POWER-SEM ELECTRONIC

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燃耳双
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1 一, 极限参数 (Ta=2 ) 符号含义数值单位 S 原边电压 16 ih 输入信号高电平 S+.3 Iou PEK 输出峰值电流 ±1 Iou 输出平均电流 ± m CE IGBT CE 极电压 17 dv/d 电压变化率 7 k/μs isol IO 输入输出隔离电压 (1 分钟, 交流 ) 4 R Gon min 最小门极开通电阻 1. Ω R Goff min 最小门极关断电阻 1. Ω Q ou/pulse 充电电荷 6.3 μc T op 工作温度 -4~+8 T sg 储存温度 -4~+8 二, 电气参数 (Ta=2 ) 数值符号含义单位最小典型最大 S 原边电源电压 I S 原边电源电流最大值.32 1) I SO 2) IT+ IT- 原边电源电流最小值 96 m 输入高电平门槛输入电平为 1 输入电平为输入低电平门槛输入电平为 1 输入电平为 R in 输入阻抗 1 kω G(on) 门极开通电压 1 G(off) 门极关断电压 -8 f 最大开关频率见图 1 d(on)io 开通信号输入 - 输出延时 6 ns d(off)io 关断信号输入 - 输出延时 6 ns d(err) 故障信号返回延时 6 ns CEsa CE 监测基准电压.6 3) dead 保护盲区时间 ) 3 4) μs C PS 一二次之间的分布电容 1 Pf 1) 该电流值是输出负载状态的参数 2) 工作 fsw=hz 3) CEsa 出厂默认为.6, 更小的 CEsa 可通过 R CE 电阻调整 4) 保护盲区出厂默认为 3μ s, 更大的盲区可通过 C CE 电容精确调整 Dual CEE IGBT Driver PSHI 332 双路智能中功率 IGBT 驱动器特点可以驱动全系列 17 以下 IGBT 工作模式可选择半桥模式或两个单路模式输入可兼容 CMOS/TTL(HCMOS) 电平通过检测 CE 提供短路保护发生短路时, 具有软关断功能通过变压器 ( 而非光耦 ) 进行电气隔离电源欠压保护 ( 电源电压 <13 时保护 ) 故障记忆 ; 故障输出电平高低有效可选故障复位可选输入信号双低或 1s 自动复位半桥工作模式下, 具有上下管互锁功能内置驱动用隔离开关电源短脉冲抑制功能典型应用单路或桥式电路变频器电焊机感应加热大功率 UPS 大功率高频开关电源 CEE ll purpose Compac Economical Easy o use 全功能紧凑型低成本易使用 -8-8

2 三, 产品简介 PSHI332 是专门为通用 IGBT 开发的智能双路 IGBT 驱动器, 可以直接驱动 17 以及 12 的全系列 IGBT 驱动器基于专门为驱动 IGBT 以及 MOS-FET 而开发的专用大规模集成电路 (SIC), 集成了电平选择逻辑信号处理故障锁存及处理短路保护欠压保护互锁电路 DC/DC 隔离电源等, 具有功能强抗干扰小体积低成本易使用等优点电路板表面刷有三防保护剂, 可以做到防水防尘防盐雾驱动器有很强的适应能力, 通过改变引脚的数个参数或功能来适应不同的应用, 只要简单调整 R G 的值即可驱动不同型号 IGBT 驱动器可以以半桥或者独立的模式驱动两只 IGBT, 驱动器具有很强的驱动能力, 可以以 2kHz 的开关频率驱动 4 的 IGBT 驱动器具有软关断功能以用来保护电路短路, 故障时自动增加关断电阻延长关断时间, 降低电压过冲, 提高 IGBT 的可靠性, 使得 IGBT 可以应用在直流电压更高的场合这也意味着增加了最终的输出功率驱动器内集成的 DC/DC 电源原付边之间可以承受交流 4/1 分钟的高耐压, 使得控制侧免受来自付边侧的高电压的损害, 保证了控制侧的安全 DC/DC 电源的原边 1 电源可以直接来自控制系统, 多块驱动器也可以共用一个 1 电源, 无需隔离开关信号经过编码后通过铁氧体变压器来传输,dv/d 高达 7k/ μ s, 小于 ns 