满足美国能源部能效 DoE Level VI 电源管理方案介绍 201406 V0
内容简介 吉远电子科技简介 美国能源部 DoE(Department Of Energy)VI 标准 满足 DoE VI 电源管理器件及方案小于 5W 产品原边方案 (PSR) 控制器产品原边方案 (PSR) 集成功率开关 5W~20W 产品原边方案控制器原边方案集成功率开关次边方案控制器次边方案集成功率开关次边方案高压启动开关 20W ~100W 产品次边控制器 Low Vf 肖特基二极管系列
吉远电子科技简介 成立于 2005 年 Found In 2005 注册在香港和中国大陆 Registered In Shanghai And Hong Kong China 总部设在上海 (Passive Devices) 和苏州 (Active Devices) Headquarter In Shanghai and Suzhou 物流中心设在深圳 苏州和香港 Logistics In Shenzhen Suzhou And Hong Kong China 2010 年在苏州设置电源设计和应用中心 Power Supply Application And Design Located In SIPAC at 2010 目前拥有 30+ 个高层次员工, 80% 的员工具有电子工程专业本科以上学历 30+ Employees And 80% Of Staffs Has Electronic Engineer Bachelor 2013 年在苏州设立单片机及工业控制应用中心 Set up MCU Application and Industrial controller center at 2013
Switch Power Supply Devices Total Solutions 开关电源管理器件及完整方案提供商 拥有一支高水平的技术队伍, 资深工程师有 20 多年研发经验 Have a professional team, our senior engineer has experienced for 20+ years in power supply application and design 设计能力 : 原理图设计, PCB 布板, 电源变压器设计, 系统调试 Design level: Diagram design, PCB layout, Transformer design and system debug 已经完成 20 多个项目设计, 涉及 : ¼,1/2, 1/8 模块电源,10W-500W ADAPETR, 基站及程控交换机架电源,UPS 电源 Led 驱动电源 Achieved 20+ projects, Including ¼, ½, 1/8 module, 10W-500W Adapter, Base-station & Exchange power supply and UPS supply and Led driver 我们可以 : 向客户提供参考设计 Providing reference design 帮助客户检查电路图和电路板 Checking diagram and circuit board 提供技术讲座和培训 Holding technical seminar and training 演示板 开发板设计 Demo board and reference design 应用技艺 技术文章 Tips application and Technical Document
Integrated One Station Devices Supplier 集中一站式电源管理器件提供商 1 EMC/Transformer 2 D6 3 Ultra / Schottky Diode 4 D C B L N FUSE TIMF 1A/250V R1 NTC5D-11 Rectifier R2 Bridge 1M R4 VR1 R3 1M PWM+MOSFET PFC and PWM Controller C1 0.22uF/400V L1 UF1613 C4 0.01uF 630V X7R C2 0.68uF/400V D1 IN4007 R20 683R C9 205C C8 105C C10 101C D2 IN4007 C3 0.1uF/400V D3 IN4007 D4 IN4007 R19 204R 1 2 3 4 FB C7 1.5nF Vctrl Drv Ct R18 364R Vcc Gnd CS ZC D IC1 NCP1606 R7 125R R8 153R R5 125R 8 7 6 5 R15 823R R6 125R R9 224R R10 224R Q2 MMBT4401 UF4007 DO-41 R16 823R D5 MUR1 10 R12 432R Opto- C20 Coupler R11 spare Vcc1 13.5V 22 uf/65 V R22 2.5V 274R R21 