 也更易于发生化学反应. 表 3 Ag 原子在 Si(220) 穴位吸附前后的电荷布局数 Table3 ThechargepopulationbeforeandafterAgatomsad sorptiononsi(220)holowsite 原子层 状态 原子 总电荷电荷得失 s/e p/e d/e /e /e 吸附前 Ag 吸附后 Ag 第 1 层 吸附前 Si 吸附后 Si 第 2 层 吸附前 Si 吸附后 Si 第 3 层 吸附前 Si 吸附后 Si 第 4 层 吸附前 Si 吸附后 Si 第 5 层 吸附前 Si 吸附后 Si 第 6 层 吸附前 Si 吸附后 Si Ag/Si(220) 吸附体系的态密度和电荷密度分析 Ag 原子在 Si(220) 面穴位吸附时最稳定, 态密 度可以很好地表示原子之间的相互作用 [14]. 图 2 给出了 Ag 原子 Si(220) 穴位吸附后,Ag/Si(220) 面 吸附体系的态密度, 以及纯 Si(220) 晶面和游离 Ag 原子的态密度. 以费米能级 E F 作为能量零点. 吸 附前 Si(220) 晶面的价带在 -11 5~0eV 能量区
4 52 华南师范大学学报 ( 自然科学版 ) 第 46 卷 间, 主要是 Si3s 3p 轨道的贡献 ; 导带在 0~4eV 能量区间, 主要是 Si3s 3p 轨道的贡献. 吸附后的价带在 -12~0eV 能量区间, 主要是 Si3s 3p 和 Ag4d 轨道的贡献 ; 导带在 0~3 5eV 能量区间, 主要是 Si3s 3p 和 Ag4s 轨道的贡献, 表明吸附后价带和导带均向左偏移.Ag 原子的 4d 轨道和 Si 原子的 3s 和 3p 轨道发生了较强的相互作用, 且在费米能级附近主要是 Si 原子的 3s 和 3p 轨道电子的贡献. 同时,Ag 吸附到 Si 表面后导致 Ag 的 4p 和 5s 轨道向左移动并且缩短了能量区间, 降低了 Ag 的 4p 和 5s 轨道的能量 ; 其中 4d 轨道的态密度峰变的尖锐, 其对应的态密度值也比游离态的 Ag 要大. 图 3 Ag 原子在 Si(220) 面穴位吸附后的电荷密度图 Figure3 TheelectrondensityofAgatomsafteradsorptionon Si(220)surfacesholowsite 和 Si(220) 晶面的表面吸附. 研究表明 : 吸附的最稳定结构是 Ag 原子的初始位置在 Si(220) 穴位, 此时的吸附能为 eV, 属于强化学吸附,Ag 原子会与第 1 层 Si 原子面中的 Si 原子成键 ;Ag 原子 4p 轨道的电子会向 Ag 原子的 5s 轨道和 4d 轨道以及 Si 原子的 3p 轨道转移 ;Ag 原子与 Si 表面的相互作用主要来源于 Ag 的 4d 轨道和 Si 的 3s 3p 轨道, 同时,Ag 在 Si 表面吸附会使 Ag 的态密度的能量区间变窄, 使 Ag 的 4p 和 5s 轨道左移. 图 2 Ag 原子在 Si(220) 面穴位吸附前后的态密度 Figure2 TheDOSofAgatomsbeforeandafteradsorptionon Si(220)surfacesholowsite Ag 原子在 Si 表面穴位吸附后, 由 Ag 原子与 Si 表面第 1 层和第 2 层原子间的强互作用, 导致表面层各 Si 原子 Ag 原子周围电荷密度发生变化 [15], 结果如图 3 所示, 其中 Si1 Si2 指第 1 层 Si 原子中处在对角位置的 2 个 Si 原子.Ag 原子在 Si(220) 面穴位吸附后,Ag 原子电荷密度面与第 1 层 Si 原子面的 Si 原子的电荷密度面有交叠, 说明 Ag 原子与第 1 层 Si 原子面中的 Si 原子成键. 3 结论 采用第一性原理方法研究了 Ag 原子在 Si(111) 参考文献 : [1] 吴铁峰, 张鹤鸣, 王冠宇, 等. 小尺寸应变 Si 金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型 [J]. 