第 四 章

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1 第四章記憶體產業分析 記憶體是半導體產業下游產業之一, 主要適用於電子產品之資料儲存或記憶程之用, 被廣泛運用於電腦 手機 數位相機等相關電子 本章節將依記憶體定義開始, 述及產品運用及記憶體製造產業特性 第一節記憶體及運用據 Dataquest 的分類, 記憶體依製程分為 MOS Memory 及 Bipolar Memory (Dataquest-Semiconductor Market Definitions, Jan 1999) Bipolar Memory 速度較快, 多使用於大型電腦或高速通訊系統上, 隨著大型電腦的式微及 MOS Memory 速度的提升,Bipolar Memory 已逐漸淡出市場,MOS Memory 成為市場主流 MOS Memory 分為揮發性 (Volatile), 非揮發性 (Nonvolatile) 和特殊性 (Specialty) 等三種 : 揮發性 (Volatile):DRAM 及 SRAM, 但是當電源關閉時, 儲存於該記憶體的資料將立即消失, 導致重新開機時, 必須等待龐大作業系統載入的時間 非揮發性 (Nonvolatile):ROM EPROM EEPROM 及 Flash 當電源關閉時, 儲存於該記憶體的資料不會消失 特殊性 (Specialty):FIFO,Dual Port 及 Video RAM 一. 記憶體的條件理想的記憶體該具體何種特性? 除了反應速度 (access speed) 快之外, 尚須具備三項基本條件 : 高容量發展性 (high density) 可無限次讀寫及非揮發性 (Nonvolatile) 動態記憶體(DRAM) 在反應速度和無限次讀寫表現突出, 加上成本低廉, 至今仍是電腦 (PC) 市場的主流, 但 DRAM 有揮發性的缺點, 而非揮發性的產品 :ROM EPROM EEPROM 及 Flash, 卻有各不相同的特性, 如讀寫次數及速度不若 DRAM 佳 以消費性電子產品應用的速度效能及範圍, 快閃記憶體 (Flash Memory) 是次於 DRAM, 在效能上令人接受, 加上低廉製造成本, 逐漸在記憶體市場佔有相當重要的地位 ( 拓樸產業研究所,2004) 亦即不同電子產品, 依其運用結構差異, 搭配不同規格記憶體 二. DRAM 功能 發展與運用 DRAM 主要功能, 是來儲存執行作業所須的暫時指令以及資料, 以使電腦的 CPU( 中央處理器 ) 能夠更快速讀取儲存在記憶體的指令及資料 一般的電腦從記憶體存取大約需要 200ns( 奈秒 ), 假如電腦內沒有記憶體, 而是單純利用硬碟, 29

2 則需要 12,000,000ns, 具體來說就等於花四個半月的時間來完成三分半中就能完成的工作! 這就說明電腦中硬碟及 DRAM 是必備的裝置, 硬碟是儲存資料, 而 DRAM 是用來執行程式 從獨立研究機構,Mindcraft, 專門研究定量分析, 其發現當 DRAM 容量增加時, 整個電腦運作效能會大幅提高, 其中一項 DBMS SEVER TESTING 在 Window 2002 Advanced Sever 環境下, 由基本的記憶體 512Mb 容量增加到 4Gb 容量時, 整個作業效能可以曾提高到 1458%( 這也造成消費者, 可以依據實際需要安裝適當的記憶體容量, 而記憶體模組就是依單獨記憶體不同的容量, 組裝成不同容量的模組 (module), 讓消費者可以很容易的讓電腦依個人需求裝置不同容量的記憶體模組 自 1980s 開始,DRAM 也隨著 CPU 的速度及結構要求, 發展出不同的階段, 如圖 4-1 世代技術演進與應用 這代表著 DRAM 發展與其周邊產業息息相關, 例如隨著 DRAM 技術的提升, 由 1987 年的 FPM (Fast Page Mode) EDO SDRAM DDR 發展至現在的 DDR II, 這同時期晶圓廠的發展, 也是由 6 吋 8 吋到今日的 12 吋晶圓廠 ; 製程微型化下, 從 0.3μm 到 2004 年的 0.11μm,2006 年更是突破 0.09μm 往 0.075μm 邁進 ; 徨論 CPU 在 1987 年時還是 286, 現在已經是 P4 的界限 ; 至於軟體功能, 也是一般目前是 Windows XP 而在 2007 年將有新的作業系統 圖 4-1 DRAM 世代技術演進與應用資料來源 : 集邦科技 (2005) 30