683R D8 IN4934 D7 IN5926 C5 R14 22uF/65V 103R R23100R R24 101R R25 103R R17 823R R26 10 2R 4 7 2 R13 101R 1/2W Q1 4N60 5 T1 6 1 4 3 T1 R27A 1R R27B 1R R27C 1R R28 C11 D10 MBRS2H100 D9 MUR1 10 C14 22uF/65V E-CAP 3~10pcs IC2 PC81 7 1 R36 2 102R R37 202R D12 IN4 148 D13 IN4 148 2 ~10pcs L3 3.3uH C12 220uF/35V R35 101R Vcc2 C16 * 104C * IC3 B 5 7 6 LM3 93 * C17 333C 1 4 IC3 A NCP4300/LM358 * * C18 103C * Q3 MMBT4401 R29 224R D11 IN5926B R38 10 1R * 8 3 2 R40 473R Vcc2 * C13 220uF/35V * C15 10uF/50V R30 R5 R31 1R R32 1R8 R33 1672R 0.2V R34 * 104R R39 2003R 3 2 2.6V * 1 IC4 TL431A Vout GND R41 3323R 1% * R42 1002R 700mA Small signal Devices 5~20pcs Passive R43 Devices 502R 20~300pcs D C B MOSFET/IGBT Voltage Reference CC/CV Devices * C19 102C GND A Size Number Revision A4 Date: 19-Nov-2009 Sheet of File: C:\Users\lo\Documents\NCP160~2.DDBDrawn By: 1 2 3 4 Title A
DoE(Department Of Energy)VI 标准实施计划
美国能源部 DoE VI 标准 建议直接操作外部的节能标准
美国能源部 DoE VI 标准 AC to DC 低电压 (<6V) 外部电源要求
美国能源部 DoE VI 标准 多电压外部电源 附件 DOE VI 按上述要求计算结果查表
满足 DoE Level VI 电源管理产品及方案 OB 原边及次边调整 5W~100W 方案 产品型号 封装形式调整模式芯片适应功率范围 内置功率开关 外接功率开关 OB2510MP SOT-23-5 5W 否 BJT OB2512NJPA SOP-7 5W BJT 否 OB2550MP SOT-23-6 PSR 5W 否 BJT OB2550MMP SOT-23-6 12W 否 MOSFET OB2558AP DIP-8 12W MOSFET 否 OB2283XMP SOT-23-6 45W 否 MOSFET SSR OB5269CPA SOP-8 75W 否 MOSFET 以上产品在输出电压小于 6V 大电流条件下 ( 功率在 20W 内 ), 最好采用我司 Low Vf 二极管能更好的满足 DoE Level VI
满足 DoE Level VI 电源管理产品及方案 OB 原边及次边调整 5W~100W 方案 产品型号工作频率高压启动待机功耗 264@ 合作伙伴完整方案 OB2510MP 50KHZ 否 <75mW CH5V1000mA2510.00 OB2512NJPA 50KHZ 否 <75mW CH5V1000mA2512Y.00 OB2550MP 50KHZ 否 <30mW CH5V1000mA2550.00 OB2550MMP 50KHZ 否 <30mW OB CH5V1500mA2550.00 OB2558AP 50KHZ 否 <30mW CH5V2.1A2558.00 OB2283XMP 多模式 否 50mW AD12V3A2283.00 OB5269CPA 可调 有 <50mW AD19V3.41A5269.00 以上产品在输出电压小于 6V 大电流条件下 ( 功率在 20W 内 ), 最好采用我司 Low Vf 二极管能更好的满足 DoE Level VI
满足 DoE Level VI 电源管理产品及方案 Fremont Micro 5W~7.5W 电源管理方案 产品型号封装形式调整模式芯片适应功率范围内置功率开关外接功率开关 FT839NB SOP-8 5W BJT 否 PSR FT839MB SOP-8 7.5W MOSFET 否 产品型号工作频率高压启动待机功耗 264@ 合作伙伴完整方案 FT839NB 70KHZ 否 <65mW FT839NB5V-1A FMD FT839MB 70KHZ 否 <65mW FT839MB5V-1.5A 简单 易用 超好的动态响应 高性价比