物理学报,2011,60(2): WuTF,ZhangHM,WangGY,etal.Gatetunneling curentpredictingmodelofstrainedsiforscaledmetal oxidesemiconductorfieldefecttransistor[j].actaphys icasinica,2011,60(2): [2] WangL,GaoW X,HouDL,etal.Structuralandmag neticpropertiesofsisemiconductorco implantedbyfe- andn ions[j].materialschemistryphysics,2012,132 (2/3): [3] SaitohM,ShojiF,OuraK,etal.Initialgrowthproces andsurfacestructureofagonsi(111)studiedbylow energyion ScateringSpectroscopy(ISS)andLEED AES [J].SurfaceScience,1981,112(3): [4] HoriokaK,IwasakiH,MarunoS,etal.AgSi(111)-7
5 第 5 期张苗等 :Ag 在 Si 表面吸附的第一性原理研究 53 7systemsinvestigatedbyangleresolvedelectronenergy losspectroscopy[j].surfacescience,1984,136(1): [5] McKinleyA,WiliamsRH,ParkeAW.Aninvestiga tionofthinsilverfilmsoncleavedsiliconsurfaces[j]. JournalofPhysicsC:SolidStatePhysics,1979(12): [6] BolmontD,ChenP,SebenneCA,etal.Structuraland electronicpropertiesofcleavedsi(111)uponroom tem peratureformationofaninterfacewithag[j].physical ReviewB,1981,24(8): [7] KimuraK,OhshimaK,MannamiM.InitialstageofAg growthonsi(001)studiedbyhigh resolutionrutherford backscateringspectroscopy[j]. PhysicalReview B, 1995(57): [8] YeomHW,MatsudaI,TonoK,etal.Electronicstruc turesofthesi(001)2 3 Agsurface[J].PhysicalRe viewb,1998(57): [9] SegalM D,LindanPLD,ProbertM J,etal.First principles simulation: Ideas, ilustrations and the CASTEPcode[J].JournalofPhysics:CondensedMat ter,2002(14): [10]PerdewJP,ChevaryJA,VoskoSH,etal.Atoms,mol ecules,solids,andsurfaces:applicationsofthegeneral izedgradientapproximationforexchangeandcorelation [J].PhysicalReviewB,1992(46): [11] 张芳英, 朱圣龙, 滕英元. 氧气在 Al(001) 面吸附的第一原理研究 [J]. 科学通报,2004,49(16): ZhangFY,ZhuSL,TengYY.Oxygenadsorptionon Al(001)surfacebyfirst principlescalculation[j].chi nesesciencebuletin,2004,49(16): [12] 蒙大桥, 罗文华, 李赣, 等.Pu(100) 表面吸附 CO 2 的密度泛函研究 [J]. 物理学报,2009,58(12): MengDQ,LuoW H,LiG,etal.Densityfunctional studyofco 2 adsorptiononpu(100)surface[j].acta PhysicaSinica,2009,58(12): [13] 陈玉红, 杜瑞, 张致龙, 等.H 2 分子在 Li 3 N(110) 表面吸附的第一性原理研究 [J]. 物理学报,2011,60 (8): ChengYH,DuR,ZhangZL,etal.Firstprinciples studyofh 2 moleculeadsorptiononli 3 N(110)surfaces [J].ActaPhysicaSinica,2011,60(8): [14] 房彩虹, 尚家香, 刘增辉. 