输出模式为 LDO 加直通模式的锂离子电池充电保护控制器 特性 描述 输入过压保护 输入限流保护 专有的 LDO 加直通输出模式 内置专有的 K-Charge TM 技术, 可根据芯片温度智能调整输出电流 内置过温保护 ESD 保护 :±8KV(HBM) 纤小的 DFN2x2-8L 封装 应用 蜂窝电话 数码相机 PDA MP3 AW3282 是一款高集成度的锂离子电池充电保护控制器 AW3282 持续检测输入电压, 若输入电压超过保护阈值电压且持续时间超过 deglitch 时间, 则内部功率 P-MOSFET 关闭,OUT 电压拉低 AW3282 内置限流保护电路, 充电电流会限制在安全的范围内 AW3282 还内置专有的 K-Charge TM 技术, 可根据芯片温度智能调整输出电流, 保证在充电期间整个充电系统的安全 AW3282 输出模式为 LDO 加直通模式 当输入电压比较高时, 输出模式为 LDO 模式, OUT 输出电压为 5.25V( 典型值 ), 若输入电压比较低时,AW3282 输出模式为直通模式, 内部功率 P-MOSFET 充分导通,OUT 电压尽可能接近输入电压 AW3282 采用纤小的 DFN2x2-8L 封装, 额定的工作范围为 -40 至 85 引脚分布及标记图 图 1 AW3282 引脚分布及标记图 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 1 页共 10 页
典型应用图 图 2 AW3282 典型应用图 订购信息 产品型号工作温度范围封装形式 RoHS 器件标记发货形式 AW3282DNR -40 ~85 DFN2x2-8L 是 AP82 卷带包装 3000 片 / 盘 绝对最大额定值 ( 注 1) 参数 电源电压 ACIN( 持续时间小于 1 秒 ) OUT 引脚电压 范围 -0.3V to 15 V -0.3V to 7V OUT 引脚最大输出电流 1.5A 最大功耗 (PDmax,package@ TA=25 ) 封装热阻 θ JA 1.3 W 76 /W 最大结温 T Jmax 125 存储温度范围 -65 to 150 引脚温度 ( 焊接 10 秒 ) 260 ESD 范围 ( 注 2) HBM, 所有引脚 ±8KV Latch-up 测试标准 :JEDEC STANDARD NO.78A FEBURARY 2006 +IT:450mA -IT:-450mA 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 2 页共 10 页
电气特性 测试条件 :T A =60,ACIN=5.0V( 除非特别说明 ) 参数条件最小典型最大单位 ACIN I ACIN 静态电流 I OUT =0A,I OUT =0A 0.9 1.1 1.4 ma V POR 上电复位电压 ACIN 从 0V 升高至 3V 2.56 3.0 V V hys(por) 上电复位迟滞电压 ACIN 从 3V 降低至 0V 380 mv T BLK 上电复位延时 3 ms 输入与输出之间导通电阻 ACIN 与 OUT 之间导通电阻 I OUT =0.7A,ACIN=5.0V, GATDRV=0V 0.35 Ω 输入过压保护 V OUT(REG) LDO 模式输出电压 ACIN=6.5V 5 5.25 5.5 V V LDO_MODE 切换至 LDO 模式的输入电压 ACIN 从 5V 升高至 7V 6.0 6.3 6.6 V V hys(ldo_mode) 模式切换迟滞电压 ACIN 从 7V 降低至 5V 640 mv V OVP 输入过压保护电压 ACIN 上升 10.0 10.5 11.0 V V hys(ovp) OVP 迟滞电压电压 470 mv T DGL(OVP) OVP 去毛刺时间 100 ns T REC(OVP) OVP 撤消延时 3.5 ms 输入限流保护 I OCP 限流电流 1.2 A 过热保护 T OTP 过热保护温度 146 T hys 过热保护迟滞温度 22 注 1: 如果器件工作条件超过上述各项极限值, 可能对器件造成永久性损坏 上述参数仅仅是工作条件的极限值, 不建议器件工作在推荐条件以外的情况 器件长时间工作在极限工作条件下, 其可靠性及寿命可能受到影响 注 2: HBM 测试方法是存储在一个的 100pF 电容上的电荷通过 1.5 KΩ 电阻对引脚放电 测试标准 :MIL-STD-883G Method 3015.8 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 3 页共 10 页
