21733e.book

Size: px

Start display at page:

Download "21733e.book"

闰取势
5 years ago
Views:

1 MHz 低功率运算放大器 MCP6/2/4 特征提供 SC-7- 和 SOT-23- 封装 MHz 增益带宽积 ( 典型值 ) 轨到轨输入 / 输出供电电压 :.8V 至.V 供电电流 :I Q = µa ( 典型值 ) 9 相位容限 ( 典型值 ) 温度范围 : - 工业级 :-4 C 至 +8 C - 扩展级 :-4 C 至 +2 C 提供单运放双运放和四运放封装应用汽车便携式设备光电二极管放大器模拟滤波器笔记本电脑和 PDA 电池供电系统工具支持 SPICE 宏模型 ( 可在网站下载 ) FilterLab 软件 ( 可在网站下载 ) 典型应用 V IN R 2 V REF R V DD + MCP6 - V SS R Gain = R 2 V OUT 说明 Microchip Technology Inc. 的 MCP6/2/4 系列运算放大器是专门为各种通用应用设计的这一系列器件具有 MHz 增益带宽积 (Gain Bandwidth Product,GBWP) 和 9 相位容限 ( 典型值 ) 在 pf 的容性负载下, 它也同样具有 4 相位容限 ( 典型值 ) 即使单电源供电电压只有.8V, 这个系列的运算放大器仍可工作, 此时静态电流为 µa( 典型值 ) 此外,MCP6/2/ 4 支持轨到轨输入输出, 它的共模输入电压范围为 V DD + 3 mv 到 V SS - 3 mv 这个系列的运算放大器在设计中采用了 Microchip 先进的 CMOS 工艺 MCP6/2/4 系列提供了工业级和扩展级的温度范围电源供电范围为.8V 到.V 封装形式 V OUT V SS 2 V IN + 3 V OUT MCP6 SC-7-, SOT-23- V DD V IN + V IN + V SS V IN MCP6R SOT MCP6U - SOT V DD 4 V IN V SS 4 V IN V DD 4 V OUT V OUTA MCP62 PDIP, SOIC, MSOP V INA V INA + V SS MCP64 PDIP, SOIC, TSSOP V OUTA V INA V INA + V DD V OUTD V IND 2 V IND + V SS V INB + V INC + V INB V OUTB V INC V OUTC V DD V OUTB V INB V INB + 同相放大器 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第页

2 MCP6/2/4. 电气特性绝对最大额定值 V DD - V SS...7.V 所有输入输出...V SS -.3V 至 V DD +.3V 输入电压差分... V DD - V SS 输出短路电流... 连续输入引脚电流...±2 ma 输出引脚和供电引脚电流...±3 ma 储存温度 C 至 + C 最大结温 (T J )...+ C 所有引脚 ESD 保护 (HBM;MM)... 4 kv; 2V 注 : 如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值, 可能对器件造成永久性损坏上述参数仅是运行条件的极大值, 我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下器件长时间工作在绝对最大极限条件下, 其稳定性可能受到影响 DC 特性电气技术规范 : 除非另外说明, 否则 T A = +2 C, V DD = +.8V 至 +.V, V SS = GND, V CM = V DD /2, R L = kω 至 V DD /2 且 V OUT V DD /2 参数符号最小值典型值最大值单位条件输入失调输入失调电压 V OS mv V CM = V SS ( 注 ) 输入失调温度漂移 V OS / T A ±2. µv/ C T A = -4 C 至 +2 C, V CM = V SS 电源抑制比 PSRR 86 db V CM = V SS 输入偏置电流和阻抗输入偏置电流 : I B ±. pa 工业温度范围 I B 9 pa T A = +8 C 扩展温度范围 I B pa T A = +2 C 输入失调电流 I OS ±. pa 共模输入阻抗 Z CM 3 6 Ω pf 差分输入阻抗 Z DIFF 3 3 Ω pf 共模共模输入范围 V CMR V SS V DD + V.3.3 共模抑制比 CMRR 6 76 db V CM = -.3V 至.3V, V DD = V 开环增益 DC 开环增益 ( 大信号 ) A OL 88 2 db V OUT =.3V 至 V DD -.3V, V CM =V SS 输出最大输出电压摆幅 V OL, V OH V SS + 2 V DD 2 mv V DD =.V 输出短路电流 I SC ±6 ma V DD =.8V ±23 ma V DD =.V 电源电源电压 V DD.8. V 每个放大器的静态电流 I Q 7 µa I O =, V DD =.V, V CM = V 注 : 日期代码在 24 年 2 月 ( 星期代码 49) 之前的 MCP6/2/4 器件测得的最大 / 最小值为 ±7 mv DS2733E_CN 第 2 页 2 Microchip Technology Inc.

