目录 特性...6 CPU 特性... 6 周边特性... 6 概述...7 方框图...7 引脚图...8 引脚说明...9 极限参数...10 直流电气特性...10 交流电气特性...12 感应振荡器电气特性...13 A/D 转换器电气特性...17 上电复位特性...18 系统结构...1

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1 BS84B06A-3 版本 : V1.30 日期 :

2 目录 特性...6 CPU 特性... 6 周边特性... 6 概述...7 方框图...7 引脚图...8 引脚说明...9 极限参数...10 直流电气特性...10 交流电气特性...12 感应振荡器电气特性...13 A/D 转换器电气特性...17 上电复位特性...18 系统结构...19 时序和流水线结构 程序计数器 堆栈 算术逻辑单元 ALU Flash 程序存储器...21 结构 特殊向量 查表 查表范例 在线烧录 片上调试 数据存储器...24 结构 特殊功能寄存器...26 间接寻址寄存器 IAR0,IAR 间接寻址指针 MP0,MP 存储区指针 BP 累加器 ACC 程序计数器低字节寄存器 PCL 表格寄存器 TBLP,TBHP,TBLH 状态寄存器 STATUS Rev

3 EEPROM 数据寄存器...30 EEPROM 数据寄存器结构 EEPROM 寄存器 从 EEPROM 中读取数据 写数据到 EEPROM 写保护 EEPROM 中断 编程注意事项 振荡器...34 振荡器概述 系统时钟配置 内部高速 RC 振荡器 HIRC 工作模式和系统时钟...35 系统时钟 控制寄存器 系统工作模式 工作模式切换 待机电流的注意事项 唤醒 看门狗定时器...42 看门狗定时器时钟源 看门狗定时器控制寄存器 看门狗定时器操作 复位和初始化...44 复位功能 复位初始状态 输入 / 输出端口...49 输入 / 输出寄存器列表 上拉电阻 PA 口唤醒 输入 / 输出端口控制寄存器 输入 / 输出引脚源电流选择 输入 / 输出引脚结构 编程注意事项 定时 / 计数器...54 配置定时 / 计数器输入时钟源 定时 / 计数器寄存器 TMR 定时 / 计数控制寄存器 TMRC 定时器操作 预分频器 编程注意事项 Rev

4 A/D 转换器...57 A/D 简介 A/D 转换寄存器介绍 A/D 转换器数据寄存器 ADRL,ADRH A/D 转换控制寄存器 ADCR0,ADCR1,ACERL A/D 操作 A/D 输入引脚 A/D 转换步骤 编程注意事项 A/D 转换功能 A/D 转换应用范例 触控按键功能...66 触控按键结构 触控按键寄存器 触控按键操作 触控按键中断 编程注意事项 串行接口模块 SIM...74 SPI 接口 I 2 C 接口 中断...87 中断寄存器 中断操作 外部中断 时基中断 定时 / 计数器中断 EEPROM 中断 触控按键中断 串行接口模块中断 A/D 转换器中断 中断唤醒功能 编程注意事项 应用电路...93 指令集...94 简介 指令周期 数据的传送 算术运算 逻辑和移位运算 分支和控制转换 位运算 查表运算 其它运算 Rev

5 指令集概要...96 惯例 指令定义...99 封装信息 pin NSOP (150mil) 外形尺寸 pin DIP (300mil) 外形尺寸 pin SOP (300mil) 外形尺寸 Rev

6 特性 CPU 特性 周边特性 工作电压 f SYS =8MHz:2.7V~5.5V f SYS =12MHz:2.7V~5.5V f SYS =16MHz:4.5V~5.5V V DD =5V, 系统时钟为 16MHz 时, 指令周期为 0.25μs 提供暂停和唤醒功能, 以降低功耗 完全集成高速和低速振荡器 : 高速内部 RC HIRC:8/12/16MHz 低速内部 RC LIRC:32kHz 多种工作模式 : 正常 低速 空闲和休眠 所有指令都可在 1 或 2 个指令周期内完成 查表指令 63 条指令 6 层堆栈 位操作指令 Flash 程序存储 :3K 16 RAM 数据存储 :288 8 EEPROM 存储器 :64 8 看门狗定时器功能 18 个双向 I/O 口 外部中断口与 I/O 引脚共用 8 位定时 / 计数器 单时基功能可提供固定时间的中断信号 多通道 12 位分辨精度的 A/D 转换器 串行接口模块 SIM, 用于 SPI 或 I 2 C 通信 PMOS 源电流可调节 低电压复位功能 完全集成 6 个触控按键功能 无需外接元件 封装类型 :16-pin NSOP,20-pin SOP/DIP Rev

7 概述 该单片机是 A/D 型具有 8 位高性能精简指令集的 Flash 型单片机, 具有完全集成的触控按键功能 其内部提供的触控按键功能以及 Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供了可靠并易于实现的方式用于应用产品中触摸按键功能的执行 在模拟特性方面, 这款单片机包含一个多通道 12 位 A/D 转换器 保护功能方面, 包含内部看门狗定时器和低电压复位等内部保护特性, 外加优秀的抗干扰和 ESD 保护性能, 确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地进行 触控按键功能完全集成于单片机内部, 无需外部元件即可实现触控按键功能 存储器方面, 除 Flash 程序存储器, 还包含了一个 RAM 数据存储器和一个可用于存储序列号 校准数据等非易失性数据的 EEPROM 存储器 该单片机内建完整的振荡器系统, 提供高速和低速振荡器功能选项, 无需外围元器件 其在不同工作模式之间动态切换的能力, 为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段 这款单片机内建完整的 SPI 和 I 2 C 功能, 为设计者提供了一个易与外部硬件通信的接口 外加 I/O 使用灵活, 定时 / 计数器功能等其它特性, 进一步增强了设备的功能性和灵活性 这款触控按键单片机可以广泛应用于各种产品中, 例如电子测量仪器 家用电器 电子控制工具等方面 方框图 Flash/EEPROM Programming Circuitry Watchdog Timer Low Voltage Reset 8-bit RISC MCU Core Reset Circuit Interrupt Controller Internal RC Oscillators EEPROM Data Memory Flash Program Memory RAM Data Memory 12-bit A/D Converter SIM I/O Timer Base 8-bit Timer Touch Keys Rev

8 引脚图 PB0/Key PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA PB1/Key PA1/SDO PB2/Key PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK PB3/Key4 PB4/Key PA3/SCS PA4/INT PB5/Key PA7 VSS 7 10 PD1/AN1 VDD 8 9 PD0/AN0/VREF BS84B06A-3/BS84BV06A-3 16 NSOP-A PB0/Key1 PB1/Key PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA PA1/SDO PB2/Key PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK PB3/Key PA3/SCS PB4/Key PA4/INT PB5/Key PA7 PB6 PB PD3/AN3 PD2/AN2 VSS 9 12 PD1/AN1 VDD PD0/AN0/VREF BS84B06A-3/BS84BV06A-3 20 SOP-A/DIP-A 注 :OCDSDA 和 OCDSCK 引脚用于 OCDS 功能, 仅适用于 BS84B06A-3 的 EV 芯片 BS84BV06A-3 Rev

9 引脚说明 每个引脚的功能如下表所述, 而引脚配置的详细内容见规格书其它章节 引脚名称功能 OP I/T O/T 引脚说明 PA0/SDI/ SDA/ ICPDA/ OCDSDA PA1/SDO PA2/SCK/ SCL/ ICPCK/ OCDSCK PA3/SCS PA4/INT PA7 PB0/KEY1~ PB3/KEY4 PB4/KEY5~ PB5/KEY6 PA0 PAWU PAPU ST CMOS SDI SIMC0 ST - SPI 数据输入 SDA SIMC0 ST NMOS I 2 C 数据 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 ICPDA - ST CMOS 在线烧录数据 / 地址引脚 OCDSDA - ST CMOS PA1 PAWU PAPU ST CMOS SDO SIMC0 - CMOS SPI 数据输出 PA2 PAWU PAPU ST CMOS SCK SIMC0 ST CMOS SPI 串行时钟 SCL SIMC0 ST NMOS I 2 C 时钟 ICPCK - ST - 在线烧录时钟输入 OCDSCK - ST - PA3 SCS PA4 PAWU PAPU SIMC0 SIMC2 PAWU PAPU ST ST ST CMOS 片上调试地址 / 数据引脚, 仅用于 EV 芯片 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 片上调试时钟输入引脚, 仅用于 EV 芯片 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 CMOS SPI 从机选择 CMOS INT INTEG ST - 外部中断 PA7 PAWU PAPU ST CMOS 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 PB0~PB3 PBPU ST CMOS 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻 KEY1~KEY4 TKM0C1 NSI - 触控按键输入 PB4~PB5 PBPU ST CMOS 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻 KEY5~KEY6 TKM1C1 NSI - 触控按键输入 PB6~PB7 PB6~PB7 PBPU ST CMOS 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻 PD0/AN0/ VREF PD1/AN1~ PD3/AN3 PD0 PDPU ST CMOS 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻 AN0 ACERL AN - A/D 转换器输入 VREF ADCR1 AN - A/D 转换器参考电压输入 PD1~PD3 PDPU ST CMOS 通用 I/O 口, 通过寄存器设置上拉电阻 AN1~AN3 ACERL AN - A/D 转换器输入 VDD VDD PWR 电源电压正极 VSS VSS PWR 电源电压负极 注 :I/T: 输入类型 ; O/T: 输出类型 OP: 通过寄存器设置 ; AN: 模拟输入 PWR: 电源 ; ST: 施密特触发输入 ; NSI: 非标准输入 CMOS:CMOS 输出 ; NMOS:NMOS 输出 Rev

10 极限参数 电源供应电压...V SS -0.3V ~ V SS +6.0V 端口输入电压... V SS -0.3V ~ V DD +0.3V 储存温度 ~ 125 工作温度 ~ 85 I OL 总电流... 80mA I OH 总电流 mA 总功耗 mW 注 : 这里只强调额定功率, 超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害, 无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态, 而且若长期在标示范围外的条件下工作, 可能影响芯片的可靠性 直流电气特性 符号 V DD I DD 工作电压 (HIRC) 参数 工作电流, 正常模式 (HIRC OSC, f SYS =f H, f S =f SUB =f LIRC ) 工作电流, 正常模式 (HIRC OSC, f SYS =f L, f S =f SUB =f LIRC ) 工作电流, 低速模式 (LIRC OSC, f SYS =f L =f LIRC, f S =f SUB =f LIRC ) V DD Ta=25 测试条件条件 最小 典型 最大 单位 f SYS =8MHz V f SYS =12MHz V f SYS =16MHz V 3V 无负载, f H =8MHz, A/D off, ma 5V WDT 使能, LVR 使能 ma 3V 无负载, f H =12MHz, A/D ma 5V off, WDT 使能, LVR 使能 ma 5V 无负载, f H =16MHz, A/D off, WDT 使能, LVR 使能 ma 3V 无负载, f H =12MHz, ma f L =f H /2, A/D off, 5V WDT 使能, LVR 使能 ma 3V 无负载, f H =12MHz, ma f L =f H /64, A/D off, 5V WDT 使能, LVR 使能 ma 3V 无负载, A/D off, μa 5V WDT 使能, LVR 使能 μa Rev