引脚定义及功能 序号符号描述 1 ACIN 电源输入引脚 连接至外部直流充电器的输出 2 GND 地 3 NC 浮空 4 NC 浮空 5 NC 浮空 6 NC 浮空 7 NC 浮空 8 OUT 电压输出引脚 需接一个 1μF 的输出旁路电容 9 GND 散热片应该和 GND 连接至 PCB 上的地 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 4 页共 10 页
典型特性曲线 10.6 Input OVP Threshold Vs. Junction Temperature 6.60 Output Mode Change Threshold Vs. Junction Temperature Input OVP Threshold (V) 10.5 10.4 10.3 10.2 10.1 10.0 ACIN Increasing ACIN Decreasing Output Mode Change Threshold (V) 6.40 6.20 6.00 5.80 5.60 5.40 ACIN Increasing ACIN Decreasing 9.9-40 -25-10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 Junction Temperature ( ) 5.20-40 -25-10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 Junction Temperature ( ) 1.3 Input Current Limit Vs. Junction Temperature 450 ACIN to OUT On Resistance Vs. Junction Temperature Input Current Limit (A) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 ACIN to OUT On Resistance (mω) 400 350 300 250 200 0.5 30 45 60 75 90 105 120 135 Junction Temperature ( ) -40-25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 Junction Temperature( ) 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 5 页共 10 页
Normal Power On Normal Power Down ACIN 2V/div OUT 2V/div ACIN 2V/div OUT 2V/div C1 C1 C2 C2 Time: 1ms/div Input Over-Voltage Protection Time: 5ms/div OVP at Power On ACIN 2V/div OUT 2V/div C1 C1 ACIN 2V/div OUT 2V/div C2 C2 Time: 20μs/div Time: 5ms/div 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 6 页共 10 页
功能框图 ACIN OUT POR OTP OCP VREF + COMP - Output Mode Control VREF + COMP - GND 图 3 AW3282 功能框图 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 7 页共 10 页
工作原理 AW3282 是一款高集成度的锂离子电池充电保护控制器 AW3282 持续检测输入电压, 若输入电压超过保护阈值电压且持续时间超过 deglitch 时间, 则内部功率 P-MOSFET 关闭, OUT 电压拉低 AW3282 内置限流保护电路, 充电电流会限制在安全的范围内 AW3282 还内置专有的 K-Charge TM 技术, 可根据芯片温度智能调整输出电流, 保证在充电期间整个充电系统的安全 AW3282 输出模式为 LDO 加直通模式 当输入电压比较高时, 输出模式为 LDO 模式, OUT 输出电压为 5.25V( 典型值 ), 若输入电压比较低时,AW3282 输出模式为直通模式, 内部功率 P-MOSFET 充分导通,OUT 电压尽可能接近输入电压 上电复位 AW3282 包含上电复位功能 在芯片上电过程中, 若 ACIN 引脚电压低于上电复位电压 2.56V( 典型值 ), 内部寄存器被复位, 芯片处于 shutdown 状态 当 ACIN 引脚电压升高超过上电复位电压 2.56V 且稳定 3ms 后, 芯片开始启动,OUT 引脚逐渐升高 上电复位功能包含电压迟滞和复位延时, 以避免输入电压毛刺干扰芯片正常工作 输入过压保护输入过压保护电路持续检测 ACIN 引脚输入电压, 