氧在 Nb(110) 表面吸附的第一性原理研究 [J]. 物理学报,2012,61(4): FangCH,ShangJX,LiuZH.Oxygenadsorptionon Nb(110)surfacebyfirst principlescalculation[j].acta PhysicaSinica,2012,61(4): [15] 吴江滨, 钱耀, 郭小杰, 等. 碳纳米团簇与石墨烯复合结构储锂性能的第一性原理研究 [J]. 物理学报, 2012,61(7): WuJB,QianY,GuoXJ,etal.Firstprinciplesstudy ontheli storageperformanceofsilicon clustersand graphemecompositestructure[j].actaphysicasinica, 2012,61(7): 中文责编 : 谭春林英文责编 : 肖菁
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标题
第 35 卷第 期西南大学学报 ( 自然科学版 ) 3 年 月 Vol.35 No. JouralofSouthwestUiversity (NaturalScieceEditio) Feb. 3 文章编号 :673 9868(3) 69 4 一类积分型 Meyer-KiḡZeler-Bzier 算子的点态逼近 赵晓娣, 孙渭滨 宁夏大学数学计算机学院, 银川 75 摘要 : 应用一阶 DitziaṉTotik
1609
July 物理化学学报 (Wuli Huaxue Xuebao) Acta Phys. Chim. Sin. 2011, 27 (7), 16091614 1609 [Article] www.whxb.pku.edu.cn MgF 2 表面结构稳定性及电子特性的密度泛函理论研究 张莉莉,* 韩培德 张彩丽 ( 1 太原理工大学材料科学与工程学院, 太原 030024; 太原 030024; 董明慧
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698 发光学报第 30 卷 根据费米黄金定律, 介电函数的虚部与带间光学电导率有关,ε 2 (ω)=(4π/ω)σ 1 (ω), 从而可以得到 : ε 2 (ω)= 8π2 e 2 ω 2 m 2 V c,v k c,k ê p v,k 2 δ[e c (k)-e v (k)-ω] (1) 其中
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材料导报 研究篇 年 月 下 第 卷第 期 种球的制备 单步溶胀法制备分子印迹聚合物微球 洗脱处理 种子溶胀聚合机理 种球用量的影响
水相中 组氨酸单分散分子印迹聚合物微球的合成 表征及其识别性能研究 李思平等 李思平 徐伟箭 较佳工艺条件下 在水性体系中选用无皂乳液聚合法制得的单分散微米级聚苯乙烯微球为种球 分别以组氨酸 甲基丙烯酸 或丙烯酸胺 乙二醇二甲基丙烯酸酯 为模板分子 功能单体和交联剂 合成了 组氨酸分子印迹聚合物微球 研究了形貌 粒径及其分布以及模板分子与功能单体之间的相互作用 分别以 激光粒度分析仪紫外分光光度法和红外光谱表征功能单体与交联剂之间的共聚情况
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吉林大学学报 工学版 ２４４ 第 ４ 卷 复杂 鉴于本文篇幅所限 具体公式可详见参考文 献 ７ 每帧的动力学方程建立及其解算方法如图 ３ 所示 图４ 滚转角速度与输入量 η 随时间的变化波形 Ｆｉｇ ４ Ｗａｖｅｆｏｒｍ ｏｆ ｒｏｌｌ ｒａｔｅ ａｎｄ ｉｎｐｕｔ η ｗｉｔｈ ｔｉｍｅ ｃｈａｎｇｉｎｇ 图５ Ｆｉｇ ５ 滚转角随时间的变化波形 Ｗａｖｅｆｏｒｍ ｏｆ ｒｏｌｌ ａｎｇｌｅ ｗｉｔｈ
未指定栏目
52, 071602(2015) 激光与光电子学进展 Laser & Optoelectronics Progress 2015 中国激光 杂志社 铜铬双过渡金属共掺金红石相 TiO 2 的电子特性及引起的光谱红移效应 摘要 1,2 张菊花 冯 1,2 庆 周 1,2 晴 杨 1,2 英 1 重庆师范大学物理与电子工程学院, 重庆 401331 2 重庆市光电功能材料重点实验室, 重庆 401331
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标题
