FDP027N08B N 沟 道 PowerTrench MOSFET 80 V 223 A 2.7 m 特 性 R DS(on) = 2.2 m ( Typ.) @ = 0 V, I D = 00 A 低 FOM R DS(on) * Q G 低 反 向 恢 复 电 荷, Q rr =2 nc 软 反 向 恢 复 体 二 极 管 可 实 现 高 效 同 步 整 流 快 速 开 关 速 度 00% 经 过 UIL 测 试 符 合 RoHS 标 准 说 明 204 年 2 月 该 N 沟 道 MOSFET 采 用 飞 兆 半 导 体 的 PowerTrench 工 艺 生 产, 这 一 先 进 工 艺 是 专 为 最 大 限 度 地 降 低 导 通 阻 抗 并 保 持 卓 越 开 关 性 能 而 量 身 定 制 应 用 用 于 ATX/ 服 务 器 / 电 信 PSU 的 同 步 整 流 电 池 保 护 电 路 电 机 驱 动 和 不 间 断 电 源 D G DS TO-220 G S MOSFET 最 大 额 定 值 T C = 25 C 除 非 另 有 说 明 符 号 参 数 FDP027N08B_F02 单 位 S 漏 极 - 源 极 电 压 80 V S 栅 极 - 源 极 电 压 ±20 V - 连 续 (T C = 25 C, 硅 限 制 ) 223* I D 漏 极 电 流 - 连 续 (T C = 00 C, 硅 限 制 ) 58* A - 连 续 (T C = 25 C, 封 装 限 制 ) 20 I DM 漏 极 电 流 - 脉 冲 ( 说 明 ) 892 A E AS 单 脉 冲 雪 崩 能 量 ( 说 明 2) 97 mj dv/dt 二 极 管 恢 复 dv/dt 峰 值 ( 说 明 3) 6.0 V/ns P D 功 耗 (T C = 25 C) 246 W - 降 低 至 25 C 以 上.64 W/ C T J, T STG 工 作 和 存 储 温 度 范 围 -55 至 +75 C T L 用 于 焊 接 的 最 大 引 线 温 度, 距 离 外 壳 /8", 持 续 5 秒 300 C * 计 算 连 续 电 流 ( 基 于 最 高 允 许 结 温 ) 封 装 限 制 电 流 为 20 A 热 性 能 符 号 参 数 FDP027N08B_F02 单 位 R JC 结 至 外 壳 热 阻 最 大 值 0.6 C/W R JA 结 至 环 境 热 阻 最 大 值 62.5
封 装 标 识 与 定 购 信 息 器 件 编 号 顶 标 封 装 包 装 方 法 卷 尺 寸 带 宽 数 量 FDP027N08B_F02 FDP027N08B TO-220 塑 料 管 N/A N/A 50 个 电 气 特 性 T C = 25 C 除 非 另 有 说 明 符 号 参 数 测 试 条 件 最 小 值 典 型 值 最 大 值 单 位 关 断 特 性 BS 漏 极 - 源 极 击 穿 电 压 I D = 250 A, = 0 V 80 - - V BS 击 穿 电 压 温 度 系 数 I / T D = 250 A, 参 考 温 度 为 25 C - 0.05 - V/ C J = 64 V, = 0 V - - I DSS 零 栅 极 电 压 漏 极 电 流 A = 64 V, T C = 50 C - - 500 I GSS 栅 极 - 体 漏 电 流 = ±20 V, = 0 V - - ±00 na 导 通 特 性 (th) 栅 极 阈 值 电 压 =, I D = 250 A 2.5-4.5 V R DS(on) 漏 极 至 源 极 静 态 导 通 电 阻 = 0 V, I D = 00 A - 2.2 2.7 m g FS 正 向 跨 导 = 0 V, I D = 00 A - 227 - S 动 态 特 性 C iss 输 入 电 容 - 070 3530 pf = 40 V, = 0 V, C oss 输 出 电 容 - 670 2220 pf f = MHz C rss 反 向 传 输 电 容 - 35 - pf C oss (er) 能 量 相 关 输 出 电 容 = 40 V, = 0 V - 3025 - pf Q g(tot) 0 V 的 栅 极 电 荷 总 量 - 37 78 nc Q gs 栅 极 - 源 极 栅 极 电 荷 = 40 V, = 0 V, - 56 - nc Q I D = 00A gs2 栅 极 平 台 电 荷 阈 值 - 25 - nc Q gd 栅 极 - 漏 极 米 勒 电 荷 ( 说 明 4) - 28 - nc ESR 等 效 串 联 电 阻 (G-S) f = MHz - 2.4 - 开 关 特 性 t d(on) 导 通 延 迟 时 间 - 47 04 ns t r 开 通 上 升 时 间 V DD = 40 V, I D = 00 A, - 66 42 ns t = 0 V, R G = 4.7 d(off) 关 断 延 迟 时 间 - 87 84 ns t f 关 断 下 降 时 间 ( 说 明 4) - 4 92 ns 漏 极 - 源 极 二 极 管 特 性 I S 漏 极 - 源 极 二 极 管 最 大 正 向 连 续 电 流 - - 223* A I SM 漏 极 - 源 极 二 极 管 最 大 正 向 脉 冲 电 流 - - 892 A V SD 漏 极 - 源 极 二 极 管 正 向 电 压 = 0 V, I SD = 00 A - -.3 V t rr 反 向 恢 复 时 间 = 0 V, V DD = 40 V, I SD = 00 A, - 80 - ns Q rr 反 向 恢 复 电 荷 di F /dt = 00 A/ s - 2 - nc 注 意 :. 重 复 额 定 值 : 脉 冲 宽 度 受 限 于 最 大 结 温 2. L = 3 mh, I AS = 24.72 A, R G = 25, 开 始 T J = 25 C 3. I SD 00 A, di/dt 200 A/ s, V DD BS, 开 始 T J = 25 C 4. 本 质 上 独 立 于 工 作 温 度 的 典 型 特 性 2
典 型 性 能 特 征 ID, Drain Current[A] 图. 导 通 区 域 特 性 500 00 0. 250 s Pulse Test 2. T C = 25 o C 5 0. 4, Drain-Source Voltage[V] 图 2. 传 输 特 性 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5, Gate-Source Voltage[V] 图 3. 导 通 电 阻 变 化 与 漏 极 电 流 和 图 4. 体 二 极 管 正 向 电 压 变 化 与 源 极 电 流 栅 极 电 压 的 关 系 和 温 度 的 关 系 3.0 = 5.0V 0.0V 8.0V 7.0V 6.5V 6.0V 5.5V ID, Drain Current[A] 500 00 0 500. = 0V 2. 250 s Pulse Test 75 o C -55 o C 25 o C RDS(ON) [m ], Drain-Source On-Resistance 2.5 2.0.5 = 0V = 20V *Note: T C = 25 o C.0 0 00 200 300 400 500 I D, Drain Current [A] IS, Reverse Drain Current [A] 00 0 75 o C 25 o C. = 0V 2. 250 s Pulse Test 0.2 0.4 0.6 0.8.0.2.3 V SD, Body Diode Forward Voltage [V] 图 5. 电 容 特 性 30000 图 6. 栅 极 电 荷 特 性 0 Capacitances [pf] 0000 000 00 *Note:. = 0V 2. f = MHz C iss C oss C rss Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted) Coss = Cds + Cgd Crss = Cgd 0 0. 0 80, Drain-Source Voltage [V] VGS, Gate-Source Voltage [V] 8 6 4 2 = 6V = 40V = 64V *Note: I D = 00A 0 0 30 60 90 20 50 Q g, Total Gate Charge [nc] 3
