0.9uA, Rail-to-Rail Input/Output Op Amps
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- 磨识 惠
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1 1.2 MHz 16V 运算放大器 MCP6H01/2/4 特性 : 输入失调电压 :±0.7 mv ( 典型值 ) 静态电流 :135 µa ( 典型值 ) 共模抑制比 :100 db ( 典型值 ) 电源抑制比 :102 db ( 典型值 ) 轨到轨输出 电源电压范围 : - 单电源工作 :3.5V 至 16V - 双电源工作 :±1.75V 至 ±8V 增益带宽积 :1.2 MHz ( 典型值 ) 压摆率 :0.8V/µs ( 典型值 ) 单位增益稳定 扩展级温度范围 :-40 C 至 +125 C 无相位反转 应用 : 汽车电子设备 工业控制设备 电池供电系统 医疗诊断仪器 设计帮助 : SPICE 宏模型 FilterLab 软件 Microchip 高级器件选型器 (Microchip Advanced Part Selector, MAPS) 模拟演示和评估板 应用笔记 概述 : Microchip 的 MCP6H01/2/4 系列运算放大器 ( 运放 ) 具有 3.5V 至 16V 的宽工作电源电压范围和轨到轨输出工作 该系列运放单位增益稳定, 且增益带宽积为 1.2 MHz( 典型值 ) 器件可工作在高达 16V 的单电源电压下, 且每个运放仅消耗 135 µa ( 典型值 ) 的静态电流 MCP6H01/2/4 系列运放提供单运放 (MCP6H01) 双运放 (MCP6H02) 和四运放 (MCP6H04) 配置 所有器件扩展级温度范围均为 -40 C 至 +125 C 封装类型 NC V IN V IN + V SS NC 1 8 NC V OUTA 1 V IN V IN + V SS MCP6H01 SOIC EP 9 8 MCP6H01 2x3 TDFN NC 7 V DD 6 V OUT 5 NC V DD V OUT NC V OUTA 1 V INA 2 V INA + V SS V INA V INA + V SS MCP6H04 SOIC 和 TSSOP MCP6H02 SOIC EP MCP6H02 2x3 TDFN V DD V OUTB V INB V INB + V DD V OUTB V INB V INB + 典型应用 V 1 R 1 R 2 V DD V REF V OUTA 1 14 V OUTD V INA V INA V IND 12 V IND + V DD 4 11 V SS V INB V INC + MCP6H01 V OUT V INB 6 9 V INC V OUTB 7 8 V OUTC * 包括裸露散热焊盘 (EP), 请参见表 3-1 V 2 R 1 R 2 差分放大器 DS22243C_CN 第 1 页
2 注 : DS22243C_CN 第 2 页
3 1.0 电气特性 1.1 绝对最大额定值 V DD V SS... 17V 输入引脚的电流... ±2 ma 模拟输入 (V IN +, V IN -)... V SS 1.0V 至 V DD + 1.0V 所有其他输入和输出... V SS 0.3V 至 V DD + 0.3V 差分输入电压... V DD V SS 输出短路电流... 连续输出和电源引脚的电流... ±65 ma 存储温度 C 至 +150 C 最大结温 (T J ) C 所有引脚上的 ESD 保护 (HBM:MM) 2kV:200V 注 : 如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值, 可能对器件造成永久性损坏 上述数值为运行条件的最大值, 我们不建议器件在该范围外运行 如果器件长时间工作在绝对最大额定值条件下, 其可靠性可能受到影响 请参见第 节 输入电压限制 直流电气规范电气规范 : 除非另外说明, 否则 V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, T A = +25 C, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2 和 R L =10k 至 V L ( 见图 1-1) 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 输入失调输入失调电压 V OS -3.5 ± mv 输入失调电压漂移 V OS / T A ±2.5 µv/ C T A = -40 C 至 +125 C 电源抑制比 PSRR db 输入偏置电流和阻抗输入偏置电流 I B 10 pa I B 600 pa T A =+85 C I B na T A = +125 C 输入失调电流 I OS ±1 pa 共模输入阻抗 Z CM pf 差分输入阻抗 Z DIFF pf 共模共模输入电压范围 V CMR V SS 0.3 V DD 2.3 V 共模抑制比 CMRR db V CM =-0.3V 至 1.2V, V DD =3.5V db V CM =-0.3V 至 2.7V, V DD =5V db V CM =-0.3V 至 12.7V, V DD =15V 开环增益直流开环增益 ( 大信号 ) A OL db 0.2V < V OUT < (V DD -0.2V) DS22243C_CN 第 3 页
4 直流电气规范 ( 续 ) 电气规范 : 除非另外说明, 否则 V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, T A = +25 C, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2 和 R L =10k 至 V L ( 见图 1-1) 参数符号最小值典型值最大值单位条件 输出高电平输出电压 V OH V V DD =3.5V 0.5V 输入过载 V V DD =5V 0.5V 输入过载 V V DD =15V 0.5V 输入过载 低电平输出电压 V OL V V DD =3.5V 0.5 V 输入过载 V V DD =5V 0.5 V 输入过载 V V DD =15V 0.5 V 输入过载 输出短路电流 I SC ±27 ma V DD =3.5V ±45 ma V DD =5V ±50 ma V DD =15V 电源电源电压 V DD V 单电源工作 ±1.75 ±8 V 双电源工作 每个放大器的静态电流 I Q µa I O =0, V DD =3.5V V CM =V DD / µa I O =0, V DD =5V V CM =V DD / µa I O =0, V DD =15V V CM =V DD /4 交流电气规范 电气规范 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接到 V L 和 C L = 60 pf ( 见图 1-1) 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 交流响应增益带宽积 GBWP 1.2 MHz 相位裕量 PM 57 G = +1V/V 压摆率 SR 0.8 V/µs 噪声输入噪声电压 E ni 12 µvp-p f = 0.1 Hz 至 10 Hz 输入噪声电压密度 e ni 35 nv/ Hz f = 1 khz 30 nv/ Hz f = 10 khz 输入噪声电流密度 i ni 1.9 fa/ Hz f = 1 khz DS22243C_CN 第 4 页
5 温度特性 电气规范 : 除非另外说明, 否则 V DD =+3.5V 至 +16V 和 V SS =GND 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 温度范围工作温度范围 T A C 注 1 存储温度范围 T A C 封装热阻热阻, 8 引脚 2x3 TDFN JA 41 C/W 热阻, 8 引脚 SOIC JA C/W 热阻, 14 引脚 SOIC JA 95.3 C/W 热阻, 14 引脚 TSSOP JA 100 C/W 注 1: 工作时内部结温 (T J ) 不得超过绝对最大规范值 +150 C 1.2 测试电路 用于直流和交流测试的测试电路如图 1-1 所示 此电路与 V CM 和 V OUT 设置无关 ( 见公式 1-1) 注意, V CM 并不等于电路的共模电压 ((V P +V M )/2), 同时 V OST 包括 V OS 加上输入失调电压随温度 CMRR PSRR 和 A OL 变化的效应 (V OST, 输入失调误差 ) 公式 1-1: G DM = R F R G V CM = V P + V DD 2 2 V OST = V IN V IN+ V OUT = V DD 2 + V P V M + V OST 1 + G DM 其中 : G DM = 差模增益 (V/V) V CM = 运放的共模输入电压 (V) V OST = 运放的总输入失调电压 (mv) V P V M R G 100 k V IN+ MCP6H0X V IN C F 6.8 pf R F 100 k V DD C B2 1µF R R R L C L V OUT G 100 k F 100 k 10 k 60 pf C F 6.8 pf V L C B1 100 nf V DD /2 图 1-1: 流测试电路 用于大多数规范的交流和直 DS22243C_CN 第 5 页
6 注 : DS22243C_CN 第 6 页
7 2.0 典型工作特性曲线 注 : 以下图表来自有限数量样本所作的统计结果, 仅供参考 所列出的性能特性未经测试, 不作任何担保 一些图表列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 例如 : 超出规定的电源电压范围 ), 因而不在担保范围内 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD =+3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF 21% Percentage of Occurences 18% 15% 12% 9% 6% 3% 0% 2550 Samples Input Offset Voltage (mv) 图 2-1: 输入失调电压 图 2-4: 输入失调电压 共模输入电压曲线 图 2-2: 输入失调电压漂移 图 2-5: 压曲线 输入失调电压 共模输入电 图 2-3: 压曲线 输入失调电压 共模输入电 图 2-6: 输入失调电压 输出电压曲线 DS22243C_CN 第 7 页
8 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF CMRR, PSRR (db) 120 PSRR+ 110 Representative Part 100 CMRR 90 PSRR k k k M Frequency (Hz) 图 2-7: 输入失调电压 电源电压曲线 图 2-10: CMRR PSRR 频率曲线 1,000 Input Noise Voltage Density (nv/ Hz) k k 100k Frequency (Hz) 图 2-8: 输入噪声电压密度 频率曲线 图 2-11: 线 CMRR PSRR 环境温度曲 Input Noise Voltage Density (nv/ Hz) f = 1 khz V DD = 16V Common Mode Input Voltage (V) 图 2-9: 电压曲线 输入噪声电压密度 共模输入 图 2-12: 境温度曲线 输入偏置电流和失调电流 环 DS22243C_CN 第 8 页