3 MCP6/2/4 AC 特性电气技术规范 : 除非另外说明, 否则 T A = +2 C, V DD = +.8 至.V, V SS = GND, V CM = V DD /2, V OUT V DD /2, R L = kω 至 V DD /2 且 C L = 6 pf 参数符号最小值典型值最大值单位条件 AC 响应增益带宽积 GBWP. MHz 相位容限 PM 9 G = + 转换速率 SR.6 V/µs 噪声输入噪声电压 E ni 6. µvp-p f =. Hz 至 Hz 输入噪声电压密度 e ni 28 nv/ Hz f = khz 输入噪声电流密度 i ni.6 fa/ Hz f = khz 温度特性电气技术规范 : 除非另外说明, 否则 V DD = +.8V 至 +.V 且 V SS = GND 参数符号最小值典型值最大值单位条件温度范围工业温度范围 T A C 扩展温度范围 T A C 工作温度范围 T A C 注储存温度范围 T A -6 + C 封装热阻热阻, L-SC7 θ JA 33 C/Ω 热阻, L-SOT-23 θ JA 26 C/Ω 热阻, 8L-PDIP θ JA 8 C/Ω 热阻, 8L-SOIC ( mil) θ JA 63 C/Ω 热阻, 8L-MSOP θ JA 26 C/Ω 热阻, 4L-PDIP θ JA 7 C/Ω 热阻, 4L-SOIC θ JA 2 C/Ω 热阻, 4L-TSSOP θ JA C/Ω 注 : 工业级温度的器件可工作在扩展温度范围内, 但性能有所下降在任何情况下, 内部结温 (T J ) 均不得超过绝对最大参数值 + C 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 3 页

4 MCP6/2/4 2. 典型性能曲线注 : 以下图表来自有限样本数的统计结果, 仅供参考所列出的性能特性未经测试, 我们不做保证一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 如 : 超出了规定的电源电压范围 ), 因此不在担保范围注 : 除非另外说明, 否则 T A = +2 C, V DD = +.8V 至 +.V, V SS = GND, V CM = V DD /2, V OUT V DD /2, R L = kω 至 V DD /2 且 C L = 6 pf Percentage of Occurrences 2% 8% 6% 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 64,69 Samples V CM = V SS Input Offset Voltage (mv) 3 4 PSRR, CMRR (db) PSRR (V CM = V SS ) CMRR (V CM = -.3V to +.3V) Ambient Temperature ( C) 图 2-: 输入失调电压图 2-4: 线 CMRR, PSRR- 环境温度曲 PSRR, CMRR (db) 9 V CM = V SS 8 7 PSRR 6 PSRR+ CMRR E+.E+2.E+3 k.e+4 k.e+ k Frequency (Hz) Open-Loop Gain (db) Gain Phase V CM = V SS E-..E.E.E.E k k.e k.e.e M M.E + + Frequency (Hz) Open-Loop Phase ( ) 图 2-2: PSRR,CMRR 频率曲线图 2-: 开环增益, 相位频率曲线 Percentage of Occurrences 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 23 Samples V DD =.V V CM = V DD T A = +8 C Percentage of Occurrences % % 4% 4% 3% 3% 2% 2% % % % % 6 Samples V DD =.V V CM = V DD T A = +2 C Input Bias Current (pa) Input Bias Current (pa) 图 2-3: +8 C 时输入偏置电流图 2-6: +2 C 时输入偏置电流 DS2733E_CN 第 4 页 2 Microchip Technology Inc.

5 MCP6/2/4 注 : 除非另外说明, 否则 T A = +2 C, V DD = +.8V 至 +.V, V SS = GND, V CM = V DD /2, V OUT V DD /2, R L = kω 至 V DD /2 且 C L = 6 pf Input Noise Voltage Density (nv/ Hz),..E-.E+.E+.E+.E+ k.e+ k.e+ k Frequency 2 (Hz) 3 4 Percentage of Occurrences 8% 6% 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 22 Samples T A = -4 C to +2 C V CM = V SS Input Offset Voltage Drift (µv/ C) 图 2-7: 线输入噪声电压密度频率曲图 2-: 输入失调电压漂移 Input Offset Voltage (µv) V DD =.8V T A = -4 C T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C Common Mode Input Voltage (V) 图 2-8: V DD =.8V 时, 输入失调电压共模输入电压曲线 Input Offset Voltage (µv) 2 V DD =.V V DD =.8V VCM = VSS Output Voltage (V) 图 2-: 输入失调电压输出电压曲线 Input Offset Voltage (µv) V DD =.V T A = -4 C T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C Short Circuit Current Magnitude (ma) T A = -4 C T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C Common Mode Input Voltage (V) Power Supply Voltage (V) 图 2-9: V DD =.V 时, 输入失调电压共模输入电压曲线图 2-2: 线输出短路电流电源电压曲 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第页