高等学校化学学报 CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES doi: 10.7503 / cjcu20180551 α,β 不饱和醛在 Ni Pt(111) 面上吸附的理论研究 罗伟 1, 方镭 1, 孟跃 2, 薛继龙 1, 陈涛 1, 夏盛杰 1 1, 倪哲明 (1. 浙江工业大学化学工程学院, 杭州 310014; 2. 湖州师范学院生命科学学院, 湖州
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器之 间 向一致时为正 相反时则为负 ③大量电荷的定向移动形成电 流 单个电荷的定向移动同样形成电流 ３ 电势与电势差 １ 陈述概念 电场中某点处 电荷的电势能 Ｅ ｐ 与电荷量 ｑ Ｅｐ 的比值叫做该点处的电势 表达式为 Ｖ 电场中两点之间的 ｑ 电势之差叫做电势差 表达式为 ＵＡＢ Ｖ Ａ ＶＢ ２ 理解概念 电势差是电场中任意两点之间的电势之差 与参考点的选择无关 电势是反映电场能的性质的物理量
第 期 吴晓舟 等 养生文化在景观设计中的应用 以北京地坛中医药养生文化园环境景观设计为例 图 场地现状平面图
¹ 第 卷 第 期西南师范大学学报 自然科学版 年 月 ¹ 以北京地坛中医药养生文化园环境景观设计为例 吴晓舟 谭 勇 邵 锋 包志毅 第 期 吴晓舟 等 养生文化在景观设计中的应用 以北京地坛中医药养生文化园环境景观设计为例 图 场地现状平面图 西南师范大学学报 自然科学版 第 卷 图 地坛中医药养生文化园环境景观设计总平面图 图 地坛中医药养生文化园景观分区图 第 期 吴晓舟 等 养生文化在景观设计中的应用
南通大学学报 社会科学版 第 卷 第 期 双月刊 年 月出版!"# " < ABC DE c AB ^ " M F GE PQ M ""# = 摘要! "#$ %&' (!)*+,!-*.# /.01 # $ 89 :; /.012 # ' $ <= ABCD E /.01 F
南通大学学报 社会科学版 第 卷 第 期 双月刊 年 月出版 " < ABC DE c AB ^ " M F GE PQ M ""# = 摘要! "#$ %&' (!)*+,!-*.# /.01 # 234 567$ 89 :; /.012 # ' $ ?@ ABCD E /.01 F >GH >? I'J K ABCD > LMNO > > 0PQ RI'7 > S. KTUVW XY EN
自然科学版 预处理 视盘粗定位 视盘垂直坐标的粗定位 视盘水平坐标的粗定位
自然科学版 文章编号 视网膜图像中视盘的快速自动定位方法 赵晓芳 林土胜 李碧 摘 要 基于眼底视网膜血管的分布结构及视盘本身的特点 提出一种快速自动定位视盘的方法 首先根据视网膜血管的网络分布结构大致定位视盘的垂直坐标 然后根据视盘 的亮度信息及视盘与血管的关系来定位视盘的水平坐标 最后把视盘限定在以粗定位的视盘为中心的一个小窗口内 用 变换精确定位视盘中心 该方法不需要事先分割视网膜血管 也不需要对算法进行训练
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中 国 太 平 洋 人 寿 保 险 股 份 有 限 公 司 世 纪 行 人 身 意 外 伤 害 保 险 (C 款 ) 条 款 太 平 洋 人 寿 [2013] 意 外 伤 害 保 险 062 号 阅 读 指 引 本... 阅 读 指 引 有 助 于 理 解 条 款, 对 本 合 同 内 容 的 解 释 以 条 款 为 准 您 拥 有 的 重 要 权 益 本 合 同 提 供 的 保 障 在 保 险 责
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1983 1983 1 H 1 He 4 C 12 O 16 1 2 6 8 X A Z 2 19 α β γ F ( g) = Gmm' / d 2 F ( e) = qq' / d 2 F( e) / F( g) = 2.3 10 39 1919 α, 1930 α Be 3 4 6 6 4 4.0291 4.0015 0.0276 E=mc 2 4.12 10
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第 期 牛文翰等 模板辅助合成氮掺杂的多孔碳基氧还原电催化剂的研究进展!"#$ %&' ' () * +,,,,,,( *,( - -, ( '+, *, -,,, +, ',,. /, ',,+, " $ 2 * ' /+ / / / (+ 5 (/(