9 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF 图 2-13: 曲线 输入偏置电流 共模输入电压 图 2-16: 开环增益 相位 频率曲线 DC-Open Loop Gain (db) V SS + 0.2V < V OUT < V DD - 0.2V Power Supply Voltage (V) 图 2-14: 静态电流 环境温度曲线 图 2-17: 直流开环增益 电源电压曲线 DC-Open Loop Gain (db) V DD = 15V V DD = 5V V DD = 3.5V Output Voltage Headroom (V) V DD - V OH or V OL - V SS 图 2-15: 静态电流 电源电压曲线 图 2-18: 曲线 直流开环增益 输出电压裕量 DS22243C_CN 第 9 页
10 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF 160 Channel to Channel Separation (db) Input Referred k k k Frequency (Hz) 图 2-19: ( 仅 MCP6H02) 通道间隔离度 频率曲线 图 2-22: 线 输出短路电流 电源电压曲 100 Output Voltage Swing (V P-P ) 10 1 V DD = 15V V DD = 5V V DD = 3.5V k 10k 100k 1M Frequency (Hz) 图 2-20: 境温度曲线 增益带宽积 相位裕量 环 图 2-23: 输出电压摆幅 频率曲线 Output Voltage Headroom (mv) V DD = 15V V DD - V OH V OL - V SS Output Current (ma) 图 2-21: 境温度曲线 增益带宽积 相位裕量 环 图 2-24: 线 输出电压裕量 输出电流曲 DS22243C_CN 第 10 页
11 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF Output Voltage Headroom (mv) V DD = 5V V DD - V OH V OL - V SS Output Current (ma) 图 2-25: 输出电压裕量 输出电流曲线 图 2-28: 输出电压裕量 环境温度曲线 Output Voltage Headroom (mv) V DD = 3.5V V OL - V SS V DD - V OH Output Current (ma) 图 2-26: 输出电压裕量 输出电流曲线 图 2-29: 输出电压裕量 环境温度曲线 图 2-27: 线 输出电压裕量 环境温度曲 图 2-30: 压摆率 环境温度曲线 DS22243C_CN 第 11 页
12 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF 图 2-31: 压摆率 环境温度曲线 图 2-34: 大信号同相脉冲响应 16 Output Voltage (V) V DD = 15V G = -1V/V 2 0 Time (20 祍 /div) 图 2-32: 小信号同相脉冲响应 图 2-35: 大信号反相脉冲响应 Output Voltage (V) V IN V DD = 15V G = +2V/V V OUT Time (0.1 ms/div) 图 2-33: 小信号反相脉冲响应 图 2-36: MCP6H01/2/4 显示无相位反转 DS22243C_CN 第 12 页
13 注 : 除非另外声明, 否则 T A =+25 C, V DD = +3.5V 至 +16V, V SS =GND, V CM =V DD /2-1.4V, V OUT V DD /2, V L =V DD /2, R L =10k 连接至 V L 和 C L =60pF 图 2-37: 闭环输出阻抗 频率曲线 图 2-38: 测量的输入电流 输入电压 ( 低于 V SS ) 曲线 DS22243C_CN 第 13 页
14 注 : DS22243C_CN 第 14 页
15 3.0 引脚说明 表 3-1 列出了引脚说明 表 3-1: 引脚功能表 MCP6H01 MCP6H02 MCP6H04 SOIC 2x3 TDFN SOIC 2x3 TDFN SOIC, 符号说明 TSSOP V OUT, V OUTA 模拟输出 ( 运放 A) V IN, V INA 反相输入 ( 运放 A) V IN +, V INA + 同相输入 ( 运放 A) V DD 电源正极 V INB + 同相输入 ( 运放 B) V INB 反相输入 ( 运放 B) V OUTB 模拟输出 ( 运放 B) 8 V OUTC 模拟输出 ( 运放 C) 9 V INC 反相输入 ( 运放 C) 10 V INC + 同相输入 ( 运放 C) V SS 电源负极 12 V IND + 同相输入 ( 运放 D) 13 V IND 反相输入 ( 运放 D) 14 V OUTD 模拟输出 ( 运放 D) 1, 5, 8 1, 5, 8 NC 无内部连接 9 9 EP 裸露散热焊盘 (EP); 必需连接到 V SS 3.1 模拟输出 模拟输出引脚是低阻抗电压源 3.2 模拟输入 同相和反相输入引脚是高阻抗 CMOS 输入, 偏置电流很小 3.3 电源引脚 电源正极引脚 (V DD ) 的电压比电源负极引脚 (V SS ) 的电压高 3.5V 至 16VV 在正常工作时, 其他引脚的电压则介于 V SS 和 V DD 之间 通常, 该系列器件都在单电源 ( 正极 ) 供电模式下工作 此时,V SS 接地,V DD 接电源 V DD 需要接一个旁路电容 3.4 裸露散热焊盘 (EP) 在裸露散热焊盘 (EP) 和 V SS 引脚之间有内部电气连接, 它们必须连接到印刷电路板 (Printed Circuit Board, PCB) 上的相同电位 DS22243C_CN 第 15 页
16 注 : DS22243C_CN 第 16 页
17 4.0 应用信息 MCP6H01/2/4 系列运放采用 Microchip 先进的 CMOS 工艺制造, 特别适用于低电压 高精密的应用 4.1 输入 相位反转 MCP6H01/2/4 运放可在输入引脚电压超过电源电压时防止相位反转 图 2-36 表明输入电压超过电源电压时没有发生任何相位反转 输入电压限制 为了使这些放大器不受破坏和 / 或错误运行, 电路必须限制输入引脚上的电压 ( 见第 1.1 节 绝对最大额定值 ) 输入引脚的 ESD 保护如图 4-1 所示 采用这种结构可在许多 ( 并不是全部 ) 过电压条件下保护输入晶体管并最大程度地降低输入偏置电流 (I B ) V 1 V 2 图 4-2: D 1 D 2 模拟输入保护 当共模电压 (V CM ) 低于地电平 (V SS ) 时, 有大量的电流从输入引脚流出 ; 请参见图 输入电流限制 V DD MCP6H0X V OUT 为了使这些放大器不受破坏和 / 或错误运行, 电路必须限制输入引脚上的电流 ( 见第 1.1 节 绝对最大额定值 ) V DD 焊盘 图 4-3 所示为保护这些输入的一种方法 电阻 R 1 和 R 2 限制了可能流入或流出输入引脚 ( 以及 ESD 二极管 D 1 和 D 2 ) 的电流 二极管电流将流过 V DD 或 V SS V IN + 焊盘 输入级 焊盘 V IN V DD D 1 D 2 V SS 焊盘 V 1 R 1 V 2 R 2 MCP6H0X V OUT 图 4-1: 简化的模拟输入 ESD 结构 输入 ESD 二极管会在输入电压比 V SS 低于一个二极管的电压时将输入电压钳位 它们同样会在任一电压远高于 V DD 时将输入电压钳位 它们的击穿电压足够高可允许器件正常工作, 但不足以低得能阻碍过电压 ( 电压大于 V DD ) 事件 非常快速的 ESD 事件 ( 符合规范 ) 被限制, 这样就不会发生破坏 在一些应用中, 可能有必要防止过电压施加到运放的输入上 图 4-2 给出了一种保护这些输入的方法 R 1 > R 2 > 图 4-3: 正常工作 R 3 V SS ( 最小期望值 V 1 ) 2mA V SS ( 最小期望值 V 2 ) 2mA 模拟输入保护 MCP6H01/2/4 运放的输入级连接到差分 PMOS 输入级 它工作在低共模输入电压 (V CM ) 下, 包括地电位 采采用这种拓扑结构, 器件工作在 V CM 为 V DD 2.3V 至 V SS 300 mv 的范围内 ( 见图 2-3 至图 2-5) 输入失调电压是在 V CM =V SS 0.3V 和 V DD 2.3V 时测得的, 以确保正常工作 DS22243C_CN 第 17 页
18 对于单位增益缓冲器, 为了保持正常工作, V IN 必需低于 V DD 2.3V 4.2 轨到轨输出 当负载电阻 R L =10k 连接到 V DD /2 和 V DD =15V 时, MCP6H01/2/4 系列运放的输出电压范围为 0.020V( 典型值 ) 和 V( 典型值 ) 更多信息, 请参见图 2-24 至图 容性负载 驱动大容性负载会使电压反馈运放出现稳定性问题 当容性负载增大时, 反馈回路的相位容限会减小, 而且闭环带宽也会减小 这将使频率响应出现增益尖峰, 并在阶跃响应中出现产生过冲和振荡 尽管单位增益缓冲器 (G = +1 V/V) 对容性负载最敏感, 但是所有的增益具有相同的特性 当用这些运放来驱动大容量的容性负载 ( 如, 当 G = +1 时, 容性负载电容 > 100 pf) 时, 在输出端串联一个小电阻 ( 图 4-4 中的 R ISO ) 能使输出负载在高频时呈现阻抗, 从而改善反馈回路的相位容限 ( 稳定性 ) 然而, 其带宽一般比没有容性负载的带宽窄 V IN 图 4-4: 负载稳定 MCP6H0X + R ISO 输出电阻 R ISO 使大容量容性 图 4-5 给出了不同容性负载和增益的 R ISO 推荐值 x 轴为归一化容性负载 (C L /G N ), 其中 G N 是电路的噪声增益 对于同相增益, G N 等于信号增益 而对于反相增益, G N 为 1+ 信号增益 ( 例如, 如果信号增益为 -1 V/V, 则 G N = +2 V/V) 选定了电路的 R ISO 后, 再次查看产生的频率响应峰值和是否产生阶跃响应过冲 修正 R ISO 的值, 直到产生合理的响应 进行基准评估和利用 MCP6H01/2/4 SPICE 的 SPICE 宏模型来仿真将很有帮助 C L V OUT 图 4-5: 4.4 电源旁路 容性负载的 R ISO 建议值 在使用这个系列运放时, 电源引脚 ( 单电源供电时的 V DD ) 上应该接一个本地旁路电容 (0.01 µf 至 0.1 µf), 连接位置距电源引脚 2mm 以内, 以获得良好的高频性能 该引脚还需要一个大电容 (1 µf 或更大 ), 连接位置距电源引脚 100 mm 以内, 用以提供大而缓慢的电流 这个大电容可以和其他模拟元件共用 4.5 未使用的运放 在四运放封装 (MCP6H04) 中, 未使用的运放应该如图 4-6 进行连接 这两个电路将防止输出翻转和出现串扰 电路 A 中, 运放设置到最小噪声增益 电阻分压器可得到处于运放输出电压范围内的任何期望的参考电压 ; 运放对参考电压进行缓冲 电路 B 使用的元件最少, 其工作类似于比较器, 不过它可能需要更多电流 ¼ MCP6H04 (A) V DD R 1 R 2 V DD V REF R 2 V REF = V DD R 1 + R 2 ¼ MCP6H04 (B) V DD 图 4-6: 未使用的运放 DS22243C_CN 第 18 页