6 .E+3.E+4.E+.E MCP6/2/4 注 : 除非另外说明, 否则 T A = +2 C, V DD = +.8V 至 +.V, V SS = GND, V CM = V DD /2, V OUT V DD /2, R L = kω 至 V DD /2 且 C L = 6 pf Slew Rate (V/µs) Falling Edge, VDD =.V Falling Edge, V DD =.8V Rising Edge, VDD =.V Rising Edge, VDD =.8V Ambient Temperature ( C) Output Voltage (2 mv/div) G = + V/V.E+.E-6 2.E-6 3.E-6 4.E-6.E-6 6.E-6 7.E-6 8.E-6 9.E-6.E- Time ( µs/div) 图 2-3: 转换速率环境温度曲线图 2-6: 小信号同相脉冲响应 Output Voltage Headroom (mv), V DD V OH V OL V SS.E- µ.e-4 µ.e-3 m.e-2 m Output Current Magnitude (A) Output Voltage (V) G = + V/V V DD =.V.E+.E- 2.E- 3.E- 4.E-.E- 6.E- 7.E- 8.E- 9.E-.E-4 Time ( µs/div) 图 2-4: 级曲线输出电压裕量输出电流量图 2-7: 大信号同相脉冲响应 Output Voltage Swing (V P-P ) V DD =.V V DD =.8V. k k k M Frequency (Hz) Quiescent Current per amplifier (µa) V CM = V DD -.V T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C Power Supply Voltage (V) 图 2-: 输出电压摆幅频率曲线图 2-8: 静态电流电源电压曲线 DS2733E_CN 第 6 页 2 Microchip Technology Inc.

7 MCP6/2/4 3. 引脚说明表 3- 描述了引脚功能表 3-: 引脚功能表 MCP6 MCP6R MCP6U MCP62 MCP64 符号说明 4 V OUT, V OUTA 模拟输出 ( 运放 A) V IN, V INA 反相输入 ( 运放 A) V IN +, V INA + 同相输入 ( 运放 A) V DD 电源正极 V INB + 同相输入 ( 运放 B) 6 6 V INB 反相输入 ( 运放 B) 7 7 V OUTB 模拟输出 ( 运放 B) 8 V OUTC 模拟输出 ( 运放 C) 9 V INC 反相输入 ( 运放 C) V INC + 同相输入 ( 运放 C) V SS 电源负极 2 V IND + 同相输入 ( 运放 D) 3 V IND 反相输入 ( 运放 D) 4 V OUTD 模拟输出 ( 运放 D) 3. 模拟输出输出引脚是低阻抗电压源 3.2 模拟输入同相和反相输入引脚都是高阻抗 CMOS 输入, 偏置电流较小 3.3 电源 (V SS 和 V DD ) 电源正极 (V DD ) 的电压比电源负极 (V SS ) 高.8V 至.V 正常工作时, 其它引脚的电压在 V SS 和 V DD 之间通常, 该系列器件都在单 ( 正极 ) 电源下工作此时, V SS 接地,V DD 接电源 V DD 需要在靠近其引脚 2mm 内的位置连接一个旁路电容 ( 一般. µf 至. µf) 该系列器件可以在靠近 V DD 引脚 mm 内的位置连接一个大电容 ( 一般 2.2 µf 至 µf), 并与其它模拟元件共用这个电容 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 7 页