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忠义 符号 : 论近代中国历史上的关岳祀典 作者 : 田海林, 李俊领, Tian Hailin, Li Junling 作者单位 : 田海林,Tian Hailin( 山东师范大学历史与社会发展学院, 山东济南,250014), 李俊领,Li Junling( 中 国社会科学院近代史研究所, 北京,100006) 刊名 : 山东师范大学学报 ( 人文社会科学版 ) 英文刊名 : Journal of
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III AES...3...7...11...12...14 1....14 2....18 (Depth Profile)...21...25 (Electron Spectroscopy) 3-2 Pierre Auger 1922 1923 30 P. Auger X (Auger ) AES 1. (Auger Effect) ' E L2,3 K L 1 (EK E ) L1 X ( XPS
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第 33 卷第 6 期无机材料学报 Vol. 33 No. 6 2018 年 6 月 Journal of Inorganic Materials Jun., 2018 文章编号 : 1000-324X(2018)06-0635-06 DOI: 10.15541/jim20170349 Zn 1 x Mg x O 能带结构及作为窗口层的 CdTe 薄膜太阳电池的 SCAPS 仿真应用 何旭 1,2,
数字电子技术 数字电子技术 数字电子技术 数字电子技术 数字电子技术 (A) (A) (A) (A) (A) 电力系统暂态分析 有机化学及实验 有机化学及实验 有机化学及实验 有机化学及实验 大学英语 大学英语 大学英语 大学英语 大学英语 大学英语 (1) 临潼校区重修上课安排
机械原理包装工程 2015 上课 16 4 9-12 A-202 汪成龙 机械原理包装工程 2016 上课 16 4 9-12 A-202 汪成龙 机械原理 2015 上课 16 4 9-12 A-202 汪成龙 机械原理机械电子工程 2015 上课 16 4 9-12 A-202 汪成龙 机械原理 机械原理 机械原理 机械原理 电路原理 电路原理 电路原理 2015 上课 16 4 9-12 A-202
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【第一类】
第 一 类 用 于 工 业 科 学 摄 影 农 业 园 艺 森 林 的 化 学 品, 未 加 工 人 造 合 成 树 脂, 未 加 工 塑 料 物 质, 肥 料, 灭 火 用 合 成 物, 淬 火 和 金 属 焊 接 用 制 剂, 保 存 食 品 用 化 学 品, 鞣 料, 工 业 用 粘 合 剂 [ 注 释 ] 本 类 主 要 包 括 用 于 工 业 科 学 和 农 业 的 化 学 制 品, 包
0 南 京 航 空 航 天 大 学 学 报第 卷 - $7$%$#7%# 5%#$9%%##$,7;#75%%## %/%/%#"#$7$%7##$#$$%&#$$%#+ $#$7%#% #$$7;$%%&%#$7$%$#$#9#,%#%#$#$% %/%#"#$7$%7##$#7$%$5##%#%
南 京 航 空 航 天 大 学 学 报 第 卷第 期 年 月!"#$%&'#%$ '$%%$ ' ()+ 对镁合金固溶强化作用的第一性原理研究 刘子利 王文静 刘希琴 刘 洋 王渠东 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京 上海交通大学材料科学与工程学院 上海 摘要 采用虚拟晶胞近似方法控制固溶体中的, 含量 基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法研究了, 对 - +,.%/%/ 固溶体的固溶强化作用