11 符号 I STB V IL V IH 参数 IDLE1 模式静态电流 (HIRC OSC, f SYS =f H, f S =f SUB =f LIRC ) IDLE0 模式静态电流 (HIRC OSC, f SYS =off, f S =f SUB =f LIRC ) IDLE1 模式静态电流 (HIRC OSC, f SYS =f L, f S =f SUB =f LIRC ) IDLE0 模式静态电流 (HIRC OSC, f SYS =off, f S =f SUB =f LIRC ) IDLE1 模式静态电流 (LIRC OSC, f SYS =f L =f LIRC, f S =f SUB =f LIRC ) IDLE0 模式静态电流 (LIRC OSC, f SYS =off, f S =f SUB =f LIRC ) 休眠模式静态电流 (HIRC OSC, f SYS =off, f S =f SUB =f LIRC ) 休眠模式静态电流 (LIRC OSC, f SYS =off, f S =f SUB =f LIRC ) 输入 / 输出口或其它输入引脚低电平输入电压 输入 / 输出口或其它输入引脚高电平输入电压 V LVR 低电压复位电压 LVR 使能, V LVR 固定为 2.55V I OL I OH R PH 输入 / 输出口灌电流 (PA/PB/PD) 输入 / 输出口源电流 (PA/PB/PD) 输入 / 输出口上拉电阻 测试条件 V DD 条件 最小 典型 最大 单位 3V 无负载, HALT, A/D off, ma 5V WDT 使能, f SYS =12MHz ma 3V 无负载, HALT, A/D off, μa 5V WDT 使能, f SYS =12MHz, μa 3V 无负载, HALT, A/D off, ma 5V WDT 使能, f SYS =12MHz/ ma 3V 无负载, HALT, A/D off, μa 5V WDT 使能, f SYS =12MHz/ μa 3V 无负载, HALT, A/D off, μa 5V WDT 使能, f SYS =32kHz μa 3V 无负载, HALT, A/D off, μa 5V WDT 使能, f SYS =32kHz μa 3V 无负载, HALT, A/D off, μa 5V WDT 使能, f SYS =12MHz μa 3V 无负载, HALT, A/D off, μa 5V WDT 使能, f SYS =32kHz μa 5V V 0 0.2V DD V 5V V 0.8V DD V DD V -5% % V 3V V OL =0.1V DD ma 5V V OL =0.1V DD ma 3V ma VOH =0.9V DD, PxPS=00 5V ma 3V ma VOH =0.9V DD, PxPS=01 5V ma 3V ma VOH =0.9V DD, PxPS=10 5V ma 3V ma VOH =0.9V DD, PxPS=11 5V ma 3V kω 5V kω Rev

12 交流电气特性 Ta=25 符号 参数 测试条件 V DD 条件 最小 典型 最大 单位 -2% 8 +2% MHz 3V/5V f SYS 系统时钟 (HIRC) Ta=25-2% 12 +2% MHz 5V -2% 16 +2% MHz 2.7V~5.5V 8 MHz f TIMER 定时器输入脉宽 2.7V~5.5V 12 MHz 4.5V~5.5V 16 MHz f LIRC 系统时钟 (32K) 5V Ta=25-10% % khz t SST 系统启动时间 ( 由 HALT 模式唤醒 ) f SYS = HIRC OSC 16 f SYS = LIRC OSC 2 系统启动时间 ( 由 HALT 模式唤醒, 2 HALT 时 f SYS on) t INT 中断脉宽 μs t LVR 低电压复位脉宽 μs t EERD EEPROM 读周期 t SYS t EEWR EEPROM 写周期 ms 注 :1. t SYS =1/f SYS 2. 为了保持内部 HIRC 振荡器频率的准确性, 需要在 VDD 和 VSS 之间接入一个 0.1μF 的去耦电容, 并且尽可能地靠近单片机 t SYS Rev

13 感应振荡器电气特性 Ta=25 符号 I KEYOSC I REFOSC C KEYOSC 触控按键 RC OSC = 500kHz 参数 感应 (KEY) 振荡器工作电流 参考振荡器工作电流 感应 (KEY) 振荡器外挂电容值 测试条件 V DD 条件 最小典型最大单位 3V *f SENOSC =500kHz, μa 5V MnFILEN= μa 3V *f SENOSC =500kHz, μa 5V MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =500kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =500kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =500kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =500kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 5V *f SENOSC =500kHz pf C REFOSC 参考振荡器内建电容值 5V *f SENOSC =500kHz pf f KEYOSC 感应 (KEY) 振荡器工作频率 5V f REFYOSC 参考振荡器工作频率 5V * 外挂电容值 =7,8,9,10,11,12,13,14,15, 50pF * 内建电容值 =7,8,9,10,11,12,13,14,15, 50pF 注 :*f SENOSC =500kHz: 调整 KEYn 上的电容值, 使得感应振荡器频率为 500kHz *f REFOSC =500kHz: 调整参考振荡器内建电容值, 使得参考振荡器频率为 500kHz khz khz Rev

14 符号 I KEYOSC I REFOSC C KEYOSC C REFOSC f KEYOSC 触控按键 RC OSC = 1000kHz 参数 感应 (KEY) 振荡器工作电流 参考振荡器工作电流 感应 (KEY) 振荡器外挂电容值 参考振荡器内建电容值 感应 (KEY) 振荡器工作频率 测试条件 V DD 条件 最小典型最大单位 3V *f SENOSC =1000kHz, μa 5V M0FILEN= μa 3V *f SENOSC =1000kHz, μa 5V M0FILEN= μa 3V *f REFOSC =1000kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =1000kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =1000kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =1000kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 5V *f SENOSC =1000kHz pf 5V *f SENOSC =1000kHz pf 5V f REFYOSC 参考振荡器工作频率 5V * 外挂电容值 =2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14, 15, 50pF * 内建电容值 =2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14, 15, 50pF 注 :*f SENOSC =1000kHz: 调整 KEYn 上的电容值, 使得感应振荡器频率为 1000kHz *f REFOSC =1000kHz: 调整参考振荡器内建电容值, 使得参考振荡器频率为 1000kHz khz khz Rev

15 符号 I KEYOSC I REFOSC C KEYOSC C REFOSC f KEYOSC f REFYOSC 触控按键 RC OSC =1500kHz 参数 感应 (KEY) 振荡器工作电流 参考振荡器工作电流 感应 (KEY) 振荡器外挂电容值 参考振荡器内建电容值 感应 (KEY) 振荡器工作频率 参考振荡器工作频率 测试条件最小典型最大单位 V DD 条件 3V μa *fsenosc =1500kHz, M0FILEN=0 5V μa 3V μa *fsenosc =1500kHz, M0FILEN=1 5V μa 3V *f REFOSC =1500kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =1500kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =1500kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =1500kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 5V *f SENOSC =1500kHz pf 5V *f SENOSC =1500kHz pf 3V * 外挂电容值 khz 5V =2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14, 15, 50pF khz 3V * 内建电容值 khz 5V =2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14, 15, 50pF khz 注 :*f SENOSC =1500kHz: 调整 KEYn 上的电容值, 使得感应振荡器频率为 1500kHz *f REFOSC =1500kHz: 调整参考振荡器内建电容值, 使得参考振荡器频率为 1500kHz Rev

16 符号 I KEYOSC I REFOSC C KEYOSC C REFOSC f KEYOSC f REFYOSC 触控按键 RC OSC =2000kHz 参数 感应 (KEY) 振荡器工作电流 参考振荡器工作电流 感应 (KEY) 振荡器外挂电容值 参考振荡器内建电容值 感应 (KEY) 振荡器工作频率 参考振荡器工作频率 测试条件最小典型最大单位 V DD 条件 3V μa *fsenosc =2000kHz, M0FILEN=0 5V μa 3V μa *fsenosc =2000kHz, M0FILEN=1 5V μa 3V *f REFOSC =2000kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =2000kHz, μa 5V MnTSS=0, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =2000kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 3V *f REFOSC =2000kHz, μa 5V MnTSS=1, MnFILEN= μa 5V *f SENOSC =2000kHz pf 5V *f SENOSC =2000kHz pf 3V * 外挂电容值 khz 5V =2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14, 15, 50pF khz 3V * 内建电容值 khz 5V =2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14, 15, 50pF khz 注 :*f SENOSC =2000kHz: 调整 KEYn 上的电容值, 使得感应振荡器频率为 2000kHz *f REFOSC =2000kHz: 调整参考振荡器内建电容值, 使得参考振荡器频率为 2000kHz Rev

17 A/D 转换器电气特性 Ta=25 测试条件符号参数最小值典型值最大值单位 V DD 条件 AV DD A/D 工作电压 V V ADI A/D 输入电压 0 V REF V V REF A/D 参考电压 2.7 AV DD V V BG 带有缓冲器电压的 Bandgap 参考电压 -3% % V DNL A/D 非线性微分误差 2.7V V REF =AV DD =V DD 3V t ADCK =0.5μs 5V Ta=25 C LSB 2.7V V REF =AV DD =V DD 3V t ADCK =0.5μs 5V Ta=-40 C~85 C LSB INL I ADC A/D 非线性积分误差 打开 A/D 增加的功耗 2.7V V REF =AV DD =V DD 3V t ADCK =0.5μs 5V Ta=25 C LSB 2.7V V REF =AV DD =V DD 3V 5V t ADCK =0.5μs Ta=-40 C~85 C LSB 3V 无负载, t ADCK =0.5μs ma 5V 无负载, t ADCK =0.5μs ma I BG 打开 V BG 参考电压增加的功耗 μa t ADCK A/D 时钟周期 μs t ADC A/D 转换时间 ( 包括 A/D 采样和保持时间 ) 12-bit A/D 转换器 16 t ADCK t ADS A/D 采样时间 4 t ADCK t ON2ST A/D On-to-Start 时间 2 μs t BG V BG 稳定时间 200 μs Rev

18 上电复位特性 Ta=25 符号 参数 测试条件 V DD 条件 最小 典型 最大 单位 V POR 上电复位电压 100 mv RR VDD 上电复位电压速率 V/ms t POR V DD 保持为 V POR 的最小时间 1 ms 8,, J ,, E A Rev

19 系统结构 内部系统结构是盛群单片机具有良好性能的主要因素 由于采用 RISC 结构, 此单片机具有高运算速度和高性能的特点 通过流水线的方式, 指令的取得和执行同时进行, 此举使得除了跳转和调用指令外, 其它指令都能在一个指令周期内完成 8 位 ALU 参与指令集中所有的运算, 它可完成算术运算 逻辑运算 移位 递增 递减和分支等功能, 而内部的数据路径则是以通过累加器和 ALU 的方式加以简化 有些寄存器在数据存储器中被实现, 且可以直接或间接寻址 简单的寄存器寻址方式和结构特性, 确保了在提供具有最大可靠度和灵活性的 I/O 和 A/D 控制系统时, 仅需要少数的外部器件 使得这些单片机适用于低成本和大批量生产控制应用 时序和流水线结构 主系统时钟由 HIRC 或 LIRC 振荡器提供, 它被细分为 T1~T4 四个内部产生的非重叠时序 在 T1 时间, 程序计数器自动加一并抓取一条新的指令 剩下的时间 T2~T4 完成译码和执行功能, 因此, 一个 T1~T4 时钟周期构成一个指令周期 虽然指令的抓取和执行发生在连续的指令周期, 但单片机流水线结构会保证指令在一个指令周期内被有效执行 除非程序计数器的内容被改变, 如子程序的调用或跳转, 在这种情况下指令将需要多一个指令周期的时间去执行 I?E = J H+? 5OIJ A +? 2 D = IA +? 6 2 D = IA +? 6 2 D = IA +? 6! 2 D = IA +? 6 " 2 H CH= + K JAH EF A E E C. AJ?D 1 IJ NA?K JA 1 IJ 2+. AJ?D 1 IJ NA?K JA 1 IJ 2+. AJ?D 1 I J 2+ 系统时序和流水线 - NA?K JA 1 IJ 2+ 如果指令牵涉到分支, 例如跳转或调用等指令, 则需要两个指令周期才能完成指令执行 需要一个额外周期的原因是程序先用一个周期取出实际要跳转或调用的地址, 再用另一个周期去实际执行分支动作, 因此用户需要特别考虑额外周期的问题, 尤其是在执行时间要求较严格的时候! " # $, - ); 8 ) 0 + ),- ) ; AJ?D 1 IJ -NA?KJA1 IJ. AJ?D 1 IJ - NA?K JA 1 IJ. AJ?D 1 IJ!. K ID 2 EF A E A. AJ?D 1 IJ $ - NA?K JA 1 IJ $. AJ?D 1 IJ % 指令捕捉 Rev

