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1 推挽输出微功耗比较器 特性 低静态电流 : 每路比较器 6 na ( 典型值 ) 轨到轨输入 :V SS.3V 至 +.3V CMOS/TTL 兼容输出 传输时延仅 4 µs ( 典型值, mv 过驱动 ) 宽电源电压范围 :.6V 至.V 提供单 双和四比较器 单比较器提供 SOT-23- 和 SC-7- 封装 MCP643 具有片选 (CS) 功能 低开关电流 内部迟滞 :3.3 mv ( 典型值 ) 温度范围 : - 工业级 :-4 C 至 +8 C - 扩展级 :-4 C 至 +2 C 典型应用 笔记本电脑 移动电话 计量系统 手持电子设备 RC 定时器 安防和监控系统 窗口比较器 多谐振荡器 概述 Microchip Technology Inc. 的 MCP64/2/3/4 系列比较器提供单路 (MCP64) 带片选 (CS) 功能的单路 (MCP643) 双路(MCP642) 和四路 (MCP644) 配置 其输出为推挽输出 ( 兼容 CMOS/TTL 电平 ), 能够驱动大的直流或容性负载 这些比较器为低功耗单电源应用优化设计, 提供超过轨到轨的输入范围 MCP64/2/3/4 系列的推挽输出提供轨到轨输出摆幅, 并能够与 TTL/CMOS 逻辑接口 内部输入迟滞能够消除内部输入噪声电压引起的输出开关, 从而减小电源电流的消耗 其输出可以在开关切换时限制电源电流浪涌, 减小动态功耗 该系列器件工作在低至.6V 的单电源供电条件下, 每个比较器消耗低于 µa 的静态电流 Microchip 的 MCP646/7/8/9 相关系列比较器具有开漏输出 通过上拉电阻, 这些器件可以用作电平转换器 (Level Shifter), 提供高达 V 的电压, 或用在线或逻辑中 * 本数据手册发布时尚未提供 SC-7- 扩展温度级范围的器件 相关器件 开漏输出 :MCP646/7/8/9 封装类型 MCP64 PDIP SOIC 和 MSOP NC V IN 2 V IN + 3 V SS NC 7 6 OUT NC MCP64 SOT-23- 和 SC-7- OUT V SS V IN V IN OUT V IN + MCP64R SOT V SS V IN MCP642 PDIP SOIC 和 MSOP OUTA V INA OUTB V INA + V SS V INB V INB + MCP643 PDIP SOIC 和 MSOP NC V IN 2 V IN + 3 V SS CS 7 6 OUT NC MCP644 PDIP SOIC 和 TSSOP OUTA 4 OUTD V INA V IND V INA V IND + V SS V INB + V INC + V INB OUTB V INC 8 OUTC 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 页

2 . 电气特性. 绝对最大额定值 V SS...7.V 所有输入输出...V SS.3V 至 +.3V 差分输入电压... V SS 输出短路电流... 连续输入引脚电流...±2 ma 输出和电源输入引脚电流...±3 ma 储存温度范围 C 至 + C 最大结温 (T J )...+ C 所有引脚的 ESD 保护 (HBM, MM)...4 kv, 4V 注意 : 如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值, 可能对器件造成永久性损坏 上述参数仅是允许条件的极大值, 我们不建议使器件运行在超过或在技术规范以外的条件下运行 器件长时间工作在绝对最大额定值条件下, 其稳定性可能受到影响 直流特性 电气规范 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = V SS 且 R L = kω 连到 /2 ( 见图 -3) 参数符号最小值典型值最大值单位条件 电源电压电源电压.6. V 每个比较器的静态电流 I Q.3.6. µa I OUT = 输入输入电压范围 V CMR V SS V 共模抑制比 CMRR 7 db = V, V CM = -.3V 至.3V 共模抑制比 CMRR 6 db = V, V CM = 2.V 至.3V 共模抑制比 CMRR 7 db = V, V CM = -.3V 至 2.V 电源抑制比 PSRR 63 8 db V CM = V SS 输入失调电压 V OS -7. ±. +7. mv V CM = V SS ( 注 ) 温度漂移 V OS / T A ±3 µv/ C T A = -4 C 至 +2 C, V CM = V SS 内部迟滞电压 V HYST mv V CM = V SS ( 注 ) 线性温度系数 ( 注 2) TC 6.7 µv/ C T A = -4 C 至 +2 C, V CM = V SS 二次方温度系数 ( 注 2) TC µv/ C 2 T A = -4 C 至 +2 C, V CM = V SS 输入偏置电流 I B pa V CM = V SS 规定温度范围 ( 工业温度级器件 ) I B 2 pa T A = +8 C, V CM = V SS ( 注 3) 规定温度范围 ( 扩展温度级器件 ) I B 2 pa T A = +2 C, V CM = V SS ( 注 3) 输入失调电流 I OS ± pa V CM = V SS 共模输入阻抗 Z CM 3 4 Ω pf 差分输入阻抗 Z DIFF 3 2 Ω pf 推挽输出高电平输出电压 V OH.2 V I OUT = -2 ma, = V 低电平输出电压 V OL V SS +.2 V I OUT = 2 ma, = V 输出短路电流 I SC -2., ma =.6V ( 注 4) +. I SC ±3 ma =.V ( 注 4) 注 : 输入失调电压为输入参考触发点的中间 ( 平均 ) 值 输入迟滞为与输入参考触发点的差值 2: 不同温度下的 V HYST 是通过下式估算的 :V HYST (T A ) = V HYST + (T A 2 C) TC + (T A 2 C) 2 TC 2 3: 对于 SC-7- 封装, 未对该温度范围内的输出偏置电流进行测试 4: 输出电流受绝对最大电流 3 ma 的限制 DS2696D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.

