(19) 中华人民共和国国家知识产权局 (12) 发明专利申请 (21) 申请号 X (10) 申请公布号 CN A (43) 申请公布日 H01L 31/072( ) (22) 申请日 (71)

Size: px

Start display at page:

Download "(19) 中华人民共和国国家知识产权局 (12) 发明专利申请 (21) 申请号 X (10) 申请公布号 CN A (43) 申请公布日 H01L 31/072( ) (22) 申请日 (71)"

舍贾
4 years ago
Views:

1 (19) 中华人民共和国国家知识产权局 (12) 发明专利申请 (21) 申请号 X (10) 申请公布号 (43) 申请公布日 H01L 31/072( ) (22) 申请日 (71) 申请人国家电投集团科学技术研究院有限公司地址北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内 A 座 8 层至 11 层 (72) 发明人宗军王伟田宏波赵晓霞杨瑞鹏周永谋王恩宇李洋王雪松 (74) 专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所 ( 普通合伙 ) 代理人宋合成 (51)Int.Cl. H01L 31/05( ) 权利要求书 2 页 6 页附图 2 页 (54) 发明名称硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池 (57) 摘要本发明公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池, 该金属栅线电极包括 : 一条主栅线 ; 第一组副栅线, 所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线, 所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置 ; 第二组副栅线, 所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线, 第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小电阻低, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而提高了太阳电池的性能

2 权利要求书 1/2 页 1. 一种硅异质结太阳电池的金属栅线电极, 其特征在于, 包括 : 一条主栅线 ; 第一组副栅线, 所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线, 所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置 ; 第二组副栅线, 所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线, 第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置 2. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述主栅线位于硅异质结太阳电池中央或者偏离中央的任一侧 3. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述第二组副栅线全部分布在所述主栅线的一侧 4. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述第二组副栅线分布在所述主栅线的两侧 5. 根据权利要求 4 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述第二组副栅线中相邻两根副栅线之间的间距沿远离所述主栅线的方向逐渐增加 6. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述第一组副栅线的多根副栅线为等间距布置 7. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述主栅线的宽度为 0.3~3mm, 高度为 15~50μm, 任选地, 所述副栅线的宽度为 20~50μm, 高度为 15~50μm 8. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述第一组副栅线包括 50~160 根平行布置的副栅线, 任选地, 所述第二组副栅线包括 2~100 根平行布置的副栅线 9. 根据权利要求 1 所述的金属栅线电极, 其特征在于, 所述主栅线和所述副栅线包括 Cu 或 Cu 与 Mo W Ti Ni Cr Al Mg Ta Sn Zn Ag P 中的至少之一所形成的合金, 或者, 所述主栅线和所述副栅线包括 Ag 或 Ag 的合金 10. 一种硅异质结太阳电池, 其特征在于, 包括 : n 型晶硅衬底 ; 第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层, 所述第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层形成在所述 n 型晶硅衬底的上表面 ; 第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层, 所述第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层形成在所述 n 型晶硅衬底的下表面 ; 重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层, 所述重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层形成在所述第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层的上表面 ; 重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层, 所述重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层形成在所述第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层的下表面 ; 第一透明导电氧化物层, 所述第一透明导电氧化物层形成在所述重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层的上表面 ; 第二透明导电氧化物层, 所述第二透明导电氧化物层形成在所述重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层的下表面 ; 2

3 权利要求书 2/2 页权利要求 1~9 任一项所述的金属栅线电极, 所述金属栅线电极形成在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面 3