20 程序计数器 在程序执行期间, 程序计数器用来指向下一个要执行的指令地址 除了 JMP 和 CALL 指令需要跳转到一个非连续的程序存储器地址之外, 它会在每条指令执行完成以后自动加一 只有较低的 8 位, 即所谓的程序计数器低字节寄存器 PCL, 可以被用户直接读写 当执行的指令要求跳转到不连续的地址时, 如跳转指令 子程序调用 中断或复位等, 单片机通过加载所需要的地址到程序寄存器来控制程序, 对于条件跳转指令, 一旦条件符合, 在当前指令执行时取得的下一条指令将会被舍弃, 而由一个空指令周期来取代 程序计数器 程序计数器高字节 PCL 寄存器 PC11~PC8 PCL7~PCL0 程序计数器的低字节, 即程序计数器的低字节寄存器 PCL, 可以通过程序控制, 且它是可以读取和写入的寄存器 通过直接写入数据到这个寄存器, 一个程序短跳转可直接执行, 然而只有低字节的操作是有效的, 跳转被限制在存储器的当前页中, 即 256 个存储器地址范围内, 当这样一个程序跳转要执行时, 会插入一个空指令周期 程序计数器的低字节可由程序直接进行读取,PCL 的使用可能引起程序跳转, 因此需要额外的指令周期 堆栈 堆栈是一个特殊的存储空间, 用来存储程序计数器中的内容 此单片机有 6 层堆栈, 堆栈既不是数据部分也不是程序空间部分, 而且它既不是可读取也不是可写入的 当前层由堆栈指针 (SP) 加以指示, 同样也是不可读写的 在子程序调用或中断响应服务时, 程序计数器的内容被压入到堆栈中 当子程序或中断响应结束时, 返回指令 (RET 或 RETI) 使程序计数器从堆栈中重新得到它以前的值 当一个芯片复位后, 堆栈指针将指向堆栈顶部 2 H CH= + K JAH 5 J=? 2 E JAH 6 F B5J=? 5 J=? ALA 5 J=? ALA 5 J=? ALA! 2 H CH= A HO * JJ B5 J=? 5 J=? ALA $ 如果堆栈已满, 且有非屏蔽的中断发生, 中断请求标志会被置位, 但中断响应将被禁止 当堆栈指针减少 ( 执行 RET 或 RETI), 中断将被响应 这个特性提供程序设计者简单的方法来预防堆栈溢出 然而即使堆栈已满,CALL 指令仍然可以被执行, 而造成堆栈溢出 使用时应避免堆栈溢出的情况发生, 因为这可能导致不可预期的程序分支指令执行错误 若堆栈溢出, 则首个存入堆栈的程序计数器数据将会丢失 Rev

21 算术逻辑单元 ALU 算术逻辑单元是单片机中很重要的部分, 执行指令集中的算术和逻辑运算 ALU 连接到单片机的数据总线, 在接收相关的指令码后执行需要的算术与逻辑操作, 并将结果存储在指定的寄存器, 当 ALU 计算或操作时, 可能导致进位 借位或其它状态的改变, 而相关的状态寄存器会因此更新内容以显示这些改变, ALU 所提供的功能如下 : 算术运算 :ADD,ADDM,ADC,ADCM,SUB,SUBM,SBC,SBCM, DAA 逻辑运算 :AND,OR,XOR,ANDM,ORM,XORM,CPL,CPLA 移位运算 :RRA,RR,RRCA,RRC,RLA,RL,RLCA,RLC 递增和递减 :INCA,INC,DECA,DEC 分支判断 :JMP,SZ,SZA,SNZ,SIZ,SDZ,SIZA,SDZA,CALL, RET,RETI Flash 程序存储器 结构 特殊向量 程序存储器用来存放用户代码即储存程序 程序存储器为 Flash 类型意味着可以多次重复编程, 方便用户使用同一芯片进行程序的修改 使用适当的单片机编程工具, 此单片机提供用户灵活便利的调试方法和项目开发规划及更新 程序存储器的容量为 3K 16 位, 程序存储器用程序计数器来寻址, 其中也包含数据 表格和中断入口 数据表格可以设定在程序存储器的任何地址, 由表格指针来寻址 程序存储器内部某些地址保留用做诸如复位和中断入口等特殊用途 地址 0000H 是芯片复位后的程序起始地址 在芯片复位之后, 程序将跳到这个地址并开始执行 0 " AIAJ 1 JAHHK F J 8 A?J H *..0 $>EJI 程序存储器结构 查表 程序存储器中的任何地址都可以定义成一个表格, 以便储存固定的数据 使用表格时, 表格指针必须先行设定, 其方式是将表格的地址放在表格指针寄存器 TBLP 和 TBHP 中 这些寄存器定义表格总的地址 在设定完表格指针后, 表格数据可以使用 TABRD [m] 或 TABRDL [m] 指令从程序存储器页来查表读取 当这些指令执行时, 程序存储器中表格数据低字节, 将被传送到使用者所指定的数据存储器 [m], 程序存储器中表格数据的高字节, 则被传送到 TBLH 特殊寄存器, 而高字节中未使用的位将被读取为 0 Rev

22 下图是查表中寻址 / 数据流程 : = IJF= C A H 6 *0 24A C IJA E H 6 * 24A CEIJAH 2 H CH= A HO HA II, =J= $>EJI 查表范例 4 AC EIJA H6* 0 7 IA H5A A?JA@ 4 AC EIJA H 0 EC D*OJA M*OJA 以下范例说明在该单片机中, 表格指针和表格数据如何被定义和执行 这个例子使用的表格数据用 ORG 伪指令储存在存储器的最后一页 ORG 指令 0B00H 指向的地址是 3K 程序存储器中最后一页的起始地址 表格指针的初始值设为 06H, 这可保证从数据表格读取的第一笔数据位于程序存储器地址 0B06H, 即最后一页起始地址后的第六个地址 值得注意的是, 假如 TABRD [m] 指令被使用, 则表格指针指向 TBLP 和 TBHP 定义的第一个地址 在这个例子中, 表格数据的高字节等于零, 而当 TABRD [m] 指令被执行时, 此值将会自动的被传送到 TBLH 寄存器 TBLH 寄存器为只读寄存器, 不能重新储存, 若主程序和中断服务程序都使用表格读取指令, 应该注意它的保护 使用表格读取指令, 中断服务程序可能会改变 TBLH 的值, 若随后在主程序中再次使用这个值, 则会发生错误, 因此建议避免同时使用表格读取指令 然而在某些情况下, 如果同时使用表格读取指令是不可避免的, 则在执行任何主程序的表格读取指令前, 中断应该先除能, 另外要注意的是所有与表格相关的指令, 都需要两个指令周期去完成操作 表格读取程序范例 tempreg1 db? ; temporary register #1 tempreg2 db? ; temporary register #2 : : mov a, 06h mov tblp, a mov a, 0Bh mov tbhp, a : : tabrd tempreg1 dec tblp tabrd tempreg2 ; initialize table pointer note that this address ; is referenced ; initialise high table pointer ; transfers value in table referenced by table pointer, ; data at program memory address 0B06H transferred to ; tempreg1 and TBLH ; reduce value of table pointer by one ; transfers value in table referenced by table pointer, ; data at program memory address 0B05H transferred to ; tempreg2 and TBLH; ; in this example the data 1AH is transferred to ; tempreg1 and data 0FH to register tempreg2 : : org 0B00h ; sets initial address of program memory dc 00Ah, 00Bh, 00Ch, 00Dh, 00Eh, 00Fh, 01Ah, 01Bh : : Rev

23 在线烧录 Flash 型程序存储器提供用户便利地对同一芯片进行程序的更新和修改 另外, Holtek 单片机提供 4 线接口的在线烧录方式 用户可将进行过烧录或未经过烧录的单片机芯片连同电路板一起制成, 最后阶段进行程序的更新和程序的烧录, 在无需去除或重新插入芯片的情况下方便地保持程序为最新版 Holtek Flash MCU 与烧录器引脚对应表如下 : Holtek 烧录器引脚名称 MCU 在线烧录引脚名称 功能 ICPDA PA0 串行数据 / 地址 - 读 / 写 ICPCK PA2 串行时钟输入 VDD VDD 电源 (5V) GND VSS 地 芯片内部程序存储器和 EEPROM 存储器都可以通过 4 线的接口在线进行烧录 其中一条用于数据串行下载或上传, 一条用于串行时钟输入输出, 两条用于提供电源 芯片在线烧写的详细使用说明超出此文档的描述范围, 将由专门的参考文献提供 在烧录过程中,PA0 和 PA2 引脚用于数据和时钟烧录, 用户必须确保这两个引脚没有连接到其它输出脚 9 HEJA H+?J A H 5 EC = I 9 HEJA H 8,, +7 2 H CH= E C 2 E I 8,, 1+2,) 2 ) ) 9 HEJA H JDA H+EH?KEJ 注 : * 表示电阻或电容, 且电阻值必须大于 1kΩ, 电容值必须小于 1nF Rev

24 片上调试 BS84BV06A-3 EV 芯片用于对单片机 BS84B06A-3 仿真 此 EV 芯片提供片上调试功能 (OCDS On-chip Debug Support) 用于开发过程中对单片机的调试 除了片上调试功能方面,EV IC 和实际 MCU 在功能上几乎是兼容的 用户可将 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚连接至 Holtek HT-IDE 开发工具, 从而实现 EV 芯片对单片机的仿真 OCDSDA 引脚为 OCDS 数据 / 地址输入 / 输出脚, OCDSCK 引脚为 OCDS 时钟输入脚 当用户用 EV 芯片进行调试时, 单片机中 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚上的其它共用功能无效 由于这两个 OCDS 引脚与 ICP 引脚共用, 因此在线烧录时仍用作 Flash 存储器烧录引脚 关于 OCDS 功能的详细描述, 请参考 Holtek e-link for 8-bit MCU OCDS User s Guide 手册 Holtek e-link 引脚名称 MCU 引脚名称 功能 OCDSDA OCDSDA 片上调试串行数据 / 地址输入 / 输出 OCDSCK OCDSCK 片上调试时钟输入 VDD VDD 电源 GND VSS 地 数据存储器 结构 数据存储器是内容可更改的 8 位 RAM 内部存储器, 用来储存临时数据 数据存储器分为两个区, 第一部分是特殊功能数据存储器 这些寄存器有固定的地址且与单片机的正确操作密切相关 大多特殊功能寄存器都可在程序控制下直接读取和写入, 但有些被加以保护而不对用户开放 第二部分数据存储器是做一般用途使用, 都可在程序控制下进行读取和写入 该单片机总的数据存储器被分为两个 Bank 大部分特殊功能数据寄存器均可在所有 Bank 被访问, 处于 40H 地址的 EEC 寄存器却只能在 Bank 1 中被访问到 切换不同区域可通过设置区域指针 (BP) 实现 该单片机的数据存储器的起始地址都是 00H 容量 Bank 0 Bank H~FFH 80H~FFH 通用数据存储器结构 Rev

25 0 0 0!0 "0 #0 $0 %0 &0 '0 )0 *0 +0, !0 "0 #0 $0 %0 &0 '0 )0 *0 +0, !0 "0 #0 $0 %0 &0 '0 )0 *0 +0,0-0.0 * = * = * = 1)4! 0 ), + 4 2! 0 ), + 4 1)4! 0 ) * 2!!0! "0 7 K 7 K ) * 2 6 * 0 6 * ) 67 5! #0! $0! %0! &0! '0! )0 2, 2,+ 2,2 7 7 K 7 K 7 K 5,! *0 7 K / K 7 K 7 K 7 K 2 ) 2 ) + 2 ) 27 2 ) 9 7! +0!,0! -0!.0 " 0 " 0 " 0 "!0 " "0 " #0 " $0 " %0 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K K 7 K $, 6 $, , + " &0 6 $, 5 -, + " '0 6 $, 0 9,6 + " ) *+ " * " ", ) " -0 6 $, - -, ".0 6 $, 0 2 * # * + # * 27 # #! # "0 7 K # #0 7 K 5 1, # $0 7 K ) # %0 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K ),4 ), 4 0 # &0 # '0 # )0 # *0 # +0 #,0 # -0 #.0 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K 7 K 特殊功能数据存储器 Rev