19 4.6 印刷电路板表面泄漏电流 对那些必须保证较低输入偏置电流的应用来说, 必须考虑印刷电路板 (Printed Circuit Board, PCB) 表面的泄漏电流 电路板表面泄漏电流是由电路板潮湿 积尘或其他污染引起的 在湿度很低的条件下, 相邻走线之间的典型电阻值为 V 的压差会产生 15 pa 的泄漏电流, 这一电流比 MCP6H01/2/4 系列运放在 +25 C 时的偏置电流 ( 典型值 ±10 pa) 还大 为减小电路板表面泄漏电流, 最简单的方法是在敏感的引脚 ( 或走线 ) 外围设置保护环 保护环的偏置电压与敏感引脚的偏置电压相同 图 4-7 所示为这种布局的一个示例 4.7 应用电路 差分放大器 MCP6H01/2/4 运放可用于电流检测应用 图 4-8 所示的电阻 (R SEN ) 用来将传感器电流 (I SEN ) 转换成电压, 同时差分放大器放大电阻两端的电压并抑制共模噪声 为了获取可接受的共模抑制比 (Common Mode Rejection Ratio,CMRR),R 1 和 R 2 必须很好地匹配 另外, R SEN 应远小于 R 1 和 R 2, 以减小对信号源产生的负载阻抗影响 为保持正常工作, 运放的共模输入电压范围应保持在允许的范围内 参考电压 (V REF ) 由低阻抗基准源提供 在单电源应用中, V REF 通常为 V DD /2. 保护环 V IN V IN + V SS R 1 R 2 V REF V DD R SEN I SEN MCP6H01 V OUT 图 4-7: 示例 反相增益放大时保护环布局 1. 对于同相增益和单位增益缓冲器 : a. 用一根不与 PCB 表面接触的导线将同相引脚 (V IN +) 和输入端相连 b. 将保护环连接到反相输入引脚 (V IN ) 这将使保护环偏置为共模输入电压 2. 对于反相增益和跨阻抗增益放大器 ( 将电流转换为电压的放大器, 如光电检测器 ): a. 将保护环连接到同相输入引脚 (V IN +) 这将使保护环的偏置电压与运放输入引脚的参考电压 ( 例如 V DD /2 或地 ) 相同 b. 用一根不与 PCB 表面接触的导线将同相引脚 (V IN ) 和输入端相连 图 4-8: 流检测 R 1 R 2 R SEN << R 1,R 2 V OUT V 1 V 2 R 2 = V REF R 1 使用差分放大器进行高端电 DS22243C_CN 第 19 页
20 4.7.2 两个运放构成的仪表放大器 MCP6H01/2/4 运放非常适用于电池供电应用中传感器信号的调理 图 4-9 显示的是使用 MCP6H02 构成的双运放仪表放大器, 特别适合增益很高时需要抑制共模噪声的应用 为保持正常工作, 运放的共模输入电压范围应保持在允许的范围内 参考电压 (V REF ) 由低阻抗基准源提供 在单电源应用中, V REF 通常为 V DD / 光电检测放大器 MCP6H01/2/4 运放可方便地将传感器输出的电流信号 ( 例如光电二极管 ) 转换成电压 ( 即跨阻抗放大器 ) 这通过反馈回路中的单个电阻 (R 2 ) 实现, 如图 4-10 所示 可选电容 (C 2 ) 为电路提供稳定 配置成光伏模式的光电二极管两端的电位为零 在此种模式下, 光灵敏度和线性度最佳, 使得此模式特别适合于精密应用 对于这种应用, 关键参数有 : 低偏置电流 共模输入电压范围 ( 包括地电位 ) 和轨到轨输出 R G C 2 V REF R 1 R 2 R 2 R 1 R 2 V 2 V 1 ½ MCP6H02 ½ MCP6H02 V OUT 光 I D1 D 1 V DD MCP6H01 V OUT + R V OUT V 1 V R = V REF R 2 R G V OUT = I D1 *R 2 图 4-9: 两个运放构成的仪表放大器 图 4-10: 光电检测放大器 为获得最佳的 CMRR 性能, 且不限制电阻容差引起的性能问题, 利用 R G 电阻来获得高增益 DS22243C_CN 第 20 页
21 5.0 设计帮助 Microchip 为 MCP6H01/2/4 系列运算放大器提供基本的设计工具 5.1 SPICE 宏模型 Microchip 公司网站 上提供了最新的 MCP6H01/2/4 运算放大器的 SPICE 宏模型 该模型由 Orcad(Cadence) 公司的 PSPICE 编写和测试 对于其他仿真器, 则需要对此宏模型进行转换 宏模型包括运放的广泛电气规范 该模型不仅包括运放的电压 电流和电阻, 同时包括温度和噪声对运放特性的影响 超出运放数据手册中列出的参数范围, 该模型并没有进行验证 因此在这些条件下, 并不能保证运放的特性与实际运放的性能特性相符合 然而, 此模型为初始设计工具 基准测试是任何设计中极为重要的一个环节, 不能用仿真替代 而且, 利用此宏模型得到的仿真结果应通过与数据手册上的技术参数和特性曲线相比较而进行验证 5.2 FilterLab 软件 Microchip 的 FilterLab 软件是一款创新的工具软件, 它简化了模拟有源滤波器 ( 使用运放 ) 的设计 Microchip 网站 上提供了免费的 FilterLab 有源滤波器设计软件, 该软件提供完整的滤波器电路原理图, 并注明了元件值 该工具软件还可以输出 SPICE 格式的滤波器电路, 结合宏模型可以仿真实际的滤波器性能 5.3 Microchip 高级器件选型器 (MAPS) 软件工具 MAPS 是一款能够帮助半导体专业人员有效地识别出满足特定设计需求的 Microchip 器件的软件工具 Microchip 网站 免费提供这款工具 MAPS 是一款针对包括模拟器件 存储器 MCU 和 DSC 等 Microchip 产品组合的综合选型器 使用该工具, 您可以定义一个筛选器, 按参数搜索对特性进行筛选, 并输出一一对应的技术比较报告 同时还提供了各种链接, 用以查找数据手册 进行订购以及申请 Microchip 器件样片等 5.4 模拟演示及评估板 Microchip 提供种类繁多的模拟演示和评估板, 旨在帮助缩短产品上市的时间 关于模拟演示和评估板的完整清单 相应的用户指南以及技术信息, 请访问 Microchip 网站 下面是一些特别有用的评估板 : MCP6XXX 放大器评估板 1 MCP6XXX 放大器评估板 2 MCP6XXX 放大器评估板 3 MCP6XXX 放大器评估板 4 有源滤波器演示板工具包 5/6 引脚 SOT-23 评估板, P/N VSUPEV2 8 引脚 SOIC/MSOP/TSSOP/DIP 评估板, P/N SOIC8EV 5.5 应用笔记 Microchip 网站 提供以下 Microchip 模拟设计笔记和应用笔记, 建议将它们作为补充参考资源 ADN003: Select the Right Operational Amplifier for your Filtering Circuits, DS21821 AN722: 运算放大器结构和直流参数, DS00722A_CN AN723: 运算放大器交流参数和应用, DS00723A_CN AN884: 使用运放驱动容性负载, DS00884A_CN AN990: 模拟传感器的调理电路概述, DS00990A_CN AN1177: Op Amp Precision Design: DC Errors, DS01177 AN1228: Op Amp Precision Design: Random Noise, DS01228 AN1297: Microchip s Op Amp SPICE Macro Models, DS01297 AN1332: Current Sensing Circuit Concepts and Fundamentals, DS01332 下列应用笔记及其他资料列示于设计指南中 : Signal Chain Design Guide, DS21825 DS22243C_CN 第 21 页
22 注 : DS22243C_CN 第 22 页
23 6.0 封装信息 6.1 封装标识信息 8 引脚 SOIC(150 mil)(mcp6h01 和 MCP6H02) 示例 : XXXXXXXX XXXXYYWW NNN MCP6H01E SN^^ e 引脚 2x3 TDFN (MCP6H01 和 MCP6H02) 示例 : XXX YWW NN AAL 引脚 SOIC(150 mil)(mcp6h04) 示例 : XXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXX YYWWNNN MCP6H04 E/SL^^3 e 引脚 TSSOP (MCP6H04) 示例 : XXXXXXXX YYWW NNN 6H04E/ST 图注 : XX...X 客户信息 Y 年份代码 ( 日历年的最后一位数字 ) YY 年份代码 ( 日历年的最后两位数字 ) WW 星期代码 ( 一月一日的星期代码为 01 ) NNN e3 以字母数字排序的追踪代码雾锡 (Matte Tin, Sn) 的 JEDEC 无铅标志 * 表示无铅封装 JEDEC 无铅标志 ( e3 ) 标示于此种封装的外包装上 注 : Microchip 器件编号如果无法在一行内完整标注, 将换行标出, 因此会限制客户指定信息的字符数 DS22243C_CN 第 23 页
24 8 引脚塑封小外形窄体封装 (SN) 3.90 mm 主体 [SOIC] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 24 页
25 8 引脚塑封小外形窄体封装 (SN) 3.90 mm 主体 [SOIC] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 25 页
26 8 引脚塑封小外形窄体封装 (SN) 3.90 mm 主体 [SOIC] 注 : 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 DS22243C_CN 第 26 页
27 8 引脚塑封双列扁平无脚封装 (MN) mm 主体 [TDFN] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 27 页
28 8 引脚塑封双列扁平无脚封装 (MN) mm 主体 [TDFN] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 28 页
29 8 引脚塑封双列扁平无脚封装 (MN) mm 主体 [TDFN] 注 : 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 DS22243C_CN 第 29 页
30 14 引脚塑封小外形窄体封装 (SL) 3.90 mm 主体 [SOIC] 注 : 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 D N E E1 NOTE b e h h α A A2 φ c A1 L L1 β DS22243C_CN 第 30 页
31 14 引脚塑封小外形窄体封装 (SL) 3.90 mm 主体 [SOIC] 注 : 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 DS22243C_CN 第 31 页
32 14 引脚塑封薄缩小外形封装 (ST) 4.4 mm 主体 [TSSOP] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 32 页
33 14 引脚塑封薄缩小外形封装 (ST) 4.4 mm 主体 [TSSOP] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 33 页
34 14 引脚塑封薄缩小外形封装 (ST) 4.4 mm 主体 [TSSOP] 注 : Note: 最新封装图请至 查看 Microchip 封装规范 For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS22243C_CN 第 34 页