8 .E+.E- 2.E- 3.E- 4.E-.E- 6.E- 7.E- 8.E- 9.E-.E-4 MCP6/2/4 4. 应用信息 MCP6/2/4 系列运放采用 Microchip 公司先进的 CMOS 工艺设计进行生产, 专门为低成本低功耗和各种通用应用设计的低供电电压低静态电流和高带宽使 MCP6/2/4 成为电池供电应用的理想选择该器件具有高相位容限, 这也使得它适用于大容量的容性负载应用中 4. 轨到轨输入 MCP6/2/4 运放设计为当输入引脚电压超过供电电压时, 运放会防止相位反转图 4- 显示当输入电压超过供电电压时, 没有出现任何相位反转 Input, Output Voltages (V) V OUT V IN Time ( µs/div) V DD =.V G = +2 V/V 图 4-: MCP6/2/4 显示没有相位反转 MCP6/2/4 运放在输入级上采用了二个并联的差分输入级 ; 一个工作在低共模输入电压 (V CM ), 另一个工作在高 V CM 采用这种拓扑, 该器件可以在 V CM 为 V DD +3mV 和 V SS -3mV 的范围内工作通过测量当 V CM =V SS -3mV 和 V DD +3mV 时的输入失调电压, 来确保该器件正常工作超过输入电压范围的输入电压 ( 在 2 C 时 V SS -.3V 至 V DD +.3V) 会引起过量的电流流入或流出输入引脚超出 ±2 ma 的电流会影响器件的可靠性超过这个额定值的应用必须外接一个电阻来限制输入电流, 如图 4-2 所示 4.2 轨到轨输出当 R L =kω 连接至 V DD /2 且 V DD =.V 时,MCP6/ 2/4 运放的输出电压范围是 V DD -2mV( 最小值 ) 和 V SS + 2 mv ( 最大值 ) 请参阅图 2-4, 获取更多信息 4.3 容性负载对于电压反馈运放来说, 驱动大容量容性负载会导致稳定性问题当容性负载增大时, 反馈回路的相位容限会减小, 并且闭环带宽也会变窄这会使得频率响应的增益产生尖峰, 并在阶跃响应中产生过冲和振荡单位增益缓冲器 (G = +) 对容性负载最为敏感, 但是所有的增益都有同样的表现当用这些运放来驱动大容量的容性负载 ( 如, 当 G = + 时, 容性负载电容 > pf) 时, 在输出端串联一个小电阻 ( 图 4-3 中的 R ISO ) 能使输出负载在高频时呈现阻抗, 从而改善反馈回路的相位容限 ( 稳定性 ) 然而, 其带宽一般比没有容性负载的带宽窄 V IN 图 4-3: MCP6X + R ISO C L V OUT 输出电阻 R ISO 稳定大容量容性负载 R IN MCP6X V OUT V IN + R IN ( Maximum expected V IN ) V DD ma V SS ( Minimum expected V IN ) R IN ma 图 4-2: 输入限制电流电阻 (R IN ) DS2733E_CN 第 8 页 2 Microchip Technology Inc.

9 MCP6/2/4 图 4-4 给出了对于不同容性负载和增益, R ISO 的推荐值 x 轴为归一化容性负载 (C L /G N ), 其中 G N 是电路的噪声增益对于同相增益, G N 等于信号增益而对于反相增益, G N 为 + 信号增益 ( 例如 : 信号增益为 - V/V, 则 G N = +2 V/V) Recommended R ISO ( ) V DD =.V R L = k G N = G N 2 4. PCB 布线漏电流对那些必须保证较低输入偏置电流的应用来说, 必须考虑印刷电路板 (Printed Circuit Board, PCB) 的布线漏电流效应布线漏电流是由于电路板潮湿积尘或其它污渍而产生的在湿度很低的条件下, 相邻走线之间的典型阻值为 2 Ω 当压差为 V 时, 会产生 pa 的电流, 这一电流远比 MCP6/2/4 系列在 +2 C 时的偏置电流 ( 典型值 pa) 大要减小布线漏电流, 最简单的方法是在敏感的引脚 ( 或走线 ) 外围设置保护环保护环的偏置电压与敏感引脚的偏置电压相同图 4- 显示了这种布局的示意图 V IN - V IN + V SS.E- p.e- p.e-9 n.e-8 n Normalized Load Capacitance; C L /G N (F) 图 4-4: 容性负载的 R ISO 推荐值为您的应用选择了 R ISO 后, 再次查看产生的频率响应峰值和阶跃响应的过冲对 R ISO 的值进行适当地修正, 直到获得合理的响应可以利用 MCP6/2/4 SPICE 宏模型来进行基准评估和模拟 4.4 电源旁路在使用这个系列运算放大器时, 电源引脚 ( 单电源供电时的 V DD ) 上应该接一个旁路电容 (. µf 至. µf), 连接位置距电源引脚 2mm 以内, 以获得良好的高频性能该引脚还需要一个大电容 (µf 或更大 ), 连接位置距电源引脚 mm 以内, 用以提供大而缓慢的电流这个大电容可以和其它模拟元件共用图 4-: 保护环反相增益时的保护环布局示意图. 同相增益和单位增益缓冲器 : a. 用一根不和 PCB 布线接触的走线将同相引脚 (V IN +) 连至输入端 b. 将保护环连接到反相输入引脚 (V IN ) 这将使保护环偏置为共模输入电压 2. 对于反相增益和跨阻抗增益放大器 ( 将电流转换为电压的放大器, 如光电检测器 ): a. 将保护环连接到同相输入引脚 (V IN +) 这将使保护环偏置为与运放的基准电压 ( 例如 VDD/2 或地 ) 相同的电压 b. 用一根不和 PCB 布线接触的走线将反相引脚 (V IN ) 连至输入端 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 9 页