满足 DoE Level VI 电源管理产品及方案 ChipRail 高压启动 6W~18W 次边调整方案 产品型号封装形式调整模式芯片适应功率范围内置功率开关外接功率开关 CR5521 SOP-8L <6W MOSFET 否 CR5524 DIP-8 <11W MOSFET 否 CR5528 DIP-8 SSR <15W MOSFET 否 CR5534 DIP-8 <15W MOSFET 否 CR5541 DIP-8 <15W MOSFET 否 产品型号 工作频率 高压启动 待机功耗 264@ 合作伙伴 完整方案 CR5521 65KhZ 特有 30mW CR5524 65KhZ 特有 30mW CR5524 5V2.1AV1.0 CR5528 65KhZ 特有 30mW ChipRail CR552812V1A V0 CR5534 65KhZ 特有 30mW CR5534 5V2.1 和 12V1A CR5541 65KhZ 特有 30mW CR5541 12V 1A 5V 2.4A 采用 700V 高压启动, 无需启动电阻, 内置 600V 高压功率 MOSFET, 反激式 PWM 功率开关
满足 DoE Level VI 电源管理产品及方案 ChipRail 6W~18W 次边调整方案 产品型号封装形式调整模式芯片适应功率范围内置功率开关外接功率开关 CR5233 SOP-8L <6W MOSFET 否 CR5231 DIP-8 <11W MOSFET 否 SSR CR5234 DIP-8 <15W MOSFET 否 CR5239 DIP-8 <15W MOSFET 否 产品型号工作频率高压启动待机功耗 264@ 合作伙伴完整方案 CR5233 65KhZ 否 100mW CR5231 65KhZ 否 100mW CR5234 65KhZ 否 100mW CR5239 65KhZ 否 100mW ChipRail 13W 内 80mW 待机, 能效满足 DOE-6, 高品质副边功率开关, DIP8L 封装 同时 CR524X 系列将 PIN to Pin CR522X 系列
满足 DoE Level VI 电源管理产品及方案 30W~100W 电源方案 产品型号封装形式调整模式芯片适应功率范围内置功率开关外接功率开关 CR5842B SOP-8L <100W 否是 SSR CR5904 SOP-8L <100W 否是 产品型号工作频率高压启动待机功耗 264@ 合作伙伴完整方案 CR5842B 65KhZ 是 50mW Chip-Rail CR5904 130Khz(max) 是 150mW 19V4.5A CR5842B 700V 高压启动, 待机功耗小于 50mW 且固定频率 65KHz CR5904 700V 高压启动,QR 工作模式 最高频率 130KHz
满足 DoE Level VI Low Vf 肖特基二极管系列 现在主要提供的型号, 价格在不停的 Cost down 中. 更多的新产品将要 release.
满足 DoE Level VI Low Vf 肖特基二极管系列 基于 CR or OB 方案,5V/2A 整体效率能提升 1~2%
满足 DoE Level VI Low Vf 肖特基二极管系列 温升 效率对比结果实测
满足 DoE Level VI Low Vf 肖特基二极管系列 SB560L 与 SB560 普通型肖特基对效率提升实测结果 SB560L 12V 1.25A CR6855+ 4N60L Vin(V) Pin(W) Vout(V) Iout (A) η Standby η vag 18.22 12.1 1.25 83.01% 90 13.64 12.15 0.94 83.73% 9.07 12.2 0.63 84.74% 34W 84.16% 4.46 12.25 0.31 85.15% Vin(V) Pin(W) Vout(V) Iout (A) η Standby η vag 18.03 12.1 1.25 83.89% 230 13.57 12.15 0.94 84.16% 9.11 12.2 0.63 84.37% 64mW 83.92% 4.56 12.25 0.31 83.28% SB560 12V1.25A CR6855+4N60L Vin(V) Pin(W) Vout(V) Iout (A) η Standby η vag 18.39 12.1 1.25 82.25% 90 13.76 12.2 0.94 83.34% 9.17 12.2 0.63 83.82% 34W 83.54% 4.48 12.25 0.31 84.77% Vin(V) Pin(W) Vout(V) Iout (A) η Standby η vag 18.16 12.1 1.25 83.29% 230 13.67 12.2 0.94 83.89% 9.17 12.2 0.63 83.82% 64mW 83.43% 4.59 12.25 0.31 82.73% With 1.5M 20AWG
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