35 附录 A: 版本历史 版本 C (2011 年 3 月 ) 进行了以下修改 : 1. 增加了新的器件 MCP6H04 2. 更新了表 3-1, 增加了 MCP6H04 引脚名称和具体信息 版本 B (2010 年 10 月 ) 进行了以下修改 : 1. 更新了第 4.1 节 输入 版本 A (2010 年 3 月 ) 本文档的初始版本 DS22243C_CN 第 35 页
36 注 : DS22243C_CN 第 36 页
37 产品标识体系 欲订货, 或获取价格 交货等信息, 请与我公司生产厂或各销售办事处联系 部件编号 器件 -X 温度范围 /XX 封装 器件 : MCP6H01: 单运放 MCP6H01T: 单运放 ( 卷带式 ) (SOIC 和 2x3 TDFN) MCP6H02: 双运放 MCP6H02T: 双运放 ( 卷带式 ) (SOIC 和 2x3 TDFN) MCP6H04: 四运放 MCP6H04T: 四运放 ( 卷带式 )(SOIC 和 TSSOP) 温度范围 : E = -40 C 至 +125 C 示例 : a) MCP6H01-E/SN: 8LD SOIC 封装 b) MCP6H01T-E/SN: 卷带式, 8LD SOIC 封装 c) MCP6H01T-E/MNY: 卷带式, 8LD 2x3 TDFN 封装 d) MCP6H02-E/SN: 8LD SOIC 封装 e) MCP6H02T-E/SN: 卷带式, 8LD SOIC 封装 f) MCP6H02T-E/MNY: 卷带式, 8LD 2x3 TDFN 封装 g) MCP6H04-E/SL: 14LD SOIC 封装 h) MCP6H04T-E/SL: 卷带式, 14LD SOIC 封装 i) MCP6H04-E/ST: 14LD SOIC 封装 j) MCP6H04T-E/ST: 卷带式, 14LD TSSOP 封装 封装 : MNY * = 塑封双列扁平, 无脚,(2x3 TDFN), 8 引脚 SN = 塑封小外形,(150 mil 主体 ), 8 引脚 SL = 塑封小外形,(150 mil 主体 ), 14 引脚 ST = 塑封薄缩小外形,(150 mil 主体 ), 14 引脚 * Y = 镍钯金制造标识 仅在 TDFN 封装上提供 DS22243C_CN 第 37 页
38 注 : DS22243C_CN 第 38 页
39 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 dspic KEELOQ KEELOQ 徽标 MPLAB PIC PICmicro PICSTART PIC 32 徽标 rfpic 和 UNI/O 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MXDEV MXLAB SEEVAL 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPLAB Certified 徽标 MPLIB MPLINK mtouch Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail REAL ICE rflab Select Mode Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2011, Microchip Technology Inc. 版权所有 ISBN: Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部 设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:2002 认证 公司在 PIC MCU 与 dspic DSC KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS :2002 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证 DS22243C_CN 第 39 页
40 全球销售及服务网点 美洲 亚太地区 亚太地区 欧洲 公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : support 网址 : 亚特兰大 Atlanta Duluth, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 克里夫兰 Cleveland Independence, OH Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 印第安纳波利斯 Indianapolis Noblesville, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣克拉拉 Santa Clara Santa Clara, CA Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: 亚太总部 Asia Pacific Office Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 重庆 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 南京 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 中国 - 厦门 Tel: Fax: 中国 - 珠海 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Daegu Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或 马来西亚 Malaysia - Kuala Lumpur Tel: Fax: 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Wels Tel: Fax: 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: /18/11 DS22243C_CN 第 40 页
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C 8051 MCU SPI EEPROM Alexandru Valeanu Microchip Technology Inc. Microchip Technology 25XXX EEPROM SPI 25XXX EEPROM SO 25XXX EEPROM 3MHz 20 MHz SPI HOLD 25XXX EEPROM EEPROM MCU HOLD 25XXX EEPROM SPI EEPROM
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从 MCP2510 升 级 至 MCP2515 作 者 : 介 绍 Pat Richards Microchip Technology Inc. 开 发 MCP2510 独 立 CAN 控 制 器 的 初 衷 是 赋 予 CAN 系 统 和 模 块 设 计 人 员 更 多 的 灵 活 性, 允 许 他 们 为 自 己 的 应 用 选 择 最 好 的 处 理 器 使 用 MCP2510 不 会 使 设
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使用 C30 编译器实现单片机与片外串行 SRAM 的通信 作者 : 引言 Martin Bowman Microchip Technology Inc. 适用于 Microchip 的 dspic DSC 和 PIC24 系列单片机的 C30 编译器为寻址外部存储器提供了一个解决方案 该编译器支持这样的功能, 即允许用户按照访问 MCU 的片内存储器的方式来访问外部存储器 本应用笔记主要介绍如何使用
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1 第 1 章 简 介 简 介 目 录 本 章 包 括 下 列 主 题 : 1.1 简 介... 1-2 1.2 本 手 册 的 目 标... 1-2 1.3 器 件 结 构... 1-2 1.4 开 发 支 持... 1-4 1.5 样 式 和 符 号 约 定... 1-4 1.6 相 关 文 档... 1-6 1.7 版 本 历 史... 1-7 2010 Microchip Technology
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互 补 波 形 发 生 器 (CWG) 可 配 置 逻 辑 单 元 (CLC) 和 数 控 振 荡 器 (NCO) 外 设 技 巧 与 诀 窍 简 介 Microchip 致 力 于 不 断 向 客 户 提 供 体 积 更 小 速 度 更 快 使 用 更 简 便 与 运 行 更 可 靠 的 创 新 产 品 我 们 的 闪 存 PIC MCU 已 广 泛 应 用 于 日 常 生 活 中 从 烟 雾 探
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1.5A 低 电 压 低 静 态 电 流 LDO 稳 压 器 MCP1727 特 性 输 出 电 流 能 力 为 1.5A 输 入 工 作 电 压 范 围 :2.3V 至 6.0V 可 调 输 出 电 压 范 围 :0.8V 至 5.0V 标 准 固 定 输 入 电 压 : - 0.8V 1.2V 1.8V 2.5V 3.0V 3.3V 和 5.0V 可 根 据 需 要 提 供 其 他 固 定 输
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MCP47X6 PICtail Plus 子 板 用 户 指 南 DS51932B_CN 请 注 意 以 下 有 关 Microchip 器 件 代 码 保 护 功 能 的 要 点 : Microchip 的 产 品 均 达 到 Microchip 数 据 手 册 中 所 述 的 技 术 指 标 Microchip 确 信 : 在 正 常 使 用 的 情 况 下, Microchip 系 列 产 品
0.9uA, Rail-to-Rail Input/Output Op Amps
0.9 µa 精密运算放大器 特性 轨对轨输入和输出 低失调电压 : ±150 µv ( 最大值 ) 超低静态电流 : 0.9 µa ( 典型值 ) 宽电源电压范围 : 1.8 V 至 5.5 V 增益带宽积 : 10 khz ( 典型值 ) 单位增益稳定 片选 (CS) 功能 :MCP6033 扩展级温度范围 : - -40 C 至 +125 C 无相位反转 应用 收费站标记 可穿戴产品 电池电流监视
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精密温度 - 电压转换器 特性 工作电压范围 : - TC147:2.7V 至 4.4V - TC147A:2.5V 至 5.5V 宽温度测量范围 : - -4 C 至 +125 C 温度转换精度高 : - 在 25 C 时为 ±2 C ( 最大值 ) 线性温度斜率 :1 mv/ C ( 典型值 ) 提供 3 引脚 SOT-23B 封装 低工作电流 : - 35 µa 典型值 应用 移动电话 电源过热关断控制
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LCD PIC 单片机解决方案 集成 LCD 驱动器模块的 PIC 单片机 www.microchip.com/lcd ,Microchip Technology PIC LCD, PIC16F913/914/ 916/917/946 PIC18F6390/6490/8390/8490 PIC16F65J90/85J90 Microchip LCD LCD, Microchip 的优势 LCD PIC,
