VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 最大绝对额定值 () (Tamb= C, 除非另外说明 ) 参数输入测试条件符号数值单位输入正向电流 ma 峰值瞬变输入电流 < µs 脉宽, pps (TRA

Size: px

Start display at page:

Download "VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 最大绝对额定值 () (Tamb= C, 除非另外说明 ) 参数输入测试条件符号数值单位输入正向电流 ma 峰值瞬变输入电流 < µs 脉宽, pps (TRA"

暴瞒尤
7 years ago
Views:

1 .A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 特性 VO.A 最小峰值输出电流 NC A kv/μ s 最小共模抑制 (CMR), VCM=V 条件下 I CC =. ma 最大电源电流 9 说明 C NC _ Shield V D E VO 配有一个 LED, 与带功率输出级的集成式电路进行光耦合这种光耦合器是驱动电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET 的理想之选输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压该光耦合器的电压和电流使其成为直接驱动额定值高达 V/ A IGBT 的理想之选对于具备更高额定值的 IGBT 而言,VO 可用于驱动一个分立式功率级 ( 驱动 IGBT 栅极 ) 具备滞后现象的欠压锁定 (UVLO) 宽工作电压范围 :V 至 V. µs 最大脉宽失真工业温度范围 :- C 至 C. V 最大低电平输出电压 (VOL) 根据 DIN EN -- 标准的加强型隔离符合 RoHS 指令 /9/EC 规定应用隔离的 IGBT/MOSFET 栅极驱动交流和无刷直流电机驱动电磁炉工业逆变器开关模式电源 (SMPS) 不间断电源 (UPS) 机构认证 UL 认证 : 文件编号 E, 系统代码 H, 双重保护 cul 认证 : 文件编号 E, 相当于 CSA 公告 A DIN EN -- (VDE ) 认证和加强型隔离 ( 选项 ) 订购信息 - X # # T DIP- Option 部件编号包装选项编带和卷轴. mm >. mm 包装 DIP-, 管式包装 SMD-, 选项编带和卷轴 UL, cul VO VO-XT 真值表 LED - POSITIVE GOING ( 导通 ) - NEGATIVE GOING ( 关断 ) 关 V to V V to V 低开 V to V V to 9. V 低开 V to. V 9. V to V 过渡开. V to V V to V 高 Document Number: For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Rev.., -Aug-

2 VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 最大绝对额定值 () (Tamb= C, 除非另外说明 ) 参数输入测试条件符号数值单位输入正向电流 ma 峰值瞬变输入电流 < µs 脉宽, pps (TRAN) A 反向输入电压 V R V 输出功率耗散 P diss mw 输出高峰值输出电流 () I OH(PEAK). A 低峰值输出电流 () I OL(PEAK). A 电源电压 ( - ) to V 输出电压 (PEAK) to V 输出功率耗散 P diss mw 光耦合器隔离测试电压 ( 发射极与探测器之间 ) t = s V ISO V RMS 存放温度范围 T S - to C 工作环境温度范围 T A - to C 总功率耗散 P tot 9 mw 铅焊接温度 () 秒底座面下. mm C () 应力超过最大绝对额定值会引起器件的永久性损伤这些器件在这些条件或其他任何超过本文档操作部分给定值的条件下, 都无法正常运行过长时间处于最大绝对额定值会对器件的可靠性造成不利影响 () 最大脉宽 =μs 最大负载循环 =.% 该值可确保最小 IO 峰值为.A 的设计的组件公差请参阅应用部分, 了解有关 IOH 峰值限制的更多信息 () 参考表面贴装器件 (SMD) 的焊接条件的回流焊温度曲线参考通孔器件 (DIP) 焊接条件的波峰焊温度曲线建议的工作条件参数符号最小值最大值单位电源电压 - V LED 输入电流 ( 开 ) ma 输入电压 ( 关 ) V F(OFF) -. V 工作温度 T amb - C For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Document Number: Rev.., -Aug-

