62mmC-Series 模块 采用第三代沟槽栅 / 场终止 IGBT 和 HE 型发射机控制二极管 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlledHEdiode / VCES = 12V IC nom = A / ICRM = A 典型应用 TypicalApplications 大功率变流器 Highpowerconverters 电机传动 Motordrives UPS 系统 UPSsystems 风力发电机 Windturbines 电气特性 ElectricalFeatures 低开关损耗 Lowswitchinglosses 无与伦比的坚固性 Unbeatablerobustness VCEsat 带正温度系数 VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient 机械特性 MechanicalFeatures 封装的 CTI> PackagewithCTI> 高爬电距离和电气间隙 Highcreepageandclearancedistances 高功率密度 Highpowerdensity 绝缘的基板 Isolatedbaseplate 标准封装 Standardhousing 预涂导热介质 Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 2-21 22-23 ULapproved(E83335) 1
IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 栅极 - 发射极峰值电压 Gate-emitterpeakvoltage VCES 12 V TH = 65 C, Tvj max = 15 C IC nom A tp = 1 ms ICRM A VGES +/-2 V 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 集电极 - 发射极饱和电压 Collector-emittersaturationvoltage 栅极阈值电压 Gatethresholdvoltage 栅极电荷 Gatecharge 内部栅极电阻 Internalgateresistor 输入电容 Inputcapacitance 反向传输电容 Reversetransfercapacitance 集电极 - 发射极截止电流 Collector-emittercut-offcurrent 栅极 - 发射极漏电流 Gate-emitterleakagecurrent 开通延迟时间 ( 电感负载 ) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = A, VGE = 15 V IC = A, VGE = 15 V VCE sat 1,7 1,9 2,15 V V IC = 16, ma, VCE = VGE, VGEth 5, 5, 6,5 V VGE = -15 V... +15 V QG 3,7 µc RGint 1,9 Ω f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies 28, nf f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres 1,1 nf VCE = 12 V, VGE = V, ICES 5, ma VCE = V, VGE = 2 V, IGES na IC = A, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω td on,16,17 上升时间 ( 电感负载 ) Risetime,inductiveload IC = A, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω tr,4,45 关断延迟时间 ( 电感负载 ) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = A, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω td off,45,52 下降时间 ( 电感负载 ) Falltime,inductiveload IC = A, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω tf,1,16 开通损耗能量 ( 每脉冲 ) Turn-onenergylossperpulse IC = A, VCE = 6 V, LS = 3 nh VGE = ±15 V, di/dt = A/ RGon = 1,8 Ω Eon 18, 28, 关断损耗能量 ( 每脉冲 ) Turn-offenergylossperpulse IC = A, VCE = 6 V, LS = 3 nh VGE = ±15 V, du/dt = 45 V/ RGoff = 1,8 Ω Eoff 3, 45, 短路数据 SCdata??? Thermalresistance,junctiontoheatsink 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions VGE 15 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp 1, 每个 IGBT/perIGBT validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial ISC RthJH A,847 K/W Tvj op -4 125 C 2
二极管, 逆变器 /Diode,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 反向重复峰值电压 Repetitivepeakreversevoltage 连续正向直流电流 ContinuousDCforwardcurrent 正向重复峰值电流 Repetitivepeakforwardcurrent I2t- 值 I²t-value VRRM 12 V IF A tp = 1 ms IFRM A VR = V, tp = 1 ms, I²t 3 A²s 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 正向电压 Forwardvoltage 反向恢复峰值电流 Peakreverserecoverycurrent IF = A, VGE = V IF = A, VGE = V IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V VF IRM 1,65 1,65 2,15 V V A A 恢复电荷 Recoveredcharge IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V Qr 44,, µc µc 反向恢复损耗 ( 每脉冲 ) Reverserecoveryenergy IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V Erec 2, 37,??? Thermalresistance,junctiontoheatsink 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions 每个二极管 /perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH,151 K/W Tvj op -4 125 C 3
模块 /Module 绝缘测试电压 Isolationtestvoltage 模块基板材料 Materialofmodulebaseplate 内部绝缘 Internalisolation 爬电距离 Creepagedistance 电气间隙 Clearance 相对电痕指数 Comperativetrackingindex 外壳 - 散热器热阻 Thermalresistance,casetoheatsink 杂散电感, 模块 Strayinductancemodule 模块引线电阻, 端子 - 芯片 Moduleleadresistance,terminals-chip 储存温度 Storagetemperature 最高基板工作温度 Maximumbaseplateoperationtemperature 模块安装的安装扭距 Mountingtorqueformodulmounting 端子联接扭距 Terminalconnectiontorque 重量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kv 基本绝缘 (class1,iec6114) basicinsulation(class1,iec6114) 端子至散热器 /terminaltoheatsink 端子至端子 /terminaltoterminal 端子至散热器 /terminaltoheatsink 端子至端子 /terminaltoterminal 每个模块 /permodule λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) Cu Al2O3 29, 23, 23, 11, CTI > min. typ. max. mm mm RthCH,1 K/W LsCE 2 nh TH=25 C, 每个开关 /perswitch RCC'+EE',7 mω 螺丝 M6 根据相应的应用手册进行安装 ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 螺丝 M6 根据相应的应用手册进行安装 ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg -4 125 C TBPmax 125 C M 3, 6, Nm M 2,5-5, Nm G 34 g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN212-7 Storage and shipment of modules with TIM => see AN212-7 4
输出特性 IGBT, 逆变器 ( 典型 ) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 输出特性 IGBT, 逆变器 ( 典型 ) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125 C 72 64 72 64 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 56 56 32 32 24 24,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, VCE [V],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] 传输特性 IGBT, 逆变器 ( 典型 ) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V 开关损耗 IGBT, 逆变器 ( 典型 ) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=6V 72 12 Eon, Eoff, 64 1 56 E [] 6 32 24 4 2 5 6 7 8 9 1 11 12 VGE [V] 1 2 3 5 6 7 5
开关损耗 IGBT, 逆变器 ( 典型 ) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=A,VCE=6V 瞬态热阻抗 IGBT, 逆变器 transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t) 2 1 Eon, Eoff,,1 ZthJH : IGBT 14 E [] 12 1 ZthJH [K/W],1 6 4 2 2 4 6 8 1 12 14 16 18 RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,62,222 2,81,798 3,525,684 4,179,597,1,1,1,1 1 1 t [s] 反偏安全工作区 IGBT, 逆变器 (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125 C 正向偏压特性 二极管, 逆变器 ( 典型 ) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) 9 IC, Modul IC, Chip 72 7 64 6 56 5 IF [A] 32 3 24 2 1 2 6 1 12 1 VCE [V],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 VF [V] 6
开关损耗 二极管, 逆变器 ( 典型 ) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.8Ω,VCE=6V 开关损耗 二极管, 逆变器 ( 典型 ) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=A,VCE=6V 5 45 Erec, 5 45 Erec, 4 4 35 35 3 3 E [] 25 E [] 25 2 2 15 15 1 1 5 5 1 2 3 5 6 7 IF [A] 2 4 6 8 1 12 14 16 18 RG [Ω] 瞬态热阻抗 二极管, 逆变器 transientthermalimpedancediode,inverter ZthJH=f(t) 1 ZthJH : Diode,1 ZthJH [K/W],1 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,1,415 2,444,193 3,671,934 4,295,973,1,1,1,1 1 1 t [s] 7
接线图 /Circuitdiagram 封装尺寸 /Packageoutlines In fin e o n 8
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