3 交流特性 电气规范 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, 阶梯电压 = 2 mv, 过载 = mv 且 C L = 36 pf ( 参见图 -2 和图 -3) MCP643 片选特性 参数符号最小值典型值最大值单位条件 上升时间 t R.8 µs 下降时间 t F.8 µs 传输时延 ( 高至低 ) t PHL 4 8 µs 传输时延 ( 低至高 ) t PLH 4 8 µs 传输时延差 t PDS ±.2 µs ( 注 ) 最大触发频率 f MAX 6 khz =.6V f MAX 2 khz =.V 输入噪声电压 E N 2 µv P-P Hz 至 khz 注 : 传输时延差定义为 :t PDS = t PLH - t PHL 电气规范 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = V SS, 且 C L = 36 pf ( 见图 -2 和图 -3) 参数符号最小值典型值最大值单位条件 CS 低电平规范 CS 逻辑门限, 低电平 V IL V SS.2 V CS 输入电流, 低电流 I CSL. pa CS = V SS CS 高电平规范 CS 逻辑门限, 高电平 V IH.8 V CS 输入电流, 高电流 I CSH pa CS = CS 输入高电平, 电流 I DD 8 pa CS = CS 输入高电平, GND 电流 I SS 2 pa CS = 比较器输出泄漏电流 I O(LEAK) pa V OUT =, CS = CS 动态规范 CS 低电平到比较器输出低有效的导通时间 CS 高电平到比较器输出呈现高阻的时间 t ON 2 ms CS =.2 至 V OUT = /2, V IN = t OFF µs CS =.8 至 V OUT = /2,V IN = CS 迟滞电压 V CS_HYST.6 V = V CS V IL V IH V IN mv t ON t OFF V IN + = /2 mv t PHL V OUT Hi-Z Hi-Z t PLH V OH I SS -2 pa( 典型值 ) I CS pa( 典型值 ) -.6 µa( 典型值 )-2 pa( 典型值 ) pa( 典型值 ) V OUT V OL V OL 图 -: MCP643 片选 CS 引脚时序图图 -2: 传输时延时序图 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 3 页

4 温度特性 电气规范 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V 和 V SS = GND 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 温度范围工作温度范围 T A C 工作温度范围 T A C 注 储存温度范围 T A -6 + C 封装热阻 引脚 SC-7 封装热阻 θ JA 33 C/W 引脚 SOT-23 封装热阻 θ JA 26 C/W 8 引脚 PDIP 封装热阻 θ JA 8 C/W 8 引脚 SOIC 封装热阻 θ JA 63 C/W 8 引脚 MSOP 封装热阻 θ JA 26 C/W 4 引脚 PDIP 封装热阻 θ JA 7 C/W 4 引脚 SOIC 封装热阻 θ JA 2 C/W 4 引脚 TSSOP 封装热阻 θ JA C/W 注 : MCP64/2/3/4 工业温度级器件可以工作在这个扩展温度范围, 但是性能会下降 在任何条件下, 结温 (T J ) 不得超过绝对最大规范值 + C.2 测试电路配置 这个测试电路用于测试比较器的交流 (AC) 和直流 (DC) 参数 2 kω 2 kω V IN = V SS MCP64X 2 kω V SS = V 2 kω V OUT 36 pf 图 -3: 电路 推挽输出比较器交流和直流参数测试 DS2696D_CN 第 4 页 26 Microchip Technology Inc.

5 2. 典型工作特性曲线 注 : 以下图表为基于有限数量样本所作的统计, 仅供参考 所列特性未经测试, 我公司不作任何担保 在一些图表中, 所列数据可能超出规定的工作范围 ( 如 : 超出规定的电源电压范围 ), 因而不在担保范围内 注 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = GND, R PU = 2.74 kω 连到 V PU = 且 C L = 36 pf Percentage of Occurrences 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 2 Samples V CM = V SS Input Offset Voltage (mv) Percentage of Occurrences 8% 6% 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 2 Samples V CM = V SS Input Hysteresis Voltage (mv) 图 2-: V CM = V SS 时的输入失调电压 图 2-4: V CM = V SS 时的输入迟滞电压 Percentage of Occurrences 6% 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 2 Samples V CM = V SS T A = -4 C to +2 C Percentage of Occurrences 2% 2% % % =.V % % Samples V CM = V SS T A = -4 C to +2 C =.6V Input Offset Voltage Drift (µv/ C) Input Hysteresis Voltage Linear Temp. Co.; TC (µv/ C) 图 2-2: V CM = V SS 时的输入失调电压漂移 图 2-: V CM = V SS 时的输入迟滞电压线性温度系数 (TC ) Inverting Input, Output Voltage (V) =.V V OUT V IN Time ( ms/div) Percentage of Occurrences 2% 8% 6% 4% 2% % 8% 6% 4% 2% % 96 Samples V CM = V SS T A = -4 C to +2 C =.6V Input Hysteresis Voltage Quadratic Temp. Co.; TC 2 (µv/ C 2 ) =.V 图 2-3: 转 MCP64/2/3/4 比较器显示无相位反 图 2-6: V CM = V SS 时的输入迟滞电压二次方温度系数 (TC 2 ) 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 页