10 MCP6/2/4 4.6 应用电路 4.6. 单位增益缓冲器 MCP6/2/4 运放的轨到轨输入输出能力对于单位增益缓冲器的应用来说是非常理想的该器件的低静态电流和高带宽使它适合作为一个缓冲器配置, 应用在一个仪表放大器电路中, 如图 4-6 所示 V IN V IN2 /2 MCP62 + /2 MCP62 + R 2 R 2 MCP6 + R V REF R R V OUT = ( V IN2 V IN ) V REF R 2 V OUT R = 2 kω R 2 = kω 峰值检测器 MCP6/2/4 运放具有高输入阻抗轨到轨输入输出和低偏置输入电流, 使得该器件适合应用于峰值检测器图 4-8 显示了一个带有清零和采样开关的峰值检测器电路峰值检测周期用到了一个时钟 (CLK), 如图 4-8 所示在 CLK 时钟的上升沿, 采样开关闭合开始采样在定义为 t SAMP 的采样时间里, 存储在 C 里的峰值电压被采样到 C 2 中在采样时间结束时 ( 采样信号的下降沿 ), 清零信号变高, 清零开关闭合当清零开关闭合的时候, C 在定义为 t CLEAR 的时间内通过 R 放电在清零时间结束时 ( 清零信号的下降沿 ), 运放 A 开始在定义为 t DETECT 的时间内在 C 上存储 V IN 的峰值电压为了定义 t SAMP 和 t CLEAR, 需要决定电容的充放电时间电容的充电时间受放大器的拉电流限制, 而放电时间 (τ) 可用 R (τ = R C ) 来定义的 t DETECT 是输入信号通过 C 来采样的时间, 依赖于输入电压的变化频率当输入电压 (V IN ) 增加时, 运放的输出电流限制和存储电容 (C 和 C 2 ) 的大小会对转换产生制约流过电容的电流受制于电容的大小和电压的变化速率根据这种关系可以决定电压变化速率或转换速率例如, 当运放的短路电流 I SC = 2 ma, 负载电容 C =.µf 时 : 图 4-6: 大器有源低通滤波器带有单位增益缓冲器输入的仪表放 MCP6/2/4 运放的低输入偏置电流使得设计者能用大电阻和小电容来实现有源低通滤波器然而, 随着电阻阻值的增加, 由此产生的噪声也会增加寄生电容和大阻值电阻还会改变频率响应我们在选择电路元件的时候也需要考虑到这些方面的影响通常, 运放的带宽大于等于滤波器截止频率的倍时, 滤波器的性能会较好而如果运放的带宽只是滤波器截止频率的倍, 这样的设计对元器件的变化比较敏感图 4-7 显示了一个二阶 Butterworth 滤波器, 它的截止频率为 khz, 增益为 +V/V 运放的带宽只是截止频率的倍各元件值是用 Microchip 的 FilterLab 软件选定的 pf 公式 4-: dv C I SC = C dt dv C I = SC dt C = mA.µF dv C = 2mV µs dt V 4.3 kω IN 3.6 kω 33 pf + MCP62 - V OUT 图 4-7: 有源二阶低通滤波器 DS2733E_CN 第页 2 Microchip Technology Inc.

11 MCP6/2/4 这个电压变化速率要低于 MCP6/2/4 的转换速率.6 mv/µs 当输入电压摆幅低于 C 两端的电压时,D 变为反向偏置, 使反馈回路变为开路, 从而放大器的输出为轨到轨电压当输入电压增加时, 放大器以转换速率得以恢复基于上面公式中所列出的电压变化速率, 放大器需要额外的时间来对. µf 的电容器充电选择合适的电容使得电路不受放大器转换速率的限制因此, 电容应该低于 4 µf, 而且稳定电阻 (R ISO ) 也需要合理选择 ( 参见 4.3 节容性负载 ) V IN + MCP62 /2 运放 A D R ISO V C C R + MCP62 /2 运放 B R ISO V C2 C 2 + MCP6 V OUT 运放 C 采样开关清零开关 t SAMP 采样信号 t CLEAR 清零信号 t DETECT CLK 图 4-8: 带有清零和采样 CMOS 模拟开关的峰值检测器 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第页

12 MCP6/2/4. 设计工具 Microchip 公司提供 MCP6/2/4 系列运放的基本设计工具. SPICE 宏模型 Microchip 公司的网站提供了最新的 MCP6/2/4 运算放大器的 SPICE 宏模型该模型为初始设计工具, 在室温条件下和运放运行的线性区内表现最佳参见模型文件, 可以了解更多有关 SPICE 模型的信息基准测试是任何设计中极为重要的一个环节, 不能用仿真替代而且, 利用此宏模型得到的仿真结果应与数据手册上的技术参数和特性曲线相比较并进行验证.2 FilterLab 软件 Microchip 公司的 FilterLab 软件是一种创新的工具软件, 它大大简化了采用运放的模拟有源滤波器的设计 Microchip 网站上提供了免费的 FilterLab 有源滤波器设计软件, 这一软件为您提供完整的滤波器电路原理图, 并注明了元件值该工具软件还可输出 SPICE 格式的滤波器电路, 结合宏模型可以仿真实际的滤波器性能 DS2733E_CN 第 2 页 2 Microchip Technology Inc.

