微纳电子技术编辑部厦门创新众人会议服务有限公司三会议地点 : 厦门杏林湾大酒店厦门市集美区杏滨路 301 号, 近杏林大桥引桥旁距厦门高崎机场约 12 公里, 距厦门北站约

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鸳昨富
7 years ago
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1 中国半导体行业协会半导体分立器件分会中半器协 [2015]005 号 2015 全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会第二轮通知自 2015 年 7 月 1 日中国半导体行业协会以中半器协 [2015]003 号文发出 2015 全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会以来, 来自全国各地的产学研等单位积极支持, 踊跃投稿, 现会议的准备工作已经就绪, 就会议细节和论文录用情况通知如下 : 畅通共享共赢全球化背景下的新型半导体器件及应用技术一会议特邀报告 1. 碳化硅半导体功率器件最新研究进展浙江大学电气工程学院 2. 氮化镓基功率电子器件的发展趋势与可靠性物理研究南京大学电子科学与工程学院 3. SJ MOSFET 的发展动态电子科技大学微电子与固体电子学院 4. 金刚石半导体的研究西安交通大学宽禁带半导体与器件研究中心 5. 氮化镓微波功率器件技术进展专用集成电路重点实验室 V 碳化硅二极管及混合功率模块研制中国电子科技集团公司第十三研究所二会议组织机构指导单位 : 中国半导体行业协会承办单位 : 中国半导体行业协会半导体分立器件分会专用集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所协办单位 : 合肥锐拓科技信息服务有限公司半导体技术编辑部盛况教授陆海教授李泽宏教授王宏兴教授冯志红研究员王勇研究员

碳化硅半导体功率器件最新研究进展浙江大学电气工程学院 2. 氮化镓基功率电子器件的发展趋势与可靠性物理研究南京大学电子科学与工程学院 3. SJ MOSFET 的发展动态电子科技大学微电子与固体电子学院 4.

2 微纳电子技术编辑部厦门创新众人会议服务有限公司三会议地点 : 厦门杏林湾大酒店厦门市集美区杏滨路 301 号, 近杏林大桥引桥旁距厦门高崎机场约 12 公里, 距厦门北站约 12.9 公里, 距厦门站约 17.4 公里四会议日程 1. 此次研讨会共录用论文 ( 或论文摘要 )118 篇 ( 见附件 ), 其中特邀报告 6 篇, 全部特邀报告和论文摘要 ( 或论文 ) 都已经收入论文集, 并将在参会者到会注册时发给每位参会者希望每篇论文摘要 ( 或论文 ) 至少有一位作者参加会议由于研讨会时间有限, 我们将根据具体情况选择安排在会上作报告的论文, 并在会前与作者沟通 2.11 月 23 日在厦门杏林湾大酒店报到,11 月日开会会议议程安排如下 : 时间地点主题 11 月 24 日上午开幕式 ; 特邀报告 11 月 24 日下午特邀报告 ; 大会报告三楼 312 室 11 月 25 日上午大会报告 11 月 25 日下午大会报告 3.11 月 26 日机动会议联系单位 : 中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书处 ( 石家庄市合作路 113 号中国电子科技集团公司第十三研究所 ) 联系人 : 李永电话 : 手机 : 传真 : 电子邮件 :polaris13@vip.163.com 半导体分立器件分会信箱 :csiadd@126.com 中国半导体行业协会半导体分立器件分会二零一五年十月二十八日

由于研讨会时间有限, 我们将根据具体情况选择安排在会上作报告的论文, 并在会前与作者沟通 2.