3 目前 DRAM 主要是以 DDR II 為主流, 這是因為擁有低功率 ( 降低功耗 ) 低耗電 散熱佳 讀取速度快 高容量 小型化 (FBGA 封裝 ) 等多元化特性 明顯的可以取代 SDRAM 和 DDR SDRAM, 使用於桌上型電腦 伺服器 筆記型電腦 電腦繪圖卡外, 亦可以運用於手機 PDA 數位相機 數位視訊轉換盒(STB,Digital Set-top Box) DVD 錄放影機 導航系統 汽車電子等 雖然如此,EDO SDRAM 及 DDR 在市場上仍舊有部份需求, 但需求率將日漸減少 三. Flash 功能與發展 Flash 分為儲存程式碼用的 Code Flash, 和儲存資料用的 Data Flash( 拓樸產業研究所,2004) Code Flash 依結構不同, 可再細分為 NOR Flash MLC (Multi Level Cell)NOR Flash DINOR Flash 和 MirrorBit Flash, 為簡化敘述將 Code Flash 一律稱之為 NOR Flash 同樣的 Data Flash 也可以分為 NAND Flash MLC NAND Flash AG-AND Flash 和 TwinFlash, 為簡化敘述將 Data Flash 一律稱之為 NAND Flash Code Flash 的特色在於讀取速度快, 適合讀取機會多 寫入機會少的應用, 如儲存消費性電子產品的內建程式 ;Data Flash 則是寫入速度快, 因此適合應用於寫入機會多 讀取機會少, 如數位相機存放相片的記憶卡及 USB (Universal Series Drive) 行動儲存裝置 NOR Flash 的尺寸比 NAND Flash 大出 2 倍以上, 因此, 在 Flash 微縮製程競賽中,NAND Flash 占盡優勢, 而順理成章的朝高容量發展 Code Flash / NOR Flash 超過 50%, 主要應用於手機市場, 功能是儲存程式, 其餘分佈在硬碟 (Hard Disk Drive) PDA 雷射/ 噴墨印表機 CD / DVD 燒錄器 /Player 傳真機 數位相機 網路相關產品等不勝枚舉, 亦即其已經被組裝在產品內, 而無法與產品單獨分割 Data Flash / NAND Flash 主要是運用於小型記憶卡, 例如,SD MMC CF Memory Stick MP3 Mini SD RS MMC 等趨向於高容量和微型化 第二節記憶體製造產業自 1960s 英特爾 (Intel) 發展第一個 64 字元 記憶體開始後, 其間有十餘廠商投入該項產品, 至 1970 年代結束, 英代爾 三個字彷彿是記憶體的代名詞 但自 1980 年代開始日本記憶體廠商崛起, 英代爾轉戰中央處理器 (Center Process Unit,CPU),1990 年代韓國記憶體廠商成為記憶體的霸主, 直至今天動態記憶體在 2005 全球的產值為 240 億美金 由於動態記憶體的生產設備及製程, 亦可以使用於 Flash 的生產, 許多動態 31

4 記憶體的製造廠商, 大多將 Flash 列為其產品之一 1996 年之前,Flash 的全球產值不到 20 億美金,1999 年有 45 億美金, 到 2005 年已經超過 180 億美金, 這是拜行動電話, 數位相機,MP3,USB drive 等在市場需求呈現倍數成長 這讓原來只佔一小部份產能的動態記憶廠商, 紛紛擴大其生產比重 ; 或讓原來沒有生產 Flash 的動態記憶廠商, 也相繼投入 一. 全球記憶體製造商現況 40 餘年來, 記憶體產業歷經數次的產業整合, 在 2000 年前有 15 家 DRAM 製造商 : 三星 海力士 美光 IBM NEC 日立(Hitachi) 三菱(Mishubishi) 東芝 (Toshiba) 爾必達 英飛凌 南亞(Nanya) 力晶(Power Chip) 茂德 (Promos) 華邦(Winbond) 世界先進(Vanguard), 現只剩下 9 家 : 三星 海力士 美光 爾必達 英飛凌 南亞 力晶 茂德及華亞 (Inotera, 南亞與英飛凌合資,2005 年開始量產 ) 而前五大廠,( 三星 海力士 美光 爾必達 英飛凌 ),2005 年全球市場佔有率超過 80%< 表 4-1> 以 市場集中度 來衡量, 該記憶體產業是明顯的寡佔市場 表 年全球前 10 大 DRAM 廠營收 單位 : 百萬美元 2005 年排名 2004 年排名 公司 營收 年成長率 市佔率 1 1 三星 7, % 30.1% 2 2 海力士 4, % 16.6% 3 3 美光 3, % 15.4% 4 4 英飛凌 3, % 13.0% 5 5 爾必達 1, % 7.2% 6 7 南亞科 1, % 6.1% 7 6 力晶 1, % 4.9% 8 8 茂德 % 3.6% 9 10 鈺創 % 0.6% 10 9 晶豪 % 0.6% 其他 % 1.9% 總計 24, % 100.0% 資料來源 :isuppli 電子時報整理(2006) Flash 在 2005 年的表現已經突破 180 億美金 < 表 4-2> 由於 Flash 應用分為 NOR 及 NAND 不同, 製造廠商分為二個不同陣營, 一個是以英特爾為主的 NOR 供應商, 另外一個是以三星及東芝為主的 NAND 供應商 依據 2004 年及 2005 年的 Flash 銷售,NAND 的銷售大幅成長而 NOR 有衰退的現象 這是因為 NOR Flash 是運用於產品內, 如行動電話 數位相機, 並連同其他零件組裝在 PCB 上, 但是 32