6 注 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = GND, R PU = 2.74 kω 连到 V PU = 且 C L = 36 pf Input Offset Voltage (mv)..8 V CM = V SS.6.4 V.2 DD =.6V =.V Ambient Temperature ( C) Input Hysteresis Voltage (mv) V CM = V SS =.6V =.V Ambient Temperature ( C) 图 2-7: 度曲线 V CM = V SS 时输入失调电压 环境温 图 2-: 度曲线 V CM = V SS 时输入迟滞电压 环境温 Input Offset Voltage (mv) =.6V T A = +2 C T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C Input Hysteresis Voltage (mv) =.6V T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C Common Mode Input Voltage (V) Common Mode Input Voltage (V) 图 2-8: 输入电压 =.6V 时输入失调电压 共模 图 2-: 输入电压 =.6V 时输入迟滞电压 共模 Input Offset Voltage (mv) =.V T A = -4 C T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C Input Hysteresis Voltage (mv) =.V T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C Common Mode Input Voltage (V) Common Mode Input Voltage (V) 图 2-9: 输入电压 =.V 时输入失调电压 共模 图 2-2: 输入电压 =.V 时输入迟滞电压 共模 DS2696D_CN 第 6 页 26 Microchip Technology Inc.

7 注 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = GND, R PU = 2.74 kω 连到 V PU = 且 C L = 36 pf CMRR, PSRR (db) Input Referred PSRR, V IN + = V SS, =.6V to.v CMRR, V IN + = -.3 to.3v, =.V Ambient Temperature ( C) Input Bias, Offset Currents (A) n I B, T A = +2 C n p I B, T A = +8 C =.V p I OS, T A = +2 C p I OS, T A = +8 C f Common Mode Input Voltage (V) 图 2-3: CMRR, PSRR 环境温度曲线 图 2-6: 输入偏置电流, 输入失调电流 共模输入电压曲线 Input Bias, Offset Currents (pa) =.V V CM = Ambient Temperature ( C) I B I OS Quiescent Current per Comparator (µa) T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C Power Supply Voltage (V) 图 2-4: 温度曲线 输入偏置电流, 输入失调电流 环境 图 2-7: 静态电流 电源电压曲线 Quiescent Current per comparator (µa) =.6V Sweep V IN +, V IN = /2 Sweep V IN, V IN + = / Common Mode Input Voltage (V) Quiescent Current per Comparator (µa).7 =.V Sweep V IN +, V IN = /2. Sweep V IN, V IN + = / Common Mode Input Voltage (V) 图 2-: 电压曲线 =.6V 时静态电流 共模输入 图 2-8: 电压曲线 =.V 时静态电流 共模输入 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 7 页

8 注 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = GND, R PU = 2.74 kω 连到 V PU = 且 C L = 36 pf Supply Current (µa). mv Overdrive V CM = /2 R L = infinity =.V =.6V. Toggle Frequency (khz) Output Short Circuit Current Magnitude (ma) T A = -4 C T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C Power Supply Voltage (V) 图 2-9: 电源电流 翻转频率曲线 图 2-22: 输入短路电流幅值 电源电压曲线 Output Voltage Headroom (V) V OL V SS : T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C =.6V V OH : T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C Output Current (ma) Output Voltage Headroom (V) V OL V SS : T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C =.V V OH : T A = +2 C T A = +8 C T A = +2 C T A = -4 C 2 2 Output Current (ma) 图 2-2: 电流曲线 =.6V 时输入电压余量 输出 图 2-23: 电流 =.V 时输入电压余量 输入 Percentage of Occurrences 4% 4% 3% 3% 2% 2% % % % % 6 Samples mv Overdrive V CM = /2 =.6V =.V High-to-Low Propagation Delay (µs) Percentage of Occurrences 4% 4% 3% 3% 2% 2% % % % % =.6V 6 Samples mv Overdrive V CM = /2 =.V Low-to-High Propagation Delay (µs) 图 2-2: 高至低传输时延 图 2-24: 低至高传输时延 DS2696D_CN 第 8 页 26 Microchip Technology Inc.

9 注 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = GND, R PU = 2.74 kω 连到 V PU = 且 C L = 36 pf Percentage of Occurrences 4% 4% 3% 3% 2% 2% % % % % 6 Samples mv Overdrive V CM = /2 =.V =.6V Propagation Delay Skew (µs) Propagation Delay (µs) mv Overdrive V CM = /2 t =.V t =.V t =.6V t =.6V Ambient Temperature ( C) 图 2-2: 传输时延差 图 2-28: 传输时延 环境温度曲线 Propagation Delay (µs) 4 3 V CM = /2 2 t mv Overdrive t mv Overdrive 6 t mv Overdrive t mv Overdrive Power Supply Voltage (V) Propagation Delay (µs) t =.V t =.V t =.6V t =.6V V CM = /2 Input Overdrive (mv) 图 2-26: 传输时延 电源电压曲线 图 2-29: 传输时延 输入过驱动曲线 Propagation Delay (µs) =.6V mv Overdrive t PLH t PHL Common Mode Input Voltage (V) Propagation Delay (µs) 8 =.V 7 mv Overdrive 6 t PHL 4 t PLH Common Mode Input Voltage (V) 图 2-27: 电压曲线 =.6V 时传输时延 共模输入 图 2-3: 电压曲线 =.V 时传输时延 共模输入 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 9 页