4 1/6 页硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池技术领域 [0001] 本发明涉及硅异质结太阳电池领域, 具体而言, 本发明涉及硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池背景技术 [0002] 太阳电池表面的金属栅线电极一般包括主栅线和副栅线两部分, 到达表面的光生电流首先经由副栅线收集并汇流至主栅线, 然后再由与主栅线连接的焊带传导至外部对位于太阳电池光入射面的金属栅线电极, 其设计通常需要综合考虑以下两方面 : 一方面是希望提高电流收集效率降低串联电阻 ; 另一方面是希望减小栅线对电池光作用面的遮挡目前, 常规的太阳电池前表面通常设置有两根或三根主栅线为了提高电流收集率, 四主栅太阳电池五主栅太阳电池等多主栅太阳电池正成为行业研究的热点之一随着主栅数量的增加, 串联电阻降低, 但电极遮光面积增大, 影响电池效率的提高因此, 为了不增加电极的遮光面积, 一般来说随着主栅数量的增加, 要求主栅和焊带的宽度相应地减小但主栅和焊带的变窄会使栅线对准和焊接互联时的精准度要求更高, 由此可能导致电池碎片率的上升和焊带使用量的增加 [0003] 发明专利 ( 申请号 ) 提出了一种电极栅线结构, 将主栅线设置为分段结构, 即两端为常规粗主栅而中间部分为稍细的细主栅, 细主栅的宽度小于粗主栅但大于副栅如此一来在保持主栅数量不变的情况下, 通过减小细主栅的宽度而降低了多主栅太阳电池中栅线电极的遮光面积, 同时两端粗主栅宽度不变的情况并不会对栅线制作和后续焊带互联时的对准精度造成影响但是, 该结构并没有补偿由细主栅宽度降低而导致的串联电阻的升高, 可能影响最终电池的效率 [0004] 发明专利 ( 申请号 ) 提出了一种电极栅线图形, 主栅线只有一根, 沿着电池表面对角线方向, 与主栅线垂直的另一对角线方向设置着具有一定间距的若干副栅线该发明仅仅包括一条主栅线, 可以有效地减少对电池光入射面的遮挡, 但要实现较好的电流收集则对副栅结构的优化难度较大 [0005] 发明专利 ( 申请号 ) 中对电极栅线的设计重点则在副栅线部分, 由于考虑到副栅线距离主栅线越近电流密度越大, 反之越小, 因而设计上, 从远离主栅线的一侧到与主栅线相交处副栅线的宽度呈阶梯式增大这样可以将距离主栅线越远的副栅线部分的宽度制作得更小, 有利于增加电池的光利用面积, 但可能带来串联电阻的增加 [0006] 因此, 现有的太阳电池金属栅线电极结构仍有待改进发明内容 [0007] 本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一为此, 本发明的一个目的在于提出硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小电阻低, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而提高了太阳电池的性能 4

5 2/6 页 [0008] 在本发明的第一方面, 本发明提出了一种硅异质结太阳电池的金属栅线电极根据本发明的实施例, 该金属栅线电极包括 : 一条主栅线 ; 第一组副栅线, 所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线, 所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置 ; 第二组副栅线, 所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线, 第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置 [0009] 根据本发明实施例的金属栅线电极, 采用单根主栅线的设计可减少对电池光作用面的遮挡, 同时通过相互垂直的两组副栅线补偿主栅线数目减少而导致的串联电阻的提高, 既减少了金属电极对电池光作用面的遮挡, 又保证了良好的电流收集效率, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而提高了太阳电池的性能 [0010] 另外, 根据本发明上述实施例的硅异质结太阳电池的金属栅线电极还可以具有如下附加的技术特征 : [0011] 在本发明的一些实施例中, 所述主栅线位于硅异质结太阳电池中央或者偏离中央的任一侧 [0012] 在本发明的一些实施例中, 所述第二组副栅线全部分布在所述主栅线的一侧 [0013] 在本发明的一些实施例中, 所述第二组副栅线分布在所述主栅线的两侧 [0014] 在本发明的一些实施例中, 所述第二组副栅线中相邻两根副栅线之间的间距沿远离所述主栅线的方向逐渐增加 [0015] 在本发明的一些实施例中, 所述第一组副栅线的多根副栅线为等间距布置 [0016] 在本发明的一些实施例中, 所述主栅线的宽度为 0.3~3mm, 高度为 15~50μm [0017] 在本发明的一些实施例中, 所述副栅线的宽度为 20~50μm, 高度为 15~50μm [0018] 在本发明的一些实施例中, 所述第一组副栅线包括 50~160 根平行布置的副栅线 [0019] 在本发明的一些实施例中, 所述第二组副栅线包括 2~100 根平行布置的副栅线 [0020] 在本发明的一些实施例中, 所述主栅线和所述副栅线包括 Cu 或 Cu 与 Mo W Ti Ni Cr Al Mg Ta Sn Zn Ag P 中的至少之一所形成的合金, 或者, 所述主栅线和所述副栅线包括 Ag 或 Ag 的合金 [0021] 在本发明的第二方面, 本发明提出了一种硅异质结太阳电池根据本发明的实施例, 该硅异质结太阳电池包括 :n 型晶硅衬底 ; 第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层, 所述第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层形成在所述 n 型晶硅衬底的上表面 ; 第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层, 所述第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层形成在所述 n 型晶硅衬底的下表面 ; 重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层, 所述重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层形成在所述第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层的上表面 ; 重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层, 所述重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层形成在所述第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层的下表面 ; 第一透明导电氧化物层, 所述第一透明导电氧化物层形成在所述重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层的上表面 ; 第二透明导电氧化物层, 所述第二透明导电氧化物层形成在所述重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层的下表面 ; 上述实施例所述的金属栅线电极, 所述金属栅线电极形成在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面 [0022] 根据本发明实施例的硅异质结太阳电池, 通过采用上述实施例的金属栅线电极结构, 采用单根主栅线的设计可减少对电池光作用面的遮挡, 同时通过相互垂直的两组副栅线补偿主栅线数目减少而导致的串联电阻的提高, 既减少了金属电极对电池光作用面的遮 5