当 ACIN 引脚电压升高至高于输入保护阈值电压, 经过 100ns( 典型值 ) 的 deglitch 时间后, 内部功率 P-MOSFET 关闭,OUT 电压被拉低, 以保护连接到 OUT 引脚的器件安全 ACIN 引脚电压降低至低于 V OVP -V hys(ovp), 经过 3.5ms( 典型值 ) 的恢复时间后, 内部功率管 P-MOSFET 才重新打开 迟滞电压 V hys(ovp) 和 3.5ms 的恢复时间确保输入过压保护功能不受输入电压瞬态噪声信号的干扰 输出模式及切换 AW3282 的输出模式为 LDO 加直通的输出模式 当输入电压高于 LDO 模式电压 V LDO_MODE ( 典型值为 6.3V) 时,AW3282 输出模式为 LDO 模式,OUT 输出电压为 5.25V, 保证连接至 OUT 引脚的系统的安全 当输入电压降低至 V LDO_MODE -V hys(lod_mode) 时,AW3282 输出模式切换为直通模式, 内部功率 P-MOSFET 充分导通, 使 ACIN 引脚和 OUT 引脚之间的压差尽可能小 输入限流保护和 K-Charge TM 技术输入限流保护电路采样输出电流, 当输出电流变大时, 限流保护电路会限制输入电流以保护芯片和锂离子电池安全 AW3282 还内置了专有的 K-Charge TM 技术, 可根据芯片温度智能调整输出电流, 当芯片温度较低时, 限流电流大小不变, 典型值为 1.2A; 当芯片温度超过 80, 限流电流会随芯片温度升高逐渐减小, 芯片温度达到 135 时, 限流电流将减小至 560mA 输入限流保护和 K-Charge TM 技术可以在充电期间最大限度的保护芯片和锂离子电池的安全, 并加快锂离子电池的充电时间 过热保护 AW3282 具有过热保护功能 当芯片内部温度超过 146 ( 典型值 ) 时, 功率 P-MOSFET 关闭, 直至芯片温度降低至 124 ( 典型值 ), 芯片才重新恢复正常工作状态 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 8 页共 10 页
应用信息 输入电容和输出电容的选取 ACIN 引脚需要一个到地的输入电容 C ACIN, 这个电容除了去耦外, 还可以减小输入电压的过冲 在热插拔 AC 适配器或者充电电流突然下降时, 由于输入电源走线的寄生电感影响, 输入电压会产生瞬态的过冲, 在 ACIN 引脚增加一个输入电容可以有效减小过冲电压, 防止输入电压过冲影响充电系统正常工作 这里推荐使用耐压为 25V 的 X7R 或 X5R 陶瓷电容, 电容值不小于 1μF, 在 PCB 布局时输入电容尽可能靠近 ACIN 引脚 OUT 引脚同样需要一个到地的输出去耦电容 C OUT, 这里推荐使用耐压为 6.3V 的 X7R 或 X5R 陶瓷电容, 电容值不小于 1μF,PCB 布局时输入电容尽可能靠近 OUT 引脚 1 AW3282 是一款保护芯片, 应用时可能会有高压,PCB 布线应遵守高压布线规则 ; 2 为了获得更好的散热性能, 芯片的散热片和应和 GND 引脚一起直接连接到 PCB 的大面积铺地层上, 同时在散热片下面的铺地层上再打上尽可能多的通孔, 通过通孔将所有铺地层连接在一起, 通过通孔和大面积的铺地层减小热阻, 提高散热性能 ; 3 输入电容 C ACIN 和输出电容 C OUT 尽可能靠近芯片对应引脚, 芯片焊盘和引脚之间应直接用同一层走线连接, 避免通过通孔用两层走线连接 PCB 布局及布线考虑 为了充分发挥 AW3282 的性能,PCB 布局和布线时应严格遵守以下准则 : 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 9 页共 10 页
封装描述 D b D2 e Unit:mm Symbol Min Typ Max A 0.800 DFN-8L 0.850 0.900 E E2 A1 A2 0.000 0.203( Ref.) 0.050 Top View c D1 Bottom View b c D 0.200 0.300 0.250 0.350 0.300 0.400 1.950 2.000 2.050 D2 1.150 1.200 1.250 A A1 Side View A2 D1 e E E2 1.500 ( Ref.) 0.500 (BSC) 1.950 0.550 2.000 0.600 2.050 0.650 声明 : 上海艾为电子技术有限公司不对本公司产品以外的任何电路使用负责, 也不提供其专利许可 上海艾为电子技术有限公司保留在任何时间 没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的权利 版权所有 2010 上海艾为电子技术有限公司第 10 页共 10 页