的短脉冲被抑制, 具有很高的抗干扰能力驱动器的输入级集成了一个输入电平选择器 ( 可以选择 1 或电平输入 ), 用于适应不同控制板的输出电平四, 系统构成系统框图见图 2 1 khz 8 6 fmax 4 2 No allowed area 6.3μC Q 6 G μc 图 1, 最大开关频率与充电电荷之间的关系上管信号输入 s C S J4 K4 /1 电平选择 J1 K1 ERROR / ERROR ERROR R C for high-logic J3 K3 故障复位模式 RTD1 RTD2 J2 K2 互锁 / 独立模式下管信号输入 J1;K1 J2;K2 J3;K3 J4;K4 S, RC >c/6m 上管死区时间设置下管死区时间设置故障输出低电平有效故障输出高电平有效互锁模式 ( 半桥模式 ) 独立工作模式输入同时置低 >µs 复位 1 秒自动复位电平 (CMOS) + 电平 (TTL-HCMOS) X1. 7 X1. 6 选择 X1. 13 X1. 12 X1. 9 X1. 11 X1. X1. 1 X1. 1,2,3,4 空脚 X1. 8 X1. 14,18,19 X1. 1,16,17 in TOP RTD1 RTD2 LOCK in BOT ERROR 输入电平选择器互锁输入电平选择器振荡器输入缓冲器故障记忆 S 欠压检测 3 1 故障复位模式选择器 4 2 输入缓冲器 12 6 DC/DC 隔离电源 PDI 1 变压器隔离控制侧 ( 原边 ) 功率输出侧 ( 副边 ) 6 DC DC -8 PDI 2 功率输出缓冲器 8 软关断 7 9 CE 监测 ( 过流保护 ) T dead Seup CEsa Seup PSHI 332 系统构成图 PDI DC -8 功率输出缓冲器 DC 8 软关断 9 CE 监测 ( 过流保护 ) Tdead Seup CEsa Seup X3. 8 X3. 7 X3. 6 X3. 2 X3. 1 X3. X3. 4 X3. 3 X2. 8 X2. 7 X2. 6 X2. 2 X2. 1 X2. X2. 4 X2. 3 DH BY23-2 CCE RCE RGoff-SC RGON RGOFF DH BY23-2 CCE RCE RGoff-SC RGON RGOFF TOP BOTTOM LOD 图 2, PSHI 332 驱动器系统构成图 -8-9

3 系统的构成与性能特点 : 输入电平选择电路可以选择输入信号为 (TTL,HCMOS) 或 1(CMOS) 信号, 并且通过将输入信号与一个电平进行比较可以对输入信号进行整形, 提高了驱动电路的抗干扰能力出厂默认 (X1.6 悬空 ) 为 CMOS(1), 但是可以由用户短接 J4,K4( 即 X1.6 接电源 ) 来改变到 HCMOS() 针对干扰环境设定的标准电平是 1( 出厂设定 ), 或者当外部控制电路和 PSHI332 之间 ( 需要考虑抗干扰能力 ) 的连接使用较长连接线路 (L>cm) 时也必须使用电平要使用低电平且控制板和驱动器之间为短连接线路时,TTL-HCMOS 电平 () 可以通过短接 J4,K4( 即 X1.6 接 + 1 电源 ) 来选择, 这对来自于 μ P 控制器的信号特别有用因为线路可能存在干扰, 对于长的输入线路, 我们不推荐使用电平如果连接 PSHI332 和控制板之间用的是短连接线路, 那么就没有什么需要特别注意的但是, 当连接线路的长度是 cm 或者更长 ( 我们建议限制电缆线路的长度小于 1 米 ) 的时候, 就要注意避免使用 TTL() 电平, 必须要用 CMOS(1) 电平 ; 同时要使用形式的扁平电缆或屏蔽电缆, 可以通过电容电阻来连接, 管脚 X1.1,16,17 接外壳地驱动器的信号输入端内置下拉电阻, 可保证输入端断开或悬空时 IGBT 处于关断状态输入电平的阈值如下 : 电平 (CMOS) + 电平 (TTL-HCMOS) IT+ (High) min yp max IT- (Low) min yp max 1 9, 11, 12, 1 3,6 4,2 4,8 1,8 2, 2,4,,6,8 J4;K4 互锁电路用于防止在半桥模式下 IGBT 上下两管同时导通, 上管和下管之间要有一定的死区时间, 默认的死区时间为 1 μ s, 通过调节连接到 X1.11 脚上的 R TD1 以及连接到 X1. 