HT73xx-7 30V, 250mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 30V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述

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1 3V, 25mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 3V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述系列是一组 CMOS 技术实现的低功耗高电压稳压器 CMOS 技术可确保其具有低压降和低静态电流的特性输入电压可高达 3V, 且具有几个固定的输出电压, 范围从 2.1V 到 5.V 当 CE 输入脚为低, 快速放电通道可通过一个内置的下拉电阻将输出电压拉低即使输出脚短接到地, 内建的过流保护电路也可避免芯片受到损害过温保护电路确保芯片结温将不超过 15 C 应用领域电池供电设备通信设备音频 / 视频设备选型表型号输出电压封装正印 HT V HT V HT V HT V HT V HT V HT V HT V HT V HT V 注 : xx 代表输出电压 8SOP-EP TO92-3 SOT89-3 ( 封装为 8SOP-EP) 73xx-7( 封装为 TO92-3, SOT89-3) Rev

2 方框图 OTP VIN OUT OCP 3Ω Vref CE En En Soft Start 引脚图 SOT89-3 TO92-3 OUT NC NC NC VIN SOP-A (Exposed Pad) VIN CE NC 73xx VIN OUT 73xx VIN OUT 引脚说明型号 8SOP-EP TO92-3 SOT89-3 引脚名称引脚说明地 8, VIN 输入脚 OUT 输出脚 7 CE 芯片使能引脚, 高电平使能 2, 3, 4, 6 NC 未连接 Rev

3 极限参数参数值单位 VIN -.3 ~ +33 V VCE -.3 ~ (VIN+.3) V 工作温度范围, Ta -4 ~ +85 o C 最大结温, TJ(MAX) +15 o C 储存温度范围 -65 ~ +165 o C 结至环境的热阻, θ JA TO o C/W 8SOP-EP 125 o C/W SOT o C/W 8SOP-EP.8 W 功耗, PD TO W SOT W 注 :PD 值是在 Ta = 时测得建议工作条件参数值单位 VIN VOUT+2 ~ 3 V VCE ~ VIN V 电气特性 VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, Ta=+25 o C, CIN=COUT=1μF, 除非另外说明符号参数测试条件最小典型最大单位 VIN 输入电压 3 V VOUT 输出电压 V VO 输出电压精度 IOUT=1mA -2 2 % IOUT 输出电流 25 ma VOUT 负载调节 1mA IOUT 1mA 45 9 mv VDIF 压差 IOUT=1mA, VOUT 下降 2% ( 注 ) 6 15 mv IOUT=3mA, VOUT 下降 2% ( 注 ) 12 3 mv ISS1 IOUT=mA μa 静态电流 ISS2 VCE=2.V, VIN=3V, IOUT=mA μa ISHD 关机电流 VCE=V.1.5 μa VOUT VIN VOUT 线性调整率 (VOUT+1V) VIN 3V, IOUT=1mA.1.2 %/V VOUT Ta VOUT 温度系数 IOUT=4mA, -4 o C<Ta<85 o C ±1 ppm/ o C ISHORT 短路输出电流 VIN=12V, VOUT=V 25 ma TSHD 关机温度 15 o C TREC 恢复温度 25 o C VIH 使能电平高阈值 CE 脚, VOUT+1V VIN 3V 2. V VIL 使能电平低阈值 CE 脚, VOUT+1V VIN 3V.6 V RDIS 放电电阻 CE=V, 可通过 VOUT 测得 3 Ω 注 : 在 VIN=VOUT+2V 与一个固定负载条件下使输出电压下降 2%, 此时的输入电压减去输出电压就是电压差 Rev

4 典型性能特性此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明 VOUT(V) (V) 线性调整率 :HT (IOUT=1mA) VOUT(V) (V) 线性调整率 :HT735-7 (IOUT=1mA) ISS (ua) ISS (ua) (V) ISS vs VIN: HT (IOUT=mA) (V) ISS vs VIN: HT735-7 (IOUT=mA).5.5 ISHD(uA) ISHD(uA) VIN(V) ISHD vs VIN: HT (IOUT=mA) VIN(V) ISHD vs VIN: HT735-7 (IOUT=mA) ISS(uA) I OUT(mA) ISS vs IOUT: HT (VIN=5.3V) ISS(uA) I OUT(mA) ISS vs IOUT: HT735-7 (VIN=7.V) ISS(uA) ISS(uA) V CE(V) ISS vs VCE: HT (IOUT=mA) V CE(V) ISS vs VCE: HT735-7 (IOUT=mA) Rev

5 此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明 18 7 Temperature(C) TSHD(+) THD(-) ISHD(mA) (V) TSHD vs VIN (V) ISHD vs VIN VDIF(mV) IOUT(mA) 压差 :HT VDIF(mV) I OUT(mA) 压差 :HT735-7 Rev