26 特殊功能寄存器 大部分特殊功能寄存器的细节将在相关功能章节描述, 但有几个寄存器需在此章节单独描述 间接寻址寄存器 IAR0,IAR1 间接寻址寄存器 IAR0 和 IAR1 的地址虽位于数据存储区, 但其并没有实际的物理地址 间接寻址的方法准许使用间接寻址指针做数据操作, 以取代定义实际存储器地址的直接存储器寻址方法 在间接寻址寄存器 (IAR0 和 IAR1) 上的任何动作, 将对间接寻址指针 (MP0 和 MP1) 所指定的存储器地址产生对应的读 / 写操作 它们总是成对出现,IAR0 和 MP0 可以访问 Bank 0, 而 IAR1 和 MP1 可以访问 Bank 0 和 Bank 1 因为这些间接寻址寄存器不是实际存在的, 直接读取将返回 00H 的结果, 而直接写入此寄存器则不做任何操作 间接寻址指针 MP0,MP1 该单片机提供两个间接寻址指针, 即 MP0 和 MP1 由于这些指针在数据存储器中能像普通的寄存器一般被操作, 因此提供了一个寻址和数据追踪的有效方法 当对间接寻址寄存器进行任何操作时, 单片机指向的实际地址是由间接寻址指针所指定的地址 MP0 和 IAR0 用于访问 Bank 0, 而 MP1 和 IAR1 可通过 BP 寄存器访问所有的 Bank 直接寻址仅用于 Bank 0, Bank 1 仅可使用 MP1 和 IAR1 进行间接寻址 以下例子说明如何清除一个具有 4 RAM 地址的区块, 它们已事先定义成地址 adres1 到 adres4 间接寻址程序举例 data.section data adres1 db? adres2 db? adres3 db? adres4 db? block db? code.section at 0 code org 00h start: mov a,04h mov block,a mov a,offset adres1 mov mp0,a loop: clr IAR0 inc mp0 sdz block jmp loop continue: ; setup size of block ; Accumulator loaded with first RAM address ; setup memory pointer with first RAM address ; clear the data at address defined by mp0 ; increment memory pointer ; check if last memory location has been cleared 在上面的例子中有一点值得注意, 即并没有确定 RAM 地址 Rev

27 存储区指针 BP 数据存储器被分为两个 Bank, 可以通过设置存储区指针 (Bank Pointer) 值来访问不同的数据存储区 第 0 位用于选择数据存储区 0~1 复位后, 数据存储器会初始化到 Bank 0, 但是在空闲 / 休眠模式下的 WDT 溢出复位, 不会改变通用数据存储器的存储区号 应该注意的是, 除 Bank 1 中的 EEC 寄存器, 其它特殊功能数据存储器不受存储区的影响, 也就是说, 不论是在哪一个存储区, 都能对特殊功能寄存器进行读写操作 而 EEC 寄存器只能通过间接寻址数据存储器进行访问 数据存储器的直接寻址总是访问 Bank 0, 不影响存储区指针的值 要访问 Bank 1, 则必须要使用间接寻址方式 BP 寄存器 Bit Name DMBP0 R/W R/W POR 0 Bit 7~1 未使用, 读为 0 Bit 0 累加器 ACC DMBP0: 数据存储区选择位 0:Bank 0 1:Bank 1 对任何单片机来说, 累加器是相当重要的, 且与 ALU 所完成的运算有密切关系, 所有 ALU 得到的运算结果都会暂时存在 ACC 累加器里 若没有累加器, ALU 必须在每次进行如加法 减法和移位的运算时, 将结果写入到数据存储器, 这样会造成程序编写和时间的负担 另外数据传送也常常牵涉到累加器的临时储存功能, 例如在使用者定义的一个寄存器和另一个寄存器之间传送数据时, 由于两寄存器之间不能直接传送数据, 因此必须通过累加器来传送数据 程序计数器低字节寄存器 PCL 为了提供额外的程序控制功能, 程序计数器低字节设置在数据存储器的特殊功能区域内, 程序员可对此寄存器进行操作, 很容易的直接跳转到其它程序地址 直接给 PCL 寄存器赋值将导致程序直接跳转到程序存储器的某一地址, 然而由于寄存器只有 8 位长度, 因此只允许在本页的程序存储器范围内进行跳转, 而当使用这种运算时, 要注意会插入一个空指令周期 表格寄存器 TBLP,TBHP,TBLH 这三个特殊功能寄存器对存储在程序存储器中的表格进行操作 TBLP 和 TBHP 为表格指针, 指向表格数据存储的地址 它们的值必须在任何表格读取指令执行前加以设定, 由于它们的值可以被如 INC 或 DEC 的指令所改变, 这就提供了一种简单的方法对表格数据进行读取 表格读取数据指令执行之后, 表格数据高字节存储在 TBLH 中 其中要注意的是, 表格数据低字节会被传送到使用者指定的地址 Rev

28 状态寄存器 STATUS 这 8 位的状态寄存器由零标志位 (Z) 进位标志位 (C) 辅助进位标志位 (AC) 溢出标志位 (OV) 暂停标志位 (PDF) 和看门狗定时器溢出标志位 (TO) 组成 这些算术 / 逻辑操作和系统运行标志位是用来记录单片机的运行状态 除了 PDF 和 TO 标志外, 状态寄存器中的位像其它大部分寄存器一样可以被改变 任何数据写入到状态寄存器将不会改变 TO 或 PDF 标志位 另外, 执行不同的指令后, 与状态寄存器有关的运算可能会得到不同的结果 TO 标志位只会受系统上电 看门狗溢出或执行 CLR WDT 或 HALT 指令影响 PDF 标志位只会受执行 HALT 或 CLR WDT 指令或系统上电影响 Z OV AC 和 C 标志位通常反映最近运算的状态 C: 当加法运算的结果产生进位, 或减法运算的结果没有产生借位时, 则 C 被置位, 否则 C 被清零, 同时 C 也会被带进位的移位指令所影响 AC: 当低半字节加法运算的结果产生进位, 或低半字节减法运算的结果没有产生借位时,AC 被置位, 否则 AC 被清零 Z: 当算术或逻辑运算结果是零时,Z 被置位, 否则 Z 被清零 OV: 当运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 时,OV 被置位, 否则 OV 被清零 PDF: 系统上电或执行 CLR WDT 指令会清零 PDF, 而执行 HALT 指令则会置位 PDF TO: 系统上电或执行 CLR WDT 或 HALT 指令会清零 TO, 而当 WDT 溢出则会置位 TO 另外, 当进入一个中断程序或执行子程序调用时, 状态寄存器不会自动压入到堆栈保存 假如状态寄存器的内容是重要的且子程序可能改变状态寄存器的话, 则需谨慎的去做正确的储存 Rev

29 STATUS 寄存器 Bit Name TO PDF OV Z AC C R/W R R R/W R/W R/W R/W POR 0 0 x x x x Bit 7~6 未使用, 读为 0 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TO: 看门狗溢出标志位 0: 系统上电或执行 CLR WDT 或 HALT 指令后 1: 看门狗溢出发生 PDF: 暂停标志位 0: 系统上电或执行 CLR WDT 指令后 1: 执行 HALT 指令 OV: 溢出标志位 0: 无溢出 1: 运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 Z: 零标志位 0: 算术或逻辑运算结果不为 0 1: 算术或逻辑运算结果为 0 x 为未知 AC: 辅助进位标志位 0: 无辅助进位 1: 在加法运算中低四位产生了向高四位进位, 或减法运算中低四位不发生从高四位借位 C: 进位标志位 0: 无进位 1: 如果在加法运算中结果产生了进位, 或在减法运算中结果不发生借位 C 也受循环移位指令的影响 Rev

30 EEPROM 数据寄存器 此单片机的一个特性是内建 EEPROM 数据存储器 Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 为电可擦可编程只读存储器, 由于其非易失的存储结构, 即使在电源掉电的情况下存储器内的数据仍然保存完好 这种存储区扩展了 ROM 空间, 对设计者来说增加了许多新的应用机会 EEPROM 可以用来存储产品编号 校准值 用户特定数据 系统配置参数或其它产品信息等 EEPROM 的数据读取和写入过程也会变的更简单 EEPROM 数据寄存器结构 EEPROM 数据寄存器容量为 64 8 由于映射方式与程序存储器和数据存储器不同, 因此不能像其它类型的存储器一样寻址 使用 Bank 0 中的一个地址寄存器和一个数据寄存器以及 Bank 1 中的一个控制寄存器, 可以实现对 EEPROM 的单字节读写操作 EEPROM 寄存器 有三个寄存器控制内部 EEPROM 数据存储器总的操作 地址寄存器 EEA 数据寄存器 EED 及控制寄存器 EEC EEA 和 EED 位于 Bank 0 中, 它们能像其它特殊功能寄存器一样直接被访问 EEC 位于 Bank 1 中, 不能被直接访问, 仅能通过 MP1 和 IAR1 进行间接读取或写入 由于 EEC 控制寄存器位于 Bank 1 中的 40H, 在 EEC 寄存器上的任何操作被执行前,MP1 必须先设为 40H, BP 被设为 01H EEPROM 寄存器列表 Bit Name EEA D5 D4 D3 D2 D1 D0 EEA 寄存器 EED D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 EEC WREN WR RDEN RD Bit Name D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~6 未定义, 读为 0 Bit 5~0 EED 寄存器 数据 EEPROM 地址数据 EEPROM 地址 Bit 5~Bit 0 Bit Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~0 EEPROM 数据 EEPROM 数据 Bit 7~Bit 0 Rev

31 EEC 寄存器 Bit Name WREN WR RDEN RD R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~4 未定义, 读为 0 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 从 EEPROM 中读取数据 WREN: 数据 EEPROM 写使能位 0: 除能 1: 使能此位为数据 EEPROM 写使能位, 向数据 EEPROM 写操作之前需将此位置高 将此位清零时, 则禁止向数据 EEPROM 写操作 WR:EEPROM 写控制位 0: 写周期结束 1: 写周期有效此位为数据 EEPROM 写控制位, 由应用程序将此位置高将激活写周期 写周期结束后, 硬件自动将此位清零 当 WREN 未先置高时, 此位置高无效 RDEN: 数据 EEPROM 读使能位 0: 除能 1: 使能此位为数据 EEPROM 读使能位, 向数据 EEPROM 读操作之前需将此位置高 将此位清零时, 则禁止向数据 EEPROM 读操作 RD:EEPROM 读控制位 0: 读周期结束 1: 读周期有效此位为数据 EEPROM 读控制位, 由应用程序将此位置高将激活读周期 读周期结束后, 硬件自动将此位清零 当 RDEN 未首先置高时, 此位置高无效 注 : 在同一条指令中 WREN WR RDEN 和 RD 不能同时置为 1 WR 和 RD 不能同时置为 1 从 EEPROM 中读取数据,EEC 寄存器中的读使能位 RDEN 先置为高以使能读功能,EEPROM 中将要被读取数据的地址放入 EEA 寄存器中 若 EEC 寄存器中的 RD 位被置高, 一个读周期将开始 若 RD 位已置为高而 RDEN 位还未被设置则不能开始读操作 若读周期结束,RD 位将自动清除为 0, 数据可以从 EED 寄存器中读取 数据在其它读或写操作执行前将一直保留在 EED 寄存器中 应用程序将轮询 RD 位以确定数据可以有效地被读取 Rev