6 3/6 页挡, 又保证了良好的电流收集效率, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而具有更高的性能 [0023] 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出, 部分将从下面的描述中变得明显, 或通过本发明的实践了解到附图说明 [0024] 本发明的上述和 / 或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解, 其中 : [0025] 图 1 是根据本发明一个实施例的金属栅线电极结构示意图 ; [0026] 图 2 是实施例 1 制备的硅异质结太阳电池的金属栅线电极结构示意图 ; [0027] 图 3 是实施例 2 制备的硅异质结太阳电池的金属栅线电极结构示意图 ; [0028] 图 4 是根据本发明一个实施例的硅异质结太阳电池的结构示意图具体实施方式 [0029] 下面详细描述本发明的实施例, 所述实施例的示例在附图中示出, 其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件下面通过参考附图描述的实施例是示例性的, 旨在用于解释本发明, 而不能理解为对本发明的限制 [0030] 在本发明的描述中, 需要理解的是, 术语中心纵向横向长度宽度厚度上下前后左右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系, 仅是为了便于描述本发明和简化描述, 而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位以特定的方位构造和操作, 因此不能理解为对本发明的限制 [0031] 此外, 术语第一第二仅用于描述目的, 而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量由此, 限定有第一第二的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征在本发明的描述中, 多根的含义是至少两根, 例如两根, 三根等, 除非另有明确具体的限定 [0032] 在本发明中, 除非另有明确的规定和限定, 术语安装相连连接固定等术语应做广义理解, 例如, 可以是固定连接, 也可以是可拆卸连接, 或成一体 ; 可以是机械连接, 也可以是电连接 ; 可以是直接相连, 也可以通过中间媒介间接相连, 可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系, 除非另有明确的限定对于本领域的普通技术人员而言, 可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义 [0033] 在本发明的第一方面, 本发明提出了一种硅异质结太阳电池的金属栅线电极根据本发明的实施例, 参考图 1, 该金属栅线电极包括 : 主栅线 100 第一组副栅线和第二组副栅线其中, 第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线 200, 第一组副栅线垂直且相交于主栅线 100 设置 ; 第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线 300, 第二组副栅线平行于主栅线 200 且与第一组副栅线相交设置 [0034] 需要说明的是, 图 1 中第一组副栅线 200 的分布仅作示意, 第一组副栅线 200 的数目并不受图 1 限制 [0035] 根据本发明实施例的金属栅线电极, 采用单根主栅线的设计可减少对电池光作用面的遮挡, 同时通过相互垂直的两组副栅线补偿主栅线数目减少而导致的串联电阻的提 6