3 附件一 : 研讨会录用论文摘要 ( 或论文 ) 目录 ( 按论文摘要收录时间为序 ) 序号作者姓名工作单位论文题目 1 肖红秀株洲南车时代电气股份有限公司半导体事业部大功率压接式 IGBT 模块的热设计与有限元分析 2 窦泽春株洲南车时代电气股份有限公司大功率压接式 IGBT 器件设计与关键技术 3 徐科中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所氮化物半导体单晶衬底材料的研究进展 4 陈明祥华中科技大学机械学院功率电子器件封装用 DPC 陶瓷基板技术 5 常桂钦株洲南车时代电气股份有限公司基板拱度类型对 IGBT 模块应力的影响 6 王昕广州市昆德科技有限公司新型电子薄膜材料方块电阻测试的研究 7 李磊淄博市临淄银河高技术开发有限公司 IGBT 模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研究 8 马平中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 SiC 基 GaN HEMT 器件研制 9 常昌远东南大学集成电路学院 The Design of the Separation Sampling Adaptive PID Algorithm for the Digital DC-DC Converter 10 于晶荣江西中能电气科技有限公司 IGBT 的新进展和未来趋势 11 金雷哈尔滨工业大学深圳研究生院 PVT 法 AlN 晶体生长的加热体设计 12 孔岑微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室增强型 GaN HEMT 功率电子器件研究 13 陈志勇中国电子科技集团公司第五十五研究所国博电子公司一种高效率 GaN 功率管的设计 14 严阳浙江大学电气工程学院基于碳化硅 MOSFET 的 99.2% 高效率功率因数校正器 15 谢俊领微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室热应力对 SiN 钝化的 InGaAs/InP DHBT 直流性能的影响 16 陈在安徽华东光电技术研究所小型化 C 波段 30W 脉冲功率放大器的研制 17 张亚民北京工业大学电子信息与控制工程学院峰值谱技术在 GaN 基器件可靠性分析中的应用研究 18 查祎英国网智能电网研究院 3.3kV SiC 二极管设计制备 19 袁嵩西安电子科技大学微电子学院一种具有超低导通电阻的变 K 介质侧边 VDMOS 结构 20 郭海君西安电子科技大学微电子学院新型缓冲层部分固定正电荷 AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析 21 汪昌思电子科技大学电子工程学院一种带有非线性热网络的可缩放的 GaN HEMTs 大信号模型 22 李勇杰安徽工业大学电气与信息工程学院改进型碳化硅 MOSFETs 的 Spice 电路模型 23 刘力华南师范大学光电子材料与技术研究所同质衬底 GaN 上生长 (In)(Ga)N 薄膜的光电性能研究 24 王闯西安交通大学微电子学系不连续导通模式下 DC-DC 转换器电压模型

桂钦株洲南车时代电气股份有限公司基板拱度类型对 IGBT 模块应力的影响 6 王昕广州市昆德科技有限公司新型电子薄膜材料方块电阻测试的研究 7 李磊淄博市临淄银河高技术开发有限公司 IGBT 模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研

4 25 曹震西安电子科技大学微电子学院阶梯场氧 Super Junction LDMOS 26 周名兵晶能光电 ( 江西 ) 公司高质量大尺寸硅衬底 GaN 基 AlGaN / GaN HEMT 生长研究 27 丁慧台州市一能科技有限公司在低品质 SiC 衬底上实现低成本 HEMT 器件 28 陈兴盛安徽华东光电技术研究所一种全自动便携式 TR 组件检测仪的研制 29 王坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所 0.13μ m CMOS Stacked-FET 两级功率放大器设计 30 任云翔北京工业大学电子信息与控制工程学院 GaN HEMT 在不同温度下的退化规律及退化机理 31 翟玉卫中国电子科技集团公司第十三研究所用改进的瞬态红外设备测量 GaN HEMTs 的结壳热阻 32 李尧圣华北电力大学电气与电子工程学院基于有限元热分析法直流断路器用 IGBT 关断能力仿真研究 33 陈喜明株洲南车时代电气股份有限公司半导体事业部 Effect of Different Pyrogenic Annealing on Properties of Thermally Nitrided SiO2/4H-SiC Interface 34 彭朝阳中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 NO 和 Forming Gas 退火处理对 4H-MOS 栅氧化层可靠性影响研究 35 张烁中国科学院半导体研究所 Highly resistive layers obtained by periodic growth and in situ annealing of InGaN 36 刘洋首都师范大学掺杂半导体的空间电荷限制电流 37 朱良凡安徽华东光电技术研究所 C 波段高效率 GaN 功率放大器的研制 38 王皓田太原理工大学新材料中心下电极功率对三维 GaN 纳米结构形貌及光学性能的影响 39 赵晓冬电子科技大学一种精确的 AlGaN/GaN HEMTs 沟道热阻缩比模型 40 李小杜太原理工大学新材料中心三维生长温度对 GaN 外延薄膜应力及表面形貌的影响 41 郑浩华南理工大学电力学院基于 SiC MOSFETs 的电动汽车变流器结温研究 42 王玮宽禁带半导体材料与器件研究中心 SiNx 栅介质金刚石场效应晶体管 43 沈千行中国科学院微电子研究所载流子存储沟槽栅双极型晶体管的发展概述 44 赵勇中航工业航空电力系统研发中心高温 SiC 器件在飞机电力系统中的应用与发展 45 赵子奇宁波大学理学院考虑界面陷阱的 AlGaN/GaN FinFET 阈值电压模型研究 46 张广银中国科学院微电子研究所逆阻型 IGBT 发展概述 47 邓二平华北电力大学新能源国家重点实验室压接式 IGBT 模块 Cauer 热网络模型研究 48 沈玲燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯应用于 AlGaN/GaN 肖特基二极管表面钝化的研究 49 邵伟华重庆大学基于双脉冲测试的 SiC MOSFET 开关振荡机理分析 50 孟锡俊中为光电科技有限公司 GaN 基外延结构中 EBL 层生长工艺对发光效率的影响 51 景中正沈阳工业大学信息科学与工程学院局域少子寿命控制对快恢复二极管软度因子影响的仿真研究