3 .A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver VO 热特性参数符号数值单位 LED 功率耗散 P diss mw 输出功率耗散 P diss mw T A 总功率耗散 P tot mw 最大的 LED 结温 T jmax. C 最大输出晶粒结温 T jmax. C 结发射极至电路板的热阻 q JEB 9 C/W T JD θ DC T C θ DE θ CA Package θ EC T JE 结发射极至外壳的热阻 q JEC 9 C/W 结探测器至电路板的热阻 q JDB C/W 结探测器至外壳的热阻 q JDC C/W θ DB T B θ EB 结发射极至结探测器的热阻 q JED C/W θ BA 壳至环境的热阻 q CA C/W 999 T A 上表的热特性是在 C 条件下测得的, 右边的热性能图形描绘了该热模型该模型的每个热阻值可用于计算每个结点在给定工作条件下的温度电路板至周围环境的热阻取决于 PCB 的类型和铜质蚀刻电路的版图和厚度有关该热模型的详细说明, 请参考 Vishay 光耦合器热特性应用说明电气特性 () 参数测试条件符号最小值典型值最大值单位高电平输出电流 = ( - V) I () OH. A = ( - V) I () OH. A 低电平输出电流 = (. V) I () OL. A = ( V) I () OL. A 高电平输出电压 I O = - ma V () OH - V 低电平输出电压 I O = ma L.. V 高电平电源电流 Output open, = ma to ma I CCH. ma 低电平电源电流 Output open, V F = - V to. V I CCL. ma 由低到高的输入电流阈值 I O = ma, > V LH ma 由高到低的输入电压阈值 V FHL. V 正向输入电压 = ma V F. V 正向电压的温度系数 = ma DV F /DT A -. mv/ C 反向击穿输入电压 I R = µa BV R V 输入电容 f = MHz, V F C IN pf UVLO 阈值 ³ V V UVLO. V = ma V UVLO - 9. V UVLO 滞后 UVLO HYS. V () 在建议的工作条件下对最小值和最大值进行测试 (TA=- C 至 C IF(ON)=mA 至 ma VF(OFF)=-V 至.V VCC=V 至 V VEE= 接地 ), 除非另外说明典型值是该器件的特性, 也是工程评估的结果典型值仅供参考, 不属于测试要求范围所有典型值都是在 Tamb= C 和 VCC-VEE=V 条件下测得的 () 最大脉宽 =µs 最大负载循环 =.%. () 最大脉宽 =µs 最大负载循环 =.% 该值可确保具备最小 IO 峰值.A 的设计的组件公差 () 在该测试中,VOH 是在直流负载电流条件下测得的驱动容性负载时,VOH 会像 IOH 逐渐接近零安培一样, 逐渐接近 VCC 最大脉宽 =ms 最大负载循环 =% Document Number: For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Rev.., -Aug-

4 VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 测试电路 = ma to ma. µf I OH V = V to V. µf L ma = V to V 9-9- 图 - IOH 测试电路图 - IOL 测试电路. µf. V I OL = V to V. µf V > = V to V 9-9- 图 - VOH 测试电路 - VOL 测试电路 I V = V F = ma CC to ma to V. µf H IF = ma. µf > V ma 9 9- 图 - IFLH 图 - UVLO 测试电路开关特性参数测试条件符号最小值典型值最大值单位至逻辑低输出的传播延迟时间 () 至逻辑高输出的传播延迟时间 () 脉宽失真 () 上升时间 R g = W, C g = nf, f = khz, duty cycle = % R g = W, C g = nf, f = khz, duty cycle = % R g = W, C g = nf, f = khz, duty cycle = % R g = W, C g = nf, f = khz, duty cycle = %.. µs.. µs PWD. µs t r. µs For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Document Number: Rev.., -Aug-