7 4/6 页高, 既减少了金属电极对电池光作用面的遮挡, 又保证了良好的电流收集效率, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而提高了太阳电池的性能 [0036] 根据本发明的实施例, 一条主栅线设置在电池的前表面和 / 或背表面根据本发明的一些实施例, 对于前表面和 / 或背表面呈矩形或圆角矩形的太阳电池, 主栅线可设置为平行于电池的任意一对相对边缘, 且位于电池前表面和 / 或背表面的中央或者偏离中央的任一侧 [0037] 根据本发明的具体实施例, 主栅线的宽度为 0.3~3mm, 高度为 15~50μm 由此, 可以在提高电流收集效率的同时, 进一步降低主栅线对电池光作用面的遮挡, 提高电池效率 [0038] 根据本发明的实施例, 第二组副栅线可以全部分布在主栅线的一侧, 也可以分布在主栅线的两侧 ; 第二组副栅线在主栅线两侧设置的数目可以相同, 也可以不同 [0039] 根据本发明的具体实施例, 第二组副栅线中的多根副栅线可以等间距布置, 第二组副栅线中相邻两根副栅线之间的间距也可以沿远离主栅线的方向逐渐增加由于距离主栅越近, 电流密度越大, 在保持第一组副栅线宽度不变的情况下如此设置有利于缓冲第一组副栅线的电流负担 [0040] 根据本发明的实施例, 第二组副栅线可以包括 2~100 根平行布置的副栅线 [0041] 根据本发明的实施例, 第一组副栅线的多根副栅线可以为等间距布置, 也可以呈疏密相间分布由此, 第一组副栅线与第二组副栅线的图形匹配获得电流收集和电极遮光之间的平衡 [0042] 根据本发明的实施例, 第一组副栅线可以包括 50~160 根平行布置的副栅线 [0043] 根据本发明的具体实施例, 上述副栅线的宽度为 20~50μm, 高度为 15~50μm 可以进一步降低副栅线对电池光作用面的遮挡, 提高电池效率 [0044] 根据本发明的具体实施例, 上述主栅线和副栅线可通过物理气相沉积 (PVD) 丝网印刷电镀等方式其中的至少一种而形成 [0045] 根据本发明的具体实施例, 上述主栅线和副栅线包括 Cu 或 Cu 与 Mo W Ti Ni Cr Al Mg Ta Sn Zn Ag P 中的至少之一所形成的合金, 或者, 上述主栅线和副栅线包括 Ag 或 Ag 的合金 [0046] 由此, 根据本发明实施例的金属栅线电极, 采用单根主栅线的设计可减少对电池光作用面的遮挡, 同时通过相互垂直的两组副栅线补偿主栅线数目减少而导致的串联电阻的提高, 进而通过对主栅线和两组副栅线参数的优化, 既减少了金属电极对电池光作用面的遮挡, 又保证了良好的电流收集效率, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而提高了太阳电池的性能 [0047] 在本发明的第二方面, 本发明提出了一种硅异质结太阳电池根据本发明的实施例, 参考图 4, 该硅异质结太阳电池包括 :n 型晶硅衬底 1 第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层 2 第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层 3 重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层 4 重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层 5 第一透明导电氧化物层 6 第二透明导电氧化物层 7 以及上述实施例所述的金属栅线电极 8 [0048] 其中, 第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层 2 形成在 n 型晶硅衬底 1 的上表面 ; 第二轻掺杂 n 型氢化非晶硅层 3 形成在 n 型晶硅衬底 1 的下表面 ; 重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层 4 形成在第一轻掺杂 n 型氢化非晶硅层 2 的上表面 ; 重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层 5 形成在第二轻掺杂 7