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利用 PIC MCU 中的 CTMU 测量温度 TB3016 作者 : 最新一代 PIC24F 和 PIC18F 器件包含的充电时间测量单元 (Charge Time Measurement Unit,CTMU) 使用恒流源来计算电容值的变化以及事件的间隔时间 运用半导体物理学的基本原理, 同样的电流源也可用来测量温度 这允许使用普通而廉价的二极管来取代相对昂贵的热敏电阻和温度传感器 本技术简介描述了使用
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用 于 光 探 测 应 用 的 MCP649 运 放 AN494 作 者 : 简 介 Yang Zhen Microchip Technology Inc. 许 多 光 探 测 应 用 中 经 常 使 用 低 输 入 偏 置 运 算 放 大 器 ( 运 放 ), 以 降 低 电 流 误 差 和 提 高 输 出 信 号 的 精 度 以 下 为 典 型 的 光 探 测 应 用 : 烟 雾 探 测 器 火
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轨到轨输入 / 输出的 1 MHz 运算放大器 特性 轨到轨输入 / 输出 宽带宽 :1 MHz ( 典型值 ) 低噪声 :1 khz 时, 8.7 nv/ Hz ( 典型值 ) 低失调电压 - 工业温度级 :±5 µv ( 最大值 ) - 扩展温度级 :±25 µv ( 最大值 ) 电源电压中值 V REF : 用于 MCP621 和 MCP623 低供电电流 :1 ma( 典型值 ) 总谐波失真
工作原理 脉冲血氧仪基于氧合血红蛋白 (HbO 2 ) 和脱氧血红蛋白 (Hb) 的红光 ( 波长为 nm) 和红外光 ( 波长为 nm) 吸收特性来监测人体血液的氧饱和度 (SpO 2 ) 脉冲血氧仪会交替地闪烁红光和红外光, 光线穿过手指到达光电二极管 HbO
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具 有 关 断 功 能 的 80 ma 小 型 CMOS LDO TC1016 特 性 节 省 空 间 的 5 引 脚 SC-70 和 SOT-23 封 装 极 低 的 工 作 电 流, 利 于 延 长 电 池 寿 命 : 典 型 值 53 µa 很 低 的 电 压 差 (Dropout Voltage) 额 定 输 出 电 流 :80 ma 仅 需 一 个 1µF 的 陶 瓷 输 出 电 容 高
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MCP6//3/4 轨到轨输入 / 输出的 MHz 运算放大器 特性 轨到轨输入 / 输出 宽带宽 : MHz ( 典型值 ) 低噪声 : khz 时,.7 nv/ Hz ( 典型值 ) 低失调电压 - 工业级温度 :±5 µv ( 最大值 ) - 扩展级温度 :±5 µv ( 最大值 ) 电源电压中值 V REF : 用于 MCP6 和 MCP63 低供电电流 : ma( 典型值 ) 总谐波失真
Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V
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PS080, PowerTool 800 开发软件用户指南 2005 Microchip Technology Inc. DS21928A_CN 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一
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PIC32 2008 Microchip Technology Inc. DS61146A_CN Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Digital Millennium Copyright Act Microchip
800 mA Fixed-Output CMOS LDO with Shutdown
I 2 C 7/8-7 128 129-8 256 257 4 R AB - 5 kω - 1 kω - 5 kω - 1 kω 75Ω - 5 ppm -7 C - 15 ppm I 2 C - 1 khz - 4 khz - 3.4 MHz / TCON 1.5V 2.5 ua 12.5V SCL SDA - 2.7V 5.5V - 1.8V 5.5V -3 db 2 MHz 5. kω -4
MCP6V61/1U/2/4 80 µa 1 MHz 零漂移运放 特性 高直流精度 : - V OS 漂移 :±15 nv/ C ( 最大值, V DD =5.5V) - V OS :±8 µv ( 最大值 ) - A OL :125 db ( 最小值, V DD =5.5V) - PSRR:117
8 µa 1 MHz 零漂移运放 特性 高直流精度 : V OS 漂移 :±15 nv/ C ( 最大值, V DD =5.5V) V OS :±8 µv ( 最大值 ) A OL :125 db ( 最小值, V DD =5.5V) PSRR:117 db ( 最小值, V DD =5.5V) CMRR:12 db ( 最小值, V DD =5.5V) E ni :.54 µv PP ( 典型值
22139b.book
1.8V 低功耗推挽式输出比较器 特性 1.8 时的传输延时 : - 高电平至低电平 :56 ns ( 典型值 ) - 低电平至高电平 :49 ns ( 典型值 ) 低静态电流 : 100 µa ( 典型值 ) 输入失调电压 : ±3 mv ( 典型值 ) 轨到轨输入 : V SS - 0.3V 至 + 0.3V CMOS/TTL 兼容输出 宽电源电压范围 :1.8V 至 5.5V 提供单个 两个和四个比较器
70641A.book
AN1299 调整指南 1.1 配置双电流检测电阻模式 本文档介绍了 AN1299 PMSM 无传感器 FOC 的单电流检测电阻三相电流重构算法 (DS01299A_CN) 中所述算法调整所需的步骤和设置 1. 第一步, 用户需完成 AN1078 中的调整过程, 其中介绍了在具体电机和硬件上运行滑模控制器 (Slide Mode Controller, SMC) 所需的全部步骤 2. 应用运行后,
0507A_Auto Tech_Microchip
汽 车 无 线 安 全 接 入 技 术 解 决 方 案 Youbok Lee 主 任 工 程 师 Willie Fitzgerald 产 品 营 销 总 监 Microchip Technology Inc. 引 言 全 球 汽 车 半 导 体 面 临 极 大 的 市 场 机 会, 而 汽 车 设 计 工 程 师 正 在 应 对 高 性 价 比 的 性 能 增 强 功 耗 小 尺 寸 和 安 全 性
B.book
1 MHz 零漂移运放 特性 高直流精度 : V OS 漂移 :±17 nv/ C ( 最大值, ) V OS :±9 µv ( 最大值 ) A OL :126 db ( 最小值, V DD =5.5V) PSRR:117 db ( 最小值, V DD =5.5V) CMRR:118 db ( 最小值, V DD =5.5V) E ni :.24 µv PP ( 典型值 ), f =.1 Hz 至
Intersil精密模拟器件
Intersil 1nV/vHz & 0.00017% 1nV/ Hz Hz IC +125 DCPs VOUT I 2 C Intersil 450nA ( ) 2nA na / IntersilIC 2.8mm 1.6mm / V I SS µa (Max.) V OS (mv) (Max.) I B (pa) @1kHz (nv/ Hz ) khz (Tye.)(dB) (Tye.)(dB)
21733e.book
MHz 低功率运算放大器 MCP6/2/4 特征 提供 SC-7- 和 SOT-23- 封装 MHz 增益带宽积 ( 典型值 ) 轨到轨输入 / 输出 供电电压 :.8V 至.V 供电电流 :I Q = µa ( 典型值 ) 9 相位容限 ( 典型值 ) 温度范围 : - 工业级 :-4 C 至 +8 C - 扩展级 :-4 C 至 +2 C 提供单运放 双运放和四运放封装 应用 汽车 便携式设备
00884a_cn.book
.E-0.E+00.E+0.E+0.E+03.E+04.E+05.E+06.E+07 使用运放驱动容性负载 AN884 作者 : 简介 运算放大器在驱动大的容性负载时, 若不采取正确地补偿, 则会产生尖峰和振荡问题 其他问题还包括 : 带宽减小, 输出压摆率降低和功耗增加 本应用笔记将解释为什么会发生这些问题, 如何改变运放电路来达到更佳性能, 以及如何快速计算电路的参数值 简化的运放模型 Kumen
2.0 MHz, 500 mA Synchronous Buck Regulator
2.0 MHz 500 ma 同 步 降 压 稳 压 器 MCP1603 特 性 典 型 效 率 大 于 90% 输 出 电 流 最 高 为 500 ma 低 静 态 电 流 = 45 µa ( 典 型 值 ) 低 关 断 电 流 = 0.1 µa ( 典 型 值 ) 可 调 输 出 电 压 : - 0.8V 至 4.5V 固 定 输 出 电 压 : - 1.2V 1.5V 1.8V 2.5V 和
电子技术基础 ( 第 版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图 整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B
直流稳压电源 第 4 章 4.1 整流电路及其应用 学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路
01277A_cn.book
使用 C32 编译器进行串行 SRAM 器件与 PIC32 MCU 的接口设计 作者 : 引言 Pinakin K Makwana Microchip Technology Inc. Microchip 的串行 SRAM 产品线提供了向应用添加附加 RAM 的一种新方法 这些器件采用 8 引脚小型封装以及 SPI 接口, 使设计人员提升系统的灵活性 Microchip Technology 的 23XXXX
00686A.Book
理解和使用监控电路 AN686 概要 本应用笔记讨论了什么是单片机监控器件, 为什么需要这些器件以及在选择这些器件时需要考虑的一些因素 监控器件属于一个很广的范畴, 它涵盖了上电复位 (Power on Reset,POR) 器件 欠压检测 (Brown-Out Detect,BOD) 器件和看门狗定时器器件 本应用笔记将仅讨论具有 POR 和 BOD 功能的监控器件 监控电路的工作 监控电路可用于几种不同的应用,
input commom-mode range) output swing (open loop gain) (GBW) ( phase margin) (gain margin)
OP AMP... 4 1. :... 4 2.... 5 2.1... 5 2.2... 6 3.... 6 3.1... 7 3.1.1... 7 3.1.2... 7 3.1.3... 7 3.1.4... 8 3.2 (Symbol)... 8 4.... 9 4.1... 9 4.1.1 Folded cascode... 9 4.1.2... 9 Fig 7... 10 4.1.3...