5 NAN Flash 的運用, 主要是組合成單獨的產品, 如 USB Drive,SD,MMC 等當做 外部 資料儲存使用, 幾乎不是內建在電子產品內 也就是說消費者購賣一個主要產品後, 如數位相機, 內已有 NOR, 但消費者可以依實際需要購買一個或數個不同記憶容量的小型記憶卡, 如 SD MMC 等 因為運用上的不同, 使得 NAND Flash 的需求比 NOR Flash 高出很多 難怪 Intel 與 Micron 合資設立 IM 公司生產 NAND Flash IM 產出 50% 將交給 Intel, 如此一來,Intel 也可以增加 NAND Flash 的產品線, 而 Micron 也可以獲得 Intel 在 Multi Level Cell 的技術 表 年 Flash 前 10 大廠商排名 單位 : 百萬美元 排名 供應商 2004 年銷售額 2005 年銷售額 市佔率 年增率 重點產品 1 三星 4,475 6,580 35% 47% NAND 2 東芝 2,206 2,500 13% 13% NAND 3 英特爾 2,285 2,278 12% 0% NOR 4 Spansion 2,343 1,912 10% -18% NOR 5 意法 1,169 1,320 7% 13% NOR 6 海力士 220 1,260 7% 473% NAND 7 夏普 % -5% NOR 8 瑞薩 % -4% NAND 9 SST % -3% NOR 10 美光 % 1733% NAND 資料來源 :IC Insights 電子時報整理(2006) 二. 記憶體製造價值鏈記憶體的價值鏈過程, 如圖 4-2 記憶體流程, 將分成晶圓及封裝測試二大部份探討 這是因為國際大廠幾乎是已經將晶圓製造與封裝整合在一起, 台灣的記憶體產業卻是專業分工, 分為晶圓及封裝測試 目前 DDR II 為 DRAM 主流, 一些大廠因為封裝測試產能不足, 紛紛至台灣尋找封裝測試供應商 生產廠房 晶圓切割 晶圓製造 晶圓測試 DIE 封裝 記憶體成品 製程能力 CHIP 測試 圖 4-2 記憶體流程 33

6 1. 晶圓製造 : 在晶圓 (Wafer) 製造過程中, 首重廠房設備 製程能力及技術 這是因為若是廠房設備可以生產出較大尺寸的晶圓, 對成本效率有莫大的幫助, 分為 6 吋 8 吋及 12 吋晶圓廠房設備 先進 12 吋晶圓廠的建造成本超過 30 億美金, 廠房設備折舊金額龐大, 若不能儘速投入量產, 將會對廠商造成虧損或是資金壓力 製程能力 (process), 目前分為 0.13 μm 0.11μm 0.09μm 等,Intel 甚至已經將其製程能力推向 0.065μm 及 0.045μm 當製程能力可以使用 0.09μm 再加上 12 吋晶圓, 將使得晶圓產出量增加, 相對的成本就降低 製程能力可以自行研發, 亦可以向已經有此能力的廠商 購買 以 DRAM 產業市場聚焦暨發展熱點評析 ( 拓樸產業研究所, 2005) 指出以 8 吋晶圓廠 0.11μm 製程 256Mb DDR 考慮理論顆粒產出 85% 良率, 平均成本將是美金 3.23 元 在相同情況下若是以 12 吋晶圓廠製造, 平均成本將降至美金 2.29, 成本降低幾乎達 1/3 記憶體或是 Flash 都有專業的技術 DRAM 技術分為二大陣營 : 堆疊 (stack) 及溝槽 (trench), 國際大廠對此二者都擁有各自的專利 台灣記憶體廠商起步較晚, 所以此部份是與國際大廠配合採技術授權方式 雖然 Flash 在應用上有 NOR 及 NAND, 但是技術亦分為很多種, 如三星以 Single Cell 為主, 而東芝是 Multi Level Cell(MLC) 等 由於 MLC 可以在成本 記憶容量及晶片大小有明顯的優勢, 許多供應商已經開始研發 MLC 技術, 如三星 海力士及剛成立的 IM 等 Wafer test 是指晶圓未封裝前的測試, 經此篩選出合乎品質要求的晶圓 此部份大都是晶圓廠自行掌控 因為 12 吋晶圓廠有明顯的生產效益, 台灣相關廠商分別在 2004 年 年籌集資金, 如力晶向交通銀行等 7 家銀行聯貸新台幣 120 億 南亞科技向第一銀行等 18 家銀行聯貸新台幣 280 億及茂德向合作金庫等 11 家銀行聯貸新台幣 100 億 ( 拓樸產業研究所,2005) 全球 DRAM 12 吋產能比重 < 表 4-3>,12 吋晶圓廠產能約當 2.25 倍 8 吋產能, 而英飛凌部分已經包括華亞 ( 英飛凌與南亞科各分一半 ) 產出部份 由此可以看出 12 吋產廠是未來 DRAM 廠投入的趨勢 表 4-3 全球 DRAM 12 吋產能比重 每月產能, 千片,2005, 第 4 季, 預估 公司 8 吋廠 12 吋廠約當 8 吋廠 12 吋產能所佔比率 三星 % 美光 % 海力士 % 英飛凌 % 34