典 型 性 能 特 性 ( 接 上 页 ) 图 7. 击 穿 电 压 变 化 与 温 度 的 关 系 BVDSS, [Normalized] Drain-Source Breakdown Voltage.08.04.00 0.96. = 0V 2. I D = 250 A 0.92-80 -40 0 40 80 20 60 200 T J, Junction Temperature [ o C] RDS(on), [Normalized] Drain-Source On-Resistance 图 8. 导 通 电 阻 变 化 与 温 度 的 关 系. = 0V 2. I D = 00A 0.5-00 -50 0 50 00 50 200 T J, Junction Temperature [ o C] 图 9. 最 大 安 全 工 作 区 图 0. 最 大 漏 极 电 流 与 壳 温 的 关 系 ID, Drain Current [A] 2000 000 00 0 0. Operation in This Area is Limited by R DS(on). T C = 25 o C 2. T J = 75 o C 3. Single Pulse ms 0ms DC 00us 0us 0.0 0 00 200, Drain-Source Voltage [V] ID, Drain Current [A] 2.0.5.0 250 200 50 00 50 R JC = 0.6 o C/W = 0V 0 25 50 75 00 25 50 75 T C, Case Temperature [ o C] 图. Eoss 与 漏 源 极 电 压 的 关 系 图 2. 非 箝 位 感 性 开 关 能 力 6 200 5 00 E OSS, [ J] 4 3 2 IAS, AVALANCHE CURRENT (A) 0 T J = 50 o C T J = 25 o C 0 0 20 40 60 80, Drain to Source Voltage [V] 0.00 0.0 0. 0 00 000 t AV, TIME IN AVALANCHE (ms) 4
典 型 性 能 特 性 ( 接 上 页 ) Z Thermal JC (t), 热 响 Response 应 [ o C/W] [Z JC ] 0. 0.5 0.2 0. 0.05 0.0 图 3. 瞬 态 热 响 应 曲 线 0.02. Z JC (t) = 0.6 o C/W Max. 0.0 Single pulse 2. Duty Factor, D= t /t 2 3. T JM - T C = P DM * Z JC (t) 0.005 0-5 0-4 0-3 0-2 0 - t Rectangular, 矩 形 脉 冲 持 续 Pulse 时 间 [ 秒 Duration ] [sec] P DM t t 2 5
I G = 常 量 图 4. 栅 极 电 荷 测 试 电 路 与 波 形 R L 90% R G V DD V 0 DUT 0% t d(on) t r t d(off) tf t on t off 图 5. 阻 性 开 关 测 试 电 路 与 波 形 图 6. 非 箝 位 电 感 开 关 测 试 电 路 与 波 形 6
R G DUT I SD Driver + _ Same Type as DUT L V DD dv/dt controlled by RG I SD controlled by pulse period ( Driver ) Gate Pulse Width D = -------------------------- Gate Pulse Period 0V I FM, Body Diode Forward Current I SD ( DUT ) di/dt I RM Body Diode Reverse Current ( DUT ) Body Diode Recovery dv/dt V SD V DD Body Diode Forward Voltage Drop 图 7. 二 极 管 恢 复 dv/dt 峰 值 测 试 电 路 与 波 形 7
机 械 尺 寸 图 8. TO-220 模 塑 3 引 线 Jedec 变 体 AB (Delta) 封 装 图 纸 作 为 一 项 服 务, 提 供 给 考 虑 飞 兆 半 导 体 元 件 的 客 户 具 体 参 数 可 能 会 有 变 化, 且 不 会 做 出 相 应 通 知 请 注 意 图 纸 上 的 版 本 和 / 或 日 期, 并 联 系 飞 兆 半 导 体 代 表 核 实 或 获 得 最 新 版 本 封 装 规 格 并 不 扩 大 飞 兆 公 司 全 球 范 围 内 的 条 款 与 条 件, 尤 其 是 其 中 涉 及 飞 兆 公 司 产 品 保 修 的 部 分 随 时 访 问 飞 兆 半 导 体 在 线 封 装 网 页, 可 以 获 取 最 新 的 封 装 图 纸 : http:///package/packagedetails.html?id=pn_tt220-0i3 8
TRADEMARKS The following includes registered and unregistered trademarks and service marks, owned by Fairchild Semiconductor and/or its global subsidiaries, and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks. AccuPower AX-CAP * BitSiC Build it Now CorePLUS CorePOWER CROSSVOLT CTL Current Transfer Logic DEUXPEED Dual Cool EcoSPARK EfficentMax ESBC Fairchild Fairchild Semiconductor FACT Quiet Series FACT FAST FastvCore FETBench FPS F-PFS FRFET Global Power Resource SM GreenBridge Green FPS Green FPS e-series Gmax GTO IntelliMAX ISOPLANAR Marking Small Speakers Sound Louder and Better MegaBuck MICROCOUPLER MicroFET MicroPak MicroPak2 MillerDrive MotionMax mwsaver OptoHiT OPTOLOGIC OPTOPLANAR PowerTrench