13 MCP6/2/4 6. 封装信息 6. 封装标识信息引脚 SC-7(MCP6) 示例 :( 工业级温度 ) XXN( 正面 ) YWW( 反面 ) 器件工业级温度编码扩展级温度编码 MCP6 ANN CDN 注 : 适用于引脚 SC-7 封装 AN7( 正面 ) 432( 反面 ) 引脚 SOT-23 (MCP6/R/U) 示例 :( 扩展级温度 ) 4 XXNN 器件工业级温度编码扩展级温度编码 MCP6 AANN CDNN MCP6R ADNN CENN 4 CD2 2 3 MCP6U AFNN CFNN 2 3 注 : 适用于引脚 SOT-23 封装 8 引脚 PDIP (3 mil) 示例 : XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW MCP62 I/P 引脚 SOIC ( mil) 示例 : XXXXXXXX XXXXYYWW NNN MCP62 I/SN 引脚 MSOP 示例 : XXXXXX YWWNNN 62I 图注 : XX...X 客户信息 * YY 年份代码 ( 日历年的最后两位数字 ) WW 星期代码 ( 一月一日的星期代码为 ) NNN 以字母数字排列的追踪代码注 : Microchip 元器件编号若无法在同一行内完整标注, 将换行标出, 因此会限制客户信息的可用字符数 * 标准标识包括 Microchip 器件编号年份代码星期代码和追踪代码 ( 工厂编码掩膜版本和组装编码 ) 若器件标识超过这些内容, 须额外支付一定的费用请向当地的 Microchip 销售办事处了解确认 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 3 页

14 MCP6/2/4 封装标识信息 ( 续 ) 4 引脚 PDIP (3 mil)(mcp64) 示例 : XXXXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXXXX YYWWNNN MCP64-I/P 引脚 SOIC ( mil)(mcp64) 示例 : XXXXXXXXXX XXXXXXXXXX YYWWNNN MCP64ISL 引脚 TSSOP (MCP64) 示例 : XXXXXX YYWW NNN 64ST DS2733E_CN 第 4 页 2 Microchip Technology Inc.

15 MCP6/2/4 引脚塑料封装 (SC-7) E E D p B n Q c A2 A A L n p.26 (BSC).6 (BSC) A A A..4.. E E D L Q c B Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第页

16 MCP6/2/4 引脚小型塑料晶体管封装 (OT)(SOT23) E E p B p D n α c A A2 β L φ A 引脚数引脚间距外侧引脚间距 ( 基本 ) 总高度塑模封装厚度悬空间隙总宽度塑模封装宽度总长度底脚长度底脚倾斜角引脚厚度引脚宽度塑模顶部锥度塑模底部锥度 * 控制参数重要特性单位尺寸范围 n p p A A2 A E E D L φ c B α β 最小英寸 * 正常最大最小注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MS-78 图号 C4-9 毫米正常最大 DS2733E_CN 第 6 页 2 Microchip Technology Inc.

17 MCP6/2/4 8 引脚塑料双列直插封装 (P) 3 mil (PDIP) E 2 D n α E A A2 c A L β eb B B p 单位英寸 * 毫米尺寸范围最小正常最大最小正常最大引脚数 n 8 8 引脚间距 p. 2.4 顶端到固定面高度 A 塑模封装厚度 A 塑模底端到固定面高度 A..38 肩到肩宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 引脚尖到固定面高度 L 引脚厚度 c 引脚上部宽度 B 引脚下部宽度 B 总排列距离 eb 塑模顶部锥度 α 塑模底部锥度 β * 控制参数重要特性注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MS- 图号 C4-8 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 7 页

18 MCP6/2/4 8 引脚小型塑料封装 (SN) 窄条形, mil (SOIC) E E p 2 D B n 4 h α c A A2 φ β L A 单位英寸 * 毫米尺寸范围最小正常最大最小正常最大引脚数 n 8 8 引脚间距 p..27 总高度 A 塑模封装厚度 A 悬空间隙 A 总宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 斜面投影距离 h 底脚长度 L 底脚倾斜角 φ 引脚厚度 c 引脚宽度 B 塑模顶部锥度 α 2 2 塑模底部锥度 β 2 2 * 控制参数重要特性注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MS-2 图号 C4-7 DS2733E_CN 第 8 页 2 Microchip Technology Inc.