7 爾必達 % 力晶 % 南亞科技 % 茂德 % 中芯 % 資料來源 : 拓樸產業研究所 (2005) 雖然建廠一旦完成, 記憶體廠面對的是另外一個問題, 製程, 因為, 大尺寸的晶圓伴隨微型化的製程, 才能將成本效益發揮至極限 而此部份, 困難度是相當高, 徨論台灣記憶體廠商, 就是國際大廠也會面對同樣的歷程 當固定的廠房設備, 在轉換製程時, 若發生製程不良或是轉換過程有瓶頸時, 此產能將降低, 影響所及是供應面不足, 市場價格立即反應 -- 漲價, 如英飛凌於 2005 年 1 月 0.11μm 製程不良, 有 30,000 片的晶圓無法出貨, 導致價格暴漲 三星於 2005 年第 3/4 季無法轉入 0.09μm 製程, 使得 DRAM 連續 3 月上漲 三星與海力士於 2005 年 7 月因為 NAND Flash 製程不順, 導致 8 月缺貨 ( 電子時報,2006) 2. 封裝測試 : 此部份屬於 IC 製程後半段 產品封裝約可分為 DIL(Dual in Line) 雙排腳 SO (Small Outline) 小外觀包裝 QFP(Quad Flat Package) 四面腳 BGA(Ball Grid Array) 球距陣 PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier) 短腳式 Flip Chip Chip Scale Package 等主要包裝 受惠於行動電話及電腦相關產業的需求, 零件微型化及產品運算速度的提高,BGA 封裝成為主要產品 傳統的封裝製造流程, 是銜接晶圓製造 晶圓測試, 從晶圓切割, 成型到成品測試 而 BGA 的流程是由原來的 IC 導線架改為錫球及覆晶基板 ( 吳安靜,2004) 隨著 DRAM 速度的提高, 其規格由早期的 DIP SOJ TSOP 到現在 DDR II 的 FBGA, 封裝成本由 $0.25/TSOP 提高至 $0.6/FBGA, 另外,DDR II 速度超過 400Mhz, 所需要的測試機台更是昂貴,DDR I TSOP 速度在 500 Mhz 的測試機台單價約 6,000 萬 -7,000 萬台幣, 相對於 DDR II FBGA 速度超過 500 Mhz 的測試機台為 1.5 億 -2 億台幣 封裝測試業投資成本增加, 而單位成本也比以往高很多 這也讓許多國際大廠因為封測能力不足, 紛紛至台灣尋找配合廠商 三. 記憶體產業鏈事實上, 整個記憶體產業鏈所創造的營業額及就業人數是非常龐大的 從晶圓廠的機器設備 原料 製程技術 晶圓生產 測試 晶圓切割 封裝 測試到模組組裝 依工研院電子所 IT IS 計劃 (1999) 顯示, 整個記憶體由原料到顆粒成品, 約需 週 ( 晶圓生產及測試約 8 週, 切割 封裝及測試約 2 週 部份國際大廠, 如三星, 生產週期可以縮短至 40 天 ) 記憶體生產過程繁複, 為降低成本, 規模經濟生產是必然的, 而計劃生產量幾乎是每一供應商的作業方式, 換 35

8 句話說, 記憶體供應商無法因為今天市場價格下跌, 明天就馬上更換產品線! 以往, 記憶體製造商的產品比較單純, 除了主流產品外, 少部份生產非主流產品 但自從加入 Flash 產品線後, 生產規劃上又增加一個重要變數, 這是因為晶圓廠的建立需要時間及龐大資本, 除了封裝測試是可以外包給其他廠商, 但晶圓廠中的任一製程是無法切割, 以外包方式進行, 所以短期內生產能力是固定的 若是將生產線由 DRAM 撥至 Flash,DRAM 產出減少, 而 Flash 產出增加,DRAM 供給明顯受到影響, 如三星在 2004 年曾將三個 8 吋及一個 12 吋生產線由 DRAM 轉至 Flash 以 Flash 需求成長快速, 利潤相對比 DRAM 好, 供應商勢必會調整生產規劃, 由於是計劃生產 因此, 在記憶體供應面的調整已經不是以往以 3 個月為一期, 無論 DRAM 或 Flash 有需求缺口時, 整個空窗期會遠超過 3 月 記憶體供應商所採取的作法不外乎, 提高良率 微縮製程等 有必要的話併購其他 12 吋廠 ( 如力晶購入旺宏 12 吋廠 ) 最後才是籌建新廠 四. DRAM 及 Flash 未來產量及產能分配多數 DRAM 廠的 8 吋廠, 因無法繼續升級至下世代製程技術, 如 0.09μm 製程, 若繼續生產 DRAM, 明顯的未來將失去競爭力, 而陸續被淘汰, 但卻可以將此 8 吋設備使用於 Flash 生產, 尤其是 NAND Flash NAND Flash 在 2006 年第一季的跌幅超過 2005 年整年度的價格下挫,DRAM 廠還是持續的增加 NAND Flash 的產出 原因之一是 NAND Flash 利潤, 遠遠高於 DRAM, 這也難怪只要投入 NAND Flash 產能的 DRAM 廠, 就不太願意再將產能轉回 DRAM 2004 年第一季產出而言,8 吋廠有 78% 的產出是 DRAM,12% 是 Flash; 預計到 2006 年第四季 8 吋廠約剩 55% 的產出是 DRAM,30% 是 Flash, 亦即 8 吋廠的未來發展將是以 Flash 為主要生產線 在此情況下,DRAM 產能增加絕大多數在來自於製程技術轉進, 以及新增 12 吋產能 然而,NAND Flash 的需求及成長速度持續提升,DRAM 廠勢必將部份 12 吋產能轉至 Flash 2004 年 1 月份 DRAM 月產出約 3 億顆, 估計到 2006 年 12 月的月產出為 10 億顆 圖 年 12 吋晶圓廠 DRAM 及 Flash 產能, 隨著各 12 吋廠產能陸續生產, 伴隨 0.11μm 及 0.09μm 製程,DRAM 產量為主力, 這是因為必須彌補 8 吋生產線轉至 Flash 的供應缺口 雖然,Flash 生產主要為 8 吋廠, 但部份 12 吋廠也會投入 Flash 生產, 預估至 2006 年第四季, 約有 10% 的 12 吋產能轉至 Flash 這代表著記憶體製造廠商, 可以藉由 DRAM 及 Flash 不同產品, 依最大效益計劃生產 DRAM 或者 Flash 36