32 写数据到 EEPROM 写保护 写数据至 EEPROM,EEPROM 中写入数据的地址要先放入 EEA 寄存器中, 写入的数据要存入 EED 寄存器中 写数据至 EEPROM,EEC 寄存器中的写使能位 WREN 先置为高以使能写功能 之后将 WR 位置为高, 初始化一个写周期 这两个指令必须连续执行 在执行任何写操作之前, 总中断位 EMI 要先清零, 写周期开始后, 再将 EMI 置为高 需要注意的是若 WR 位已置为高而 WREN 位还未被设置则不能开始写操作 由于控制 EEPROM 写周期的是一个内部时钟, 其与单片机的系统时钟异步, 所以数据写入 EEPROM 的时间将有所延迟 可通过轮询 EEC 寄存器中的 WR 位或判断 EEPROM 中断以侦测写周期是否完成 若写周期完成,WR 位将自动清除为 0, 通知用户数据已写入 EEPROM 因此, 应用程序将轮询 WR 位以确定写周期是否结束 防止误写入的写保护有以下几种 单片机上电后控制寄存器中的写使能位将被清除以杜绝任何写入操作 上电后 BP 将重置为 0, 这意味着数据存储区 Bank 0 被选中 由于 EEPROM 控制寄存器位于 Bank 1 中, 这增加了对写操作的保护措施 在正常程序操作中确保控制寄存器中的写使能位被清除将能防止不正确的写操作 EEPROM 中断 EEPROM 写周期结束后将产生 EEPROM 写中断, 当 EEPROM 写周期结束, DEF 请求标志位将被置位 若总中断和 EEPROM 中断使能且堆栈未满的情况下将跳转到相应的 EEPROM 中断向量中执行 当中断被响应,EEPROM 中断标志位 DEF 将自动复位 更多细节将在中断章节讲述 编程注意事项 必须注意的是数据不会无意写入 EEPROM 在没有写动作时写使能位被正常清零可以增强保护功能 BP 指针也可以正常清零以阻止进入 EEPROM 控制寄存器存在的 Bank 1 尽管没有必要, 写一个简单的读回程序以检查新写入的数据是否正确还是应该考虑的 写数据时,WREN 位置为 1 后,WR 须立即设置为高, 以确保正确地执行写周期 写周期执行前总中断位 EMI 应先清零, 写周期开始执行后再将此位重新使能 注意,EEPROM 读或写周期彻底完成之前单片机不能进入空闲或休眠模式, 否则将导致 EEPROM 读或写操作失败 Rev

33 程序举例 从 EEPROM 中读取数据 轮询法 MOV A, EEPROM_ADRES ; user defined address MOV EEA, A MOV A, 040H ; setup memory pointer MP1 MOV MP1, A ; MP1 points to EEC register MOV A, 01H ; setup Bank Pointer MOV BP, A SET IAR1.1 ; set RDEN bit, enable read operations SET IAR1.0 ; start Read Cycle - set RD bit BACK: SZ IAR1.0 ; check for read cycle end JMP BACK CLR IAR1 ; disable EEPROM read/write CLR BP MOV A, EED ; move read data to register MOV READ_DATA, A 写数据到 EEPROM 轮询法 MOV A, EEPROM_ADRES ; user defined address MOV EEA, A MOV A, EEPROM_DATA ; user defined data MOV EED, A MOV A, 040H ; setup memory pointer MP1 MOV MP1, A ; MP1 points to EEC register MOV A, 01H ; setup Bank Pointer MOV BP, A CLR EMI SET IAR1.3 ; set WREN bit, enable write operations SET IAR1.2 ; start Write Cycle - set WR bit SET EMI BACK: SZ IAR1.2 ; check for write cycle end JMP BACK CLR IAR1 ; disable EEPROM read/write CLR BP Rev

34 振荡器 不同的振荡器选择可以让使用者在不同的应用需求中实现更大范围的功能 振荡器的灵活性使得在速度和功耗方面可以达到最优化 振荡器选择是通过寄存器完成的 振荡器概述 该单片机有两个内部振荡器, 一个低速振荡器和一个高速振荡器 它们除了可以作为系统时钟源, 还可以作为看门狗定时器和时基功能的时钟源 集成的两个内部振荡器不需要任何外接元件 较高频率的振荡器提供更高的性能, 但要求有更高的功率, 反之亦然 动态切换快慢系统时钟的能力使单片机具有灵活而优化的性能 / 功耗比, 此特性对功耗敏感的应用领域尤为重要 系统时钟配置 振荡类型 名称 频率范围 内部高速 RC HIRC 8/12/16MHz 内部低速 RC LIRC 32kHz 振荡器类型 该单片机有两个方式产生系统时钟, 一个高速内部时钟源和一个低速内部时钟源 高速振荡器为内部 8MHz 12MHz 或 16MHz RC 振荡器, 低速振荡器为内部 32 khz RC 振荡器 这两个振荡器都是内部全集成的振荡器, 无需外接元件 选择高速或低速振荡器作为系统振荡器, 是通过 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位及 CKS2~CKS0 位进行选择 0 EC D5F A A I?E J H B0 $ IJ= C A2HA I?= AH B0 B0 " B0 & B0 $ B5 ; 5 M 5 FA A@ I?E = JE B0! B0 $" 14 + B5 7* > EJI 系统时钟配置 内部高速 RC 振荡器 HIRC 内部高速 RC 振荡器是一个完全集成的系统振荡器, 不需其它外部元件 内部 RC 振荡器上电默认频率为 8MHz, 但可通过 CTRL 寄存器的 HIRCS1 和 HIRCS0 位选择为 8 MHz 12 MHz 或 16 MHz 芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路, 使得振荡频率因 V DD 温度以及芯片制成工艺不同的影响减至最低程度 Rev

35 内部低速 32kHz 振荡器 LIRC 内部 32kHz 系统振荡器是低频振荡器 它是一个完全集成的 RC 振荡器, 在 5V 电压下运行的典型频率值为 32kHz 且无需外部元件 芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路, 使得振荡器因电源电压 温度及芯片制成工艺不同的影响减至最低 上电后,LIRC 振荡器将被永久使能, 此振荡器不能通过寄存器除能 工作模式和系统时钟 系统时钟 现今的应用要求单片机具有较高的性能及尽可能低的功耗, 这种矛盾的要求在便携式电池供电的应用领域尤为明显 高性能所需要的高速时钟将增加功耗, 反之亦然 此单片机提供高 低速两种时钟源, 它们之间可以动态切换, 用户可通过优化单片机操作来获得最佳性能 / 功耗比 主系统时钟可来自高频时钟源 f H 或低频时钟源 f SUB, 通过 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位及 CKS2~CKS0 位进行选择 高频时钟和低频时钟都来自内部 RC 振荡器 0 EC D5F A A I?E J H B0 $ IJ= C A2HA I?= AH B0 B0 " B0 & B0 $ B5 ; 5 B0! M 5 FA I?E = JE B0 $" 14 + B5 7* M 5 FA I?E = JE 2 AH = A J O- = > A > EJI B5 ; 5 B6 2 6 E A*= IA E A C H 系统时钟选项注 : 当系统时钟源 f SYS 由 f H 到 f SUB 转换时, 高速振荡器将停止以节省耗电 因此, 没有为外围电路提供 f H ~f H /64 Rev

36 控制寄存器 寄存器 SMOD 用于控制单片机内部时钟 SMOD 寄存器 Bit Name CKS2 CKS1 CKS0 LTO HTO IDLEN HLCLK R/W R/W R/W R/W R R R/W R/W POR Bit 7~5 CKS2~CKS0: 当 HLCLK 为 0 时系统时钟选择位 000:f SUB (f LIRC ) 001:f SUB (f LIRC ) 010:f H /64 011:f H /32 100:f H /16 101:f H /8 110:f H /4 111:f H /2 这三位用于选择系统时钟源 除了 LIRC 振荡器提供的系统时钟源外, 也可使用高频振荡器的分频作为系统时钟 Bit 4 未定义, 读为 0 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 LTO:LIRC 振荡器就绪标志位 0: 未就绪 1: 就绪此位为低速系统振荡器就绪标志位, 用于表明低速系统振荡器在系统上电复位何时稳定下来 系统唤醒后该位转换为高需要 1~2 个时钟周期 HTO:HIRC 振荡器就绪标志位 0: 未就绪 1: 就绪此位为高速系统振荡器就绪标志位, 用于表明高速系统振荡器何时稳定下来 此标志在系统上电后经硬件清零, 高速系统振荡器稳定后变为高电平 因此, 此位在单片机上电后由应用程序读取的总为 1 该标志位在休眠模式或空闲模式 0 处于低电平状态, 被唤醒后转为高电平状态需 15~16 个时钟周期 IDLEN: 空闲模式控制位 0: 除能 1: 使能此位为空闲模式控制位, 用于决定 HALT 指令执行后发生的动作 若此位为高, 当指令 HALT 执行后, 单片机进入空闲模式 若 FSYSON 位为高, 在空闲模式 1 中 CPU 停止运行, 系统时钟将继续工作以保持外围功能继续工作 ; 若 FSYSON 为低, 在空闲模式 0 中 CPU 和系统时钟都将停止运行 若此位为低, 单片机将在 HALT 指令执行后进入休眠模式 HLCLK: 系统时钟选择位 0:f H /2~ f H /64 或 f SUB 1:f H 此位用于选择 f H 或 f H /2~ f H /64 还是 f SUB 作为系统时钟 该位为高时选择 f H 作为系统时钟, 为低时则选择 f H /2~ f H /64 或 f SUB 作为系统时钟 当系统时钟由 f H 时钟向 f SUB 时钟转换时,f H 将自动关闭以降低功耗 Rev

37 CTRL 寄存器 Bit Name FSYSON HIRCS1 HIRC0 LVRF D1 WRF Bit 7 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR x 0 0 FSYSON: 空闲模式下的 f SYS 控制 0: 除能 1: 使能 Bit 6 未定义, 读为 0 Bit 5~4 HIRCS1~HIRCS0: 高速振荡器频率选择位 00:8MHz 01:16MHz 10:12MHz 11:8MHz Bit 3 未使用, 读为 0 Bit 2 Bit 1 Bit 0 系统工作模式 LVRF: 低电压复位标志位 0: 未发生 1: 发生当发生低电压复位时该位为 1, 该位只可通过应用程序清零 保留位, 不能被改写 x 为未知 WRF:WDT 控制寄存器软件复位标志位 0: 未发生 1: 发生当发生 WDT 控制寄存器软件复位时该位为 1, 该位只可通过应用程序清零 该单片机有 5 种不同的工作模式, 每种有它自身的特性, 根据应用中不同的性能和功耗要求可选择不同的工作模式 单片机正常工作有两种模式 : 正常模式和低速模式 剩余的 3 种工作模式 : 休眠模式 空闲模式 0 和空闲模式 1 用于单片机 CPU 关闭时以节省耗电 正常模式 说明工作模式 CPU f SYS f SUB 正常模式 On f H ~f H /64 On 低速模式 On f SUB On 空闲模式 0 Off Off On 空闲模式 1 Off On On 休眠模式 Off Off On 顾名思义, 这是主要的工作模式之一, 单片机的所有功能均可在此模式中实现且系统时钟由一个高速振荡器提供 该模式下单片机正常工作的时钟源来自 HIRC 振荡器 高速振荡器频率可被分为 1~64 的不等比率, 实际的比率由 SMOD 寄存器中的 CKS2~CKS0 位及 HLCLK 位选择的 单片机使用高速振荡器分频作为系统时钟可减少工作电流 Rev

38 低速模式 此模式的系统时钟虽为较低速时钟源, 但单片机仍能正常工作 该时钟源为 f SUB 单片机在此模式中运行所耗工作电流较低 在低速模式下,f H 关闭 休眠模式 在 HALT 指令执行后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为低时, 系统进入休眠模式 在休眠模式中,CPU 停止运行 然而 f SUB 时钟继续运行, 看门狗定时器继续工作 空闲模式 0 执行 HALT 指令后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为高,CTRL 寄存器中 FSYSON 位为低时, 系统进入空闲模式 0 在空闲模式 0 中, 系统振荡器停止, CPU 停止工作 但一些外围功能如看门狗定时器和定时 / 计数器将继续工作 空闲模式 1 执行 HALT 指令后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为高,CTRL 寄存器中 FSYSON 位为高时, 系统进入空闲模式 1 在空闲模式 1 中,CPU 停止, 但会提供一个时钟源给一些外围功能 在空闲模式 1 中, 系统振荡器继续运行, 该系统振荡器可以为高速或低速系统振荡器 在该模式中, 看门狗时钟开启 4 ) B5 ; 5 B0 B0 $" B HK B5 ; 5 B5 7* 9, ) 6E IJHK?JE EIAN A? KJA@ B5 ; 5 BB + 27 I J F 1, - B5 7* 9,6 5 9 B5 ; 5 B B + 27 HK B5 ; 5 B5 7* B0 BB 9,6 1, - 0 ) 6E IJHK?JE EIAN A? KJA@ + 27 I J F 1, -. 5; 5 B5 ; 5 B5 7* 9,6 1, - 0 ) 6E IJHK?JE EIAN A? KJA@ + 27 I J F 1, -. 5; 5 B5 ; 5 BB B5 7* 9,6 Rev