PowerXS Programmable Active Droop QFET QS Quiet Series RapidConfigure Saving our world, mw/w/kw at a time SignalWise SmartMax SMART START Solutions for Your Success SPM STEALTH SuperFET SuperSOT -3 SuperSOT -6 SuperSOT -8 SupreMOS SyncFET Sync-Lock * TinyBoost TinyBuck TinyCalc TinyLogic TINYOPTO TinyPower TinyPWM TinyWire TranSiC TriFault Detect TRUECURRENT * SerDes UHC Ultra FRFET UniFET VCX VisualMax VoltagePlus XS *Trademarks of System General Corporation, used under license by Fairchild Semiconductor. DISCLAIMER FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. THESE SPECIFICATIONS DO NOT EXPAND THE TERMS OF FAIRCHILD S WORLDWIDE TERMS AND CONDITIONS, SPECIFICALLY THE WARRANTY THEREIN, WHICH COVERS THESE PRODUCTS. LIFE SUPPORT POLICY FAIRCHILD S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used here in:. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in a significant injury of the user. 2. A critical component in any component of a life support, device, or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness. ANTI-COUNTERFEITING POLICY Fairchild Semiconductor Corporation s Anti-Counterfeiting Policy. Fairchild s Anti-Counterfeiting Policy is also stated on our external website, www.fairchildsemi.com, under Sales Support. Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. All manufactures of semiconductor products are experiencing counterfeiting of their parts. Customers who inadvertently purchase counterfeit parts experience many problems such as loss of brand reputation, substandard performance, failed application, and increased cost of production and manufacturing delays. Fairchild is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the proliferation of counterfeit parts. Fairchild strongly encourages customers to purchase Fairchild parts either directly from Fairchild or from Authorized Fairchild Distributors who are listed by country on our web page cited above. Products customers buy either from Fairchild directly or from Authorized Fairchild Distributors are genuine parts, have full traceability, meet Fairchild s quality standards for handing and storage and provide access to Fairchild s full range of up-to-date technical and product information. Fairchild and our Authorized Distributors will stand behind all warranties and will appropriately address and warranty issues that may arise. Fairchild will not provide any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. Fairchild is committed to combat this global problem and encourage our customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors. PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of Terms Datasheet Identification Product Status Definition Advance Information Formative / In Design Datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice. Preliminary No Identification Needed Obsolete First Production Full Production Not In Production Datasheet contains preliminary data; supplementary data will be published at a later date. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice to improve design. Datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice to improve the design. Datasheet contains specifications on a product that is discontinued by Fairchild Semiconductor. The datasheet is for reference information only. 9 Rev. I66