9 圖 年 12 吋晶圓廠 DRAM 及 Flash 產能 五. DRAM 及 Flash 未來需求趨勢 DRAM 主要運用於 PC 產業, 除非 PC 面臨規格交替, 或是供需失調, 例如在 2000 年時, Y2K 效應帶來換機潮 2002 年 DRAM 規格由 SDRAM 轉至 DDR I 以及 0.18μm 轉至 0.13μm 造成供不應求 2004 年記憶體容量由 256Mb 提升至 512Mb 以及 0.13μm 轉至 0.11μm,12 吋廠需求日增 2006 年 NAND Flash 佔有一定的產出, 導致 DRAM 供給趨緩, 而微軟將發行新的作業軟體, 會引發另一波需求 但隨電腦普及,PC 產業的年成長已經趨緩, 由圖 全球 DRAM 市場預估, 可以看出近 5 年內市場需求為 240 億美元至 310 億美元之間 但 NAND Flash 的市場需求預估卻是由 2005 年的 108 億美元成長至 2009 年 262 億美元, 如圖 全球 NAND Flash 市場預估, 此成長來自於數位產品及外接記憶卡 這也可以得知 DRAM 供應商的未來成長空間將在 NAND Flash 圖 全球 DRAM 市場預估 37

10 圖 NAND Flash 第三節記憶體製造產業分析明顯的, 記憶體產業是寡占市場 美光在美國獨大, 爾必達佔據日本市場, 海力士為中國市場第一品牌, 英飛凌擁有歐洲市場, 三星則在各市場佔有一定的市場需求, 這五廠商已經供應全球市場超過 80% 以上, 剩餘的部份則由台灣業者, 如南亞 力晶 茂德及華亞提供 台灣業者藉由技術移轉, 進入記憶體產業 但雖然是寡占市場, 其產業的進入障礙高, 退出產業的代價也相當可觀, 持續不斷的資本 研發 技術投入是該產業的重要特色,( 如 12 吋晶圓廠的建廠成本高達 30 億美元 ) 若沒有製程能力, 是無法達到成本降低的要求 各家的技術又有其專利, 不是自行研發就必須靠技術移轉 持續投入新世代 DRAM 研發 發展高容量 Flash 既然, 投入成本高, 進入障礙困難, 產業集中, 記憶體製造商實應可以獲致可觀的利潤, 但從實務而言, 寡佔市場下各製造商之間競爭激烈, 為爭取市場佔有率, 不得不投入鉅額資源, 但價格卻呈現下降趨勢, 如圖 4-6 DDR 價格趨勢及圖 4-7 NAND Flash 價格趨勢 整體而言, 記憶體產業有寡佔 追求低成本 策略聯盟 產品多角化及產品生命週期短之產業特性 : 一. 寡佔市場記憶體產業自從 1970s 年代開始, 經過數次的產業整合, 有許多 DRAM 製造商, 面臨競爭而轉換產品或被併購, 剩下的只有不到 10 家, 如德儀 (TI, 美國 ), 世界先進 ( 台灣 ), 沖電 (OKI, 日本 ), 最有名的當屬英代爾 (Intel) 退出記憶體生產 38

11 圖 4-6 DRAM 價格趨勢資料來源 : 集邦科技 (2003) 圖 4-7 NAND Flash 價格趨勢 整合後, 因為 DRAM 的需求日增, 每一供應商的規模日漸壯大, 與相關產業的聯結也相當緊密, 如封裝測試, 及設備供應商, 而逐漸形成進入障礙, 或者是退出障礙 要進入此行業, 不僅要龐大資金, 微縮製程能力, 記憶體技術, 晶圓廠, 也要有下游的客戶吸納規模經濟生產後產品 每一供應商對競爭對手的行為都非常清楚, 甚至於可說採取的策略大同小異 主要記憶體供應商來自美國 日本 韓國 德國及台灣, 以往可以藉著聯合價格, 政府補助等方式, 增加銷售, 但是, 已經有當地政府涉入, 一旦發現有補貼或勾結之事, 反侵銷的訴訟或是高關稅壁壘馬上會阻斷該供應商銷往該國的交易 寡佔下的供應商已經無法操控價格, 賺取超額利潤 換句話說, 各記憶體供 39