5 .A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver VO 开关特性参数测试条件符号最小值典型值最大值单位降低时间 R g = W, C g = nf, f = khz, 负载循环 = % t f. µs UVLO 导通延迟 > V, = ma T UVLO-ON. µs UVLO 关断延迟 < V, = ma T UVLO-OFF. µs () 该负载条件接近 V/A IGBT 的栅极负载 () 脉宽失真 (PWD) 被定义为任何给定器件的 - () 在相同测试条件下, 任何两个 VO 部件间的与之间的差别 khz % Duty Cycle = ma to ma Ω. µf Ω nf = V to V OUT t r t f 9 % % % 99- 共模瞬变免疫功能参数测试条件符号最小值典型值最大值单位在逻辑高输出条件下的共模瞬变免疫功能 ()() 在逻辑低输出条件下的共模瞬变免疫功能 ()() T A = C, = ma to ma, V CM = V, = V T A = C, V CM = V, = V, V F CM H kv/µs CM L kv/µs () 引脚和引脚需要与共用的 LED 连接 () 在高输出条件下, 共模瞬变免疫功能是共模脉冲 (VCM) 的最大耐受 dv CM /dt, 确保输出在高态 ( 即 VO > V) 条件下保持不变 () 在低输出条件下, 共模瞬变免疫功能是共模脉冲 (VCM) 的最大耐受 dv CM /dt, 确保输出在低态 (VO < V) 条件下保持不变图 - tplh tphl tr 和 tf 测试电路与波形 V dv V = CM I dt Dt F. µf A R V Dt = V H Switch at A: = ma L Switch at B: = ma 9- V CM = V 图 CMR 测试电路和波形安全与隔离额定值参数测试条件符号最小值典型值最大值单位气候类别 ( 根据 IEC 第一部分 ) // 相比漏电起痕指数 CTI 99 峰值瞬变过压 V IOTM V 峰值隔离电压 V IORM 9 V 安全额定值 - 功率输出 P SO mw 安全额定值 - 输入电流 I SI ma Document Number: For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Rev.., -Aug-

6 VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 安全与隔离额定值参数测试条件符号最小值最大值单位安全额定值 - 温度 T SI C 爬电距离标准 DIP- mm 爬电距离标准 DIP- mm 爬电距离毫米 DIP- mm 爬电距离毫米 DIP- mm 根据 IEC 规定, 该光耦合器在额定值方面实现增强, 仅适用于在安全额定值范围内的安全电气隔离应采用各种保护电路确保符合安全额定值要求典型特性 (T amb = C, 除非另外说明 ) H - VCC - High Output Voltage Drop (V) = ma I OUT = - ma = V 图 9 高输出压降 vs 温度 L - Output Low Voltage (V) V F =. V I OUT = ma = V 图高输出电流 vs 温度 I OH - High Output Current (A) = ma V out = ( - ) V = V - - 图输出低压 vs 温度 I OL - Output Low Current (A)... = ma V out =. V = V. - - 图输出低电流 vs 温度 For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Document Number: Rev.., -Aug-

7 .A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver VO L - Output Low Voltage (V) = ma = V C - C I OL - Output Low Current (A) C 图输出低压 vs 输出低电流 I CC - Supply Current (ma)..... = ma for I CCH = ma for I CCL T A = C I CCH I CCL. - Supply Voltage (V) 图输出高压降 vs 输出高电流 (H - ) Output High Voltage Drop (V) C - C C - = ma - = V -... I OH - Output High Current (A) 图电源电压 vs 温度 LH - Low to High Current Threshold (ma).. = V. Output = open 图电源电流 vs 电源电压 I CC - Supply Current (ma)... I CCH. = ma for I CCH. = ma for I CCL = V I CCL - - 图低至高电流阈值 vs 温度 - Output Voltage (V) T A = C - Forward LED Current (ma) 图转换特性 Document Number: For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Rev.., -Aug-

8 VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver t p - Propagation Delay (ns) = ma, T A = C R g = Ω, C g = nf Duty cycle = % f = khz t p - Propagation Delay (ns) = V, = ma, T A = C C g = nf Duty cycle = % f = khz - Supply Voltage (V) 图 9 传播延迟 vs 电源电压 R g - Series Load Resistance (Ω) 图 - 传播延迟 vs 串联负载电阻 t p - Propagation Delay (ns) = V, = ma R g = Ω, C g = nf Duty cycle = % f = khz t p - Propagation Delay (ns) = V, = ma, T A = C R g = Ω Duty cycle = % f = khz - - T A - 图 - 传播延迟 vs 温度 C g - Series Load Capacitance (nf) 图 - 传播延迟 vs 串联负载电容 t p - Propagation Delay (ns) = V, T A = C R g = Ω, C g = nf Duty cycle = % f = khz - Forward LED Current (ma) 图 - 传播延迟 vs 正向 LED 电流 For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Document Number: Rev.., -Aug-