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西 夏 学 第 5 辑 2010 年 9 月 Xixia Studies, Sep. 2010, Vol. 5 西 夏 王 陵 鎏 金 铜 牛 石 马 和 辽 代 兴 平 公 主 墓 葬 考 黄 震 云 摘 要 :1971 年, 西 夏 王 陵 101 号 墓 出 土 鎏 金 铜 牛 和 石 马 论 文 通 过 和 汉 代 唐 代 墓 葬 中 铜 牛 铁 牛 的 比 较 发 现,101 号 墓 出
考生编号政治政治分外语外语分科目 1 科目 1 分科目 2 科目 2 分总分专业代码专业名称专业排名考试方式报名号 思想政治理论 缺考 英语一 缺考 数学三 缺考 思想政治理论 60 英语一 78 数学三
100019000470001 思想政治理论 英语一 数学三 100019000470002 思想政治理论 60 英语一 78 数学三 119 100019000470003 思想政治理论 61 英语一 72 数学三 121 100019000470004 思想政治理论 62 英语一 82 数学三 108 100019000470005 思想政治理论 英语一 数学三 100019000470006
浙江大学材料与化学工程学院博士学位论文铝内衬轻质高压储氢容器强度和可靠性研究姓名 : 开方明申请学位级别 : 博士专业 : 化工过程机械指导教师 : 郑津洋 20070801 浙江人学工学博士学位论文 同几何结构的金属材料的有限元计算结果 轴向位移云图见图３
标题
第 40 卷第 3 期 2018 年 5 月 南京工业大学学报 ( 自然科学版 ) JOURNAL OF NANJING TECH UNIVERSITY ( Natural Science Edition) Vol.40 No.3 May 2018 doi:10.3969 / j.issn.1671-7627.2018.03.018 Fe 掺杂石墨烯表面吸附 Au: 第一性原理 刘扬, 安立宝, 龚亮
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第 期 黄雪莲等 响应面优化绿色木霉菌培养基 材料与方法 菌种 仪器与试剂 菌种的活化 单因素试验 响应面优化试验 优化工艺的验证 数据处理 结果与分析
第 卷第 期 年 月 食品与生物技术学报 响应面优化绿色木霉菌培养基 黄雪莲 于新 仲恺农业工程学院轻工食品学院 广东广州 利用响应面分析法对绿色木霉菌的培养基进行优化 通过测量不同营养条件下绿色木霉 菌落生长直径研究其生物学特性 在单因素实验的基础上 选定葡萄糖添加量 丙氨酸添加量和磷酸二氢钾添加量 个因素进行中心组合实验 建立二次回归方程 并应用响应面分析法进行优化 结果表明 绿色木霉菌最佳培养基为葡萄糖
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考古 年第 期 徐 峰 : : - : -, -.,..,, -..,, -,.,,,,,,,,,,,, 一 玉琮的形制,,,,,,,,,,,, [ ] [ ] [ ] [ ],,,,, :,,, ( ) ,, [ ], (), Ⅰ ~ Ⅴ, Ⅰ, [ ] (, ),,,,,,, [ ] [ ],, ( ) [ ],,,,,, (). Ⅰ ( ). Ⅱ( ). Ⅴ( ),,, [ ], ( ),,,,,,
招股说明书.PDF
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谈汉语单复句学说 源 流 的方枘圆凿关系长期存在 兼说 汉语现代语法学史一个 历史性的大误会 及其原因作者 : 孙良明, Sun Liangming 作者单位 : 山东师范大学古籍整理研究所, 山东济南,250014 刊名 : 英文刊名 : 年, 卷 ( 期 ): 2012,57(1) 山东师范大学学报 ( 人文社会科学版 ) Journal of Shandong Teachers' University(Humanities
885
May 物理化学学报 (Wuli Huaxue Xuebao) Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, 31 (5), 885-892 885 [Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201503181 www.whxb.pku.edu.cn 正二十面体 Au 13 和 Pt 13 团簇上肉桂醛的吸附 * 肖雪春施炜倪哲明 张连阳 徐金芳 ( 浙江工业大学化学工程学院,