PIC18F65J90/85J90 Product Brief
采用纳瓦技术内置 LCD 驱动器的 64/80 引脚高性能单片机 单片机的特殊性能 : 闪存程序存储器可承受 1000 次擦写 ( 典型值 ) 闪存数据保存时间为 20 年 ( 典型值 ) 软件控制下可自编程 中断具有优先级 8 x 8 单周期硬件乘法器 扩展的看门狗定时器 (Watchdog Timer, WDT): - 周期从 4 ms 到 131s, 可编程设定 通过两个引脚可进行在线串行编程
MCP Phase Energy Meter Reference Design Using PIC18F2520 Users Guide
跟踪接口工具包规范 跟踪接口工具包 简介 MPLAB REAL ICE 在线仿真器跟踪接口工具包 (AC2446) 可与具有跟踪连接器的 PIC32 接插模块 (PIM)( 表 1-1) 配合使用 具有跟踪连接器的 PIC32 PIM 支持 PIC32 指令跟踪 请参见仿真器文档了解关于 PIC32 指令跟踪的更多信息 表 1-1: PIC32 PIM 列表 * PIM 编号 PIM 名称 跟踪连接器
01476A.book
结合 CLC 和 NCO 实现高分辨率 PWM AN1476 作者 : 简介 Cobus Van Eeden Microchip Technology Inc. 虽然许多应用可以使用分辨率低于 8 位的 PWM, 但是有一些应用 ( 例如灯具调光 ) 由于人眼灵敏度的原因需要较高分辨率 背景 传统的 PWM 使用定时器来生成规则的开关频率 (T PWM ), 然后使用纹波计数器来确定在脉冲结束之前,
MICROCHIP EVM Board : APP APP001 PICmicro Microchip APP001 40pin PDIP PICmicro Design Tips Character LCM Temperature Sensor Application I/O Pi
MICROCHIP EVM Board : APP001 1-1. APP001 PICmicro Microchip APP001 40pin PDIP PICmicro Design Tips Character LCM Temperature Sensor Application I/O Pin 16 I/O Extension Interface 1-2. APP001 Block_A Block_B
22186A.book
电感式传感器模拟前端器件 MCP2036 特性 完整电感测量系统 : - 低阻抗电流驱动器 - 传感器 / 参考线圈复用器 - 高频检测器 工作电压 : 2.7 至 5.5V 低功耗待机模式 可使用外部无源元件设置增益和频率 典型应用 苛刻环境下的电感式触摸键盘 电感式旋转传感器接口 电感式位移传感器接口 电感式压力传感器接口 概述 MCP2036 电感式传感器模拟前端 AFE (Analog Front
39697b.book
第 9 章看门狗定时器 (WDT) 目录 本章包括下列主题 : 9.1 简介...9-2 9.2 WDT 工作原理... 9-3 9.3 寄存器映射... 9-7 9.4 设计技巧... 9-8 9.5 相关应用笔记... 9-9 9.6 版本历史... 9-10 9 看门狗定时器 (WDT) 2010 Microchip Technology Inc. DS39697B_CN 第 9-1 页 PIC24F
Using Microchip’s Micropower LDOs
使用 Microchip 的微功率 LDO AN765 作者 : 简介 Paul Paglia, 公式 1: Microchip Technology Inc. = V REF [( ) 1] V REF = 1.20V Microchip Technology, Inc 的微功率 LDO 系列采用低电压 CMOS 工艺技术 这些 LDO 提供与双极型稳压器类似的纹波抑制和压差特性, 但效率却显著提高了
<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>
台湾合泰 HOLTEK 型号品牌封装说明 HT7022A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7022A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7027A-1#-SOT89
MRF24WG0MAMB Software Migration
MRF24WG0MA/MB 软件移植 作者 : 概述 本应用笔记介绍为了从旧版 MRF24WB0MA/MB 软件协议栈移植以包含 MRF24WG0MA/MB 模块, 而必须对现有 MLA 软件协议栈进行的更改 使用入门 Amy Ong Microchip Technology Inc. MRF24WG0MA/MB 驱动程序代码已深度嵌入在 MLA 版本中 宏定义用于区分 MRF24WB0MA/MB
33023A.book(31001A_cn.fm)
1 第 1 章 简 介 简 介 目 录 本 章 包 括 下 面 一 些 主 要 内 容 : 1.1 简 介...1-2 1.2 本 手 册 的 宗 旨... 1-3 1.3 器 件 结 构... 1-4 1.4 开 发 支 持... 1-6 1.5 器 件 种 类... 1-7 1.6 格 式 和 符 号 的 约 定... 1-12 1.7 相 关 文 档... 1-14 1.8 相 关 应 用 笔
21696d.book
推挽输出微功耗比较器 特性 低静态电流 : 每路比较器 6 na ( 典型值 ) 轨到轨输入 :V SS.3V 至 +.3V CMOS/TTL 兼容输出 传输时延仅 4 µs ( 典型值, mv 过驱动 ) 宽电源电压范围 :.6V 至.V 提供单 双和四比较器 单比较器提供 SOT-23- 和 SC-7- 封装 MCP643 具有片选 (CS) 功能 低开关电流 内部迟滞 :3.3 mv ( 典型值
TONE RINGER
零漂移 单电源 输入输出轨到轨高精度运放 描述 MS8628/MS8629/MS8630 均为输出幅度轨到轨 宽带宽 低噪声 自稳零放大器, 具有超低失调 漂移和偏置电流特性 它采用 1.8V 至 5V 单电源 (±0.9 V 至 ±2.5 V 双电源 ) 供电 MS8628/MS8629/MS8630 具有以前昂贵的自稳零或斩波放大器才具有的特性优势, 此外, 还大大降低了大多数斩波稳定放大器存在的数字开关噪声
额定规格 / 性能 单相 标准认证 UL CSA. NO. EN-- 额定规格输入 环境温度 项目电压电平额定电压使用电压范围输入电流型号动作电压复位电压 - B ma 以下 DC~V DC.~V DC.V 以下 DC.V 以上 - BL ma 以下 输出 项目 * 根据环境温度的不同而不同 详情请
加热器用固态继电器 单相 CSM_-Single-phase_DS_C 带纤细型散热器的一体式小型 SSR 备有无过零触发型号, 用途广泛 符合 RoHS 标准 包含无过零触发型号, 产品线齐全 输出回路的抗浪涌电压性能进一步提高 根据本公司的试验条件 小型 纤细形状 除了 DIN 导轨安装, 还可进行螺钉安装 获取 UL CSA EN 标准 TÜV 认证 请参见 共通注意事项 种类 关于标准认证机型的最新信息,
Rotork E120E IQ brochure
Rotork IQ IQ IQ 3 7 IP68(3-8 )NEMA 9 6 11 IQ 12 1 16 18 Rotork Controls Ltd, Bath, UK 2 Rotork Controls Inc, Rochester, USA IQ IQ IQ PCIQ-Insight IQ IQ IQ IP67 IQ - EEx ia IIC T ( ) Insight IrDA TM 9 (RS232-IrDA
第 卷 第 期 年 月 半 导 体 学 报! " # $%&'%' $!&' #% #$1 /#1 $'! / ?/ ?/ / 3 0,?/ ) * +!!! '!,!! -. & ' $! '! 4% %&1)/1(7%&)03 (% )
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HXJ9005技术资料
概 述 一 款 双 通 道 桥 接 的 音 频 功 率 放 大 器, 在 5V 电 源 电 压 4Ω 负 载 时, 可 提 供 3.5W 的 功 率 具 有 低 功 耗 关 断 模 式 和 过 温 保 护 功 能 在 电 路 启 动 时, 具 有 缓 冲 及 防 抖 动 功 能 此 外, 当 接 立 体 耳 机 时, 芯 片 可 以 单 终 端 工 作 模 式 驱 动 立 体 耳 机 具 有 外 部
Microsoft Word - P SDV series.DOC
片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (
2 A-5VL ( ) 15 Onkyo A-5VL A-5VL Ct
2 A-5VL 3 4 5 10 ( ) 15 Onkyo A-5VL A-5VL 17 18 Ct 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. S3125A 14. 15. A. B. C. D. E. F. 16. 17. 18. 2 0c m 8" 10cm 4" 10cm 4" Ct-2 1. 2. Onkyo 3. 4. AC120V60Hz AC220-240V50/60Hz
Rotork new IQ brochure
Rotork IQ Rotork IQ 3 40 4 5 6 7 Rotork 8 10 12 14 16 18 20 Rotork Rotork Rotork Controls Ltd, Bath, UK 2 Rotork Controls Inc, Rochester, USA Rotork IQ Rotork IQ IQ Rotork IQ Rotork IQ IQ Rotork IQ IQ
AD87/AD88 目 录 技 术 规 格... 3 绝 对 最 大 额 定 值... 6 最 大 功 耗... 6 ESD 警 告... 6 典 型 工 作 特 性... 8 工 作 原 理... 7 输 入 级... 7 交 越 选 择... 7 输 出 级... 8 直 流 误 差... 8
低 失 真 高 速 轨 到 轨 输 入 / 输 出 放 大 器 AD87/AD88 特 性 高 速 3 db 带 宽 :9 MHz (G = ) 压 摆 率 : V/μs 低 失 真 SFDR: dbc @ MHz SFDR:8 dbc @ 5 MHz 可 选 输 入 交 越 阈 值 低 噪 声 4.3 nv/ Hz.6 pa/ Hz 低 失 调 电 压 :9 µv( 最 大 值 ) 低 功 耗 :
00966A.book
SPI 串行 EEPROM 与 PICmicro 单片机的接口设计 作者 : 引言 Martin Kvasnicka Microchip Technology Inc. 目前市场上有许多种单片机用在嵌入式控制系统设计中, 这些嵌入式控制系统中的很大一部分都要用到非易失性存储器 由于串行 EEPROM 具有封装尺寸小, 存储容量灵活, 对 I/O 引脚要求低, 和低功耗低成本等特点, 已成为非易失性存储器的首选
HM53XXA/B 35V,1.6μA 超低静态电流,200mA, 低压差线性稳压器 概述 HM53XX 系列是丏为功耗敏感应用研发设计的一款高输入电压 超低功耗的低压差线性稳压器 最大允许的输入电压可达 35V, 丐输出 100mA 电流时输入输出电压差仅 300mV 典型情况下, 静态电流 1.