13μ m CMOS Stacked-FET 两级功率放大器设计 30 任云翔北京工业大学电子信息与控制工程学院 GaN HEMT 在不同温度下的退化规律及退化机理 31 翟玉卫中国电子科技集团公司第十三研究所用改进的瞬态红外设备测量 GaN HEMTs

5 52 颜湘武华北电力大学 ( 保定 ) 宽范围输入 DC/DC 变换器的新型控制策略 53 刘章发北京交通大学电子信息工程学院基于 PWM 调控的 DC-DC 变换器 54 武永超中国电科 46 所半导体材料事业部 MBE 外延生长用磷化铟单晶片清洗技术研究 55 唐闫焜西安卫光科技有限公司通过 COMSOL 对 U 形梁热执行器的建模仿真讨论器件物理参数和输入功率对输出位移的影响 56 王紫芙北京交通大学电子信息工程学院一种全集成的 CMOS 低压差线性稳压器设计 57 徐红艳中国科学院电工研究所超导与新材料应用实验室 IGBT 封装用 SnPbAg 焊料界面组织及扩散行为研究 58 杨尊松中国科学院微电子研究所瞬态电压抑制二极管的概述和展望 59 罗小梦中国科学院微电子研究所肖特基势垒二极管研究进展 60 陈聪远方光电科学研究院大功率 LED 热阻结构分析技术 61 丁艳中国科学院微电子研究所一种具有电荷平衡结构的槽栅 MOSFET 设计与研制 62 房育涛厦门市三安集成电路有限公司通过对缓冲层碳掺杂制备具有高击穿特性的 GaN 电子器件 63 刘岩中国电子科技集团公司第十三研究所基于瞬态红外测温的 GaAs 器件纵向温度特性分析 64 单尼娜中国科学院微电子研究所功率 MOSFET 器件温度校准系数的线性研究 65 李芸四川大学物理科学与技术学院硅基 PIN 二极管电子辐照效应的研究 66 何航丞成都信息工程学院通信工程学院基于 ICE2PCS01G 控制带 APFC 电路的电源设计 67 韩立业西安工程大学电子信息学院引入烧结技术和压接技术的 IGBT 模块结构研究和仿真 68 孟昭亮西安工程大学电子信息学院内置电流测量功能的大功率 IGBT 功率模块热模型分析研究 69 汪玲南京电子器件研究所 1200V/40A 碳化硅二极管的研究 70 万彩萍中国科学院微电子研究所 NO 退火对 SiC MOS 器件氧化层陷阱电荷的影响 71 杨治美四川大学物理学院 GaN 基蓝光 LED 的设计与仿真 72 陈进西安理工大学电子工程系 SiC 表面 S 钝化特性分析 73 程炜涛江苏中科君芯科技有限公司一种改善 IGBT Vce 分布离散的方法 74 程炜涛江苏中科君芯科技有限公司非穿通型 IGBT 与场截止型 IGBT 在逆变焊机应用中的性能对比 75 张俊芝五邑大学应用物理与材料学院紫外大功率 LED 电流对光电参数的影响 76 荣垂才电子科技大学极高频复杂系统重点学科实验室 S 波段 EF234 功率放大器设计 77 殷玉喆工业和信息化部电子工业标准化研究院百瓦级 GaN 功率器件微波带载加速寿命试验方法研究 78 李世伟北京工业大学功率与温度对 AlGaN/GaN HEMT 器件热阻影响的研究 79 宋李梅中国科学院微电子研究所一种具有快速开关特性的平面裂栅 VDMOS 结构研究

科学院电工研究所超导与新材料应用实验室 IGBT 封装用 SnPbAg 焊料界面组织及扩散行为研究 58 杨尊松中国科学院微电子研究所瞬态电压抑制二极管的概述和展望 59 罗小梦中国科学院微电子研究所肖特基势垒二极管研究进展