19 MCP6/2/4 8 引脚塑料微型封装 (MS)(MSOP) p E E B n 2 D α c φ A A A2 (F) L β 单位英寸毫米 * 尺寸范围最小正常最大最小正常引脚数 n 8 8 引脚间距 p.26 BSC.6 BSC 总高度 A 塑模封装厚度 A 悬空间隙 A 总宽度 E.93 TYP 4.9 BSC 塑模封装宽度 E.8 BSC 3. BSC 总长度 D.8 BSC 3. BSC 底脚长度 L 底脚占位 ( 参考 ) F.37 REF.9 REF 底脚倾斜角 φ 引脚厚度 c 引脚宽度 B 塑模顶部锥度 α - - 塑模底部锥度 β - - * 控制参数注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MO-87 图号 C4- 最大 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 9 页

20 MCP6/2/4 4 引脚塑料双列直插封装 (P) 3 mil (PDIP) E D 2 n α E A A2 c L β eb A B B p 单位英寸 * 毫米尺寸范围最小正常最大最小正常最大引脚数 n 4 4 引脚间距 p. 2.4 顶端到固定面高度 A 塑模封装厚度 A 塑模底端到固定面高度 A..38 肩到肩宽度 E 塑模封装宽度 E 塑模封装长度 D 引脚尖到固定面高度 L 引脚厚度 c 引脚上部宽度 B 引脚下部宽度 B 总排列距离 eb 塑模顶部锥度 α 塑模底部锥度 * 控制参数重要特性 β 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MS- 图号 C4- DS2733E_CN 第 2 页 2 Microchip Technology Inc.

21 MCP6/2/4 4 引脚塑料小型封装 (SL) 窄条形, mil (SOIC) E E p D 2 B n 4 h α c A A2 β L φ A 单位英寸 * 毫米尺寸范围最小正常最大最小正常最大引脚数 n 4 4 引脚间距 p..27 总高度 A 塑模封装厚度 A 悬空间隙 A 总宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 斜面投影距离 h 底脚长度 L 底脚倾斜角 φ 引脚厚度 c 引脚宽度 B 塑模顶部锥度 α 2 2 塑模底部锥度 β 2 2 * 控制参数重要特性注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 : MS-2 图号 C4-6 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 2 页

22 MCP6/2/4 4 引脚塑料薄形小型封装 (ST) 4.4 mm (TSSOP) p E E D B n 2 A α c φ β L A A2 引脚数引脚间距总高度塑模封装厚度悬空间隙总宽度塑模封装宽度塑模封装长度底脚长度底脚倾斜角引脚厚度引脚宽度塑模顶部锥度塑模底部锥度 * 控制参数重要特性单位尺寸范围 n p A A2 A E E D L φ c B α β 最小英寸正常最大最小注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.27 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MO-3 图号 C4-87 毫米 * 正常最大 DS2733E_CN 第 22 页 2 Microchip Technology Inc.

23 MCP6/2/4 附录 A: 版本历史版本 A (22 年 6 月 ) 此数据手册的第一版版本 B (22 年月 ) 版本 C (22 年 2 月 ) 版本 D (23 年月 ) 版本 E (24 年 2 月 ) 进行了以下变更 :. 日期代码在 YYWW = 449 以后的器件, 其 V OS 的技术规范从 ±7. mv 改为 ±4. mv 2. 修改了 6. 节封装信息中的封装标识 3. 增加了附录 A: 版本历史 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 23 页