概述 HM53XX 系列是丏为功耗敏感应用研发设计的一款高输入电压 超低功耗的低压差线性稳压器 最大允许的输入电压可达 35V, 丐输出 100mA 电流时输入输出电压差仅 300mV 典型情况下, 静态电流 1.6μA, 具有几个固定的输出电压 1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,3.6V,4.0V, 4.2V,5.0V IC 内部集成了短路保护和热关断功能 尽管主要为固定电压调节器而设计,
物理传感器布线设计 基本设计要素包括传感器的尺寸 传感器相对于接地层和 / 或其他低阻抗走线的位置, 以及 mtouch/righttouch 器件中的具体设置 在遵守几个简单准则的前提下, 可以对器件进行独特的设计, 来检测用户接近或附近金属物体和高介电常数物体的移动 要实现具有高信号强度和低噪声
Microchip 电容式接近检测设计指南 AN1492 作者 : 简介 Xiang Gao Microchip Technology Inc. 接近检测为用户提供了一种无需物理接触即可与电子设备进行交互的新方法 该技术可提升产品美感, 改进用户体验并降低功耗 为实现接近检测, 人们已使用了许多方法 : 电磁 IR 光学 多普勒效应 电感和电容 每种方法均有各自的优势和局限性 电容传感方法的原理是检测传感器上由于用户触摸或接近而产生的电容变化
AD86/AD862/AD864 目录 产品特性... 应用... 概述... 引脚配置... 修订历史...2 技术规格...3 电气特性...3 绝对最大额定值... 热阻... ESD 警告... 典型性能参数...6 工作原理... 轨到轨输入级... 修订历史 2 年 月 修订版 F 至修
精密 CMOS 单电源 轨到轨输入 / 输出 宽带运算放大器 AD86/AD862/AD864 产品特性低失调电压 : μv( 最大值 ) 单电源供电 :2.7 V 至. V 低电源电流 : 每个放大器 7 μa 宽带宽 :8 MHz 压摆率 : V/μs 低失真无相位反转低输入电流单位增益稳定通过汽车应用认证 应用电流检测条形码扫描器 PA 控制电池供电仪器仪表多极滤波器传感器 ASIC 输入或输出放大器音频
模拟外设 : 10 位模数转换器 (Analog-to-Digital Converter, ): - 最多 17 路外部通道 - 可在休眠模式下进行转换 : - 最多 2 个 - 低功耗 / 高速模式 - ( 同相 ) 反相输入上的固定电压参考 - 可从外部访问输出 5 位数模转换器 (Digit
采用 XLP 技术的全功能低引脚数单片机产品简介 说明 : 单片机具有模拟 内核独立外设以及通信外设特性, 并结合了超低功耗 (extreme Low Power,XLP) 技术, 适用于一系列广泛的通用和低功耗应用 外设引脚选择 (Peripheral Pin Select, PPS) 功能可以在使用数字外设 ( 和通信 ) 时进行引脚映射, 以增加应用设计的灵活性 内核特性 : 优化的 C 编译器
01018A.book
使用 C18 编译器进行 SPI 串行 EEPROM 与 PIC18 单片机的接口设计 作者 : 引言 Chris Parris Microchip Technology Inc. Microchip Technology 生产的 25XXX 系列串行 EEPROM 兼容 SPI 通信标准, 最大时钟频率范围从 3MHz 到 20 MHz 许多时候, 在设计利用串行 EEPROM 器件的应用时, 使用非专用
00513D_CN.FM
使用 PIC16C54 实现模数转换 AN513 作者 : 简介 本应用笔记介绍了一种使用 PIC16C5X 系列单片机实现模数转换 (Analog to Digital,A/D) 的方法 仅需 5 个外部元件即可实现该转换器, 且可通过软硬件配置使转换分辩率达到 6 到 10 位且转换时间不短于 250 µs 这一方法可用于电压和电流转换且使用软件校准技术来补偿由于时间和温度漂移以及元件误差造成的精度误差
RW Focus Asia Whitepaper CH1029
F CUSASIA 1 Robert Walters Focus Asia Whitepaper Matthew Bennett Robert Walters 2 03 04 06 08 10 13 13 14 3 4 5 Robert Walters Focus Asia Whitepaper 6 7 Robert Walters Focus Asia Whitepaper 8 9 Robert
MCP1630
可 用 单 片 机 控 制 的 高 速 脉 宽 调 制 器 特 性 高 速 PWM 操 作 ( 电 流 检 测 至 输 出 有 12 ns 延 时 ) 工 作 温 度 范 围 : - -4 C 至 125 C 精 确 峰 值 电 流 限 制 (±5%)(MCP163) 电 压 模 式 和 平 均 电 流 模 式 控 制 (MCP163V) CMOS 输 出 驱 动 器 ( 直 接 驱 动 MOSFET
MPLAB ICE PROMATE II MPLAB MPLAB ICE 2 3 Microchip MPLAB ICE ICSP PROMATE II AC44 MPLAB ICE MICROCHIP 2 Socket Module 3 4 4 (Transition Socket) SOIC SSOP PQFP TQFP PRO MATEII PRO MATEII DV73 PC ICD ICD2
Microsoft Word - DW01
用途 / Purpose: 用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池组 For lithium ion / lithium polymer rechargeable battery pack 特点 / Features: (1) 高电压检测电路 / Precision voltage detection circuit 过充检测电压 Overcharge detection voltage 4.3 过充恢复电压
SMSC LAN8700 Datasheet
Microchip LAN9252 SDK 与 Beckhoff EtherCAT SSC 集成 AN1916 作者 : Kansal Mariam Banu Shaick Ibrahim Microchip Technology Inc. 简介 Microchip LAN9252 是一款集成双以太网 PHY 的 2/3 端口 EtherCAT 从控制器 (EtherCAT Slave Controller,ESC)
GH1220 Hall Switch
Unipolar Hall Switch - Medium Sensitivity Product Description The DH220 is a unipolar h all switch designed in CMOS technology. The IC internally includes a voltage regulator, Hall sensor with dynamic
目录 简介 概念 解决方案 / 实现 相关资源... 7 Microchip 网站... 8 变更通知客户服务... 8 客户支持... 8 Microchip 器件代码保护功能... 8 法律声明... 9 商标... 9 DNV 认证的质量管理体系
什么是 ICM? 如何将 ICM 用于加密 简介 完整性检查监控器 (Integrity Check Monitor,ICM) 是一个 DMA 控制器, 可使用 Cortex M7 MCU 内存 (ICM 描述符区 ) 中的传输描述符在多个存储区上执行哈希计算 ICM 集成了用于哈希的安全哈希算法 (Secure Hash Algorithm,SHA) 引擎 基于 SHA 的哈希适合用于密码验证 质询哈希身份验证
CD DX Onkyo CD CD Cs
CD DX-7355... 2... 13... 15 Onkyo CD CD... 26 Cs 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. S3125A 13. 14. 15. A. B. C. D. E. F. 16. 17. 18. 20cm 8" 10cm 4" 10cm 4" Cs-2 1. 2. Onkyo 3. 4. AC230V 50Hz AC120V
Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc
Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR
00722a.book
运算放大器结构和直流参数 作者 : 引言 模拟电路中的运算放大器 ( 运放 ) 种类繁多, 就像食物中的盐和胡椒一样 它们遍布于传感器数据采集系统, 在其中执行多样的功能 例如, 运放可以和传感器接口, 用于缓冲和放大传感器的输出 在大多数情况下, 传感器的电流或电压激励都是由放大器电路产生 运放接在前端传感器电路后用作低通 带通和高通滤波器 在电路的这一部分中, 还将使用可编程增益放大器或仪表放大器
untitled
0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655
「兆豐商業銀行」原交通銀行客戶重要權益手冊
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LP12-A-DS.fm
是基于高度可靠的 InGaP/GaAs HBT 技术的高功率及高增益功率放大器 该器件可针对高功率及高效率应用进行配置, 当工作在用于美国 欧洲和日本市场的整个 802.11a 频带 (4.9-5.9 GHz) 时具有良好的功率附加效率 该功率放大器 IC 提供了简单的电路板级用法以及高速上电 / 掉电控制, 提供 16 触点 WQFN 封装 特性 高增益 高线性输出功率 : 在整个频带范围内, 功率高达
供充放一体电源及充电电源手册_0_.doc
2010. 05 供充放一体电源及充电电源 适用于铅酸电池 锂电池 镍氢电池 实现不间断供电 采用自动均 / 浮充 恒流 / 恒压 零电流 -ΔV 检测 / 涓充 / 滴充技术 提供各种保护 显示各种工作状态 目录 SCD 供充放一体电源 ( 锂电池系列 )-----------1 SCD 供充放一体电源 ( 铅酸电池系列 )----------3 C 充电电源 ( 镍氢电池系列 )-------------------------5
FM1935X智能非接触读写器芯片
FM33A0xx MCU 2017. 05 2.0 1 (http://www.fmsh.com/) 2.0 2 ... 3 1... 4 1.1... 4 1.2... 4 1.3... 5 1.3.1... 5 1.3.2... 5 1.4... 8 1.4.1 LQFP100... 8 1.4.2 LQFP80... 9 1.4.3... 9 2... 15 2.1 LQFP100... 15
文件名
MICROCHIP PIC10F200/202/204/206 6 8 FLASH PIC10F200 PIC10F202 PIC10F204 PIC10F206 RISC CPU 33 12 8 8 4MHz 1 s 4MHz 1% TM ICSP TM ICD POR DRT WDT RC MCLR I/O /CMOS < 350 A @ 2V 4 MHz 100 na @ 2V FLASH 10000
控制器 EtherCAT EtherCAT EtherCAT 接下一个电机驱动模块 (X4) 接下一个电机驱动模块 (X5) X11 IN X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 SYS STA DC BUS D
控制器 thert thert thert 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 电机驱动模块 电机驱动模块 电源模块 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () X 0 X 0 4 /RK /RK 注 注 制动电阻阻值 Ω Φ 80: 适用电机驱动模块型号 8-M-XXXX--XX Φ : 适用电机驱动模块型号
MASTERs 06 Slide Template
2009 Microchip Technology Incorporated. 版权所有 C10L08 BAT 第 1 页 C10L08 BAT 便携式产品中的电池管理策略 课程目标 完成课程后, 你将了解到 : 不同化学电池的基本原理和如何在便携式设计中进行应用 针对应用选择合理的电池管理 便携式电源的新趋势以及选择拓扑结构的关键因素 2009 Microchip Technology Incorporated.