10 注 : 除非另有说明, 否则 = +.6V 至 +.V, V SS = GND, T A = +2 C, V IN + = /2, V IN = GND, R PU = 2.74 kω 连到 V PU = 且 C L = 36 pf Propagation Delay (µs) mv Overdrive V CM = /2 t =.6V t =.6V t =.V t =.V Load Capacitance (nf) Chip Select, Output Voltage (V) =.V V OUT CS Time (ms) 图 2-3: 传输时延 负载电容曲线 图 2-34: 片选 (CS) 阶跃响应 ( 仅 MCP643) Supply Current per Comparator (A).E-3 m Comparator Comparator.E-4 µ Turns On Shuts Off.E- µ.e-6 µ.e-7 n CS Hysteresis.E-8 n CS CS.E-9 n High-to-Low Low-to-High.E- p =.6V.E- p Chip Select (CS) Voltage (V) 图 2-32: =.6V 时电源电流 ( 冲击电流 ) 片选 (CS) 电压曲线 ( 仅 MCP643) Supply Current per Comparator (A).E-3 m Comparator Comparator.E-4 µ Turns On Shuts Off.E- µ.e-6 µ.e-7 n CS Hysteresis.E-8 n CS CS.E-9 n Low-to-High High-to-Low.E- p =.V.E- p Chip Select (CS) Voltage (V) 图 2-3: =.V 时电源电流 ( 冲击电流 ) 片选 (CS) 电压曲线 ( 仅 MCP643) Supply Current (µa) =.6V Charging output capacitance V OUT CS Start-up I DD Time ( ms/div) Output Voltage, Chip Select Voltage (V), Supply Current per Comparator (µa) V OUT CS =.V Start-up I DD Charging output capacitance Time (. ms/div) Output Voltage, Chip Select Voltage (V) 图 2-33: =.6V 时电源电流 ( 充电电流 ) 片选 (CS) 脉冲曲线 ( 仅 MCP643) 图 2-36: =.V 时电源电流 ( 充电电流 ) 片选 (CS) 脉冲曲线 ( 仅 MCP643) DS2696D_CN 第 页 26 Microchip Technology Inc.

11 3. 引脚说明 表 3- 给出了引脚说明 表 3-: 引脚功能表 MCP64 (PDIP SOIC 和 MSOP) MCP64 (SOT-23- 和 SC-7-) MCP64R MCP642 MCP643 MCP644 符号说明 6 6 OUT, OUTA 数字输出 ( 比较器 A) V INA +,V INA 反相输入 ( 比较器 A) V IN +, V INA + 同相输入 ( 比较器 A) 正电源 V INB + 同相输入 ( 比较器 B) 6 6 V INB 反相输入 ( 比较器 B) 7 7 OUTB 数字输出 ( 比较器 B) 8 OUTC 数字输出 ( 比较器 C) 9 V INC 反相输入 ( 比较器 C) V INC + 同相输入 ( 比较器 C) V SS 负电源 2 V IND + 同相输入 ( 比较器 D) 3 V IND 反相输入 ( 比较器 D) 4 OUTD 数字输出 ( 比较器 D) 8 CS 片选,, 8, NC 无内部连接 3. 模拟输入引脚 比较器的同相和反相输入端均为低偏置电流的高阻抗 CMOS 输入 3.2 CS 数字输入引脚 这是 CMOS 施密特触发器输入, 它将器件置于低功耗操作模式 3.3 数字输出引脚 3.4 电源引脚 (V SS 和 ) 正电源引脚 ( ) 比负电源引脚 (V SS ) 的电压高.6V 至.V 正常工作时其他引脚电压在 V SS 和 之间 这些器件通常用于单 ( 正 ) 电源配置 这时 VSS 连接到地, 而 VDD 连接到电源 需要在离 引脚 2 mm 范围内连接一个旁路电容 ( 通常为. µf 至. µf) 它们可与附近 ( mm 以内 ) 的模拟器件共用一个大电容, 但这不是必须的 比较器的输出均为推挽式 CMOS 数字输出 它们设计为与 CMOS 和 TTL 逻辑兼容, 能够驱动大负载或容性负载 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 页