8 5/6 页 n 型氢化非晶硅层 3 的下表面 ; 第一透明导电氧化物层 6 形成在重掺杂 p 型氢化非晶硅发射极层 4 的上表面 ; 第二透明导电氧化物层 7 形成在重掺杂 n 型氢化非晶硅背场层 5 的下表面 ; 金属栅线电极 8 形成在第一透明导电氧化物层 6 的上表面和第二透明导电氧化物层 7 的下表面 [0049] 根据本发明实施例的硅异质结太阳电池, 通过采用上述实施例的金属栅线电极结构, 采用单根主栅线的设计可减少对电池光作用面的遮挡, 同时通过相互垂直的两组副栅线补偿主栅线数目减少而导致的串联电阻的提高, 既减少了金属电极对电池光作用面的遮挡, 又保证了良好的电流收集效率, 实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡, 从而具有更高的性能 [0050] 下面参考具体实施例, 对本发明进行描述, 需要说明的是, 这些实施例仅仅是描述性的, 而不以任何方式限制本发明 [0051] 一般方法 [0052] 以 156mm 156mm 的 n 型单晶硅为基底制备的硅异质结太阳电池将清洗制绒后的 n 型单晶硅片在前表面依次沉积 ~5nm 的轻掺杂 n 型非晶硅 ~10nm 的重掺杂 p 型非晶硅发射极层和 ~80nm 的掺锡氧化铟 (ITO) 薄膜, 背表面依次沉积 ~5nm 的轻掺杂 n 型非晶硅 ~10nm 的重掺杂 n 型非晶硅背场层和 ~80nm 的 ITO 薄膜, 其中, 上述轻掺杂 n 型非晶硅的掺杂浓度在 10 8 ~10 17 /cm 3 范围 [0053] 实施例 1 [0054] 采用一般方法制备得到的硅异质结结构, 在该结构的前表面和背表面制备如图 2 所示电极图案的金属栅线电极 [0055] 参考图 2, 主栅线 101 位于电池中央, 其宽度为 0.5mm, 厚度为 23μm, 主栅线为整体实心的 ; 副栅线的宽度为 45μm, 厚度为 23μm 第一组副栅线 102 中相邻栅线间隔为 1.5mm, 数目为 100 根, 在电池表面等间距排布, 第二组副栅线 103 包括 6 根均匀排列于主栅线两侧的细栅线, 且主栅线两侧的副栅线相对于主栅线对称分布电池的前表面和背表面采用对称的电极结构 [0056] 在上述已沉积 ITO 层的硅片表面, 按照如下步骤制备上述的金属栅线电极结构 : [0057] (1) 采用磁控溅射法在 ITO 表面形成一层 20nm 厚度的 Cu 金属层 [0058] (2) 在如上 Cu 金属层表面旋涂形成一层光阻膜, 并加热烘干形成干膜 [0059] (3) 用具有如上所述电极图案的掩膜板曝光后显影, 露出需形成预定电极的位置 [0060] (4) 采用电镀法在电极位置处形成 20μm 厚的 Cu 金属层 [0061] (5) 采用丝网印刷的方法, 将锡剂低温浆料印刷在 Cu 金属层的顶部 [0062] (6) 用溶剂去除干膜以及干膜覆盖下的 Cu 金属层 [0063] (7) 在惰性气体保护环境中加热电极到 220, 在该温度下保持 45min, 由此形成具有上述结构的金属栅线电极 [0064] 实施例 2 [0065] 采用一般方法制备得到的硅异质结结构, 在该结构的前表面和背表面制备如图 3 所示电极图案的金属栅线电极 [0066] 参考图 3, 主栅线 201 位于电池中央, 其宽度为 0.85mm, 厚度为 28μm; 副栅线的宽度为 48μm, 厚度为 28μm 第一组副栅线 202 中相邻栅线间隔为 2.0mm, 数目为 76 根, 在电池表面 8

9 6/6 页等间距排布第二组副栅线 203 包括 12 根副栅线, 副栅线之间的间距随副栅线与主栅线距离的增加而增加, 且主栅线两侧的副栅线相对于主栅线对称分布电池的前表面和背表面采用对称的电极结构 [0067] 在上述已沉积 ITO 层的硅片表面, 按照如下步骤制备上述的金属栅线电极结构 : [0068] (1) 采用磁控溅射法在 ITO 表面形成一层 20nm 厚度的 Cu 金属层 [0069] (2) 在 Cu 金属层表面旋涂形成一层光阻膜, 并加热烘干形成干膜 [0070] (3) 用具有如上所述电极图案的掩膜板曝光后显影, 露出需形成预定电极的位置 [0071] (4) 采用电镀法在电极位置依次形成 25μm 厚的 Cu 金属层和 3μm 厚的 Sn 金属层 [0072] (5) 用溶剂去除干膜以及干膜覆盖下的 Cu 金属层 [0073] (6) 在惰性气体保护环境中加热电极到 220, 在该温度下保持 45min, 由此形成具有上述结构的金属栅线电极 [0074] 在本的描述中, 参考术语一个实施例一些实施例示例具体示例或一些示例等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征结构材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中在本中, 对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例而且, 描述的具体特征结构材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合此外, 在不相互矛盾的情况下, 本领域的技术人员可以将本中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合 [0075] 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例, 可以理解的是, 上述实施例是示例性的, 不能理解为对本发明的限制, 本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化修改替换和变型 9

10 附图 1/2 页图 1 图 2 10

11 附图 2/2 页图 3 图 4 11

兽医临床诊断学实验指导

兽医临床诊断学实验指导兽医临床诊断学实验指导河北科技师范学院动物科学系临床兽医学实验室 2009 年 2 月目录学生实验守则... 3 实习一动物的接近保定和基本检查法...4 实习二临床基本检查法及一般检查...10 实习三循环系统的临床检查...15 实习四