脚上的 R TD2 的电阻的阻值可以对死区时间进行调节, 以适合于不同电流等级的 IGBT 以及不同的工作频率表 1 给出了 R TD 电阻与死区时间之间的对应关系在独立模式下, J2;K2 互锁功能被取消, 此时 J2,K2 被短接 ( 即 X1.1 接地 ) ( 图 3 ) 输入缓冲电路, 用以对输入信号进行转换, 使得其符合用于传递信号的铁氧体变压器的要求, 同时确保其它假的信号不会被传输到输出侧互锁模式 ( 默认值 ) 独立工作模式 R TD 阻值死区时间 1 KΩ.9 μs 22 kω 1.8 μs 33 kω 2. μs 47 kω 3.2 μs 68 kω 4 μs 1 kω μs 33 kω 7.7 μs 不接 1 μs 表 1 R TD 与死区时间的对应关系故障记忆电路, 一旦发生 IGBT 过流或者供电电源欠压, 故障记忆电路将关断并锁住所有 IGBT 信号, 并通过一个集电极开路的晶体管输出故障信号默认的故障信号输出为低电平有效 ( 即 X1.13 脚悬空 ), 如果需要高电平有效, 用户只需将跳线 J1,K1 短接即可 ( 即 X1. 13 脚接 + 1 电源 ) 欠压检测电路确保驱动板不会在低于 13 的供电电压下工作, 一旦供电电压低于 13, 系统将关断所有 IGBT 的输入信号铁氧体变压器用于传递信号, 可以实现双向传输, 高 dv/d(7k/ μ s), 以及高的隔离电压 (4k,C/1 分钟 ), 同时还能消除 ns 以下的短脉冲信号 IN1 IN2 GE1 it+ it- 9% 驱动器内置高频 DC/DC 隔离电源, 为功率输出电路提供隔离电源, 电源输出为 /-8, 电源采用全桥整流滤波及稳压电路, 使得驱动器不需要使用外部隔离电源就能获得必要的门极电压驱动器可 GE2 6ns 与控制系统使用相同电源 (), 多路驱动器可以使用相同的电源 TDmin (+ 1), 无须隔离图 3, 互锁作用时间图 %

4 软关断电路, 在短路情况下, 软关断电路自动增加了 R GOFF 的串联电阻从通过减少 di/d 值可以得到更小的电压尖峰由于在短路情况下,IGBT 的同类型峰值电流将增加到正常电流的 6-8 倍, 且电源电路总是存在着寄生电感, 所以必须要比正常工作更长的时间把电流减小到零, 避免过高的电压尖峰给 IGBT 带来损害默认软关断用电阻为 22 Ω, 用户可以在 X2.1,X2.2 及 X3.1,X3.2 引脚之间并联适当阻值的 R GOFF-CS 来减少软关断时间 CE 监控电路负责短路监测, 它在 IGBT 处于导通状态时监测 IGBT 的集电极 - 发射极电压 CE, 通过 IGBT 的集电极直接测量 CEsa 来实现对短路故障的监测当 IGBT 发生短路时, 它通过软关断电路关断 IGBT 并封锁输出缓冲器, 同时发送一个信号到控制端的故障记忆电路参考电压 CEref 可以根据 IGBT 开关特性进行动态调整, 当 IGBT 关断时该值被复位 CEref 不是静态的, 而是在 IGBT 导通瞬间开始大约从 1 依照时间常数 τ( 受 C CE 控制 ) 以指数形式下降到 CEsa ( 由 R CE 决定 )( 参见图 4) CE 监测的阈值 CEsa 是 CEref 的稳态值, 受电阻 R CE 控制, 可通过电阻 R CE (X2.6,X3.6) 来调整到 IGBT 所需要的最大值, 正常状态下它的取值应为 CEsa > CEsa, 最大不应超过 1 CEref 的延时时间受电容 C CE (X2.7,X3.7) 及电阻 R CE 控制, 它控制 IGBT 导通后到 CEsa 监测启动之间的盲区时间 dead 图 4, CE 电压监控曲线 ref 以及 IGBT 导通瞬间的 CE 电压波形示意图为了避免误报故障, 在 IGBT 导通瞬间 ( 这时的 CE > CEref ) 必须要为 CEref 下降提供足够的盲区时间 dead, 因为 CE 信号监测的内部门槛值被限定在 1, 当 CEref 下降到 1 时 ( 即离开监测盲区 dead 后 ) 只要 CE > CEref, CE 监控电路即被触发并通过软关断电路关断 IGBT 正常工作状态和可能的故障模式如图 1 1 CEsa CEsa CE urn-on insan dead ref CE CE CE 故障 CE 故障故障 CEref CEref CEref CEref CEsa dead CEsa dead CEsa dead CEsa dead CEsa CEsa CEsa CEsa 导通瞬间导通瞬间导通瞬间导通瞬间图 a, 正常工作图 b, 运行过程中短路图 c, 导通过慢或盲区时间过短图 d, 导通时短路通过调整盲区时间 dead 可以调整 CE 监控电路的监控灵敏度, 比如一些特殊应用场合需要上下管瞬间直通的工作状况, 可以通过调整电容 C CE 的值延长监测盲区来实现, 但需要特别注意的是从 IGBT 导通 ( 短路开始 ) 至软关断电路彻底关断 IGBT 时止的总时间必须小于 IGBT 的安全短路时间 ( 一般为 1 μ s 或 6 μ s, 详细参数请咨询 IGBT 供应商 ) 总的时间应包括监测盲区时间 dead 故障返回时间 d(err) 软关断 IGBT 时间 off-sc IGBT 关断拖尾时间及安全量 PSHI 332 出厂默认 CEsa =.6, 如果用户需要更低的 CEsa, 可通过连接到 X2.3 及 X3.3 脚的 R CE 电阻来调整获得保护盲区出厂默认为 3 μ s, 更大的盲区可通过连接到 X2.7 及 X3.7 脚的 C CE 电容来调整如果需要更短的盲区时间可特别定制, 最短盲区时间为 1 μ s 注意 : 如果这个功能没有被使用, 比如在实验性阶段 ( 没有接 IGBT),CE 监控器 (X2.8;X3.8) 必须和发射极输出 (X2.3;X3.3) 连接在一起, 以避免可能的错误指示和必然的门极信号封锁功率输出缓冲器单元由 DC/DC 变换器供应 /-8 电平, 并增强从脉冲变压器接收到的控制信号功率输出级采用一对 MOSFET 为门极提供 ± 1 的峰值电流, 从而提高了 IGBT 开通和关断的性能如果这部分的功率不够,IGBT 将不能正常开关,IGBT 的功耗增加甚至会发生 IGBT 损坏根据 IGBT 的不同的充电电荷以及开关频率, 需要选择不同的 R G 请务必注意 R G 不得小于 1. Ω, 否则可能导致驱动板损坏 -8-11

5 五, 输入接口规范 1, 输入信号电平 : 输入的 PWM 信号可以为 1(CMOS)/(TTL;HCMOS) 电平正逻辑控制 ( 高电平为 IGBT 导通 ), 为上管 IGBT 控制信号, 为下管 IGBT 控制信号 2, 故障输出 : 当发生 IGBT 过流时, 驱动板会自动关断发生过流的 IGBT 故障信号的输出 X1.12 可以要求高电平有效 ( 高电平为故障,X1.13 接 + 1) 或低电平有效输出 (X1.13 接或悬空 ) 当输出为高电平有效时,X1.12 要求接上拉电阻当输出为低电平有效时,X1.12 无需接上拉电阻, 这时多块驱动器可共用一条故障输出线路上拉电路电压应小于 24, 灌入电流应该小于 6m( 见图 6) 默认的故障信号输出为低电平有效 J1;K1 3, 故障复位 : X1.9 为故障复位模式选择端, 当 J3,K3 短接 ( 即 X1.6 脚接电源 ) 时为 1 秒自动复位, 这时当外部控制电路对 X1.12 脚输出的故障信号没有进行 PWM 输入信号的封锁处理时, 驱动器内部的故障封锁在 1 秒后自动解除, 驱动器自动恢复到正常工作状态 J3;K3 故障输出低电平有效故障输出高电平有效输入同时置低 >µs 复位 1 秒自动复位 Conrol Board c=+ +24 Rc for high-logic Rc > c / 6m PSHI 332 ERROR X1. 12 ERROR J1 K1 X1. 