24 MCP6/2/4 注 : DS2733E_CN 第 24 页 2 Microchip Technology Inc.

25 MCP6/2/4 产品标识体系欲订货, 或获取价格交货等信息, 请与我公司生产厂或各销售办事处联系器件编号 X /XX 器件温度范围封装器件 : MCP6T: 单运放 ( 卷带式包装 ) (SC-7, SOT-23) MCP6RT: 单运放 ( 卷带式包装 )(SOT-23) MCP6UT: 单运放 ( 卷带式包装 )(SOT-23) MCP62: 双运放 MCP62T: 双运放 ( 卷带式包装 ) (SOIC, MSOP) MCP64: 四运放 MCP64T: 四运放 ( 卷带式包装 ) (SOIC, MSOP) 温度范围 : I = 表示 -4 C 至 +8 C E = 表示 -4 C 至 +2 C 封装 : LT = 表示塑料封装 (SC-7), 引脚 ( 仅限 MCP6) OT = 表示塑料小型晶体管 (SOT-23), 引脚 (MCP6,MCP6R, MCP6U) MS = 表示塑料 MSOP, 8 引脚 P = 表示塑料 DIP ( 主体 3 mil), 8 引脚, 4 引脚 SN = 表示塑料 SOIC ( 主体 mil), 8 引脚 SL = 表示塑料 SOIC ( 主体 mil), 4 引脚 ST = 表示塑料 TSSOP ( 主体 4.4mm), 4 引脚示例 : a) MCP6T-I/LT: 卷带式, 工业级温度范围, 引脚 SC-7 封装 b) MCP6T-I/OT: 卷带式, 工业级温度范围, 引脚 SOT-23 封装 c) MCP6RT-I/OT: 卷带式, 工业级温度范围, 引脚 SOT-23 封装 d) MCP6UT-E/OT: 卷带式, 扩展级温度范围, 引脚 SOT-23 封装 e) MCP6UT-I/OT: 卷带式, 工业级温度范围, 引脚 SOT-23 封装 a) MCP62-I/MS: 工业级温度范围, 8 引脚 MSOP 封装 b) MCP62-I/P: 工业级温度范围, 8 引脚 PDIP 封装 c) MCP62-E/P: 扩展级温度范围, 8 引脚 PDIP 封装 d) MCP62-I/SN: 工业级温度范围, 8 引脚 SOIC 封装 e) MCP62T-I/MS: 卷带式, 工业级温度范围, 8 引脚 MSOP 封装 f) MCP62T-I/SN: 卷带式, 工业级温度范围, 8 引脚 SOIC 封装 a) MCP64-I/P: 工业级温度范围, 4 引脚 PDIP 封装 b) MCP64-I/SL: 工业级温度范围, 4 引脚 SOIC 封装 c) MCP64-E/SL: 扩展级温度范围,4 引脚 SOIC 封装 d) MCP64-I/ST: 工业级温度范围, 4 引脚 TSSOP 封装 e) MCP64T-I/SL: 卷带式, 工业级温度范围, 4 引脚 SOIC 封装 f) MCP64T-I/ST: 卷带式, 工业级温度范围, 4 引脚 TSSOP 封装销售与技术支持数据手册初始数据手册中所述的产品可能会有一份勘误表, 其中描述了较小的运行差异和推荐的工作环境要了解是否存在某一器件的勘误表, 可通过以下方式联系我们 :. Microchip 在当地的销售办事处 2. Microchip 美国总部的文献中心, 传真 : Microchip 网站 ( 请指明您使用的器件名称芯片型号和数据手册的版本 ( 包括文献编号 ) 客户通知系统只要在我公司网站 ( 上注册, 就能获得产品的最新信息 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 2 页

26 MCP6/2/4 注 : DS2733E_CN 第 26 页 2 Microchip Technology Inc.

请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip

27 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其它半导体厂商均无法保证其代码的安全性代码保护并不意味着我们保证产品是牢不可破的代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其它受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为提供本文档的中文版本仅为了便于理解 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档本出版物中所述的器件应用信息及其它类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示书面或口头的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况质量性能适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任未经 Microchip 书面批准, 不得将 Microchip 的产品用作生命维持系统中的关键组件在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其它方式转让任何许可证商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其它国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB PICMASTER SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC MPASM MPLIB MPLINK MPSIM PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel 和 Total Endurance 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其它国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记在此提及的所有其它商标均为各持有公司所有 2, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部设计中心和晶圆生产厂均于 23 年月通过了 ISO/TS-6949:22 质量体系认证公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件串行 EEPROM 单片机外设非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS-6949:22 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9:2 认证 2 Microchip Technology Inc. DS2733E_CN 第 27 页

28 全球销售及服务网点美洲公司总部 Corporate Office 23 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : 网址 : 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westford, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: Fax: 亚太地区中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 福州 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 顺德 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 亚太地区澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 日本 Japan - Kanagawa Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或新加坡 Singapore Tel: Fax: 欧洲奥地利 Austria - Weis Tel: Fax: 丹麦 Denmark - Ballerup Tel: Fax: 法国 France - Massy Tel: Fax: 德国 Germany - Ismaning Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 英国 England - Berkshire Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: /2/4 DS2733E_CN 第 28 页 2 Microchip Technology Inc.

00872a.book

00872a.book 从 MCP2510 升级至 MCP2515 作者 : 介绍 Pat Richards Microchip Technology Inc. 开发 MCP2510 独立 CAN 控制器的初衷是赋予 CAN 系统和模块设计人员更多的灵活性, 允许他们为自己的应用选择最好的处理器使用 MCP2510 不会使设