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材料与方法 研究地概况 生态价值研究方法
中国科学院华南植物园 广东广州 深圳市城市建筑设计院 广东深圳 广东省内伶仃福田红树林自然保护区管理局 广东深圳 材料与方法 研究地概况 生态价值研究方法 结果与分析 深圳湾红树林生态系统服务功能 深圳湾红树林生态系统的生态系统服务功能价值 天然林和人工林生态系统服务功能的比较 讨 论 基于福田保护区红树林生态系统对整个深圳 湾的评估计算及预期 深圳湾红树林生态系统服务功能与香港米埔红树林生态系统服务功能比较
é SI 12g C = 6 12 = 1 H2( g) + O2( g) H2O( l) + 286kJ ( 1) 2 1 1 H 2( g) + O2( g) H2O( l) H = 286kJ mol ( 2) 2 1 N 2 ( g) + O2( g) NO 2 ( g) 34kJ 2 1 1 N 2 ( g) + O2( g) NO 2 ( g) H = + 34kJ mol 2 1 N
2002 2003 3 9 2002 2003 3 9 1 2002 3 3 5 8 9 11 13 18 20 22 22 2 2002 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) JiaoZuo WanFang Aluminum Manufacturing Co. Ltd. 31 0391 3903848 3903796 jzwf0612@371.net 31 454003 454172
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标题
第 40 卷第 1 期 2018 年 2 月 低温物理学报 CHINEEJOURNAL OFLOW TEMPERATUREPHYIC Vol.40,No.1 Feb2018 Mg2i:Fe 电子结构及磁性的理论研究 廖杨芳 1,2 谢泉 1 肖清泉 1 项飞羽 2 杨真 2 1 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025; 2 贵州师范大学物理与电子科学学院, 贵阳
35 007 373 9 092 44.472 1 175 248 731 773 1 907 021 10 162 706 19 1808 1847 3 1830 325 X (1) (2) (3) 406 453 8. Y X 2. 3. 4 5 6 7 8 9 10....... 11.
提纲 量子化学软件 分子模拟软件 Gaussian 软件 VASP 软件 MS 软件 DMOL3 和 CASTEP 总结
计算化学软件使用使用经验 张宝花中国科学院超级计算中心 2012.11.09 提纲 量子化学软件 分子模拟软件 Gaussian 软件 VASP 软件 MS 软件 DMOL3 和 CASTEP 总结 量子化学软件 量子化学 应用量子化学的基本原理和方法研究化学问题 基于第一性原理, 主要处理体系电子效应相关 分子轨道理论 价键理论 密度泛函理论 研究分子结构 化学反应 分子性质 常见量子化学软件 :Gaussian
作者简介 韩 峰 １９７２ 年出生 中共党员 山东省青州市王府街道五里小学教师 教 导主任 潍坊市教学能手 青州市特级教师 青州市创新型教师 青州市优秀教师 多年从事小学数学教学及研究工作 组织并实施了中央教科所十五重点规划课题 教学媒体协调教学与小学生运用数学知识解决实际问题能力 的实验研究 并于 ２００６ 年 ９ 月被中央教科所鉴定结题 现在正进行山东省十一五规划课题 小学数 学教学中学生良好学习习惯培养策略
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五花八门宝典（一）.doc
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第 期 房建成等 动态定位的强跟踪卡尔曼滤波研究
第 卷第 期 年 月 东南大学学报 房建成万德钧吴秋平 东南大学仪器科学与工程系 南京 提出一种改进的强跟踪卡尔曼滤波算法 应用于 动态定位滤波中获得明显效果 首先采用描述机动载体运动的 当前 统计模型 建立了一种新的 动态定位扩展卡尔曼滤波模型及其自适应算法 然后 为了进一步提高滤波器的动态性能 改进了周东华等提出的强跟踪滤波器 大大提高了 动态定位扩展卡尔曼滤波器的跟踪能力 动态定位 卡尔曼滤波