12 4. 应用信息 MCP64/2/3/4 系列推挽输出比较器采用 Microchip 先进的 CMOS 工艺制造, 广泛适用于需要很低功耗的应用中 4. 比较器输入 MCP64/2/3/4 系列比较器在输入级采用 CMOS 晶体管, 其设计保证在输入引脚电压超过电源电压不会产生相位翻转 图 2-3 显示了当输入电压超过电源电压 ( 或 V SS ) 时没有产生相位反转 比较器输入级采用的是两个并联的差分 CMOS 输入级 一个工作在低输入电压下, 而另一个工作在高输入电压下 采用这种拓扑结构, 器件输入电压在 +.3V 至 V SS.3V 范围内 因此通过在 V SS.3V 和 +.3V 时测试输入失调电压来确保器件正常工作 可以施加到比较器的最高输入电压为 V SS.3V 和 +.3V 超过这个绝对最大输入电压范围的输入电压会引起过大的电流流入或流出输入引脚, 甚至永久地损坏芯片 输入引脚电压超过该额定值的应用, 必须外接一个电阻来限制电流处于 ±2 ma 之内, 如图 4- 所示 R IN MCP64X V OUT V IN ( Maximum expected V IN ) R IN ma V SS ( Minimum expected V IN ) R IN ma 图 4-: 输入电流限制电阻 (R IN ) MCP64/2/3/4 系列比较器内部设置的迟滞足够小, 能够维持输入失调精度 (<7 mv); 同时足够大, 能够消除比较器内部输入噪声电压 (2 µvp-p) 产生的输出抖动 图 4-2 显示了这种特性 Output Voltage (V) =.V V OUT 图 4-2: MCP64/2/3/4 比较器的内部迟滞消除了输入噪声电压造成的输出抖动 4.2 推挽输出 推挽输出设计成可以兼容 CMOS 和 TTL 逻辑, 同时输出级的晶体管配置成可以提供轨到轨输出性能 当比较器输出从高电平跳变成低电平, 或从低电平跳变成高电平时, 输出级的晶体管驱动电路可以减小任何开关电流 ( 电压轨之间的冲击电流 )( 见图 至 2-36 以获取更多信息 ) 4.3 MCP643 片选 (CS) 功能 MCP643 为带片选 (CS) 功能的比较器 当 CS 为高电平时, 总的供电电流跌落到 2 pa ( 典型值 ), 其中 pa( 典型值 ) 流过 CS 引脚, pa( 典型值 ) 流过输出引脚,8 pa ( 典型值 ) 流过 引脚, 如图 - 所示 此时, 比较器的输出为高阻态 将 CS 拉低可使能比较器 如果 CS 引脚悬空, 比较器可能无法正常工作 图 - 显示了输出电压和供电电流对一个 CS 脉冲的响应 内部 CS 电路设计成可以消除周期触发 CS 引脚而产生的毛刺, 这可以节省功率消耗, 特别是有益于电池供电的应用 4.4 外部迟滞设定 V IN Hysteresis Time ( ms/div) 通过选用不同的外部电阻, 可以选择不同的迟滞电压 ( 或输入触发点 ), 从而取得更大的灵活性 输入失调电压 (V OS ) 为低电平至高电平以及高电平至低电平触发点电压 ( 参考为输入 ) 的中间值 ( 平均值 ) 输入迟滞电压 (V HYST ) 为这两个触发点的电压差 当一个输入电压缓慢趋向并越过另一个输入电压时, 迟滞会减小比较器输出产生的抖动, 从而减小动态电流消耗 这也有益于那些不希望太频繁触发的系统 ( 例如, 空调的温度调节控制 ) MCP64/2/3/4 系列比较器内部设置的迟滞足够小, 能够维持输入失调精度 (<7 mv); 同时足够大, 能够消除比较器内部输入噪声电压 (2 µvp-p) 产生的输出抖动 Input Voltage ( mv/div) DS2696D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.

13 4.4. 同相比较电路 图 4-3 显示了在单电源供电下仅使用两个电阻构成的同相比较电路, 相应的迟滞示意如图 反相比较电路 图 4- 显示了在单电源供电下使用三个电阻构成的反相电路, 相应的迟滞示意如图 4-6 V REF - MCP64X + V OUT V IN R 2 MCP64X V OUT V IN R R F R 3 R F 图 4-3: 较电路 单电源供电下具有迟滞功能的同相比 图 4-: 具有迟滞功能的反相比较电路 V OH V OUT 高至低 低至高 V OH V OUT 低至高 高至低 V OL V SSVSS V THL V TLH V IN V OL V SSVSS V TLH V THL V IN 图 4-4: 同相比较电路的迟滞示意图图 4-3 和图 4-4 中的触发点电压为 : 公式 4-: 图 4-6: 反相比较电路的迟滞示意图 为确定图 4- 中电路的触发点电压, 可以将电路中的 R 2 和 R 3 简化成相对于 的戴维宁 (Thevenin) 等效电路, 如图 4-7 所示 R V TLH V REF R = V R F OL R F R V THL V REF R = V R F OH R F V TLH = 低电平跳变至高电平的触发电压 V THL = 高电平跳变至低电平的触发电压 V 23 - MCP64X + V SS V OUT R 23 R F 图 4-7: 戴维宁等效电路 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 3 页