9 .A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver VO 包装尺寸 ( 单位 : 毫米 ) Pin one ID. ±. ISO method A 9. ±..9 ±.9 typ..9. typ.. ±... ±.. ±.9 to 9. ±..9 ±. i. typ. Option. ±.. typ.... min.. min.. max. - 包装标识 - VO X V YWW H Document Number: For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com Rev.., -Aug- 9

10 Legal Disclaimer Notice Vishay 免责声明所有产品产品技术规格及数据如因改进可靠性功能设计或其他原因发生变更, 恕不另行通知对于任何产品相关数据手册或公布的其他资料中出现的任何错误不准确或不完整问题, Vishay Intertechnology Inc. 及其子公司代理和员工以及代表公司的所有个人 ( 统称为 Vishay ), 不承担任何及全部责任 Vishay 对产品特定用途的适用性或任何产品的连续生产不做担保陈述或保证在可适用法律允许的最大程度上, Vishay 不承担 (i) 因应用或使用任何产品产生的任何及全部责任,(ii) 包括但不限于特定连带或附带损害产生的任何及全部责任, 及 (iii) 不做任何形式默示担保, 包括不保证特定用途的适用性非侵权及适销性关于产品适用于某类应用的声明以 Vishay 掌握的 Vishay 产品一般应用环境下的典型要求为准此类声明与产品特定应用的适用性声明不存在任何关联客户自行负责根据产品技术规格的说明认证特定产品是否适用于特定的应用数据手册和 / 或技术规格中提供的参数可能因不同的应用而异, 而且性能可能随时间而变化所有工作参数, 包括典型参数, 必须由客户的技术专家根据每一个客户应用环境确认产品技术规格不扩展或不以其他方式修改 Vishay 的采购条款与条件, 包括但不限于规定的质保条件除非书面明, 否则 Vishay 产品不用于医疗救护或生命维持, 或其他因 Vishay 产品发生故障有可能导致人身伤亡的应用场合客户使用或销售未明确指示可在上述应用中使用的 Vishay 产品风险自负如欲获得有关指定用于上述应用的产品的书面条款及条件, 请与 Vishay 授权人员联系本文档或任何 Vishay 的行为不以禁止反言或其他方式授予任何知识产权的许可, 无论明示还是暗示本文提到的产品名称和标识可能为各自所有者的商标 Revision: -Jun- Document Number: 999

6N137, VO2601, VO2611, VO2630, VO2631, VO4661 Vishay Semiconductors 高速光耦合器 : 单通道和双通道 10 MBd High Speed Optocoupler, Single and Dual, 10 MBd

6N137, VO2601, VO2611, VO2630, VO2631, VO4661 Vishay Semiconductors 高速光耦合器 : 单通道和双通道 10 MBd High Speed Optocoupler, Single and Dual, 10 MBd 89-89- Single channel NC A C NC Dual channel A C C A 8 V E V O GND N, VO, VO 8 V O V O GND VO, VO, VO V D E 说明 N VO 和 VO 为单通道 Mbd 光耦合器, 采用了与集成式光电二极管 IC 探测器进行耦合的高能效输入 LED 该探测器具备一个漏极开路 NMOS 晶体管输出, 相对于集电极开路肖特基钳位晶体管输出具备更小的漏电流

VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 最大绝对额定值 () (Tamb= C, 除非另外说明 ) 参数输入 测试条件 符号数值单位 输入正向电流 ma 峰值瞬变输入电流 < µs 脉宽, pps (TRA

VO.A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动.A Output Current IGBT and MOSFET Driver 最大绝对额定值 () (Tamb= C, 除非另外说明 ) 参数输入测试条件符号数值单位输入正向电流 ma 峰值瞬变输入电流 < µs 脉宽, pps (TRA