13 S () ERROR / ERROR RESET J3 K3 X1.9 故障复位模式选择 in TOP in BOT >μs X1.1,16,17 当 J3,K3 断开 ( 即 X1.9 脚悬空或者接地, 默认值 ) 时, 故障复位为输入信号双低复位, 这时将与同时置低超过微秒, 故障自动复位 ( 见图 6) 4, 控制板与驱动板之间的连线 : 图 6, 故障输出及故障复位接口参考图应该尽量缩短控制板与驱动板之间的连线长度, 当连线长度小于 cm 时, 采用普通的扁平电缆直接连接即可 ( 见图 7,a) 如果连线长度介于 cm~1cm 之间时, 只能采用 CMOS 电平进行信号传输, 信号线需要使用或者采用屏蔽电缆, 如果采用屏蔽电缆, 屏蔽层可以接到 X1.1 X1.16 或 X1.17 连接线长度不允许超过 1 米 ( 见图 7,b) (or +) in TOP PSHI 332 X1.16,17 X1.16,17 in TOP GND TOP PSHI 332 X1.16,17 in BOT GND cm<l<1cm X1.16,17 in BOT GND BOT 图,7a ( 控制板与驱动板之间的连线长度小于 cm) 图 7b, ( 控制板与驱动板之间的连线长度介于 cm~1cm 时 ) -8-12

6 , 驱动板与 IGBT 之间的连接 : 如果仅仅只是连接一只功率较小的 IGBT, 开通和关断的两个门极输出可通过引脚 X2.7,X2.8 及 X3.7,X3.8 把它们分别连接到一起, 用一根门极输出导线通过一个门极电阻 R G 连接到 IGBT ( 如图 8 ) 但我们强烈建议您把门极电阻 R G 放置到紧挨着 IGBT 门极安装的一小块 PCB 上面, 该小块 PCB 上面还必须要有门极电压箝位二极管 ( 一般为二只反串接的 18 齐纳二极管或者瞬态电压抑制二极管来实现 ) 及门极 - 发射极电阻 R GE ( 一般为 1k Ω) 以避免因线路干扰和寄生效应所带来的电压尖峰及静电给 IGBT 门极所带来的危害驱动器与 IGBT 模块之间的连线应尽可能的短, 而且必须采用 6, IGBT 并联的连接 : 如果需要获得更大的功率输出, 就需要用多只 IGBT 并联来实现并联连接方式只推荐使用同类结构的正温度系数的 IGBT, 这样可以在没有任何辅助条件下得到正向温度系数, 从而达到完善的电流分配要想得到一个优化的电路并使得 IGBT 功能的完整体现需要特别注意以下方面 : 每个 IGBT 必须要有独立的 R GON 和 R GOFF, 同时必须使用一个辅助的发射极电阻 R E 和一个辅助的集电极电阻 R C Conrol Board in TOP in BOT X1.1,16,17 GND X1.12 ERROR PSHI 332 另外, 电阻,,R EX (. Ω) 和 R CX (47 Ω) 必须安放到并联模块附近一个附加的电路板上附加电路板到各模块之间的引线长度尽可能的一致 ( 如图 9) PSHI332 最大的门极充电电量为 6.3 μc CE 监测 CE 监测 X3.8 X3. X3.3 图 8, 单个 IGBT 接线图 RG X3.4 R GE TS X2.8 X2. X2.3 BY23-2 RG PCB BY23-2 X2.4 RGE TS PCB s shor as possible Conrol Board R CX + X1.1,16,17 in TOP in BOT GND PSHI 332 CE 监测 CE 监测 BY23-2 R CX R CX X3.8 X3. X3.4 X3.3 X2.8 BY23-2 R EX R EX R EX LOD R CX R CX R CX X2. X1.12 ERROR X2.4 X2.3 R EX R EX R EX 图 9, IGBT 并联接线示意图 -8-13

7 六, 注意事项 1, 驱动板的 CMOS 输入端对过电压及其敏感, 信号电压高于 ( S +.3) 或者低于 -.3 都有可能造成这些输入端损坏因此要特别注意确认控制板的信号符合上述要求, 另外不用的管脚要与 GND 短接, 避免悬空管脚的出现, 还要注意防静电击穿 2, 驱动器与 IGBT 模块之间的连线应尽可能的短, 而且必须采用 3, 尽量减小杂散电感, 可以采取各种吸收电路降低关断过电压 4, 故障信号必须可靠返回到控制板, 确保一旦发生故障, 及时关断 IGBT 否则 IGBT 可能因为重复发生短路故障而损坏七, 尺寸与管脚说明表 2, 管脚 X1;X2;X3 引脚说明 : 