14 其中 : 采用这个简化电路, 则通过下列公式就可以计算出触发点电压 : 公式 4-2: R R 2 R 3 23 = R 2 + R 3 R 3 V 23 = V R 2 + R DD PCB 表面泄漏电流 对于必须保证低输入偏置电流的应用来说, 必须考虑印刷电路板 (Printed Circuit Board, PCB) 表面泄漏电流的影响 电路板表面泄漏电流是由于电路板潮湿 积尘或其他污渍产生的 在低湿条件下, 相邻走线之间的典型阻抗为 2 Ω V 的压差会产生 pa 的电流, 这一电流比 MCP64/2/3/4 系列运放在 2 C 时的偏置电流 ( 典型值 pa) 还大 减小表面泄漏电流最简单的方法是在在敏感引脚 ( 或走线 ) 周围设置保护环 保护环的偏置电压与敏感引脚的电压相等 图 4-8 给出了这种布局的一个示例 R 23 V THL = V OH R 23 + R F R 23 V TLH = V OL R 23 + R F V 23 V 23 R F R 23 + R F R F R 23 + R F V TLH = 从低电平跳变至高电平的触发电压 V THL = 从高电平跳变至低电平的触发电压 V IN - V IN + V SS 图 2-2 和图 2-23 可用来确定 V OH 和 V OL 典型值 4. 旁路电容 使用该系列的比较器时, 应该在靠近电源引脚 ( 单电源供电时为 引脚 ) 2 mm 范围内连接一个旁路电容 (. µf 至. µf), 以获得边沿速率性能 4.6 容性负载 合理的容性负载 ( 例如, 逻辑门 ) 对传输时延没有影响 ( 见图 2-3) 在触发频率增加时, 特别是驱动大的容性负载时电源电流会升高 ( 见图 2-9) 4.7 电池寿命 在便携式应用中, 为延长电池寿命, 通常选用高阻值的电阻和小的容性负载 应避免过度翻转输出 不要通过频繁使用芯片的片选 (CS) 功能来减小启动功耗 容性负载在启动时也会额外消耗电流 图 4-8: 保护环 反相电路的保护环布局. 反相配置 ( 图 4- 和图 4-8): a. 将保护环与同相输入引脚 (V IN +) 相连 这将使保护环的偏置电压与比较器参考电压 ( 如 /2 或地 ) 相同 b. 用一根不与 PCB 表面接触的导线将反相引脚 (V IN -) 与输入端焊盘相连 2. 同相配置 ( 图 4-3): a. 用一根不与 PCB 表面接触的导线将同相引脚 (V IN +) 与输入端相连 b. 将保护环与反相输入引脚 (V IN -) 相连 DS2696D_CN 第 4 页 26 Microchip Technology Inc.

15 4.9 典型应用 4.9. 精密比较器 许多应用需要很高的直流精度 满足这种需要最简单的方法就是采用一个运放 ( 如 MCP64), 将输入到比较器的信号进行增益放大 图 4-9 显示了这种方法的示例 双稳态多谐振荡器 简单的双稳态多谐振荡器设计如图 4- 所示, 选用的 V REF 应处于电源 (V SS = GND 和 ) 之间以保证电路振荡 输出占空比随 V REF 变化 V REF R R 2 V REF MCP64 MCP64 V OUT V IN R R 2 MCP64X V OUT C R 3 V REF 图 4-: 双稳态多谐振荡器 图 4-9: 精密反相比较器 窗口比较器 图 4- 显示了一个窗口比较器的实现方法 当输入电压处于 V RB 和 V RT ( 其中 V RT > V RB ) 之间时, AND 门产生逻辑 V RT V IN /2 MCP642 V RB 图 4-: 窗口比较器 /2 MCP Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 页

16 . 封装信息. 封装标识信息 引脚 SC-7(MCP64) 示例 : XXNN( 正面 ) YWW( 背面 ) 工业温度级扩展温度级器件代码代码 MCP64 ABNN 注 2 注 : 2 年 3 月以前的工业温度级器件标识为 ABN 2: 本数据手册发布时尚未提供 SC-7- 扩展温度级器件 AB2( 正面 ) 67( 背面 ) 引脚 SOT-23(MCP64 和 MCP64R) 示例 : XXNN 器件 工业温度级代码 扩展温度级代码 MCP64 ABNN GTNN MCP64R AGNN GUNN AB2 8 引脚 PDIP(3 mil) 示例 : XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW MCP64 I/P26 67 MCP64 E/P^^26 e 引脚 SOIC( mil) 示例 : XXXXXXXX XXXXYYWW NNN MCP642 I/SN67 26 MCP64E SN^^67 e 引脚 MSOP 示例 : XXXXXX YWWNNN 643I 6726 图注 : XX...X 客户指定信息 Y 年份代码 ( 日历年的末位 ) YY 年份代码 ( 日历年的后两位 ) WW 星期代码 ( 月 日的星期代码为 ) NNN e3 字母数字的追踪代码雾锡 (Matte Tin, Sn) 的无铅 JEDEC 无铅标记 * 表示无铅封装 JEDEC 无铅标记 ( e3 ) 标示于此种封装的外包装上 注 : Microchip 元器件编号如果无法在同一行内完整标注, 将换行标出, 因此会限制客户指定信息的可用字符数 DS2696D_CN 第 6 页 26 Microchip Technology Inc.

17 封装标识信息 ( 续 ) 4 引脚 PDIP(3 mil)(mcp644) 示例 : XXXXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXXXX YYWWNNN MCP644-I/P XXXXXXXXXXXXXX 6726 或 MCP644E/P 6726 e3 MCP644 I/P^^ e 6726 或 3 4 引脚 SOIC( mil)(mcp644) 示例 : XXXXXXXXXX XXXXXXXXXX YYWWNNN MCP644ISL XXXXXXXXXX 3326 或 MCP644 E/SL^^ e 引脚 TSSOP(MCP644) 示例 : XXXXXXXX YYWW NNN 644I Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 7 页

18 引脚塑封小外形晶体管 (LT)( SC-7) E E D p B n Q c A2 A L A 单位 英寸 毫米 * 尺寸范围 最小 正常 最大 最小 正常 最大 引脚数 n 引脚间距 p.26 (BSC).6 (BSC) 总高度 A 塑模封装厚度 A 悬空间隙 A..4.. 总宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 底足长度 L 塑模封装顶端至引脚肩 Q 引脚厚度 c 引脚宽度 B * 控制参数 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模的毛边或突起 塑模的毛边或突起每侧不得超过. 英寸 (.27 毫米 ) BSC: 基本尺寸 理论上显示的是无公差的精确值 见 ASME Y4.M JEITA(EIAJ) 标准 :SC-7 图号 C4-6 修订于 7/9/ DS2696D_CN 第 8 页 26 Microchip Technology Inc.