39 工作模式切换 单片机可在各个工作模式间自由切换, 使得用户可根据所需选择最佳的性能 / 功耗比 用此方式, 对单片机工作的性能要求不高的情况下, 可使用较低频时钟以减少工作电流, 在便携式应用上延长电池的使用寿命 简单来说, 正常模式和低速模式间的切换仅需设置 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位及 CKS2~CKS0 位即可实现, 而正常模式 / 低速模式与休眠模式 / 空闲模式间的切换经由 HALT 指令实现 当 HALT 指令执行后, 单片机是否进入空闲模式或休眠模式由 SMOD 寄存器中的 IDLEN 位和 CTRL 寄存器中的 FSYSON 位决定的 当 HLCLK 位变为低电平时, 时钟源将由高速时钟源 f H 转换成时钟源 f H /2~f H /64 或 f SUB 若时钟源来自 f SUB, 高速时钟源将停止运行以节省耗电 此时须注意, f H /16 和 f H /64 时钟源也将停止运行 所附流程图显示了单片机在不同工作模式间切换时的变化 正常模式切换到低速模式 系统运行在正常模式时使用高速系统振荡器, 因此较为耗电 可通过设置 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位为 0 及 CKS2~CKS0 位为 000 或 001 使系统时钟切换至运行在低速模式下 此时将使用低速系统振荡器以节省耗电 用户可在对性能要求不高的操作中使用此方法以减少耗电 低速模式的时钟源来自 LIRC 振荡器, 因此要求此振荡器在所有模式切换动作发生前稳定下来 该动作由 SMOD 寄存器中 LTO 位检测 N* A 9,6 EI 1, - 0 ) 6E IJH K? JE EIAN A 1, -.5 ; 5 0 ) 6E IJH K?JE 1, A 1, -.5 ; 5 0 ) 6E IJH K? JE EIAN 1, A Rev

40 低速模式切换到正常模式 在低速模式系统使用 LIRC 低速振荡器 切换到使用高速系统时钟振荡器的正常模式需设置 HLCLK 位为 1, 也可设置 HLCLK 位为 0 但 CKS2~CKS0 需设为 或 111 高频时钟需要一定的稳定时间, 通过检测 HTO 位的状态可进行判断 * * = I0 + H0 + 4 A 9,6 EI 1, - 0 ) 6E I JHK? JE EIA NA?K 1, A A 1, -.5 ; 5 0 ) 6E IJHK?JE EIA NA?K 1, -.5 ; 5 0 ) 6E I JHK? JE EIA NA?K 1, A 进入休眠模式 进入休眠模式的方法仅有一种 应用程序中执行 HALT 指令前需设置寄存器 SMOD 中 IDLEN 位为 0 在上述条件下执行该指令后, 将发生的情况如下 : 系统时钟和时基时钟停止运行, 应用程序停止在 HALT 指令处, 但 f SUB 时钟将继续运行 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值 WDT 将被清零并重新开始计数 输入 / 输出口将保持当前值 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起, 看门狗溢出标志 TO 将被清除 进入空闲模式 0 进入空闲模式 0 的方法仅有一种 应用程序中执行 HALT 指令前需设置寄存器 SMOD 中 IDLEN 位为 1 且 CTRL 寄存器中的 FSYSON 位为 0 在上述条件下执行该指令后, 将发生的情况如下 : 系统时钟停止运行, 应用程序停止在 HALT 指令处, 时基时钟和 f SUB 时钟将继续运行 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值 WDT 将被清零并重新开始计数 输入 / 输出口将保持当前值 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起, 看门狗溢出标志 TO 将被清除 Rev

41 进入空闲模式 1 进入空闲模式 1 的方法仅有一种 应用程序中执行 HALT 指令前需设置寄存器 SMOD 中 IDLEN 位为 1 且 CTRL 寄存器中的 FSYSON 位为 1 在上述条件下执行该指令后, 将发生的情况如下 : 系统时钟和 f SUB 开启, 应用程序停止在 HALT 指令处 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值 WDT 将被清零并重新开始计数 输入 / 输出口将保持当前值 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起, 看门狗溢出标志 TO 将被清除 待机电流的注意事项 由于单片机进入休眠或空闲模式的主要原因是将单片机的电流降低到尽可能低, 可能到只有几个微安的级别 ( 空闲模式 1 除外 ), 所以如果要将电路的电流降到最低, 电路设计者还应有其它的考虑 应该特别注意的是单片机的输入 / 输出引脚 所有高阻抗输入脚都必须连接到固定的高或低电平, 因为引脚浮空会造成内部振荡并导致耗电增加 这也应用于有不同封装的单片机, 因为它们可能含有未引出的引脚, 这些引脚也必须设为输出或带有上拉电阻的输入 另外还需注意单片机设为输出的 I/O 引脚上的负载 应将它们设置在有最小拉电流的状态或将它们和其它的 CMOS 输入一样接到没有拉电流的外部电路上 在空闲模式 1 中, 系统时钟开启 若系统时钟来自高速系统振荡器, 额外的静态电流也可能会有几百微安 唤醒 系统进入休眠或空闲模式之后, 可以通过以下几种方式唤醒 : PA 口下降沿 系统中断 WDT 溢出 若由 WDT 溢出唤醒, 则会发生看门狗定时器复位 系统上电或执行清除看门狗的指令, 会清零 PDF; 执行 HALT 指令,PDF 将被置位 看门狗计数器溢出将会置位 TO 标志并唤醒系统, 这种复位只会重置程序计数器和堆栈指针, 其它标志保持原有状态 PA 口中的每个引脚都可以通过 PAWU 寄存器使能下降沿唤醒功能 PA 端口唤醒后, 程序将在 HALT 指令后继续执行 如果系统是通过中断唤醒, 则有两种可能发生 第一种情况是 : 相关中断除能或是中断使能且堆栈已满, 则程序会在 HALT 指令之后继续执行 这种情况下, 唤醒系统的中断会等到相关中断使能或有堆栈层可以使用之后才执行 第二种情况是 : 相关中断使能且堆栈未满, 则中断可以马上执行 如果在进入休眠或空闲模式之前中断标志位已经被设置为 1, 则相关中断的唤醒功能将无效 唤醒时间唤醒时间唤醒时间系统振荡器 ( 休眠模式 ) ( 空闲模式 0) ( 空闲模式 1) HIRC 15~16 个 HIRC 周期 1~2 个 HIRC 周期 LIRC 1~2 个 LIRC 周期 1~2 个 LIRC 周期 唤醒时间 Rev

42 看门狗定时器 看门狗定时器的功能在于防止如电磁的干扰等外部不可控制事件, 所造成的程序不正常动作或跳转到未知的地址 看门狗定时器时钟源 WDT 定时器时钟源来自于内部时钟 f SUB, 而该时钟由 LIRC 振荡器提供 看门狗定时器的时钟源可分频为 2 8 ~2 18 以提供更大的溢出周期, 分频比由 WDTC 寄存器中的 WS2~WS0 位来决定 电压为 5V 时内部振荡器 LIRC 的频率大约为 32kHz 需要注意的是, 这个特殊的内部时钟周期随 V DD 温度和制成的不同而变化 WDT 一直使能 看门狗定时器控制寄存器 WDTC 寄存器用于控制 WDT 的使能和溢出周期选择 除了 WDT 在省电模式下的溢出复位外的其它复位发生后 WDTC 寄存器的值为 B WDTC 寄存器 Bit Name WE4 WE3 WE2 WE1 WE0 WS2 WS1 WS0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~3 Bit 2~0 WE4~WE0:WDT 软件控制位 或 10101: 使能其它值 :MCU 复位 ( 需要 1~2 个 LIRC 周期响应复位 ) 若发生 WDT 软件复位,CTRL 寄存器中的 WRF 位将置高 WS2~WS0: 选择看门狗溢出周期 000:2 8 /f SUB 001:2 10 /f SUB 010:2 12 /f SUB 011:2 14 /f SUB ( 默认 ) 100:2 15 /f SUB 101:2 16 /f SUB 110:2 17 /f SUB 111:2 18 /f SUB 这三位控制看门狗时钟的分频比, 进而控制看门狗的溢出周期 CTRL 寄存器 Bit Name FSYSON HIRCS1 HIRC0 LVRF D1 WRF Bit 7 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR x 0 0 FSYSON: 空闲模式下的 f SYS 控制详见别处描述 Bit 6 未定义, 读为 0 Bit 5~4 HIRCS1~HIRCS0: 高速振荡器频率选择位详见别处描述 Bit 3 未使用, 读为 0 x 为未知 Rev

43 Bit 2 Bit1 Bit 0 LVRF: 低电压复位标志位详见别处描述 保留位, 不能被改写 WRF:WDT 控制寄存器软件复位标志位 0: 未发生 1: 发生当发生 WDT 控制寄存器软件复位时该位为 1, 该位只可通过应用程序清零 看门狗定时器操作 该单片机的看门狗定时器时钟源来自 f SUB 振荡器, 因此总是开启的 当 WDT 溢出时, 它产生一个芯片复位的动作 这也就意味着正常工作期间, 用户需在应用程序中看门狗定时器溢出前将看门狗定时器清零以防止其产生复位, 可使用清看门狗指令实现 在程序运行过程由于某些无法预知的原因会使程序跳转到一个未知的地址或进入一个死循环, 此时清除看门狗指令无法被正确执行, 在这种情况下, 看门狗定时器会计数溢出以使单片机复位 WDTC 寄存器中的 WE4~WE0 位可提供使能以及看门狗定时器复位操作 如果 WE4~WE0 位为 10101B 和 01010B,WDT 功能使能 如果 WE4~WE0 设置为 10101B 和 01010B 以外的其它任意值, 则经过 2~3 个 LIRC 时钟周期后单片机复位 程序正常运行时,WDT 溢出将导致芯片复位, 并置位状态标志位 TO 若系统处于休眠或空闲模式, 当 WDT 发生溢出时, 状态寄存器中的 TO 标志位会被置位, 且只有程序计数器 PC 和堆栈指针 SP 会被复位 有三种方法可以用来清除 WDT 的内容 第一种是 WDT 软件复位, 即将 WE4~WE0 位设置成除了 10101B 和 01010B 以外的其它任意值 ; 第二种是通过软件清除指令, 而第三种是通过 HALT 指令 该单片机只使用一条看门狗清除指令 CLR WDT 因此只要执行 CLR WDT 便能清除 WDT 当设置分频比为 2 18 时, 溢出周期最大 例如, 时钟源为 32kHz LIRC 振荡器, 分频比为 2 18 时最大溢出周期约 8s, 分频比为 2 8 时最小溢出周期约 7.8ms WDTC Register WE4~WE0 bits Reset MCU HALT Instruction CLR WDT Instruction CLR LIRC f SUB f S /2 8 8-stage Divider WDT Prescaler WS2~WS0 (f SUB /2 8 ~ f SUB /2 18 ) 看门狗定时器 8-to-1 MUX WDT Time-out (2 8 /f SUB ~ 2 18 /f SUB ) Rev