6 此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明负载瞬态响应 : HT (VIN=5.3V, IOUT=mA to 4mA) 负载瞬态响应 : HT735-7 (VIN=7.V, IOUT=mA to 4mA) 负载瞬态响应 : HT (VIN=5.3V, IOUT=4mA to ma) 负载瞬态响应 : HT735-7 (VIN=7.V, IOUT=4mA to ma) 线性瞬态响应 :HT (IOUT=1mA) 线性瞬态响应 :HT735-7 (IOUT=1mA) 线性瞬态响应 :HT (IOUT=1mA) 线性瞬态响应 :HT735-7 (IOUT=1mA) Rev

7 此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明线性瞬态响应 :HT (IOUT=1mA) 线性瞬态响应 :HT735-7 (IOUT=1mA) 线性瞬态响应 :HT (IOUT=1mA) 线性瞬态响应 :HT735-7 (IOUT=1mA) HT (IOUT=mA,VCE=V to 2.7V) HT735-7 (IOUT=mA,VCE=V to 2.7V) HT (IOUT=mA,VCE=2.7V to V) HT735-7 (IOUT=mA,VCE=2.7V to V) Rev

8 此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明 HT (IOUT=25mA,VCE=V to 2.7V) HT735-7 (IOUT=25mA,VCE=V to 2.7V) HT (IOUT=25mA,VCE=2.7V to V) HT735-7 (IOUT=25mA,VCE=2.7V to V) HT (IOUT=mA, TRISE=.1ms) HT735-7 (IOUT=mA, TRISE=.1ms) HT (IOUT=mA, TFALL=.1ms) HT735-7 (IOUT=mA, TFALL=.1ms) Rev

9 此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明 HT (IOUT=mA, TRISE=1ms) HT735-7 (IOUT=mA, TRISE=1ms) HT (IOUT=mA, TFALL=1ms) HT735-7 (IOUT=mA, TFALL=1ms) HT (IOUT=25mA, TRISE=.1ms) HT735-7 (IOUT=25mA, TRISE=.1ms) HT (IOUT=25mA, TFALL=.1ms) HT735-7 (IOUT=25mA, TFALL=.1ms) Rev

10 此规格测试条件为 :VIN=VOUT+2V, VCE=VIN, IOUT=1mA, CIN=1μF, COUT=1μF, Ta=25ºC, 除非另有说明 HT (IOUT=25mA, TRISE=1ms) HT735-7 (IOUT=25mA, TRISE=1ms) HT (IOUT=25mA, TFALL=1ms) HT735-7 (IOUT=25mA, TFALL=1ms) Rev

11 应用信息要使稳压器实现正确的操作, 以下应用要点很重要, 须特别注意外部电路在输入脚和输出脚上连接外部电容是很重要的输入引脚应该连接合适的旁路电容, 如应用电路图所示, 尤其是电池电源阻抗较高的情况输出引脚应连接一个合适的电容, 尤其当负载有瞬态特性时, 应选择较大电容值来限制任何瞬态输出电压热敏考虑芯片最大功耗取决于芯片封装的热阻 PCB 布局周围气流速度以及结点与环境温度的温差最大功耗计算公式 : PD(MAX) = (TJ(MAX) Ta) / θ JA 其中,TJ(MAX) 为最大结温,Ta 为环境温度, θ JA 为芯片封装中结至环境的热阻, 单位为 o C/W 下列表格将描述不同封装类型的 θ JA 值封装 SOT89-3 TO92-3 8SOP-EP θ JA 值 C/W 2 C/W 2 C/W 1/W 工作极限参数中, 最大结温是 15 C 尽管如此, 建议正常工作时最大结温不超过 1 以确保其可靠性不同封装的最大功耗降额曲线图如下 : 功耗计算为了确保芯片工作在极限参数范围内且能够维持一个稳定的输出电压, 芯片的功耗 PD 必须不能超过最大功耗 PD(MAX) 即 PD PD(MAX) 在下图中可以明显看见, 功耗几乎产生于传输晶体管, 此晶体管等效于一个可变电阻与负载串联, 用于确保输出电压恒定它将以热能的形式产生功耗, 必须确保芯片不能超过它的最大结温实际应用中, 由于负载的瞬态特性, 稳压器可能被要求用来提供稳态电流和瞬态电流即使芯片在极限参数下可以以稳态电流的形式正常运行, 仍须注意的是, 瞬态负载可能导致电流增加到逼近最大电流值同样须注意的是, 瞬态负载和电流将导致芯片结温上升, 但是不允许超过最大结温芯片发热时, 其稳态电流值和瞬态电流值应采用平均值或更准确的均方根值下图将描述平均电流和瞬态电流的关系由于芯片的静态电流非常小, 通常可以忽略, 因此可以假设输入电流等于输出电流芯片的功耗 PD 可通过等式 :(VIN VOUT) IIN 计算得出, 即输入和输出的电压降与电流相乘输入电流也等于负载电流, 所以功耗 PD = (VIN VOUT) ILOAD 由于瞬态负载电流的存在,PD = (VIN VOUT) ILOAD(AVG), 如图中所示 I LOAD Maximum Power Dissipation (W) 1..8W.8 8SOP-EP.6.5W.4 SOT89-3, TO Ambient Temperature ( o C) I LOAD(AVG) Time Rev