19 引脚塑封小外形晶体管 (OT)( SOT23) E E B p p D n α c A A2 β φ L A 引脚数 引脚间距 外侧引脚间距 ( 基本 ) 总高度 塑模封装厚度 悬空间隙 总宽度 塑模封装宽度 总长度 底足长度 底足倾斜角 引脚厚度 引脚宽度 塑模上部锥度 塑模下部锥度 单位 尺寸范围 n p p A A2 A E E D L f c B a b 最小 英寸 * * 控制参数注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模的毛边或突起 塑模的毛边或突起每侧不得超过. 英寸 (.27 毫米 ) 等同于 EIAJ 号 :SC-74A 图号 C4-9 正常 最大 最小 毫米 正常 修订于 9-2- 最大 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 9 页

20 8 引脚塑封双列直插 (P) 3mil(PDIP) E 2 D n α E A A2 c A L β eb B B p 单位 英寸 * 毫米 尺寸范围 最小 正常 最大 最小 正常 最大 引脚数 n 8 8 引脚间距 p. 2.4 顶部至固定面距离 A 塑模封装厚度 A 基座到固定面距离 A..38 肩到肩宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 引脚尖到固定座距离 L 引脚厚度 c 引脚下部宽度 B 引脚下部宽度 B 总排列间距 eb 塑模顶部锥度 α 塑模底部锥度 β * 控制参数 重要特性 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起 每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MS- 图号 C4-8 DS2696D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.

21 8 引脚塑封小外形 (SN) 窄, mil (SOIC) E E p 2 D B n 4 h α c A A2 φ β L A 单位 英寸 * 毫米 尺寸范围 最小 正常 最大 最小 正常 最大 引脚数 n 8 8 引脚间距 p..27 总高度 A 塑模封装厚度 A 悬空间隙 A 总宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 导角投影距离 h 底足长度 L 底足倾斜角 φ 引脚厚度 c 引脚宽度 B 塑模顶部椎度 α 2 2 塑模底部椎度 β 2 2 * 控制参数 重要特性 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起 每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC:MS-2 图号 C Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 2 页

22 8 引脚塑封微型小外形封装 (MS)(MSOP) E E p 2 D B n α c φ A A2 β F L A 引脚数 引脚间距 总高度塑模封装厚度 悬空间隙总宽度 塑模封装宽度总长度底足长度 占位投影长度 ( 参考 ) 底足倾斜角 引脚厚度 引脚宽度 塑模上部锥度塑模下部锥度 单位尺寸范围 n p A A2 A E E D L F φ c B α β * 控制参数注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模的毛边或突起 塑模的毛边或突起每侧不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) BSC: 基本尺寸 理论上显示的是无公差的精确值 见 ASME Y4.M REF: 参考尺寸, 通常无公差, 仅供参考 见 ASME Y4.M 等同于 JEDEC 号 : MO-87 图号 C4- 英寸 毫米 * 最小 正常 最大 最小 正常 BSC.6 BSC BSC 4.9 BSC.8 BSC 3. BSC.8 BSC 3. BSC REF.9 REF 最大 修订于 DS2696D_CN 第 22 页 26 Microchip Technology Inc.

23 4 引脚塑封双列直插 (P) 3 mil (PDIP) E D 2 n α E A A2 c L β eb A B B p 单位 英寸 * 毫米 尺寸范围 最小 正常 最大 最小 正常 最大 引脚数 n 4 4 引脚间距 p. 2.4 顶部到固定面距离 A 塑模封装厚度 A 基座到固定面距离 A..38 肩到肩宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 引脚尖到固定面距离 L 引脚厚度 c 引脚上部宽度 B 引脚下部宽度 B 总排列间距 eb 塑模顶部锥度 α 塑模底部锥度 * 控制参数 重要特性 β 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起 每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MS- 图号 C4-26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 23 页

24 4 引脚塑封小外形 (SL) 窄, mil(soic) E E p D 2 B n 4 h α c A A2 β L φ A 单位 英寸 * 毫米 尺寸范围 最小 正常 最大 最小 正常 最大 引脚数 n 4 4 引脚间距 p..27 总高度 A 塑模封装厚度 A 悬空间隙 A 总宽度 E 塑模封装宽度 E 总长度 D 斜面投影距离 h 底足长度 L 底足倾斜角 φ 引脚厚度 c 引脚宽度 B 塑模顶部锥度 α 2 2 塑模底部锥度 β 2 2 * 控制参数 重要特性 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起 每侧的塑模毛边或突起不得超过. 英寸 (.24 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 : MS-2 图号 C4-6 DS2696D_CN 第 24 页 26 Microchip Technology Inc.