12 應商已經成為該國的代表產業, 是國家與國家間的競爭 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council, 是由全球近 270 公司組成的協會, 內有 50 個不同的委員會以符合各個不同產業 製造商及消費者的需要.) 所訂定的規格為標準 其中有一個委員會是負責記憶體產業, 會員包括記憶體供應商 記憶體模組業 系統供應商 ( 如 IBM HP DELL) 關鍵零件 ( 如 Intel TI) 在這委員會下, 各會員共同規範統一規格, 發展新世代產品, 而各會員也可以藉此委員會的周告各會員其已取得的專利及制程能力 這讓產業內相關人員對資訊更加透明 在此委員會下, 優點是規格統一, 排除相容性問題, 推廣使用, 促成未來成本的下降, 缺點是每一供應商都依此規格進行, 幾乎沒有任何差異性, 大宗產品的特性由此產生, 而各家現在及未來會進行的產品規劃也一目了然! 記憶體產業, 生產前要投入龐大資源, 為了降低成本, 及折舊費用分攤, 便必需以計劃生產擴大規模經濟 無論是 DRAM 或是 Flash 生產, 即使是制程相當, 但轉換生產線, 或製程更迭, 都會造成數週或數月的影響, 這使得記憶體製造廠商, 不輕易更換生產項目及製程 而生產數量將不是幾家客戶可以吸納 依集邦科技統計, 自 2006 年 1 月份至 4 月份的 DRAM 產出分別為 及 750 million pcs, 市場上可以一次採購百萬顆以上的客戶, 為數不多 這造成了記憶體產業是寡佔生產, 而客戶也是寡佔購買 這其間必須維持適當的平衡, 每一供應商都跟大部份的客戶有交易來往, 而每一客戶不會將主要採購集中在某一供應商上 近來台灣供應商有提供所謂的 ETT 記憶體, 這促成另外一個價格制衡 所謂 ETT 記憶體有下列特色 : 晶圓生產 晶圓測試程序 晶圓切割及晶圓封裝程序不變 ; 封裝後的顆粒必須經過基本測試 ; 該批只有固定比率的顆粒, 經過完整測試, 而剩下部份的顆粒不做進一步的測試 ; 由經過完整測試顆粒結果, 推論其餘顆粒的良率 ; 未做完整測試的顆粒, 所節省的測試成本, 反應在售價上, 而且不標示顆粒製造廠商為何 此現象, 對記憶體供應商與模組業者是互利行為 記憶體供應商的製程成熟度必須有一定的把握, 台灣記憶體供應商以價格取勝爭取更多的模組業者, 不只測試成本的節省 ( 測試成本是以秒計算 ), 也提高產出效率 ( 不必增加測試機台, 就可以維持一定的產出量 ) 而記憶體模組業者, 除了可以節省成本外, 最重要的是可以在記憶體上標示特有的品牌, 增加差異化及市場區隔 二. 資本密集, 技術密集, 進入門檻高, 但成本考量是決勝點雖然, 記憶體是高科技產業下的一個關鍵零件, 成本仍舊是重要因素 與其他產品一樣, 品質提升及降低成本是讓產品普及的不二法門 Intel 當初會退出記憶體生產, 是因為其成本無法與日本廠商競爭, 而現在韓國廠商亦以成本優勢取代日本廠商 依照工研院電子所 ITIS 計劃 (1999) 所提出的, 歷年來 DRAM 價格 ( 百萬分之一美分 / 每 bit) 的趨勢圖及計算其 CAGR (compound average 40

13 growth rate),dram 的價格 / 成本是以每年平均約 33% 速度下降, 這完全是市場競爭下的結果, 客戶在一定品質下, 購買成本較的產品 ( 在 2001 年時, 市場開始發生劇烈的變化, 當時業界粗估, 台灣六家的 DRAM 廠商, 總共虧損了近新台幣四百億元以上 ) 記憶體供應商為降低成本, 籌建 12 吋廠及微縮製程是必然趨勢 如前所提, 12 吋廠必須耗費 30 億美金, 建廠超過 12 月 一旦籌建完成, 搭配 0.11μm 製程, 可以比 8 吋廠節省 1/3 的成本, 若發展 0.09μm 的製程, 效益會更大 記憶體產業的資訊相當透明, 任何一家在市場集資或是發表新製程, 其他競爭對手馬上知曉, 若其不採取因應措施在未來的時間內, 將喪失成本優勢 然而, 擴建 12 吋廠及微縮製程, 必須投入龐大資源 < 表 4-4>, 效率無法馬 上見產生, 這就有 資本投資遞延 現象 所謂資本投資遞延現象是指 : 廠商為 了擴充產能或提升製程水準, 所做的資本投資, 其效應產生時點, 會與資本投資 時點有一段時間遞延 (time delay), 這是資本密集產業常有的現象 記憶體產 業就如半導體產業一般, 是個需要不斷投入研發製程及生產設備投資的產業 過 去 20 年來平均的資本投資 / 產值比約為 22% 例如, 當市場開始供不應求時, 價 格開始攀揚, 短期內無法增加產能, 開始助漲價格, 廠商利潤增加, 導致廠商投 入更多資本, 產能擴充在一定段時間落差後開始顯現, 此時市場狀況已經改變, 需求減緩, 供給增加, 價格面臨壓力, 廠商欲回收投資成本, 降價求售, 助長價 格下降速度 由於投資遞延效應產生的週期循環, 導致記憶體平均價格的波動, 在每次不景氣中, 若能夠擴大資本支出的廠商, 會在下一波的景氣循環取得領 先地位 ( 蔡俊鵬,2000) 表 資本支出超過 10 億美元之半導體廠 排名 英特爾 英特爾 英特爾 英特爾 三星 三星 英特爾 2 台積電 台積電 三星 三星 英特爾 英特爾 三星 3 意法 三星 台積電 新力 聯電 海力士 海力士 4 三星 德儀 IBM 東芝 台積電 東芝 台積電 5 聯電 意法 意法 意法 台積電 東芝 6 德儀 英飛凌 台積電 東芝 爾必達 力晶 7 摩拖羅拉 IBM 美光 中芯 英飛凌 意法 8 恩益禧 美光 瑞薩 英飛凌 新力 新力 9 日立 聯電 美光 意法 英飛凌 10 富士通 恩益禧 超微 超微 11 英飛凌 海力士 德儀 爾必達 12 東芝 超微 力晶 德儀 13 飛利浦 新力 美光 美光 14 海力士 德儀 中芯 15 新力 爾必達 富士通 16 IBM IBM 聯電 17 三菱 18 美光 資料來源 :IC Insights 電子時報整理 (2006) 41