引脚功能跳线出厂设置允许调整 X1,1 X1,2 X1,3 X1,4 X1, 空脚下管死区时间设置空脚不接 :1μs 接 R TD2 自行调节 X1,6 输入电平选择 J4 K4 不接 :1, CMOS 电平接 S 电源 :, TTL;HCMOS X1,7 in TOP X1,8 in BOT 1, CMOS 电平输入通过 X1.6 自行调节为电平 X1,9 故障复位模式选择 J3 K3 不接 : 输入同时置低 >μs 复位接 S 电源 :1s 自动复位 X1,1 互锁模式选择 J2 K2 不接 : 互锁模式 ( 半桥模式 ) 接地 : 独立工作模式 X1,11 上管死区时间设置不接 :1μs 接 R TD1 自行调节 X1,12 故障信号输出低电平有效高电平有效 X1,13 故障返回电平选择 J1 K1 不接 : 低电平有效接电源 S: 高电平有效 X1,14 电源 Power, X1,1 X1,16 X1,17 X1,18 X1,19 X2,1 X2,2 电源地电源地电源 Power, R Goff-SC BOT 软关断时间调整 ( 下管 ) 出厂默认 :22Ω 接 R GOFF-SC 自行调节 X2,3 BOT E 接 IGBT 发射极 ( 下管 ) X2,4 BOT R GOFF 接门极关断电阻 ( 下管 ) X2, BOT R GON 接门极开通电阻 ( 下管 ) X2,6 BOT CEsa 设定不接 : CEsa =.6( 下管 ) 接 R CE 自行调节 X2,7 BOT 保护盲区设定不接 :T dead = 3μs( 下管 ) 接 C CE 自行调节 X2,8 BOT CEsa 检测通过 D H(BY23) 接 IGBT 集电极 ( 下管 ) X3,1 X3,2 R Goff-SC BOT 软关断时间调整 ( 上管 ) 出厂默认 :22Ω 接 R GOFF-SC 自行调节 X3,3 TOP E 接 IGBT 发射极 ( 上管 ) X3,4 TOP R GOFF 接门极关断电阻 ( 上管 ) X3, TOP R GON 接门极开通电阻 ( 上管 ) X3,6 TOP CEsa 设定不接 : CEsa =.6( 上管 ) 接 R CE 自行调节 X3,7 TOP 保护盲区设定不接 :T dead = 3μs( 上管 ) 接 C CE 自行调节 X3,8 TOP CEsa 检测通过 D H(BY23) 接 IGBT 集电极 ( 上管 ) -8-14

8 X1,1 X3,8 隔离变压器 1.6 mm 13.6 mm 22mil (.8 mm) 18mil (4.72 mm) 隔离变压器 X3,1 X2,8 14mil (3.6 mm) 1mil (2.4 mm) 18mil (4.72 mm) 22mil (.8 mm) 26 mm 2 2mil.64.64mm PCB Φ1. X1,19 X2,1 28mil (72.39 mm) 29mil (74.93 mm) 1mil (2.4 mm) 图 1a, 安装尺寸示意图 -8-1

控制器 EtherCAT EtherCAT EtherCAT 接下一个电机驱动模块 (X4) 接下一个电机驱动模块 (X5) X11 IN X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 SYS STA DC BUS D

控制器 EtherCAT EtherCAT EtherCAT 接下一个电机驱动模块 (X4) 接下一个电机驱动模块 (X5) X11 IN X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 SYS STA DC BUS D 控制器 thert thert thert 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 电机驱动模块电机驱动模块电源模块接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () X 0 X 0 4 /RK /RK 注注制动电阻阻值 Ω Φ 80: 适用电机驱动模块型号 8-M-XXXX--XX Φ : 适用电机驱动模块型号