6 80 伍伟电子科技大学 FS-IGBT 器件场截止层研究 81 孔梓玮电子科技大学一种新型的 1100V 耐压的场截止 IGBT 器件 82 周正东株洲南车时代电气股份有限公司 SiC 器件 P 型注入高温退火激活工艺开发及激活率表征 83 乔玉娥中国电子科技集团公司第十三研究所功率器件用 GaAs/GaN 材料的电参数测试技术研究 84 裴紫微中国科学院微电子研究所 Ti(20nm)/Al(30nm) /P 型 4H-SiC LDMOSFET 欧姆接触电极研究 85 闫军政北京市科通电子继电器总厂有限公司高可靠性大功率半导体模组的结构设计与实现 86 刘冬华上海华虹宏力半导体制造有限公司超高压 NLDMOS 器件的设计及优化研究 87 熊鹰西南科技大学基于掺硼金刚石薄膜的肖特基势垒二极管设计制作及性能 88 王方方国网智能电网研究院碳化硅电力电子器件欧姆接触工艺研究进展 89 曹晓峰电子科技大学超结 MOSFET 电容特性分析与建模 90 李鹏上海交通大学微电子学院基于 0.18um CMOS 工艺的阻抗匹配网络设计 91 刘默寒中国科学院新疆理化技术研究所偏置条件对 NPN 型锗硅异质结双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响 92 付善灿天津大学无压烧结纳米银焊膏连接 1200-V, 150-A IGBT 芯片及其模块化集成研究 93 崔志行北京工业大学电控学院碳化硅功率 MOSFET 的研究进展 94 马红娜英利集团光伏材料与技术国家重点实验室太阳能电池三层氮化硅膜研究 95 黄伟中国电子科技集团公司第五十八研究所硅基 GaN 超级结器件研究 96 宋芳芳工业和信息化部电子第五研究所微波器件的热分析及可靠性热设计方法研究 97 翁俊武汉工程大学材料科学与工程学院高微波功率下基片温度的梯度分布对金刚石膜表面形貌的影响 98 郭新军中国科学院理化技术研究所国外第三代功率器件 ( 氮化镓碳化硅 ) 产品和应用的最新进展 99 刘金龙北京科技大学新材料技术研究院氢终结金刚石表面 P 型导电沟道的表面粗糙度散射行为 100 李洁中国电子技术标准化研究院功率半导体器件动态参数测试设备脉冲电流参数校准技术研究 101 李宇超南京电子器件研究所 GHz 宽带大功率 GaN 内匹配电路设计 102 杨兵中国科学院金属研究所碳化硅 / 石墨烯纳米层状材料的生长机制研究 103 姜伟厦门乾照光电股份有限公司氮化铝 / 图形蓝宝石模板在 LED 外延中的应用 104 唐旭升东南大学信息科学与工程学院一种基于 GaN 工艺的薄膜电阻的可缩放射频模型 105 董斌南方科技大学瞬态栅压对氮化镓 HEMT 器件表面缺陷的影响

可靠性大功率半导体模组的结构设计与实现 86 刘冬华上海华虹宏力半导体制造有限公司超高压 NLDMOS 器件的设计及优化研究 87 熊鹰西南科技大学基于掺硼金刚石薄膜的肖特基势垒二极管设计制作及性能 88 王方方国网智能电网

7 106 林杰南方科技大学基于瞬态电容法的 GaN 材料缺陷研究 107 熊礼威武汉工程大学微波等离子体 CVD 法制备 p 型金刚石膜及其器件设计 108 黄火林大连理工大学联合采用凹栅和多重氟化介质层结构的高耐压阈值电压常关型 GaN 材料功率器件制作 109 王丽君文华学院信息学部用于微弱信号检测的锁定放大器设计与实现 110 王丽君文华学院信息学部增益可控的射频功率放大器的设计与实现 111 张秀霞北方民族大学电信学院 Electronic emission of transparent Nano-diamond film prepared by sol-gel method 112 张秀霞北方民族大学电信学院利用纳米金刚石薄膜和自跟踪技术提高太阳能电池板转换效率

器设计与实现 110 王丽君文华学院信息学部增益可控的射频功率放大器的设计与实现 111 张秀霞北方民族大学电信学院 Electronic emission of

本产品所有数据均来源于相关机构的研究报告文章内容不代表齐鲁证券观点 ( 齐鲁研究报告除外 ), 其他报告也不能保证资料的完整和准确性, 投资者如有需要应该参阅详细

本产品所有数据均来源于相关机构的研究报告文章内容不代表齐鲁证券观点 ( 齐鲁研究报告除外 ), 其他报告也不能保证资料的完整和准确性, 投资者如有需要应该参阅详细 1 / 9 新财富研报精选投资顾问报告日期 :20140801 齐鲁证券财富泰山 1 / 9 本产品所有数据均来源于相关机构的研究报告文章内容不代表齐鲁证券观点 ( 齐鲁研究报告除外 ), 其他报告也不能保证资料的完整和准确性, 投资者如有

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