XT1861
同步升压 DC-DC 变换器 产品概述 XT1861 系列产品是一款低功耗高效率 低纹波 工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 XT1861 系列产品仅需要 3 个外部元器, 即可完成低输入的电池电压输入 用途 1~3 个干电池的电子设备 数码相机 电子词典 ED 手电筒 ED 灯 血压计 MP3 遥控玩具 无线耳机 无线鼠标键盘 医疗器械 防丢器 汽车防盗器 充电器 VCR PD 等手持电子设备
01096B.book
使用 C30 编译器进行 SPI 串行 EEPROM 与 dspic33f 和 PIC24F 的接口设计 AN1096 作者 : 引言 Martin Kvasnicka Microchip Technology Inc. Microchip 的 25XXX 系列串行 EEPROM 均与 SPI 兼容, 其最大时钟频率在 3 MHz 到 20 MHz 的范围内 许多时候, 当设计利用串行 EEPROM
untitled
020-101789-04 Roadie 4K35 2016 Christie Digital Systems USA Inc. ISO 9001 14001 a. b. c. d. DVD e. internet f. g. / h. i. j. LCD LCD LCD 5 8 k. l. LCD m. / (i) / (ii) FCC 15 A CAN ICES-3 (A) / NMB-3 (A)
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Portable Electrode B91901070 B91901133 量 ECG 路 更 量 路 performance RF 量 路 Portable Electrode 便利 量 portable electrode 路 濾 濾 行 electrode 類 FM modulation scheme ECG 類 數 RF RF demodulate 利 Elvis Labview ECG
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CP2215 捦幾 柢沗 昪律昢 020-101232-02 2015 Christie Digital Systems USA Inc. All rights reserved.,. FCC 15 Class A..,.. CAN ICES-3(A) / NMB-3(A) (A ),. Christie. Christie. Christie.. Christie ( ). Christie..
The BIST Scheme for Digital-to Analog converters 1
The BIST Scheme for Digital-to Analog converters . :... 03.DAC :... 05. :... 08 ( ) :... 08 ( ) :... 08. :... ( ) OP AMP... ( ) Charge Pump Circuit... 3 ( ) Analog Summer Circuit... 4 ( ) CMOS Schmitt
Microsoft Word - MC358CHN.doc
MC358 低功耗双运算放大器 版本 2.0 内容 : 描述....2 脚位描述....3 电气特性.3-4 典型单电源应用........5 典型特性曲线.6-7 包装流程图....8 重要声明........9 修改历史 版本 发布日期 注释 V1.0 Jan. 10, 2007 初版 V2.0 Aug.8, 2010 更新规格书格式 516 Bld 4, National Software Base,
ADA485-1/ADA485- 目录产品特性... 1 应用... 1 概述... 1 典型应用电路... 1 修订历史... 规格... 3 ±5 V 电源 V 电源 V 电源... 5 绝对最大额定值... 7 热阻... 7 最大功耗... 7 ESD 警告...
. μv/ C 失调漂移 15 MHz 低功耗 低噪声 轨到轨放大器 ADA485-1/ADA485- 产品特性低输入失调电压 :15 µv( 最大值 ) 低输入失调电压温漂. µv/ C( 典型值 ) 1.5 µv/ C( 最大值 ) 超低电源电流 : 每个放大器 5 µa 额定电源电压 :V S = 3 V 5 V ±5 V 高速性能 3 db 带宽 :15 MHz 压摆率 :16 V/µs.1%
PIC32 Starter Kit User’s Guide
PIC32 入门工具包用户指南 2010 Microchip Technology Inc. DS61159B_CN 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意
EMI LOOPS FILTERING EMI ferrite noise suppressors
(HighSpeedBoardDesign) (HIGHSPEEDBOARDDESIGN) 1 1 3 1.1 3 1.1.1 3 1.1.2 vs 4 1.1.3 5 1.1.4 8 1.2 9 1.2.1 9 1.2.2 vs 1 1.3 1 1.3.1 11 1.3.1.1 11 1.3.1.2 12 1.3.1.3 12 1.3.1.4 12 1.3.1.5 12 2. 2.1 14 2.1.1
CX3300 Series Device Current Waveform Analyzer - Data Sheet
CX3300 CX3322A 2 CX3324A 4 CX1101A CX1102A CX1103A CX1104A CX1105A CX1151A CX1152A ... 03... 05... 07 CX3300... 09 200 MHz 1 X 10 12 CX3300... 11 14 16... 12 1 GSa/s 200 MHz... 14 CX3300... 15... 19 /...
聚洵半导体产品介绍 [兼容模式]
![聚洵半导体产品介绍 [兼容模式]](/thumbs/98/138716554.jpg "聚洵半导体产品介绍 [兼容模式]")
高性能模拟及混合信号芯片 Gainsil. The Signal 目录 01 公司简介 02 产品 Roadmap 03 产品介绍 公司简介 聚洵聚洵半导体科技 ( 上海 ) 有限公司 ( 简称聚洵 Gainsil) 座落在中国 硅谷 之称的张江高科技园区 是一家专注于高性能 高品质模拟和混合信号集成电路研发和销售管理的高科技公司 公司产品广泛应用于 : 通讯网络, 消费电子, 多媒体, 工业自动控制,
ESD.xls
Transient Suppressor Reverse Reverse ESD Capacitance Stand-off Beakdown Package Contact/Air Channel Circuit Diagram Pin Configuration Remark CMTLCP020CR35BFE CMTLDF02CR35AFE CMTLDF02CR50BLE CSP020 (pf)
RW Salary Survey 2015 - China A4
2015 中国 2014年 中国政府实施从纯制造业和基础设施行业向高科 技行业的转型 加强专业服务和消费者领域发展 以出口 刺激经济增长 由于政府的投资政策重新定位 我们看到越来越多的研发 中心在国内成立 更多国际专业服务公司进入中国市场 奢侈品及零售品牌进驻苏州 杭州 南京和成都等二线城 市 带动了当地市场的招聘需求 纵观总体经济 经济普遍增长 就业市场前景乐观 雇员 与雇主信心增强 2014年前三季度GDP增长率达7.4%
TONE RINGER
三通道 6 阶高清视频滤波驱动 芯片概述 是一个 3 通道视频缓冲器, 它内部集成 6dB 增益的轨到轨输出驱动器和 6 阶输出重建滤波器 的 -3dB 带宽为 35MHz, 压摆率为 160V/us 比无源 LC 滤波器与外加驱动的解决方案能提供更好的图像质量 它单电源供电范围为 +2.5V 到 +5.5V, 并有极低的工作电流 27.5mA, 非常适用于电池供电应用 的输入信号为 DAC 的输出,
Stability for Op Amps
R ISO CF Tim Green Electrical Engineering R ISO CF CF Output Pin Compensation R ISO Tina SPICE Tina SPICE V OUT V IN AC Tina SPICE (Transient Real World Stability Test)23 R O /40V OPA452 (piezo actuator)
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HTN7G27S010P
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 1.8 至 0MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 为适应高 VSWR 应用的增强型鲁棒性设计 最高工作 VDD 可达 50V 适用于 28V 至 50V 范围内供电电压, 方便不同功率等级功放设计 优异的功率线性度 优异的热稳定性 内部集成的增强 ESD 设计 符合 RoHS 规范 HTH7G06P500H 封装 :H2110S-4L
SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70