12 I IN VIN OUT CE Vref I LOAD Vfb 应用电路基本电路 V CE Series C3 C1 OFF ON C2 C4.1μF 1μF 1μF.1μF 大电流输出正电压稳压器 TR1 R1 V CE Series C3 C1 OFF ON C2 C4.1μF 1μF 1μF.1μF Rev

13 用于增加输出电压的电路 C3 C1 OFF ON V CE Series C2 C4.1μF 1μF I SS 1μF.1μF Vxx R1 = V xx (1+R2/R1) + I SS R2 R2 用于增加输出电压的电路 V CE C3 C1 OFF ON Series C2 C4.1μF 1μF I SS 1μF.1μF Vxx R1 = V xx + V D1 D1 恒流稳压器 V CE Series C3 C1 OFF ON C2 C4.1μF 1μF I SS 1μF.1μF Vxx RA I OUT I OUT = V xx / RA + I SS RL Rev

14 双电源电路 OFF ON V CE Series C5 1μF C6.1μF D1 C3.1μF C1 OFF 1μF ON VCE Series C2 1μF C4.1μF R1 Rev

15 封装信息请注意, 这里提供的封装信息仅作为参考由于这个信息经常更新, 提醒用户咨询 Holtek 网站以获取最新版本的封装信息封裝信息的相关内容如下所示, 点击可链接至 Holtek 网站相关信息页面封装信息 ( 包括外形尺寸包装带和卷轴规格 ) 封装材料信息纸箱信息 Rev

16 8-pin SOP-EP 外形尺寸 & # ) * " +, + / -. = 符号尺寸 ( 单位 :inch) 最小正常最大 A.236 BSC B.154 BSC C.12.2 C'.193 BSC D.69 D1.59 E.5 BSC E2.39 F.4.1 G.16.5 H.4.1 α 8 符号尺寸 ( 单位 :mm) 最小正常最大 A 6. BSC B 3.9 BSC C C' 4.9 BSC D 1.75 D1 1.5 E 1.27 BSC E2 1. F.1.25 G H.1.25 α 8 Rev

17 3-pin SOT89-3 外形尺寸 ) * 1 - +, /. 符号尺寸 ( 单位 :inch) 最小正常最大 A B C.9.12 D E F G H.59 BSC I J 符号尺寸 ( 单位 :mm) 最小正常最大 A B C D E F G H 1.5 BSC I J Rev

18 3-pin TO92-3 外形尺寸 ) *, + -. / 符号尺寸 ( 单位 :inch) 最小正常最大 A B C.5.58 D.15 BSC E.1 BSC F.5 BSC G.35 BSC H 符号尺寸 ( 单位 :mm) 最小正常最大 A B C D.38 BSC E 2.54 BSC F 1.27 BSC G.89 BSC H Rev

19 Copyright 216 by HOLTEK SEMICONDUCTOR INC. 使用指南中所出现的信息在出版当时相信是正确的, 然而盛群对于说明书的使用不负任何责任文中提到的应用目的仅仅是用来做说明, 盛群不保证或表示这些没有进一步修改的应用将是适当的, 也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因可能会对人身造成危害的地方盛群产品不授权使用于救生维生从机或系统中做为关键从机盛群拥有不事先通知而修改产品的权利, 对于最新的信息, 请参考我们的网址 Rev

方框图 OTP VIN OUT OCP 3Ω Vref CE En En Soft Start GND 引脚图 TO92-3 SOT89-3 SOT xx-7 OUT 5 NC 4 75xx-7 5xx GND VIN OUT GND VIN OUT 1 2 3

方框图 OTP VIN OUT OCP 3Ω Vref CE En En Soft Start GND 引脚图 TO92-3 SOT89-3 SOT xx-7 OUT 5 NC 4 75xx-7 5xx GND VIN OUT GND VIN OUT 1 2 3 3V, 1mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 3V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :TO92-3/SOT89-3/SOT23-5 概述 HT75xx-7 系列是一组 CMOS 技术实现的低功耗高电压稳压器 CMOS 技术可确保其具有低压降和低静态电流的特性输入电压可高达

HT73xx-7 30V, 250mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性 低功耗 低压降 较低的温度系数 高输入电压 ( 高达 30V) 输出电压精度 :±2% 过流保护 过温保护 芯片使能 / 除能功能 封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述

HT73xx-7 30V, 250mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 30V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述