14 除了建 12 吋廠及微縮製程外, 尚有其他方式是可以降低成本 : 擴充生產線 提升良率 增加每批投片數 管理能力提升 發展高容量產品等 這些方式都與時間遞延 資本投資遞延 學習曲線及人力培養有關, 當然, 時間因素及資金佔有很大部份 三. 策略聯盟許多記憶體供應商為了避免資本支出, 造成風險過大, 就採取技術移轉的方式與他廠配合 這就是目前台灣記憶體產業興起的原因之一 原本記憶體供應商提供技術, 台灣廠商提供資金, 屆時量產時, 技術移轉廠商依合約取得一定產量, 如南亞科技先是承襲來自日本 OKI 的製程技術, 隨後又與 IBM 進行技術移轉動作 ; 茂德過去雖由茂矽及英飛凌共同合資, 但製程技術來自英飛凌 ; 力晶也是從三菱 (Mitsubishi) 技轉技術, 日後緊接著由爾必達接手繼續轉移日系 DRAM 廠製程予力晶 經由技術移轉過程的磨合期, 讓台灣廠商與原本配合記憶體供應商關係更加密切, 進而策略聯盟, 除了在產能供給關係上的緊密合作, 同時在技術上, 也由過去接受技術授權的角色, 藉由策略聯盟以及自行投入研發, 發展技術 ( 電子時報,2006) 如 : 南亞科技, 與英飛凌共同出資一半, 進行策略聯盟設立華亞半導體, 雙方未來能各獲得一半產能, 更重要的是, 南亞科將可由過去的技術接受者, 躍升為技術共同開發及擁有者, 也就是說, 藉此一與英飛凌策略聯盟模式, 進一步提升自己的地位 力晶製程技術, 來自爾必達, 不過力晶同樣也與爾必達有進一步策略聯盟動作, 雙方藉由技術授權及代工產能模式, 達到雙贏格局 且力晶未來將持續掌握全球相當珍貴的 12 吋廠資源, 也可倚重此一競爭優勢, 與其他 DRAM 廠展開進一步的策略聯盟動作, 更有助於力晶躍升為國際知名的 DRAM 顆粒供應商 茂德與英飛凌結束段合作關係後, 便積極找尋接下來的策略聯盟伙伴, 以供應未來幾年的技術來源, 也因而先後出現與爾必達及海力士 (Hynix) 簽署合作備忘錄 然而此現象並非出現在台灣而已, 自從力晶取得瑞薩有關於 Flash 的技術移轉後,Intel 也與 Micron 合資成立 IM 進軍 Flash 市場 記憶體產業內的合作關係將比以往更加緊密, 形成數個不同的陣營 四. 產品多角化,DRAM 與 Flash 產品線交互運用需求與供應是相互影響, 在 2000 年以前 Flash 的市場需求規模不到 50 億美元, 但自從 2000 年以後 Flash 的運用廣為普及, 主因是來自數位產品的發展, 如手機與數位相機, 及 USB 介面已經列入產品標準規格 而 2003 年 Flash 的供 42

15 需緊繃, 價格上漲, 但在 DRAM 市場上卻是反應平平 DRAM 與 Flash 的生產製程共通, 造成記憶體供應商紛紛將 DRAM 生產線撥至 Flash 生產, 除了 Flash 獲利較高外, 也可以將 DRAM 產量減少, 舒緩 DRAM 價格壓力 另外一個原因是 DRAM 的主要運用於 PC, 若是只單獨生產 DRAM, 記憶體廠商受 PC 景氣波動影響過大 基於 DRAM 生產經驗, 記憶體供應商對 Flash 的拓展相當順利, 以三星為例, 2005 年 Flash 的營業額超過 65 億美金而 DRAM 營業額為 74 億美金 針對 Flash 市場, 不約而同的, 記憶體製造商以 Data Flash 為主, 亦即 NAND Flash, 運用於消費性產品及小型擴充記憶卡 目前各廠對高容量 NAND Flash 的發展不餘於力, 主要的原因是, 高容量 NAND Flash( 目前容量最高為 16Gb) 將有機會取代硬碟 (Hard Disk) 或是微型硬碟 (Micro Drive) 一旦 32Gb 64Gb 或 128Gb 高容量的 NAND Flash 上市, 將會運用於代筆記型電腦 MP3 DVD 等產品, 市場成長空間會更大 然而 NAND Flash, 也面臨 DRAM 同樣的問題 價格波動, 尤其是供需失調時更為嚴重,2006 年第一季 NAND Flash 價格跌幅幾達 50%, 但製造廠商對於擴增 NAND Flash 產能一事, 卻不因價格的下滑而退縮, 反而加碼投資, 深知唯有在淡季中不斷擴產, 等到旺季來臨時, 才可歡喜收割的道理 這與過去 DRAM 產業應對策略相仿, 各大廠都清楚知道, 若是在景氣谷底時因為害怕而縮手投資, 屆時遇上半導體景氣翻揚, 在產能的競賽上, 恐已先輸在起跑點上, 因此, 即使是記憶體價格下跌, 更是要越挫越勇, 加緊投資腳步 DRAM 是做成模組, 裝置在電腦內, 而 NAND Flash 與 DRAM 的運用有很大不同 NAND Flash 除了可以內建在終端數位產品內外, 如數位相機 或 MP3, 也可以做成外接式小型記憶卡, 使用於行動電話 MP3 數位相機 電腦等, 規格有 USB Drive ( 隨身碟 ) SD MMC 等 因為, 小型記憶卡的便利, 讓消費者不必具體任何的電腦技術知識可以馬上使用 (PNP,plug and play) 小型記憶卡年出貨量將由 2003 年 1 億片, 預估成長 2008 年 8 億片 ( 工研院經資中心 ITIS 計畫 ) 因為, 各廠在 NAND Flash 的擴廠不因價格下挫而停頓, 產能在未來會面臨供過於求的現象, 許多 Flash 製造商也紛紛進入 Flash 小型記憶卡的製造與銷售, 如東芝 三星 英飛凌 意法半導體 (ST Microelectronics), 成為零組件供應商身兼成品供應者 近來美光與 Intel 合資 IM 公司, 也有意併購美國 Lexar NAND Flash 未來在面臨供給過剩下, 唯有適時掌握終端通路, 才能在市場供給過剩時, 有管道消化龐大的 NAND Flash 產出, 此優勢將可較競爭對手在銷售的策略更加靈活 ( 電子時報,2006) 五. 高容量 速度快 及下世代產品的開發, 產品生命週期越來越短 12 吋廠與微縮製程, 讓記憶體趨向於高容量 高速 小尺寸, 產出也比以往呈倍數增加 各廠為了提高競爭力, 除了對現有產品線往高容量發展外, 規劃下世代記憶體是必然的 雖然, 年 DDR II 才成為 DRAM 主流產品, 但 JEDEC 記憶體委員會的資料, 次世代的產品已經規劃完成, 如 DDR III 依集邦科技的資料,DDR III 將會在 成為主流產品 DDR III 將採用 0.09μm 製程, 43