44 复位和初始化 复位功能 复位功能是任何单片机中基本的部分, 使得单片机可以设定一些与外部参数无关的先置条件 最重要的复位条件是在单片机首次上电以后, 经过短暂的延迟, 内部硬件电路使得单片机处于预期的稳定状态并开始执行第一条程序指令 上电复位以后, 在程序执行之前, 部分重要的内部寄存器将会被设定为预先设定的状态 程序计数器就是其中之一, 它会被清除为零, 使得单片机从最低的程序存储器地址开始执行程序 另一种复位为看门狗溢出单片机复位 不同方式的复位操作会对寄存器产生不同的影响 另一种复位为低电压复位即 LVR 复位, 在电源供应电压低于 LVR 设定值时, 系统会产生 LVR 复位 单片机的几种复位方式将在此处做具体介绍 上电复位 这是最基本且不可避免的复位, 发生在单片机上电后 除了保证程序存储器从开始地址执行, 上电复位也使得其它寄存器被设定在预设条件 所有的输入 / 输出端口控制寄存器在上电复位时会保持高电平, 以确保上电后所有引脚被设定为输入状态 VDD Power-on Reset SST Time-out t RSTD 低电压复位 LVR 上电复位时序图 单片机具有低电压复位电路, 用来监测它的电源电压 电源复位低电压固定为 2.55V 例如在更换电池的情况下, 单片机供应的电压可能会在 0.9V~V LVR 之间, 这时 LVR 将会自动复位单片机且 CTRL 寄存器中的 LVRF 标志位置位 LVR 包含以下的规格 : 有效的 LVR 信号, 即在 0.9V~V LVR 的低电压状态的时间, 必须超过交流电气特性中 t LVR 参数的值 如果低电压存在不超过 t LVR 参数的值, 则 LVR 将会忽略它且不会执行复位功能 注意当单片机进入空闲或休眠模式, LVR 功能将自动关闭 84 J4 56, J JAH = 4A IA J 低电压复位时序图 Rev

45 CTRL 寄存器 Bit Name FSYSON HIRCS1 HIRC0 LVRF D1 WRF Bit 7 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR x 0 0 FSYSON: 空闲模式下的 f SYS 控制详见别处描述 Bit 6 未定义, 读为 0 Bit 5~4 HIRCS1~HIRCS0: 高速振荡器频率选择位详见别处描述 Bit 3 未使用, 读为 0 Bit 2 Bit 1 Bit 0 LVRF: 低电压复位标志位 0: 未发生 1: 发生当发生低电压复位时该位为 1, 该位只可通过应用程序清零 保留位, 不能被改写 正常运行时看门狗溢出复位 WRF:WDT 控制寄存器软件复位标志位详见别处描述 x 为未知 除了看门狗溢出标志位 TO 将被设为 1 之外, 正常运行时看门狗溢出复位和 LVR 复位相同 9,6 6 E A K J 1 JAH = 4A IA J 休眠或空闲时看门狗溢出复位 J4 56, J5 5 6 正常运行时看门狗溢出时序图 休眠或空闲时看门狗溢出复位和其它种类的复位有些不同 除了程序计数器与堆栈指针将被清 0 及 TO 位被设为 1 外, 绝大部分的条件保持不变 图中 t SST 的详细说明请参考交流电气特性 9,6 6 E A K J 1 JAH = 4A IA J J5 5 6 注 :HIRC 为系统时钟源,t SST 为 15 ~ 16 个时钟周期 LIRC 为系统时钟源,t SST 为 1 ~ 2 个时钟周期 休眠或空闲时看门狗溢出复位时序图 Rev

46 复位初始状态 不同的复位形式以不同的途径影响复位标志位 这些标志位, 即 PDF 和 TO 位存放在状态寄存器中, 由休眠或空闲模式功能或看门狗计数器等几种控制器操作控制 复位标志位如下所示 : TO PDF 复位条件 0 0 上电复位 u u 正常模式或低速模式时的 LVR 复位 1 u 正常模式或低速模式时的 WDT 溢出复位 1 1 空闲或休眠模式时的 WDT 溢出复位 注 : u 代表不改变 在单片机上电复位之后, 各功能单元初始化的情形, 列于下表 项目程序计数器 中断 看门狗定时器 定时模块 输入 / 输出口 堆栈指针 清除为零 所有中断被除能 WDT 清除并重新计数 定时 / 计数器停止 复位后情况 I/O 口设为输入模式,AN0~AN3 作为 A/D 输入脚 堆栈指针指向堆栈顶端 不同的复位形式对单片机内部寄存器的影响是不同的 为保证复位后程序能正常执行, 了解寄存器在特定条件复位后的设置是非常重要的 下表即为不同方式复位后内部寄存器的状况 此芯片有多种封装类型, 表格反应较大的封装的情况 寄存器 上电复位 WDT 溢出 ( 正常模式 ) WDT 溢出 (HALT) IAR MP0 xxxx xxxx xxxx xxxx uuuu uuuu IAR MP1 xxxx xxxx xxxx xxxx uuuu uuuu BP u ACC xxxx xxxx uuuu uuuu uuuu uuuu PCL TBLP xxxx xxxx uuuu uuuu uuuu uuuu TBLH xxxx xxxx uuuu uuuu uuuu uuuu TBHP x x x x u u u u u u u u STATUS --00 xxxx --1u uuuu --11 uuuu SMOD uuu- uuuu CTRL x x00 u-uu -uuu INTEG u u INTC uuu uuuu Rev

47 寄存器 上电复位 WDT 溢出 ( 正常模式 ) WDT 溢出 (HALT) INTC uuuu uuuu PA u--u uuuu PAC u--u uuuu PAPU u--u uuuu PAWU u--u uuuu SLEDC uuuu uuuu SLEDC u u WDTC uuuu uuuu TBC u u TMR uuuu uuuu TMRC u u - u u u EEA uu uuuu EED uuuu uuuu PB uuuu uuuu PBC uuuu uuuu PBPU uuuu uuuu I2CTOC uuuu uuuu SIMC u u u u - SIMC uuuu uuuu SIMD xxxx xxxx xxxx xxxx uuuu uuuu SIMC2 (SPI mode) uu uuuu SIMA (I 2 C mode) uuuu uuu- ADRL (ADRFS=0) x x x x x x x x u u u u ADRL (ADRFS=1) xxxx xxxx xxxx xxxx uuuu uuuu ADRH (ADRFS=0) xxxx xxxx xxxx xxxx uuuu uuuu ADRH (ADRFS=1) x x x x x x x x u u u u ADCR uuuu --uu ADCR uu-u -uuu ACERL u u u u PD u u u u PDC u u u u PDPU u u u u TKTMR uuuu uuuu TKC uuu uuuu Rev

48 寄存器 上电复位 WDT 溢出 ( 正常模式 ) WDT 溢出 (HALT) TK16DL uuuu uuuu TK16DH uuuu uuuu TKC u u TKM016DL uuuu uuuu TKM016DH uuuu uuuu TKM0ROL uuuu uuuu TKM0ROH u u TKM0C uuuu uuuu TKM0C u-uu uuuu TKM116DL uuuu uuuu TKM116DH uuuu uuuu TKM1ROL uuuu uuuu TKM1ROH u u TKM1C uuu uuuu TKM1C u - u u - - u u EEC u u u u 注 : u 表示不改变 x 表示未知 - 表示未定义 Rev

49 输入 / 输出端口 盛群单片机的输入 / 输出口控制具有很大的灵活性 大部分引脚都可在用户程序控制下被设定为输入或输出, 所有引脚的上拉电阻设置以及指定引脚的唤醒设置也都由软件控制, 这些特性也使得此类单片机在广泛应用上都能符合开发的需求 此单片机提供 PA PB 和 PD 双向输入 / 输出口 这些寄存器在数据存储器有特定的地址 所有 I/O 口用于输入输出操作 作为输入操作, 输入引脚无锁存功能, 也就是说输入数据必须在执行 MOV A,[m],T2 的上升沿准备好,m 为端口地址 对于输出操作, 所有数据都是被锁存的, 且保持不变直到输出锁存被重写 输入 / 输出寄存器列表 上拉电阻 寄存器 Bit 名称 PA PA7 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0 PAC PAC7 PAC4 PAC3 PAC2 PAC1 PAC0 PAPU PAPU7 PAPU4 PAPU3 PAPU2 PAPU1 PAPU0 PAWU PAWU7 PAWU4 PAWU3 PAWU2 PAWU1 PAWU0 PB PB7 PB6 PB5 PB4 PB3 PB2 PB1 PB0 PBC PBC7 PBC6 PBC5 PBC4 PBC3 PBC2 PBC1 PBC0 PBPU PBPU7 PBPU6 PBPU5 PBPU4 PBPU3 PBPU2 PBPU1 PBPU0 PD PD3 PD2 PD1 PD0 PDC PDC3 PDC2 PDC1 PDC0 PDPU PDPU3 PDPU2 PDPU1 PDPU0 许多产品应用在端口处于输入状态时需要外加一个上拉电阻来实现上拉的功能 为了免去外部上拉电阻, 当引脚规划为输入时, 可由内部连接到一个上拉电阻, 这些上拉电阻可通过寄存器 PAPU PBPU 和 PDPU 来设置, 它用一个 PMOS 晶体管来实现上拉电阻功能 PAPU 寄存器 Bit Name PAPU7 PAPU4 PAPU3 PAPU2 PAPU1 PAPU0 Bit 7 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR PA 口 bit 7 上拉电阻控制 0: 除能 1: 使能 Bit 6~5 未使用, 读为 0 Bit 4~0 PA 口 bit 4~bit 0 上拉电阻控制 0: 除能 1: 使能 Rev

50 PBPU 寄存器 Bit Name PBPU7 PBPU6 PBPU5 PBPU4 PBPU3 PBPU2 PBPU1 PBPU0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~0 PB 口 bit 7~bit 0 上拉电阻控制 0: 除能 1: 使能 PDPU 寄存器 Bit Name PDPU3 PDPU2 PDPU1 PDPU0 R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~4 未使用, 读为 0 Bit 3~0 PA 口唤醒 PD 口 bit 3~bit 0 上拉电阻控制 0: 除能 1: 使能 当使用暂停指令 HALT 迫使单片机进入空闲或休眠模式状态, 单片机的系统时钟将会停止以降低功耗, 此功能对于电池及低功耗应用很重要 唤醒单片机有很多种方法, 其中之一就是使 PA 口的其中一个引脚从高电平转为低电平 这个功能特别适合于通过外部开关来唤醒的应用 PA 口上的每个引脚是可以通过设置 PAWU 寄存器来单独选择是否具有唤醒功能 PAWU 寄存器 Bit Name PAWU7 PAWU4 PAWU3 PAWU2 PAWU1 PAWU0 Bit 7 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR PA 口 bit 7 唤醒控制 0: 除能 1: 使能 Bit 6~5 未使用, 读为 0 Bit 4~0 PA 口 bit 4~bit 0 唤醒控制 0: 除能 1: 使能 Rev

51 输入 / 输出端口控制寄存器 每一个输入 / 输出口都具有各自的控制寄存器, 即 PAC PBC 和 PDC, 用来控制输入 / 输出状态 通过这些控制寄存器, 每个 CMOS 输出或输入都可以通过软件动态控制 所有的 I/O 端口的引脚都各自对应于 I/O 端口控制寄存器的某一位 若 I/O 引脚要实现输入功能, 则对应的控制寄存器的位需要设置为 1, 这时程序指令可以直接读取输入脚的逻辑状态 若控制寄存器相应的位被设定为 0, 则此引脚被设置为 CMOS 输出 当引脚设置为输出状态时, 程序指令读取的是输出端口寄存器的内容 注意, 如果对输出口做读取动作时, 程序读取到的是内部输出数据锁存器中的状态, 而不是输出引脚上实际的逻辑状态 PAC 寄存器 Bit Name PAC7 PAC4 PAC3 PAC2 PAC1 PAC0 Bit 7 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR PA 口 bit 7 输入 / 输出控制 0: 输出 1: 输入 Bit 6~5 未使用, 读为 0 Bit 4~0 PBC 寄存器 PA 口 bit 4~bit 0 输入 / 输出控制 0: 输出 1: 输入 Bit Name PBC7 PBC6 PBC5 PBC4 PBC3 PBC2 PBC1 PBC0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~0 PB 口 bit 7~bit 0 输入 / 输出控制 0: 输出 1: 输入 PDC 寄存器 Bit Name PDC3 PDC2 PDC1 PDC0 R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~4 未使用, 读为 0 Bit 3~0 PD 口 bit 3~bit 0 输入 / 输出控制 0: 输出 1: 输入 Rev

