[14,15 ] [16 ] [17 ], IIa 22 W/ cm. K, Cu (4 W/ cm. K) 5, CVD [18 ], CVD CVD, CVD 1988 Morelli [19 ] K Anthony [20 22 ] 1999 Leung [23 ]
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- 盈矿 倪
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1 22 3 Vol. 22,No PRO GRESS IN PHYSICS Sept.,2002 :1000Ο0542 (2002) 03Ο0283Ο13,,, (, ) : /,, SiO 2 SiN x, : ; ; ; : T K124 : A 0 MEMS, /,,, /, : SiO 2 SiN x / SiO 2 SiN x, [1 5,DRAM, ( M ISFET) ], [6 ] [7 ],SiN x, [8 11 ],, SiO 2 SiN x [12,13 ], SiO 2 SiN x 3 :2002Ο04Ο03 : 973 ( G )
2 [14,15 ] [16 ] [17 ], IIa 22 W/ cm. K, Cu (4 W/ cm. K) 5, CVD [18 ], CVD CVD, CVD 1988 Morelli [19 ] K Anthony [20 22 ] 1999 Leung [23 ] CVD [ Ho ] [25 ] [26 V ] [27 ],,,,,, [28 ] Rogers Rantala [29 ] Kurabayashi [25 ] (MEMS) ( ICS) ( : ) IC [30, ], [31 33 : ] [34, ] [35 ] [36,37 ] [38 45 ], GaAs/ A1As [46,47 ] GaAs/ A1 GaAs [48 ] Si/ Ge [49,50 ] IrSb 3 / [51 CoSb ] 3,, [51,3 ] [52, ] [13 15,37 ], [53,54 ], [55 ],
3 3 : 285, : [13,55 ] 3 [51,54 ] [16 ] [17,56,57 ] [22,52 ] [23 ] 1 :, ;,,, 1 [58,59 : ] [60,61 ] [55 ] [13 ] [16,59 ], [13,62 ] : q = - k T x q = - k g T (1) q,,, k, SI W/ m. K, Btu/ (h. ft. υ ),, cal/ s. cm. K), L t l ( m ) (10-12 s ) [63 ], [64 ],L µ 1, 2 [13,25 ] ( SiO 2 ) A B, Al Pt A,; B A 1 2 I,,, B,,,
4 T A T B, 10 K (1) : k = diu l W ( T A - T B ) U 3 4, d, l W, T A T B Ο (2) 2 [ 13 ] SiO 2 20 %, SiO 2,, 5 %, , [14 ] 3 3 ( Si) d ( SiO 2 ), 3Οb, b b µ d, l : 3 3 I + I - I = I 0 cos t, P( t) = 1 2 I2 0 R (1 + cos2 t) (3) 3, [65 ] : q - 1 = ( D/ 2 ) 1 2,, D 3, q m d ν q - 1,,
5 3 :287 : R ( t) V + V - : = R 0 [1 + a Tcos(2 t - g) ] (4) V ( t) = I ( t) R ( t) = I 0 R 0 cos t I 0 R 0 Tcos( t - g) I 0 R 0 a Tcos(3 t - g), 3,T 3 V 3 : (5) T = 2 V 3 I 0 R 0 a (6), a = 1 dr R d T b µ d d, [14 T d ] : [14 ] : T m = P [ 1 l k m 2 l n k m T d = Pd klb C m ( b 2 ) (7) 1 2 l n (2 ) ] = T - T d (8),, k m C m, P, 3 V 3, (8) k 3, [65 10 um,3 ], 100! [66 ] ;, 1. 3 [ Kgding ] SiO 2, 4 Si nm SiO 2,SiO 2 20 nm 2 um ( ), SiO 2, : = 6 ns E = 50 uj ND YA G Au,,,, 5 1 mw NeNe
6 SiO 2 : (1) SiO nm, SiO 2 t d 2 / D SiO2 ( D SiO2 SiO 2 ),, Si R th (2) Si (3) g Cu,, 4 5 ( ; R th 20 % [67 ] : T ( t) = T 0 + Texp ( - t G/ hc) (9), T 0, T, G ( = 1/ R), h, C hc/ G, G, SiO 2,, ( SiN x ) [12 ], (Al/ Pt),,L ; x,, [12,68 ] 0. 3 %,T 0 q,:
7 3 : 289, T 10 K, L, T 0,, (1) :, T = T s - k k = q/ 2 T ( L - T x) (10) T 0, T s L x q T s T 0 6 7,Andrea Irace [55 ], [4 ] SiN x : 6 SiN x x 1 x 2 (1) :, T 1 T 2 k = q/ 2 ( x 1 - x 2 ) T 2 - T 1 (11) Obermeir, 7,, ;, : k = gln ( r 2 / r 1 ) 2 d ( T 1 - T 2 ),g, r 1 r 2, T 1 T 2, d : L, T 0,,,, 3 [48,69 ] (12)
8 , MEMS,,,, SThM (scanning thermal microscopy) AFM (atomic force microscopy) AFM [70 ], 8 :, X, Y, Z,,,, Z 8, XΟY, [71 N, ],, William Wickramasinghe [72 ], [73 ],,Majumdar AFM,, : [74 ] [75 ] [71 ] [17 ],,,, [74 1) ], 9 3 um, 10 % 75 um 200 um,
9 3 : 291,, 2) [76 ], 10,AFM SiN x 1 um, 3 4 um PtΟCΟHg 100 nm, 50 nm, 9 10 [71 3) ], 11, 30 um :,,, 50 nm ) [75,77 ], 12, SiN x 50! Ti 600! Au 1000! SiO 2, SiO 2 50! Ti 380! Pt 50! Ti 380! Pt CF 4 / O 2 SiO 2 Au,, 100 nm 200! Pt, 6 V/ K, V/ K,,,, 10 nm 1 um [77 ] [17 ] :,,
10 292 22,, 13Οa, Ο, 200 um 200 um, 13, [74 ], 14,, 13Οb,,, 14 (, Rp, R1,, R2,RL,,Vp, Vb ), ;,, [57 ] Fiege 3 CVD 3, 2 %, 30 nm [ 76 ],, [ 1 ] Maeda M,Nakamura H. Thin Solid Films,1984,112 :279Ο288. [2 ] Turner G W,Connors M K. J. Electrochem. Soc.,1984,131 (5) :1211Ο1213. [3 ] Moslehi M M,Fu C Y,Sigmon T W,et al. J. Appl. Phys.,1985,58 (6) :2416Ο2419. [4 ] Lowe A J,Powell M J,Elliott S R. J. Appl. Phys.,1986,59 :1251Ο1258. [5 ] Ren S Y,Ching W Y. Phys. Rev.,1981,B23 :5454Ο5463. [6 ] Cahill D G,Allen T H. Appl. Phys. Lett.,1994,65 (3) :309Ο311.
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13 3 :295 THERMAL CONDUCTIVITY MEASUREMENT TECHNOLOGY OF MICROSCALE THIN FILM SON G Qing-lin,XIA Shan- hong,chen Shao-feng,ZHAN GJian- gang ( N ational key laboratory of t ransducer technology, Instit ute of elect ronic Chi nese A cademy of Science, Beiji ng , Chi na) Abstract : When t he size of microelect ronic devices down into t he range of micro/ nanometer scales,the thermal properties of the devices are quite different from those of the bulk materials. In the research of the thermal capability and reliability of the devices,thermal conductivity measurement become one of t he pivotal technologies. In t his Paper, we briefly introduce the use and development of measurements of the thin films of SiO 2, SIN X,diamond etc.,and summarize the common techniques for measuring the thermal conductivity of thin films. Key words : t hin film ; t hermal conductivity ; fourier t hermal t ransfer formulation ; scanning t hermal microscopy
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