16 傳輸速度可達到每秒 1,333Mbits, 約現行量產 DDR II 的 2 倍 但從以往的產品生命週期, 得知每一新世代的生命週期越來越短, 如 FPM 於 1987 年 EDO 於 1993 年 SDRAM 於 1996 年 DDR I 於 2001 年及 DDR II 是在 2004 年 各供應商除了投入 12 吋廠 微縮製程外, 也要面臨資源投入的回收期越來越短! 第四節本章結論 從第二章的文獻回顧, 及本章的記憶體產業分析, 可以該產業是競爭非常激烈, 分述如下 : 市場結構 : 寡佔但互相競爭激烈, 記憶體廠商幾乎無法獲得超額利潤, 而且必須持續投資人力物力 ; 新加入者的威脅 : 資本及技術密集, 高度進入障礙, 新加入者的威脅低 ; 替代品的威脅 :CPU 可以內建記憶體, 但技術難度高, 缺乏運用彈性, 市場接受度低 ; 而硬碟處理速度慢, 無法取代 DRAM 在電腦上的運作 ; 供應商的議價力量 :12 吋廠設立需要時間及龐大資金, 造成資本投資遞延 但每次籌資金額龐大, 且皆是國際知名大廠, 在資金及設備上的議價阻礙較低 若不能自行研發製程能力, 必須以授權或合作方式取得 ; 客戶的議價力量 : 由於, 沒有一個下游模組商可以獨佔記憶體廠商 20% 以上的營業額, 故記憶體廠商有是較大的議價能力 但因產品已經標準化, 各模組業者可以向各記憶體廠商採購, 組裝成品及銷售至市場, 所以沒有所謂的移轉成本, 因此供應商與模組業者必須維持良性互動 同時, 市場需求不是很穩定, 與客戶保持互信狀況下, 可以讓客戶儘力消化過剩之庫存 現有公司間的競爭 : 因為價格波動, 為維持競爭力就必須全力降低成本 ( 產出增加 良率提高 生產週期縮短 ) 對現有產品發展高容量及高速 投入新廠設備及微縮製程 NAND Flash 與 DRAM 生產交互運用 及銷售 NAND Flash 成品記憶卡 由於, 記憶體產業退出障礙大與代價高, 每一家只能持續注入資源, 改善效率, 這使得各家在其自有價值鏈, 或者自身經營績效努力! 協力 / 互補市場 : 在 2007 年前將有新的作業軟體使用於電腦, 將會有一波換機潮, 而消費電子產品對小型記憶卡的需求日增, 這可預期 DRAM 及 Flash 市場需求將由 2004 年的 350 億美元成長至 2009 年 580 億美元 由於記憶體產業特性, 該生產週期長, 約 40 天 -70 天, 產出以百萬顆計而, 必須維持良好的供應鏈管理, 才能夠減少不必要的損失, 這就需要模組業者能夠提供銷售預測, 以進行規模生產 與模組業者間關係至為重要, 因為, 其必須能夠持續不斷, 購入金額龐大的記憶體, 這也促成記憶體廠商不願 亦不能中斷與模組業者的交易,( 除非該模組業者有財務上的困難 ) 記憶體產業雖為寡佔市場, 但互相競爭 產品標準化 成本持續下降之狀況下, 記憶體廠商無法操控市場價格, 售價全由市場實際的供 44

17 需而定, 無法獲得超額利潤 在市場變動下, 與模組業者共同成長, 是大部份記憶體廠商降低風險的作法, 這也可以拉進彼此間合作關係 但此無法降低大部份市場波動的風險, 另外一種調節市場機能的作法是, 增加不同產品線 ( 如生產 Flash) 及銷售成品 ( 如銷售 Flash 成品 ) 至市場 這可以將風險降至最低, 也可以獲得較高的利潤 (Flash 的毛利比 DRAM 高 ), 但這都會影響到模組業者本身的業務範疇 45

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