52 输入 / 输出引脚源电流选择 对于此款单片机, 每个引脚的源电流可以通过寄存器相应位设置, 但前提是引脚已被设置为 CMOS 输出模式, 否则源电流选择位无效 用户可以参考直流电气特性部分 I OH 在不同设置下的精确值 SLEDC0 寄存器 Bit Name PBPS3 PBPS2 PBPS1 PBPS0 PAPS3 PAPS2 PAPS1 PAPS0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 PBPS3~PBPS2:PB7~PB4 引脚源电流选择位 00: 源电流 = Level 0 ( 最小 ) 01: 源电流 = Level 1 10: 源电流 = Level 2 11: 源电流 = Level 3 ( 最大 ) PB7~PB4 引脚为 CMOS 输出时, 相应源电流选择位的设置才有效 PBPS1~PBPS0:PB3~PB0 引脚源电流选择位 00: 源电流 = Level 0 ( 最小 ) 01: 源电流 = Level 1 10: 源电流 = Level 2 11: 源电流 = Level 3 ( 最大 ) PB3~PB0 引脚为 CMOS 输出时, 相应源电流选择位的设置才有效 PAPS3~PAPS2:PA7 和 PA4 引脚源电流选择位 00: 源电流 = Level 0 ( 最小 ) 01: 源电流 = Level 1 10: 源电流 = Level 2 11: 源电流 = Level 3 ( 最大 ) PA7 和 PA4 引脚为 CMOS 输出时, 相应源电流选择位的设置才有效 PAPS1~PAPS0:PA3~PA0 引脚源电流选择位 00: 源电流 = Level 0 ( 最小 ) 01: 源电流 = Level 1 10: 源电流 = Level 2 11: 源电流 = Level 3 ( 最大 ) PA3~PA0 引脚为 CMOS 输出时, 相应源电流选择位的设置才有效 SLEDC1 寄存器 Bit Name PDPS1 PDPS0 R/W R/W R/W POR Bit 7~2 未定义, 读为 0 Bit 1~0 PDPS1~PDPS0:PD3~PD0 引脚源电流选择位 00: 源电流 = Level 0 ( 最小 ) 01: 源电流 = Level 1 10: 源电流 = Level 2 11: 源电流 = Level 3 ( 最大 ) PD3~PD0 引脚为 CMOS 输出时, 相应源电流选择位的设置才有效 Rev

53 输入 / 输出引脚结构 下图为输入 / 输出引脚的内部结构图 输入 / 输出引脚的准确逻辑结构图可能与此图不同, 这里只是为了方便对功能的理解提供的一个参考 图中引脚共用并非针对所有单片机, =J=*K I + JH * EJ, 3 2 K 0ECD 4 AC EIJA H 5 A A?J 8,, 9 A= 2 K K F 9 HEJA + H 4 J AC EIJA H + DEF4A IA J JH 4A CEIJAH, =J=*EJ, 3 1 FE 9 HEJA, =J=4A C IJA E H 4 A =J=4A C IEJA H : 5 OIJ A 9 = A K F 9 = A KF 5 A A?J 通用输入 / 输出端口结构 2 ) O, =J=*K I + JH * EJ, 3 2 K 0 EC D 4 AC EIJA H 5 A A?J 8,, 9 A= 2 K KF 9 HEJA + H 4 J A C IJA E H DEF4A IA J 4 JH 4A C IJA E H 9 HEJA, =J=4A CEIJAH, =J=*EJ, ), 1 F KJ2 HJ 4 J= 4 A C IJA E H 6 ),+ LA HJAH 7 : ) = C 1 F K J 5 A A?J H ) +5 " )+ 5 ) +5 A/D 输入 / 输出结构 Rev

54 编程注意事项 定时 / 计数器 在编程中, 最先要考虑的是端口的初始化 复位之后, 所有的输入 / 输出数据及端口控制寄存器都将被设为逻辑高 所有输入 / 输出引脚默认为输入状态, 而其电平则取决于其它相连接电路以及是否选择了上拉电阻 如果端口控制寄存器 PAC PBC 和 PDC, 某些引脚位被设定输出状态, 这些输出引脚会有初始高电平输出, 除非数据寄存器端口 PA PB 和 PD 在程序中被预先设定 设置哪些引脚是输入及哪些引脚是输出, 可通过设置正确的值到适当的端口控制寄存器, 或使用指令 SET [m].i 及 CLR [m].i 来设定端口控制寄存器中个别的位 注意, 当使用这些位控制指令时, 系统即将产生一个读 - 修改 - 写的操作 单片机需要先读入整个端口上的数据, 修改个别的位, 然后重新把这些数据写入到输出端口 PA 口的每个引脚都带唤醒功能 单片机处于休眠或空闲模式时, 有很多方法可以唤醒单片机, 其中之一就是通过 PA 口任一引脚电平从高到低转换的方式, 可以设置 PA 口一个或多个引脚具有唤醒功能 定时 / 计数器在任何单片机中都是一个很重要的部分, 提供程序设计者一种实现和时间有关功能的方法 该单片机具有 1 个 8 位的计数器 这个计数器是可以作为一个普通定时器, 另外提供了一个内部时钟分频器功能, 以扩大定时器的范围 有两种和定时 / 计数器相关的寄存器 第一种寄存器是用来存储实际的计数值, 赋值给此寄存器可以设定初始值 读取此寄存器可获得定时 / 计数器的内容 第二种寄存器为定时器控制寄存器, 用来定义定时 / 计数器工作模式和定时设置 6 E A * =IA+ JH 6 E A * =IAALA JE JA HKF J2A 6 5, =J=*K I B5 ; 5 B5 7* 7: B6 2 % 5 J= C A+ K JAH % 2 HA CEIJAH 4 A & 7: 7 F+ K JAH LA HB MJ 1 JAHHK FJ 6 E AH2 HA I?= AH 定时 / 计数器 配置定时 / 计数器输入时钟源定时 / 计数器的时钟源来自内部时钟 内部时钟源可以由 TMRC 寄存器 TS 位选择为来自系统时钟 f SYS 或者 f SUB 时钟 内部时钟首先由分频器分频, 分频比由 TMRC 寄存器的 TPSC2~TPSC0 位来确定 Rev

55 定时 / 计数器寄存器 TMR 定时 / 计数寄存器 TMR, 是位于特殊数据存储器内的特殊功能寄存器, 用于储存定时器的当前值 在每收到一个内部计数脉冲, 此寄存器的值将会加一 定时器将从预置寄存器所载入的值开始计数, 到 FFH 时定时器溢出且会产生一个内部中断信号 定时器的值随后被预置寄存器的值重新载入并继续计数 为了得到定时器的最大计算范围 FFH, 预置寄存器需要先清为零 注意, 上电后预置寄存器处于未知状态 定时 / 计数器在关闭条件下, 写数据到预置寄存器, 会立即写入实际的定时器 而如果定时 / 计数器已经打开且正在计数, 在这个周期内写入到预置寄存器的任何新数据将保留在预置寄存器, 直到溢出发生后才被写入实际定时器 定时 / 计数控制寄存器 TMRC 定时 / 计数控制寄存器 TMRC, 配合相应的定时寄存器控制定时 / 计数器的整个操作 在使用定时器之前, 需要先正确地设定定时 / 计数控制寄存器, 以便保证定时器能正确操作, 而这个过程通常在程序初始化期间完成 定时 / 计数控制寄存器的第 4 位即 TON 位, 用于定时器开关控制, 设定为逻辑高时, 计数器开始计数, 而清零时则停止计数 定时 / 计数控制寄存器的第 0~2 位用来控制输入时钟预分频器 TS 位用来选择定时器内部时钟源 TMRC 寄存器 Bit Name TS TON TPSC2 TPSC1 TPSC0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR Bit 7~6 未定义, 读为 0 Bit 5 Bit 4 TS: 定时 / 计数器时钟源选择位 0:f SYS 1:f SUB TON: 定时 / 计数器使能 0: 除能 1: 使能 Bit 3 未定义, 读为 0 Bit 2~0 TPSC2~TPSC0: 选择定时器预分频比定时器内部时钟 = 000:f TP 001:f TP /2 010:f TP /4 011:f TP /8 100:f TP /16 101:f TP /32 110:f TP /64 111:f TP /128 Rev

56 定时器操作 预分频器 在这个模式下, 定时器可以用来测量固定时间间隔, 当定时器发生溢出时, 就会产生一个内部中断信号 f SYS 或 f SUB 被用来当定时器的输入时钟源 然而, 该定时器时钟源被预分频器进一步分频, 分频比是由定时器控制寄存器的 TPSC2~TPSC0 位来确定 定时器控制寄存器第 4 位, 即 TON 位需要设为逻辑高, 使能定时器工作 每次内部时钟由高到低的电平转换都会使定时器值增加一 ; 当定时器计数已满即溢出时, 会产生中断信号且定时器会重新载入预置寄存器的值, 然后继续计数 定时器溢出以及相应的内部中断产生也是唤醒暂停模式的一种方法 通过设置中断寄存器中的定时器中断使能位为 0, 可以禁止定时 / 计数器中断 TMRC 寄存器的 TPSC0~TPSC2 位用来确定定时 / 计数器的内部时钟的分频比, 从而能够设置更长的定时器溢出周期 编程注意事项 当读取定时 / 计数器值或写数据到预置寄存器时, 计数时钟会被禁止以避免发生错误, 但这样做可能会导致计数错误, 所以程序设计者应该考虑到这点 在第一次使用定时 / 计数器之前, 要仔细确认有没有正确地设定初始值 中断控制寄存器中的定时器使能位需要正确的设置, 否则相应定时 / 计数器内部中断仍然无效 在定时 / 计数器打开之前, 需要确保先载入定时 / 计数器寄存器的初始值 上电后, 定时 / 计数器寄存器中的初始值是零 定时 / 计数器初始化后, 可以使用定时 / 计数器控制寄存器中的使能位来打开或关闭定时器 当定时 / 计数器产生溢出, 中断控制寄存器中相应的中断请求标志将置位 若中断允许, 将会依次产生一个中断信号 不管中断是否允许, 在省电状态下, 定时 / 计数器的溢出也会产生唤醒 若在空闲 / 休眠模式下, 不需要定时器中断唤醒系统, 可以在执行 HALT 指令之前将相应中断请求标志位置位 Rev

57 A/D 转换器 A/D 简介 对于大多数电子系统而言, 处理现实世界的模拟信号是共同的需求 为了完全由单片机来处理这些信号, 首先需要通过 A/D 转换器将模拟信号转换成数字信号 将 A/D 转换器电路集成入单片机, 可有效的减少外部器件, 随之而来, 具有降低成本和减少器件空间需求的优势 此单片机都包含一个 4 通道的 A/D 转换器, 它们可以直接接入外部模拟信号 ( 来自传感器或其它控制信号 ), 并直接将这些信号转换成 12 位的数字量 输入通道数 A/D 通道选择位 输入引脚 4 ACS4, ACS1~ACS0 AN0~AN3 下图显示了 A/D 转换器内部结构和相关的寄存器 B5 ; 5 8,, ) +-! )+ - ), + ), + $ 2, ),.. ), +? * EJ * EJ 2, ) 2, ) 2, )! 2,! ) " ), + LA HJAH ), 4 ABAHA?A 8 J= CA ),4 ), 4 0 ),, =J= 4 AC EIJA HI ' ), 4.5 > EJ 8 '- ) +5 " )+ 5 ) ) * ),.. A/D 转换器结构 A/D 转换寄存器介绍 A/D 转换器的所有工作由五个寄存器控制 一对只读寄存器来存放 12 位 ADC 数据的值 剩下三个控制寄存器设置 A/D 转换器的操作和控制功能 寄存器名称 ADRL (ADRFS=0) ADRL (ADRFS=1) ADRH (ADRFS=0) ADRH (ADRFS=1) 位 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D11 D10 D9 D8 ADCR0 START EOCB ADOFF ADRFS ACS1 ACS0 ADCR1 ACS4 V119EN VREFS ADCK2 ADCK1 ADCK0 ACERL ACE3 ACE2 ACE1 ACE0 A/D 转换器寄存器列表 Rev