25 4 引脚塑封薄型小外形 (ST) 4.4 mm(tssop) p E E D B n 2 A α c φ β L A A2 引脚数引脚间距总高度塑模封装厚度悬空间隙 总宽度塑模封装宽度塑模封装长度底足长度底足倾斜角引脚厚度引脚宽度塑模顶部椎度塑模底部椎度 * 控制参数 重要特性 单位尺寸范围 n p A A2 A E E D L φ c B α β 最小 英寸正常 最大 最小 注 : 尺寸 D 和 E 不包括塑模毛边或突起 塑模毛边或突起不得超过每侧. 英寸 (.27 毫米 ) 等同于 JEDEC 号 :MO-3 图号 :C4-87 毫米 * 正常 最大 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 2 页

26 注 : DS2696D_CN 第 26 页 26 Microchip Technology Inc.

27 附录 A: 版本历史 版本 D (26 年 月 ) 以下是修改清单 :. 增加了扩展温度级器件 2. 将 V HYST 温度规范修改为线性和二次方温度系 数 3. 更改了扩展温度级的规范和图 4. 增加了第 3. 节 引脚说明. 修改了封装标识 ( 见第. 节 封装标识信息 ) 6. 增加了附录 A: 版本历史 版本 C (23 年 9 月 ) 版本 B (22 年 月 ) 版本 A (22 年 3 月 ) 本文档的最初版本 26 Microchip Technology Inc. DS2696C_CN 第 27 页

28 注 : DS2696C_CN 第 28 页 26 Microchip Technology Inc.

29 产品识别体系 欲订货, 或获取价格 交货等信息, 请于我公司生产厂或各销售办事处联系 器件编号 -X /XX 器件 温度范围 器件 : MCP64: 单比较器 MCP64T: 单比较器 ( 卷带式 ) (SC-7 SOT-23 SOIC 和 MSOP) MCP64RT: 单比较器 ( 旋转 - 卷带式 ) ( 仅 SOT-23) MCP642: 双比较器 MCP642T: 双比较器 (SOIC 和 MSOP 的卷带式封装 ) MCP643: 带 CS 功能的单比较器 MCP643T: 带 CS 功能的单比较器 (SOIC 和 MSOP 的卷带式封装 ) MCP644: MCP644T: 封装 温度范围 : I = -4 C 至 +8 C E * = -4 C 至 +2 C 四比较器四比较器 (SOIC 和 TSSOP 的卷带式封装 ) * 本数据手册发布时尚未提供 SC-7- 扩展温度级器件 封装 : LT = 引脚塑封 (SC-7) OT = 引脚塑封小外形晶体管 (SOT-23) MS = 塑封 MSOP,8 引脚 P = 8 引脚和 4 引脚塑封 DIP (3 mil 主体 ) SN = 8 引脚塑封 SOIC ( mil 主体 ) SL = 4 引脚塑封 SOIC ( mil 主体 ) (MCP644) ST = 4 引脚塑封 TSSOP (4.4 mm 主体 ) (MCP644) 示例 : a) MCP64T-I/LT: 卷带式, 工业温度级, 引脚 SC-7 b) MCP64T-I/OT: 卷带式, 工业温度级, 引脚 SOT-23 c) MCP64-E/P: 扩展温度级, 8 引脚 PDIP d) MCP64RT-I/OT: 卷带式, 工业温度级, 引脚 SOT23 e) MCP64-E/SN: 扩展温度级, 8 引脚 SOIC a) MCP642-I/MS: 工业温度级, 8 引脚 MSOP b) MCP642T-I/MS: 卷带式, 工业温度级, 8 引脚 MSOP c) MCP642-I/P: 工业温度级, 8 引脚 PDIP d) MCP642-E/SN: 扩展温度级, 8 引脚 SOIC a) MCP643-I/SN: 工业温度级, 8 引脚 SOIC b) MCP643T-I/SN: 卷带式, 工业温度级, 8 引脚 SOIC c) MCP643-I/P: 工业温度级, 8 引脚 PDIP d) MCP643-E/SN: 扩展温度级, 8 引脚 SOIC a) MCP644T-I/SL: 卷带式, 工业温度级, 4 引脚 SOIC b) MCP644T-I/SL: 卷带式, 工业温度级, 4LD SOIC c) MCP644-I/P: 工业温度级, 4 引脚 PDIP d) MCP644-E/SN: 扩展温度级, 8 引脚 SOIC 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 29 页

30 注 : DS2696D_CN 第 3 页 26 Microchip Technology Inc.

31 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor Mindi MiWi MPASM MPLIB MPLINK PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool REAL ICE rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 26, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 位于俄勒冈州 Gresham 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部 设计中心和晶圆生产厂均通过了 ISO/TS-6949:22 认证 公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS-6949:22 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9:2 认证 26 Microchip Technology Inc. DS2696D_CN 第 3 页

32 全球销售及服务网点 美洲 亚太地区 亚太地区 欧洲 公司总部 Corporate Office 23 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : 网址 : 亚太总部 Asia Pacific Office Suites 377-4, 37th Floor Tower 6, The Gateway Habour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 福州 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 顺德 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Gumi Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Wels Tel: Fax: 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: /8/6 DS2696D_CN 第 32 页 26 Microchip Technology Inc.