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第 27 卷第 5 期中国有色金属学报 2017 年 5 月 Volume 27 Number 5 The Chinese Journal of Nonferrous Metals May 2017 DOI:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.05.012 Lu-F 共掺杂 ZnO 光电性质的第一性原理计算 1, 张明举 2 1,, 李文明 2, 郑树凯 (1. 河北大学电子信息工程学院,
Microsoft PowerPoint - lecture8_2013 [兼容模式]
![Microsoft PowerPoint - lecture8_2013 [兼容模式]](/thumbs/81/82984848.jpg "Microsoft PowerPoint - lecture8_2013 [兼容模式]")
金属晶体 金属中的价电子离开了原来的原子, 变成了在全晶体中运动的自由电子, 这些电子也被称为自由电子气 (free electron gas) Metallic bonding constitutes the electrostatic attractive forces between the delocalized electrons, called conduction electrons,
法, 实验装置在我们先前发表的文章中已有详细报道 [17]. 实验以纯度为 99.9% 的钛靶 ( 尺寸 160 mm 135 mm) 为阴极, 以 (100) 单晶硅片为衬底材料, 真空室的基底真空为 Pa. 薄膜沉积前, 在靶材与衬底间用一档板隔开, 通入氩气分别对靶材和衬底材
![法, 实验装置在我们先前发表的文章中已有详细报道 [17]. 实验以纯度为 99.9% 的钛靶 ( 尺寸 160 mm 135 mm) 为阴极, 以 (100) 单晶硅片为衬底材料, 真空室的基底真空为 Pa. 薄膜沉积前, 在靶材与衬底间用一档板隔开, 通入氩气分别对靶材和衬底材](/thumbs/50/26345771.jpg "法, 实验装置在我们先前发表的文章中已有详细报道 [17]. 实验以纯度为 99.9% 的钛靶 ( 尺寸 160 mm 135 mm) 为阴极, 以 (100) 单晶硅片为衬底材料, 真空室的基底真空为 Pa. 薄膜沉积前, 在靶材与衬底间用一档板隔开, 通入氩气分别对靶材和衬底材")
C 掺杂 TiO 薄膜的制备及其第一性原理研究 * 谢东 1)2) 冷永祥 2) 黄楠 2) 1) ( 西南交通大学, 物理科学与技术学院, 成都 610031 ) 2) ( 西南交通大学, 材料先进技术教育部重点实验室, 材料科学与工程学院, 成都 610031 ) ( 2013 年 5 月 12 日收到 ; 2013 年 6 月 23 日收到修改稿 ) TiO 在微电子结构器件中有重要的应用前景.
将民族文化认同置于一个多民族交往和对话 互相激荡影响的场域中予以考察 包括对少数民 族网络的官方话语 少数民族知识分子话语 商业诉求 个人表达四类话语形态的分析 在民族文化认知 情感表达等方面 网络都为少数民族文化认同提供了场域 在网络的场域下 少数民族文化认同 地域认同 国家意识形态相互浸润 形成了多层次的民族和国家认同 文化认同 少数民族 电子网络媒介 陈静静 云南大学新闻系讲师 庄晓东 哲学博士
1 V = V 1 F = F-1 1 E = E -1 β 1 + 3 = 4 = 2β 2 α 1 + 4 = 4= 2α 2 γ 1 + 2 = 4= 2γ 2 1 + 2 + 3 + 4 = 2 1 1 = 2 - a + b + c 2E 2E + E = 2 q p 1 1 1 1 + = + p q 2 E p q V F E 1 3 3 4 4 6 2 3 4 8 6 12 3 4
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1 2 1 4 C && Zn H H H H H Cl H O H N H H H CH C H C H 3 2 5 3 7 H H H H CH 3 C2H 5 H H H O H H O K K O NO 2 H O NO 2 NO O 2 C2H5 H O C2H5 C H O C2H3 2 5 H H H O H H O 1826 O